JPH05279841A - 金属又はセラミックス蒸着フィルムを用いた製品及び金属又はセラミックス蒸着フィルムの製造方法 - Google Patents
金属又はセラミックス蒸着フィルムを用いた製品及び金属又はセラミックス蒸着フィルムの製造方法Info
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- JPH05279841A JPH05279841A JP4106183A JP10618392A JPH05279841A JP H05279841 A JPH05279841 A JP H05279841A JP 4106183 A JP4106183 A JP 4106183A JP 10618392 A JP10618392 A JP 10618392A JP H05279841 A JPH05279841 A JP H05279841A
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- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
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- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Waveguides (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属またはセラ
ミックスを蒸着したフィルムを用いた製品および接着強
度が向上し、均質な金属又はセラミックスを蒸着させる
金属又はセラミックス蒸着法を提供する。 【構成】（１） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸
着した回路基板、アンテナ用基板、抗菌性フィルム、フ
ァブリックス用フィルム、集電体用フィルム、電磁シー
ルド用フィルム、耐食性電極用フィルム、ガスセンサー
用電極膜、濡水センサー及び静電気除去エアーフィルタ
ー、およびセラミックスを蒸着した電子回路基板、親水
性フイルター。少なくとも２個所以上の蒸着源より金属
又はセラミックスを蒸着し、フィルムと蒸着源を相対的
に移動させ、蒸着源の長さを多孔質ふっ素樹脂フィルム
幅の１／５以上とし、又は系内圧力が１×１０-3Ｔｏｒ
ｒ以下の真空下で蒸着を行う金属又はセラミックス蒸着
法。
ミックスを蒸着したフィルムを用いた製品および接着強
度が向上し、均質な金属又はセラミックスを蒸着させる
金属又はセラミックス蒸着法を提供する。 【構成】（１） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸
着した回路基板、アンテナ用基板、抗菌性フィルム、フ
ァブリックス用フィルム、集電体用フィルム、電磁シー
ルド用フィルム、耐食性電極用フィルム、ガスセンサー
用電極膜、濡水センサー及び静電気除去エアーフィルタ
ー、およびセラミックスを蒸着した電子回路基板、親水
性フイルター。少なくとも２個所以上の蒸着源より金属
又はセラミックスを蒸着し、フィルムと蒸着源を相対的
に移動させ、蒸着源の長さを多孔質ふっ素樹脂フィルム
幅の１／５以上とし、又は系内圧力が１×１０-3Ｔｏｒ
ｒ以下の真空下で蒸着を行う金属又はセラミックス蒸着
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属又はセラミックス
を蒸着した多孔質ふっ素樹脂フィルムからなる製品、金
属蒸着フィルム及び多孔質ふっ素樹脂に対する金属又は
セラミックス蒸着法に関する。
を蒸着した多孔質ふっ素樹脂フィルムからなる製品、金
属蒸着フィルム及び多孔質ふっ素樹脂に対する金属又は
セラミックス蒸着法に関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】従来、多孔質ふっ素樹脂フ
ィルムに金属を蒸着した金属蒸着フィルムは知られてい
る（例えば、特開昭６４−１２４０６号）。このような
金属蒸着フィルムの場合、その問題の１つは、フィルム
と金属との間の接着強度が不十分である点にあり、フィ
ルム上に均一にかつ強度よく金属を蒸着させる方法が要
望されている。また、このような金属蒸着フィルムの他
の問題は、その用途開発により、その金属蒸着フィルム
の特性を充分に生かした新しい製品の開発が要望されて
いる。さらに、多孔質ふっ素樹脂フィルムと他の物質と
の複合化についても、新しい複合化フィルの開発が要望
されている。
ィルムに金属を蒸着した金属蒸着フィルムは知られてい
る（例えば、特開昭６４−１２４０６号）。このような
金属蒸着フィルムの場合、その問題の１つは、フィルム
と金属との間の接着強度が不十分である点にあり、フィ
ルム上に均一にかつ強度よく金属を蒸着させる方法が要
望されている。また、このような金属蒸着フィルムの他
の問題は、その用途開発により、その金属蒸着フィルム
