JPH05283447A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05283447A JPH05283447A JP8075892A JP8075892A JPH05283447A JP H05283447 A JPH05283447 A JP H05283447A JP 8075892 A JP8075892 A JP 8075892A JP 8075892 A JP8075892 A JP 8075892A JP H05283447 A JPH05283447 A JP H05283447A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- protective member
- semiconductor wafer
- dicing
- attached
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体ウエハのダイシング後にチッ
プのダイス付けを行う工程の半導体装置の製造方法に関
し、シリコン片のチップへの悪影響を回避することを目
的とする。 【構成】 半導体ウエハ１１のダイシング後、表面上に
保護部材１５を取着してＵＶテープ１３を剥離し、ブレ
ード１６により保護部材１５を切断して保護部材１５を
取着させたままチップ１４を分離する。そして、チップ
１４を搬送してダイス付けした後、保護部材１５の所定
部分を除去する。
プのダイス付けを行う工程の半導体装置の製造方法に関
し、シリコン片のチップへの悪影響を回避することを目
的とする。 【構成】 半導体ウエハ１１のダイシング後、表面上に
保護部材１５を取着してＵＶテープ１３を剥離し、ブレ
ード１６により保護部材１５を切断して保護部材１５を
取着させたままチップ１４を分離する。そして、チップ
１４を搬送してダイス付けした後、保護部材１５の所定
部分を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハのダイシ
ング後にチップのダイス付けを行う工程の半導体装置の
製造方法に関する。
ング後にチップのダイス付けを行う工程の半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】近年、半導体装置の製造工程における半導
体ウエハのダイシング工程ではフルカット方式が主流に
なってきている。この場合、ダイシング後にテープより
チップを分離して搬送する際に、シリコン片によるチッ
プへの影響を回避することが必要である。
体ウエハのダイシング工程ではフルカット方式が主流に
なってきている。この場合、ダイシング後にテープより
チップを分離して搬送する際に、シリコン片によるチッ
プへの影響を回避することが必要である。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハの所定の処理後に、フレームに取着されて
いるＵＶ（紫外線）テープに固着し、フルカット方式で
チップ状にダイシングする。そして、ＵＶテープに紫外
線を照射して該ＵＶテープとチップとの接着力を弱めて
該チップを分離し、搬送してダイス付けを行う。
半導体ウエハの所定の処理後に、フレームに取着されて
いるＵＶ（紫外線）テープに固着し、フルカット方式で
チップ状にダイシングする。そして、ＵＶテープに紫外
線を照射して該ＵＶテープとチップとの接着力を弱めて
該チップを分離し、搬送してダイス付けを行う。
【０００４】この場合、チップの分離は、ＵＶテープの
裏面よりピンを突上げることにより行う。また、搬送
は、分離されたチップをコレットにより真空吸着して行
い、リードフレームのステージ上にダイス付けを行うも
のである。
裏面よりピンを突上げることにより行う。また、搬送
は、分離されたチップをコレットにより真空吸着して行
い、リードフレームのステージ上にダイス付けを行うも
のである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハのダイシング等の各工程ではストレスによるシリコン
片が発生する。このシリコン片が、分離されたチップを
コレットに吸着する際に、コレット内で飛散してチップ
表面に傷を生じさせるなどの多大な悪影響を及ぼすとい
う問題がある。
ハのダイシング等の各工程ではストレスによるシリコン
片が発生する。このシリコン片が、分離されたチップを
コレットに吸着する際に、コレット内で飛散してチップ
表面に傷を生じさせるなどの多大な悪影響を及ぼすとい
う問題がある。
【０００６】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、シリコン片のチップへの悪影響を回避する半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
もので、シリコン片のチップへの悪影響を回避する半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１に、本発明の原理説
明図を示す。図１において、半導体ウエハの所定の処理
後、該半導体ウエハの裏面をフレームの粘着テープ上に
固着してチップ状にダイシングを行い、該チップを搬送
してダイス付けを行う半導体装置の製造方法であって、
第１の工程では、前記半導体ウエハの前記ダイシング後
に、前記粘着テープの接着力を弱めさせ、該半導体ウエ
ハの表面に保護部材を取着する。第２の工程では、該半
導体ウエハより該粘着テープを剥離させる。第３の工程
では、前記チップを内包可能な筒状のブレードにより該
保護部材を切断して該保護部材と共に該チップを該筒状
のブレード内に保持させる。そして、第４の工程では、
該チップを搬送してダイス付けした後、該保護部材の所
