JPH052849Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH052849Y2 JPH052849Y2 JP4367786U JP4367786U JPH052849Y2 JP H052849 Y2 JPH052849 Y2 JP H052849Y2 JP 4367786 U JP4367786 U JP 4367786U JP 4367786 U JP4367786 U JP 4367786U JP H052849 Y2 JPH052849 Y2 JP H052849Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- circuit
- rich
- activated
- current
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、酸素濃度センサ（O2センサ）の不
活性時に疑似的にリツチ判定させるリツチモニタ
回路に関する。
活性時に疑似的にリツチ判定させるリツチモニタ
回路に関する。
リーン制御を主に行うLPG等の希薄燃焼シス
テムでは、フイードバツク制御領域以外ではO2
センサがリツチになる機会が少ない。このため、
O2センサが活性化したか否かを判定する手法と
して、活性化するまでを疑似的にリーンと判定す
るリーンモニタはその用をなさない。そこで考案
されたのがリツチモニタ回路である。
テムでは、フイードバツク制御領域以外ではO2
センサがリツチになる機会が少ない。このため、
O2センサが活性化したか否かを判定する手法と
して、活性化するまでを疑似的にリーンと判定す
るリーンモニタはその用をなさない。そこで考案
されたのがリツチモニタ回路である。
リツチモニタ回路とはO2センサの内部インピ
ーダンスが不活性時に高いので、それを検出して
リツチ判定する回路である。第２図はその一例
で、等価的に抵抗RZと起電力VZの直列回路で表
わされるO2センサSENに対し、内部回路から微
少電流ILを流してその時発生する電圧VINをコン
パレータCMPで比較し、該電圧が抵抗R4，R5で
設定された基準電圧（リツチモニタ判定レベル）
VRより高ければリツチと判定するものである。
R1，Ｃはリツプル吸収用フイルタを構成する抵
抗およびコンデンサ、R3は該コンデンサへの充
電用抵抗、PSは定インピーダンス電源である。
ーダンスが不活性時に高いので、それを検出して
リツチ判定する回路である。第２図はその一例
で、等価的に抵抗RZと起電力VZの直列回路で表
わされるO2センサSENに対し、内部回路から微
少電流ILを流してその時発生する電圧VINをコン
パレータCMPで比較し、該電圧が抵抗R4，R5で
設定された基準電圧（リツチモニタ判定レベル）
VRより高ければリツチと判定するものである。
R1，Ｃはリツプル吸収用フイルタを構成する抵
抗およびコンデンサ、R3は該コンデンサへの充
電用抵抗、PSは定インピーダンス電源である。
コンパレータCMPの入力電圧VINは
VIN＝（R1＋R3＋RZ）・IL＋VZ ……(1)
であるが、O2センサSENの不活性時は
R1≪RZ，R3≪RZ，VZ０
であるから
VINRZ・IL ……(2)
となる。例えばRZ＝10MΩ，IL＝50nA，VR＝
0.45VとするとVIN＝0.5Vとなるので、VIN＞VRが
成立する。この結果コンパレータ出力OUTはＨ
（ハイ）となり、疑似的にリツチを示す。
0.45VとするとVIN＝0.5Vとなるので、VIN＞VRが
成立する。この結果コンパレータ出力OUTはＨ
（ハイ）となり、疑似的にリツチを示す。
これに対し、センサSNEが高温排ガス中で活
性化されると抵抗RZが急減する。同時にO2量に
応じた起電力VZも生ずるが、リーン雰囲気中で
はVZは低いので、リーン制御を行うシステムで
はVIN＜VRとなり、出力OUTはＬ（ロー）にな
る。従つて、出力OUTのＨからＬへの反転でO2
センサSENの活性化時点を検出できる。
性化されると抵抗RZが急減する。同時にO2量に
応じた起電力VZも生ずるが、リーン雰囲気中で
はVZは低いので、リーン制御を行うシステムで
はVIN＜VRとなり、出力OUTはＬ（ロー）にな
る。従つて、出力OUTのＨからＬへの反転でO2
センサSENの活性化時点を検出できる。
尚、この回路はセンサSENの活性化後は起電
力VZの大小によるリツチ、リーンの判定に用い
られる（リーンでVZ小、リツチでVZ大）。
力VZの大小によるリツチ、リーンの判定に用い
られる（リーンでVZ小、リツチでVZ大）。
ところが、第２図の回路では検出電流ILをコン
パレータCMPの入力端子からリークさせる形で
供給しているので、充分な値をとることができ
ず、O2センサSENが完全に活性化する前にRZが
低下し始めたときコンパレータ出力が反転してし
まう可能性がある。又、O2センサ処理回路（コ
ンパレータCMP等）の入力インピーダンスが高
いため、イグニツシヨン。ノイズ等のサージに対
して弱い欠点もある。
パレータCMPの入力端子からリークさせる形で
供給しているので、充分な値をとることができ
ず、O2センサSENが完全に活性化する前にRZが
低下し始めたときコンパレータ出力が反転してし
まう可能性がある。又、O2センサ処理回路（コ
ンパレータCMP等）の入力インピーダンスが高
いため、イグニツシヨン。ノイズ等のサージに対
して弱い欠点もある。
本考案は、これらの点を解決しようとするもの
である。
である。
本考案は、不活性時には内部抵抗値が高く、活
性化されると該抵抗値が低下すると共に酸素濃度
に応じた起電力を発生するセンサに微少電流を流
し、該センサの両端に発生する電圧から該センサ
の活性、不活性を判定するリツチモニタ回路にお
いて、該微少電流の供給源として、低漏れ電流の
ツエナーダイオードとその保護用抵抗からなる直
列回路を低インピーダンス電源に接続してなるこ
とを特徴とするものである。
性化されると該抵抗値が低下すると共に酸素濃度
に応じた起電力を発生するセンサに微少電流を流