の特性を充分に生かした新しい製品の開発が要望されて
いる。さらに、多孔質ふっ素樹脂フィルムと他の物質と
の複合化についても、新しい複合化フィルの開発が要望
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、多孔質ふっ
素樹脂フィルムに金属を蒸着した金属蒸着フィルムを用
いた新しい製品を提供するとともに、多孔質ふっ素樹脂
フィルムにセラミックスを蒸着したセラミックスフィル
ムを用いた新しい製品の開発、多孔質ふっ素樹脂フィル
ムと蒸着金属との間の接着強度が向上した金属蒸着フィ
ルム及び多孔質ふっ素樹脂フィルムに均質な金属又はセ
ラミックスを蒸着させる金属又はセラミックス蒸着法を
提供することをその課題とする。
素樹脂フィルムに金属を蒸着した金属蒸着フィルムを用
いた新しい製品を提供するとともに、多孔質ふっ素樹脂
フィルムにセラミックスを蒸着したセラミックスフィル
ムを用いた新しい製品の開発、多孔質ふっ素樹脂フィル
ムと蒸着金属との間の接着強度が向上した金属蒸着フィ
ルム及び多孔質ふっ素樹脂フィルムに均質な金属又はセ
ラミックスを蒸着させる金属又はセラミックス蒸着法を
提供することをその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、下記の製品及び方法
が提供される。 （１） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなる回路基板。 （２） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなるアンテナ用基板。 （３） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに抗菌性金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる抗菌性フィルム。 （４） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなるファブリックス用フィルム。 （５） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなる集電体用フィルム。 （６） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなる電磁シールド用フィルム。 （７） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに耐食性金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる耐食性電極用フィルム。 （８） 多孔質ふっ素樹脂フィルムの片面のみに金属を
蒸着した金属蒸着フィルムからなるガスセンサー用電極
膜。 （９） 多孔質ふっ素樹脂フィルムにセラミックスを蒸
着したセラミックス蒸着フィルムからなる電子回路基
板。 （１０） 多孔質ふっ素樹脂フィルムにセラミックスを
蒸着したセラミックス蒸着フィルムからなる親水性フィ
ルター。 （１１） 親水化処理した多孔質ふっ素樹脂フィルムに
金属を蒸着した金属蒸着フィルム。 （１２） 親水化処理した多孔質ふっ素樹脂フィルムに
金属を蒸着した金属蒸着フィルムからなる濡水センサ
ー。 （１３） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに対し、少なくと
も２個所以上の蒸着源より金属又はセラミックスを蒸着
することを特徴とする多孔質ふっ素樹脂フィルム表面へ
の金属又はセラミックス蒸着法。 （１４） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに対して蒸着源か
ら金属又はセラミックスを蒸着させるに際し、該フィル
ムと蒸着源を相対的に移動させることを特徴とする多孔
質ふっ素樹脂フィルム表面への金属又はセラミックス蒸
着法。 （１５） 蒸着源の長さを多孔質ふっ素樹脂フィルム幅
の１／５以上としたことを特徴とする多孔質ふっ素樹脂
フィルム表面への金属又はセラミックス蒸着法。 （１６） 系内圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ以下の真空下
で蒸着を行う多孔質ふっ素樹脂フィルム表面への金属又
はセラミックス蒸着法。 （１７） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した
金属蒸着フィルムからなる静電気除去エアーフィルタ
ー。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、下記の製品及び方法