定部分を除去し、該チップ表面の所定部分を部分的に表
出させる。
明図を示す。図１において、半導体ウエハの所定の処理
後、該半導体ウエハの裏面をフレームの粘着テープ上に
固着してチップ状にダイシングを行い、該チップを搬送
してダイス付けを行う半導体装置の製造方法であって、
第１の工程では、前記半導体ウエハの前記ダイシング後
に、前記粘着テープの接着力を弱めさせ、該半導体ウエ
ハの表面に保護部材を取着する。第２の工程では、該半
導体ウエハより該粘着テープを剥離させる。第３の工程
では、前記チップを内包可能な筒状のブレードにより該
保護部材を切断して該保護部材と共に該チップを該筒状
のブレード内に保持させる。そして、第４の工程では、
該チップを搬送してダイス付けした後、該保護部材の所
定部分を除去し、該チップ表面の所定部分を部分的に表
出させる。
【０００８】
【作用】上述のように、ダイシング後の半導体ウエハ表
面に保護部材を取着し、この保護部材ごとチップを分離
させる。そして、チップ表面の表出の必要な部分は、保
護部材の対応する部分が除去される。
面に保護部材を取着し、この保護部材ごとチップを分離
させる。そして、チップ表面の表出の必要な部分は、保
護部材の対応する部分が除去される。
【０００９】これにより、ダイス付けのための搬送に際
して、チップ表面の保護部材が発生したシリコン片から
保護することになる。従って、シリコン片によるチップ
への傷の発生とダメージを防止することが可能となり、
悪影響を回避することが可能となる。
して、チップ表面の保護部材が発生したシリコン片から
保護することになる。従って、シリコン片によるチップ
への傷の発生とダメージを防止することが可能となり、
悪影響を回避することが可能となる。
【００１０】
【実施例】図２及び図３に、本発明の一実施例の製造工
程図を示す。
程図を示す。
【００１１】図２において、まず前工程として、半導体
ウエハ１１の素子領域形成や電極形成等の所定の処理を
行う。所定処理後の半導体ウエハ１１は、フレーム１２
に取り付けられている粘着テープであるＵＶテープ１３
上にその裏面が固着され、上述のフルカット方式により
チップ１４状にダイシングされる（図２（Ａ））。
ウエハ１１の素子領域形成や電極形成等の所定の処理を
行う。所定処理後の半導体ウエハ１１は、フレーム１２
に取り付けられている粘着テープであるＵＶテープ１３
上にその裏面が固着され、上述のフルカット方式により
チップ１４状にダイシングされる（図２（Ａ））。
【００１２】そして、ＵＶテープ１３側より紫外線を照
射する（図２（Ａ））。これにより、半導体ウエハ１１
（チップ１４）とＵＶテープ１３との接着力が弱めら
れ、剥離し易くなる。
射する（図２（Ａ））。これにより、半導体ウエハ１１
（チップ１４）とＵＶテープ１３との接着力が弱めら
れ、剥離し易くなる。
【００１３】次に、半導体ウエハ１１の表面に、フレー
ム１２に架けて保護部材（例えばＵＶテープ）１５を取
着し、該半導体ウエハ１１の表面が下面になるように反
転位置させる（図２（Ｂ））。
ム１２に架けて保護部材（例えばＵＶテープ）１５を取
着し、該半導体ウエハ１１の表面が下面になるように反
転位置させる（図２（Ｂ））。
【００１４】続いて、チップ１４を保護部材１５が取り
付けられたまま、ブレード１６を突上げ機構（図示せ
ず）により突き上げ、保護部材１５を切断して分離を行
う（図２（Ｃ））。ブレード１６は、チップ１４を内包
する径の円筒状（筒状であれば断面形状は問わない）に
形成されたもので、突き上げにより保護部材１５を切断
するために刃先がテーパ形状等で形成される。また、ブ
レード１６内には突上げ機構（図示せず）により上下動
する突上げピン１７を備えている。従って、従って、保
護部材１５を切断して分離されたチップ１４はブレード
１６内の突上げピン１７上に載置された状態となる。
付けられたまま、ブレード１６を突上げ機構（図示せ
ず）により突き上げ、保護部材１５を切断して分離を行
う（図２（Ｃ））。ブレード１６は、チップ１４を内包
する径の円筒状（筒状であれば断面形状は問わない）に
形成されたもので、突き上げにより保護部材１５を切断
するために刃先がテーパ形状等で形成される。また、ブ
レード１６内には突上げ機構（図示せず）により上下動
する突上げピン１７を備えている。従って、従って、保
護部材１５を切断して分離されたチップ１４はブレード
１６内の突上げピン１７上に載置された状態となる。
【００１５】そこで、ブレード１６の上方に、真空源
（図示せず）に接続されているコレット１８が移動され
たときに、突上げピン１７によりチップ１４を裏面から
上昇させ、コレット１８に真空吸着させる（図２
（Ｄ））。
（図示せず）に接続されているコレット１８が移動され
たときに、突上げピン１７によりチップ１４を裏面から
上昇させ、コレット１８に真空吸着させる（図２
（Ｄ））。
【００１６】このとき、ダイシング等で発生したシリコ
ン片がコレット１８内に紛れ込み飛散するが、チップ１
４はその表面に保護部材１５が取り付けられていること
から、保護され、傷等の発生を防止することができるも
のである。
ン片がコレット１８内に紛れ込み飛散するが、チップ１
４はその表面に保護部材１５が取り付けられていること
から、保護され、傷等の発生を防止することができるも
のである。
【００１７】そして、チップ１４はコレット１８により
搬送され、例えばリードフレームのステージ上にダイス
付けされる。
搬送され、例えばリードフレームのステージ上にダイス
付けされる。
【００１８】次に、図３において、ダイス付けされたチ
ップ１４は、保護部材１５上にマスク１９が位置され、
レジスト処理される（図３（Ａ））。マスク１９は、チ
ップ１４の表面に形成されている電極パッド１４ａに対