し、該センサの両端に発生する電圧から該センサ
の活性、不活性を判定するリツチモニタ回路にお
いて、該微少電流の供給源として、低漏れ電流の
ツエナーダイオードとその保護用抵抗からなる直
列回路を低インピーダンス電源に接続してなるこ
とを特徴とするものである。
低漏れ電流のツエナーダイオードとその保護用
抵抗からなる直列回路は酸素濃度センサ（O2セ
ンサ）に対する微少量の電流の供給源として作用
し、他の回路からのリーク電流に加算されて該セ
ンサの活性、不活性反転点を精度良く判定可能に
する。また該直列回路はサージ吸収用としても機
能するので、O2センサ処理回路の保護にも役立
つ。
抵抗からなる直列回路は酸素濃度センサ（O2セ
ンサ）に対する微少量の電流の供給源として作用
し、他の回路からのリーク電流に加算されて該セ
ンサの活性、不活性反転点を精度良く判定可能に
する。また該直列回路はサージ吸収用としても機
能するので、O2センサ処理回路の保護にも役立
つ。
〔実施例〕
第１図は本考案の一実施例を示す回路図で、第
２図の回路に低漏れ電流のツエナーダイオード
DZとその保護用抵抗R2からなる微少検出電流IZ
の供給回路を付加したものである。このようにす
るとコンパレータCMPの入力電圧はVINは VIN＝Ｒ（2＋RZ）（IZ＋IL） ＋VZ＋R3・IL ……(3) となるが、O2センサSENの不活性時は、 R1≪RZ，R3≪RZ，VZ０ であるため VINRZ・（IZ＋IL） ……(4) となる。この式のVINは(2)式のVINよりRZ・IZだけ
高い値になる。従つて、O2センサSENが充分に
活性化するまで、換言すればRZが低下し始めて
もリツチ判定出力を出しておくことができる。
２図の回路に低漏れ電流のツエナーダイオード
DZとその保護用抵抗R2からなる微少検出電流IZ
の供給回路を付加したものである。このようにす
るとコンパレータCMPの入力電圧はVINは VIN＝Ｒ（2＋RZ）（IZ＋IL） ＋VZ＋R3・IL ……(3) となるが、O2センサSENの不活性時は、 R1≪RZ，R3≪RZ，VZ０ であるため VINRZ・（IZ＋IL） ……(4) となる。この式のVINは(2)式のVINよりRZ・IZだけ
高い値になる。従つて、O2センサSENが充分に
活性化するまで、換言すればRZが低下し始めて
もリツチ判定出力を出しておくことができる。
また、低インピーダンス電源PSの電位を基準
に、絶対値がツエナーダイオードDZの電圧を越
えるサージに対しては、該ダイオードがコンパレ
ータCMP等に比べて低インピーダンスの入力回
路となるので、該サージはRZ→DZ→SPの経路で
吸収され、コンパレータCMPやコンデンサＣは
該サージから保護される。
に、絶対値がツエナーダイオードDZの電圧を越
えるサージに対しては、該ダイオードがコンパレ
ータCMP等に比べて低インピーダンスの入力回
路となるので、該サージはRZ→DZ→SPの経路で
吸収され、コンパレータCMPやコンデンサＣは
該サージから保護される。
以上述べたように本考案によれば、少数の素子
を追加するだけでリツチモニタ回路の精度を改善
し、また耐サージ性を向上できる利点がある。
を追加するだけでリツチモニタ回路の精度を改善
し、また耐サージ性を向上できる利点がある。
第１図は本考案の一実施例を示す回路図、第２
図は従来のリツチモニタ回路の一例を示す回路図
である。 図中、SENはO2センサ、CMPはコンパレー
タ、DZはツエナーダイオード、R1〜R5は抵抗、
Ｃはコンデンサである。
図は従来のリツチモニタ回路の一例を示す回路図
である。 図中、SENはO2センサ、CMPはコンパレー
タ、DZはツエナーダイオード、R1〜R5は抵抗、
Ｃはコンデンサである。
Claims (1)
- 不活性時には内部抵抗値が高く、活性化される
と該抵抗値が低下すると共に酸素濃度に応じた起
電力を発生するセンサに微少電流を流し、該セン
サの両端に発生する電圧から該センサの活性、不
活性を判定するリツチモニタ回路において、該微
少電流の供給源として、低漏れ電流のツエナーダ
イオードとその保護用抵抗からなる直列回路を低
インピーダンス電源に接続してなることを特徴と
する酸素濃度のセンサのリツチモニタ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4367786U JPH052849Y2 (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4367786U JPH052849Y2 (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62155362U JPS62155362U (ja) | 1987-10-02 |
| JPH052849Y2 true JPH052849Y2 (ja) | 1993-01-25 |
Family
ID=30860761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4367786U Expired - Lifetime JPH052849Y2 (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH052849Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4662207B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-03-30 | 日本特殊陶業株式会社 | 空燃比検出装置 |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP4367786U patent/JPH052849Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62155362U (ja) | 1987-10-02 |
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