が提供される。 （１） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなる回路基板。 （２） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなるアンテナ用基板。 （３） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに抗菌性金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる抗菌性フィルム。 （４） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなるファブリックス用フィルム。 （５） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなる集電体用フィルム。 （６） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した金
属蒸着フィルムからなる電磁シールド用フィルム。 （７） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに耐食性金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる耐食性電極用フィルム。 （８） 多孔質ふっ素樹脂フィルムの片面のみに金属を
蒸着した金属蒸着フィルムからなるガスセンサー用電極
膜。 （９） 多孔質ふっ素樹脂フィルムにセラミックスを蒸
着したセラミックス蒸着フィルムからなる電子回路基
板。 （１０） 多孔質ふっ素樹脂フィルムにセラミックスを
蒸着したセラミックス蒸着フィルムからなる親水性フィ
ルター。 （１１） 親水化処理した多孔質ふっ素樹脂フィルムに
金属を蒸着した金属蒸着フィルム。 （１２） 親水化処理した多孔質ふっ素樹脂フィルムに
金属を蒸着した金属蒸着フィルムからなる濡水センサ
ー。 （１３） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに対し、少なくと
も２個所以上の蒸着源より金属又はセラミックスを蒸着
することを特徴とする多孔質ふっ素樹脂フィルム表面へ
の金属又はセラミックス蒸着法。 （１４） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに対して蒸着源か
ら金属又はセラミックスを蒸着させるに際し、該フィル
ムと蒸着源を相対的に移動させることを特徴とする多孔
質ふっ素樹脂フィルム表面への金属又はセラミックス蒸
着法。 （１５） 蒸着源の長さを多孔質ふっ素樹脂フィルム幅
の１／５以上としたことを特徴とする多孔質ふっ素樹脂
フィルム表面への金属又はセラミックス蒸着法。 （１６） 系内圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ以下の真空下
で蒸着を行う多孔質ふっ素樹脂フィルム表面への金属又
はセラミックス蒸着法。 （１７） 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着した
金属蒸着フィルムからなる静電気除去エアーフィルタ
ー。
【０００５】本発明で用いる多孔質ふっ素樹脂フィルム
は、従来公知のものであり、その好ましい樹脂はポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であるが、その他、
テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共
重合体（ＦＥＰ）、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニ
リデン等のフィルムも使用し得る。本発明で好ましく用
いる多孔質ふっ素樹脂フィルムは、テトラフルオロエチ
レンの延伸物からなり、平均細孔直径：１００μｍ以
下、好ましくは５０μｍ以下、空孔率：５〜９５％、好
ましくは５０〜９５％を有するものである。このような
ものについては、特公昭５６−４５７７３号、特公昭５
６−１７２１６号、米国特許第４１８７３９０号に詳述
されている。本発明では、必要に応じて、多孔質ふっ素
樹脂フィルムを親水化して用いることができる。
は、従来公知のものであり、その好ましい樹脂はポリテ
トラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であるが、その他、
テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共
重合体（ＦＥＰ）、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニ
リデン等のフィルムも使用し得る。本発明で好ましく用
いる多孔質ふっ素樹脂フィルムは、テトラフルオロエチ
レンの延伸物からなり、平均細孔直径：１００μｍ以
下、好ましくは５０μｍ以下、空孔率：５〜９５％、好
ましくは５０〜９５％を有するものである。このような
ものについては、特公昭５６−４５７７３号、特公昭５
６−１７２１６号、米国特許第４１８７３９０号に詳述
されている。本発明では、必要に応じて、多孔質ふっ素