応した開口部１９ａが形成されたものである。
ップ１４は、保護部材１５上にマスク１９が位置され、
レジスト処理される（図３（Ａ））。マスク１９は、チ
ップ１４の表面に形成されている電極パッド１４ａに対
応した開口部１９ａが形成されたものである。
【００１９】そして、レジスト処理により、保護部材１
５におけるマスク１９の開口部１９ａ部分が除去され、
チップ１４の電極パッド１４ａが表出される（図３
（Ｂ））。
５におけるマスク１９の開口部１９ａ部分が除去され、
チップ１４の電極パッド１４ａが表出される（図３
（Ｂ））。
【００２０】すなわち、配線の電極パッド１４ａのみを
表出させ、他の部分を保護部材１５を取り付けたままの
状態となり、後の工程でのチップ１４表面へのダメージ
を与えることを回避することができるものである。
表出させ、他の部分を保護部材１５を取り付けたままの
状態となり、後の工程でのチップ１４表面へのダメージ
を与えることを回避することができるものである。
【００２１】次に、図示しないが、本発明の他の実施例
について説明する。他の実施例として、ダイシング後の
半導体ウエハ（１１）表面上に第２の保護部材を取着し
て、前記保護部材（１５）とチップ（１４）表面との間
に介在させるものである。なお、第２の保護部材を保護
部材（１５）の上面に取着してもよい。
について説明する。他の実施例として、ダイシング後の
半導体ウエハ（１１）表面上に第２の保護部材を取着し
て、前記保護部材（１５）とチップ（１４）表面との間
に介在させるものである。なお、第２の保護部材を保護
部材（１５）の上面に取着してもよい。
【００２２】この第２の保護部材は、例えばα線防止テ
ープが使用され、外部から侵入するα線からチップ（１
４）を保護するものである。
ープが使用され、外部から侵入するα線からチップ（１
４）を保護するものである。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、チップ表
面上に保護部材を取着したまま搬送してダイス付けを行
うことにより、各製造工程で発生するシリコン片による
チップ表面への傷やダメージ等の悪影響を回避すること
ができる。
面上に保護部材を取着したまま搬送してダイス付けを行
うことにより、各製造工程で発生するシリコン片による
チップ表面への傷やダメージ等の悪影響を回避すること
ができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例の製造工程図である。
【図３】本発明の一実施例の製造工程図である。
１１ 半導体ウエハ １２ フレーム １３ ＵＶチップ １４ チップ １４ａ 電極パッド １５ 保護部材 １６ ブレード １７ 突上げピン １８ コレット １９ マスク １９ａ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 孝智 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１ 株式会社富士通宮城エレクトロニ クス内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハ（１１）の所定の処理後、
該半導体ウエハ（１１）の裏面をフレーム（１２）の粘
着テープ（１３）上に固着してチップ（１４）状にダイ
シングを行い、該チップ（１４）を搬送してダイス付け
を行う半導体装置の製造方法において、 前記半導体ウエハ（１１）の前記ダイシング後に、前記
粘着テープ（１３）の接着力を弱めさせ、該半導体ウエ
ハ（１１）の表面に保護部材（１５）を取着する工程
と、 該半導体ウエハ（１１）より該粘着テープ（１３）を剥
離させる工程と、 前記チップ（１４）を内包可能な筒状のブレード（１
６）により該保護部材（１５）を切断して該保護部材
（１５）と共に該チップ（１４）を該筒状のブレード
（１６）内に保持させる工程と、 該チップ（１４）を
搬送してダイス付けした後、該保護部材（１５）の所定
部分を除去し、該チップ（１４）表面の所定部分を部分
的に表出させる工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体ウエハ（１１）表面上に、前
記保護部材（１５）の他に第２の保護部材を取着する工
程と、 該チップ（１４）のダイス付け後に、該第２の保護部材
の該チップ（１４）表面の所定部分に対応する部分を除
去する工程と、 を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075892A JPH05283447A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8075892A JPH05283447A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283447A true JPH05283447A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13727317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8075892A Pending JPH05283447A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283447A (ja) |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP8075892A patent/JPH05283447A/ja active Pending
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