樹脂フィルムを親水化して用いることができる。
【０００６】本発明により製品素材として用いる金属蒸
着フィルム及びセラミックス蒸着フィルムは、前記した
多孔質ふっ素樹脂フィルム（以下、単にフィルムとも言
う）上に金属又はセラミックスを蒸着させることによっ
て得ることができる。この場合の蒸着法としては、従来
公知の方法を用いることができるが、本発明では、フィ
ルム表面上に均一な蒸着層を形成させるために、２個所
の蒸着源を用いて蒸着する方法や、フィルムと蒸着源を
相対的に移動させて蒸着する方法等により行うのが好ま
しい。また、蒸着法は、イオンプレーティング、スパッ
タリングの他、プラズマをかけながら蒸着を行う方法
や、プラズマ処理を行った後に蒸着を行う方法等、従来
公知の乾式方法、物理的方法、気相法による各種の粒子
付着法を包含する。
着フィルム及びセラミックス蒸着フィルムは、前記した
多孔質ふっ素樹脂フィルム（以下、単にフィルムとも言
う）上に金属又はセラミックスを蒸着させることによっ
て得ることができる。この場合の蒸着法としては、従来
公知の方法を用いることができるが、本発明では、フィ
ルム表面上に均一な蒸着層を形成させるために、２個所
の蒸着源を用いて蒸着する方法や、フィルムと蒸着源を
相対的に移動させて蒸着する方法等により行うのが好ま
しい。また、蒸着法は、イオンプレーティング、スパッ
タリングの他、プラズマをかけながら蒸着を行う方法
や、プラズマ処理を行った後に蒸着を行う方法等、従来
公知の乾式方法、物理的方法、気相法による各種の粒子
付着法を包含する。
【０００７】次に、図１を参照して本発明の蒸着性につ
いて説明する。図１は２個所の蒸着源を用いてフィルム
表面に蒸着層を形成させる方法の原理説明図である。図
１において、１は蒸着層、２はフィルム、３は蒸着源を
示す。蒸着源３は、金属又はセラミックスを蒸気化する
装置部分である。蒸着源３から蒸発した金属又はセラミ
ックスの蒸気はその蒸着源から方向を変えてフィルム近
傍に入射され、フィルム２表面に析出して蒸着層１が形
成される。このようにして、２個以上の蒸着源を用いる
ことによって、フィルム上に均一な膜厚を持ちかつ接着
強度の高い蒸着層を形成させることができる。蒸着源の
数はできる限り多い方が好ましく、また、その蒸着源
は、蒸着処理すべきフィルムの中心を通る垂線に対し
て、点対称となるように配置することが好ましい。
いて説明する。図１は２個所の蒸着源を用いてフィルム
表面に蒸着層を形成させる方法の原理説明図である。図
１において、１は蒸着層、２はフィルム、３は蒸着源を
示す。蒸着源３は、金属又はセラミックスを蒸気化する
装置部分である。蒸着源３から蒸発した金属又はセラミ
ックスの蒸気はその蒸着源から方向を変えてフィルム近
傍に入射され、フィルム２表面に析出して蒸着層１が形
成される。このようにして、２個以上の蒸着源を用いる
ことによって、フィルム上に均一な膜厚を持ちかつ接着
強度の高い蒸着層を形成させることができる。蒸着源の
数はできる限り多い方が好ましく、また、その蒸着源
は、蒸着処理すべきフィルムの中心を通る垂線に対し
て、点対称となるように配置することが好ましい。
【０００８】図２は、蒸着源として抵抗加熱により加熱
されるタングステンボートを用い、そのタングステンボ
ートの長さを、多孔質ふっ素樹脂フィルム幅の１／５以
上となるように充分に長くとり、縦方向に長く延びたタ
ングステンボートを用いる蒸着法の原理説明図である。
この場合、ボートからは矢印方向に蒸気が放射され、フ
ィルム２上には均一厚みでかつ接着強度の高い蒸着層１
が形成される。
されるタングステンボートを用い、そのタングステンボ
ートの長さを、多孔質ふっ素樹脂フィルム幅の１／５以
上となるように充分に長くとり、縦方向に長く延びたタ
ングステンボートを用いる蒸着法の原理説明図である。
この場合、ボートからは矢印方向に蒸気が放射され、フ
ィルム２上には均一厚みでかつ接着強度の高い蒸着層１
が形成される。
【０００９】図３は、フィルムと蒸着源とを相対的に移
動させる蒸着法の原理説明図である。この図において、
２はフィルム、３は蒸着源、４はフィルム保持部材、５
はその保持部材４を回転させる回転軸を示す。この蒸着
法では、フィルム２が保持材料とともに矢印方向に回動
することから、蒸着源３から出た蒸気は入射角度を変え
てフィルム３上に導き、析出させることができる。ま
た、この場合、フィルムを移動させる代りに、蒸着源３
を移動させることによっても図３の場合と同様の効果を
得ることができる。蒸着源３は１個又は複数であること
ができる。
動させる蒸着法の原理説明図である。この図において、
２はフィルム、３は蒸着源、４はフィルム保持部材、５
はその保持部材４を回転させる回転軸を示す。この蒸着
法では、フィルム２が保持材料とともに矢印方向に回動
することから、蒸着源３から出た蒸気は入射角度を変え
てフィルム３上に導き、析出させることができる。ま
た、この場合、フィルムを移動させる代りに、蒸着源３
を移動させることによっても図３の場合と同様の効果を
得ることができる。蒸着源３は１個又は複数であること
ができる。
【００１０】本発明の蒸着性においては、系内の圧力を
１０-3Ｔｏｒｒ以下の低真空にし、アルゴンガスを入れ
た場合でも、金属粒子等の蒸着粒子がこのアルゴン粒子
とぶつかって散乱を起し、多くの異った入射角度で多孔
質ふっ素樹脂フィルム近傍に入り込むので、前記と同様
の効果を得ることができる。
１０-3Ｔｏｒｒ以下の低真空にし、アルゴンガスを入れ
た場合でも、金属粒子等の蒸着粒子がこのアルゴン粒子
とぶつかって散乱を起し、多くの異った入射角度で多孔
質ふっ素樹脂フィルム近傍に入り込むので、前記と同様
の効果を得ることができる。
【００１１】前記のようにして得られる金属又はセラミ
ックス蒸着フィルムの説明断面図を図４に示す。図４に
おいて、１は蒸着層、２はフィルム、６はフィブリル部
分、７はノード部分である。前記した蒸着法によれば、
図４に示すように、フィルム表面近傍のフィブリル部分
及びノード部分に蒸着物が回り込んで、これを包むよう
に付着し、さらにこの上に蒸着物が成長し、蒸着層１が
形成される。これにより、下地フィルムと蒸着物との接
着強度が向上し、信頼性の高い複合フィルムが得られ
る。
ックス蒸着フィルムの説明断面図を図４に示す。図４に
おいて、１は蒸着層、２はフィルム、６はフィブリル部
分、７はノード部分である。前記した蒸着法によれば、
図４に示すように、フィルム表面近傍のフィブリル部分
及びノード部分に蒸着物が回り込んで、これを包むよう
に付着し、さらにこの上に蒸着物が成長し、蒸着層１が
形成される。これにより、下地フィルムと蒸着物との接
着強度が向上し、信頼性の高い複合フィルムが得られ
る。
【００１２】次に、本発明による蒸着フィルムを用いた
製品について説明する。図５は金属蒸着フィルムを用い
たフレキシブル回路基板の説明断面図である。この図に
おいて、１０はフレキシブル回路基板を示し、１１は多
孔質ふっ素樹脂フィルム、１２は金属蒸着層、１３は耐
熱性樹脂フィルムを示す。このフレキシブル回路基板
は、例えば２枚の多孔質ふっ素樹脂フィルム１１を、そ
の間に耐熱性樹脂フィルム１３を介して積層接着して形
成した積層物の表面に金属蒸着層１２を形成させること
によって製造される。耐熱性樹脂フィルム１３として
は、ポリイミドフィルムを用いることができ、金属蒸着
層１２における蒸着金属としては、通常、銅（Ｃｕ）が
用いられる。ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）の両
面に多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フ
ィルム（厚さ５０μｍ、細孔直径０．２μｍ、空孔率６
０％）を積層接着して積層物を作った。この積層物は、
εｒ＝１．９、ｔａｎδ＝０．０００６（６ＧＨｚ）の
誘電特性を示した。また、その耐屈曲性（ＪＩＳ Ｃ６
４７１、Ｒ＝４．８ｍｍ）は、１×１０6回以上であ
り、良好なフレキシブル性を示した。この積層物の両面
に、図１に示すようにして、蒸着源２個所で、蒸着金属
としてのＣｕを、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ、の条件
で、厚さ３０００Åの金属蒸着層を形成した。このよう
にして形成された金属蒸着層は、接着強度が高く、セロ
ハンテープ剥離試験では剥離を生じなかった。また、そ
の剥離強度は、５ｍｍ×５ｍｍの面積当り、２ｋｇであ
った。
製品について説明する。図５は金属蒸着フィルムを用い
たフレキシブル回路基板の説明断面図である。この図に
おいて、１０はフレキシブル回路基板を示し、１１は多
孔質ふっ素樹脂フィルム、１２は金属蒸着層、１３は耐
熱性樹脂フィルムを示す。このフレキシブル回路基板
は、例えば２枚の多孔質ふっ素樹脂フィルム１１を、そ
の間に耐熱性樹脂フィルム１３を介して積層接着して形
成した積層物の表面に金属蒸着層１２を形成させること
によって製造される。耐熱性樹脂フィルム１３として
は、ポリイミドフィルムを用いることができ、金属蒸着
層１２における蒸着金属としては、通常、銅（Ｃｕ）が
用いられる。ポリイミドフィルム（厚さ２５μｍ）の両
面に多孔質ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フ
ィルム（厚さ５０μｍ、細孔直径０．２μｍ、空孔率６
０％）を積層接着して積層物を作った。この積層物は、
εｒ＝１．９、ｔａｎδ＝０．０００６（６ＧＨｚ）の
誘電特性を示した。また、その耐屈曲性（ＪＩＳ Ｃ６
４７１、Ｒ＝４．８ｍｍ）は、１×１０6回以上であ
り、良好なフレキシブル性を示した。この積層物の両面
に、図１に示すようにして、蒸着源２個所で、蒸着金属
としてのＣｕを、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ、の条件
で、厚さ３０００Åの金属蒸着層を形成した。このよう
にして形成された金属蒸着層は、接着強度が高く、セロ
ハンテープ剥離試験では剥離を生じなかった。また、そ
の剥離強度は、５ｍｍ×５ｍｍの面積当り、２ｋｇであ
った。
【００１３】図６は平面アンテナ用基板１５の説明断面
図を示す。この図において、１５は平面アンテナ用基板
を示し、１６は多孔質ふっ素樹脂フィルム、１７はアン
テナ回路、１８は金属板を各示す。この平面アンテナ用
基板は、例えば、厚さ約１ｍｍのアルミニウム板１８に
多孔質ＰＴＦＥフィルム１６を積層接着し、その上にア
ルミニウムを蒸着してアンテナ回路１７を形成すること
により得ることができる。このものは、εｒ＝１．２、
ｔａｎδ＝１．５×１０-4(６ＧＨｚ）の良好な誘電特
性を示した。蒸着用金属としては、アルミニウムの他、
銅等の導電性の良い金属が用いられる。
図を示す。この図において、１５は平面アンテナ用基板
を示し、１６は多孔質ふっ素樹脂フィルム、１７はアン
テナ回路、１８は金属板を各示す。この平面アンテナ用
基板は、例えば、厚さ約１ｍｍのアルミニウム板１８に
多孔質ＰＴＦＥフィルム１６を積層接着し、その上にア
ルミニウムを蒸着してアンテナ回路１７を形成すること
により得ることができる。このものは、εｒ＝１．２、
ｔａｎδ＝１．５×１０-4(６ＧＨｚ）の良好な誘電特
性を示した。蒸着用金属としては、アルミニウムの他、
銅等の導電性の良い金属が用いられる。
【００１４】図７は集電体用フィルム１９の説明断面図
を示す。この図において、１９は集電体用フィルムを示
し、２０は多孔質ふっ素樹脂フィルム、２１は金属蒸着
層を示す。この集電体用フィルムは、例えば、空孔率８
０％、厚さ５０μｍ、細孔直径０．２μｍの多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム２０上に、２個所の蒸着源から抵抗加熱方
式でニッケルを４０００Åの厚さに蒸着し、幅４０ｍ
ｍ、長さ２ｍにスリットすることにより得ることができ
る。この集電体用フィルムは、高い剥離強度を示し、セ
ロハンテープ剥離試験においては剥離しなかった。ま
た、シート抵抗０．５Ω／□、透気度（ＧＮｏ）７秒を
示した。この集電体用フィルムは、電池集電体用フィル
ムとして利用し得る他、給電体用フィルムとしても使用
できる。蒸着用金属としては、前記ニッケルやアルミニ
ウム等の導電性の良い金属が用いられる。
を示す。この図において、１９は集電体用フィルムを示
し、２０は多孔質ふっ素樹脂フィルム、２１は金属蒸着
層を示す。この集電体用フィルムは、例えば、空孔率８
０％、厚さ５０μｍ、細孔直径０．２μｍの多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム２０上に、２個所の蒸着源から抵抗加熱方
式でニッケルを４０００Åの厚さに蒸着し、幅４０ｍ
ｍ、長さ２ｍにスリットすることにより得ることができ
る。この集電体用フィルムは、高い剥離強度を示し、セ
ロハンテープ剥離試験においては剥離しなかった。ま
た、シート抵抗０．５Ω／□、透気度（ＧＮｏ）７秒を
示した。この集電体用フィルムは、電池集電体用フィル
ムとして利用し得る他、給電体用フィルムとしても使用
できる。蒸着用金属としては、前記ニッケルやアルミニ
ウム等の導電性の良い金属が用いられる。
【００１５】図８に耐食性電極用フィルム２２の説明断
面図を示す。この図において、２２は耐食性電極用フィ
ルムを示し、２３は多孔質ふっ素樹脂フィルム、２４は
金属蒸着層を示す。この耐食性電極用フィルムは、例え
ば、厚さ１００μｍ、細孔直径０．２μｍの多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム２３上に、白金（Ｐｔ）をビーム加熱方式
で蒸着することにより得ることができる。この場合、蒸
着源は１個所とし、図３に示すように、多孔質ＰＴＦＥ
フィルムは、これを保持部材に支持させ、保持部材とと
もに回転させながら蒸着を行った。蒸着条件としては、
真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０Å／ｓｅｃ、
蒸着層厚さ３０００Åの条件を用いた。この電極用フィ
ルムは、０．５Ω／□のシート抵抗値を示し、多孔質Ｐ
ＴＦＥと白金からなるため、耐食性にすぐれたものであ
った。この電極用フィルムは、体内電極としても好適で
ある。蒸着用金属としては、前記白金の他、チタンや金
等の耐食性の良いものが用いられる。
面図を示す。この図において、２２は耐食性電極用フィ
ルムを示し、２３は多孔質ふっ素樹脂フィルム、２４は
金属蒸着層を示す。この耐食性電極用フィルムは、例え
ば、厚さ１００μｍ、細孔直径０．２μｍの多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム２３上に、白金（Ｐｔ）をビーム加熱方式
で蒸着することにより得ることができる。この場合、蒸
着源は１個所とし、図３に示すように、多孔質ＰＴＦＥ
フィルムは、これを保持部材に支持させ、保持部材とと
もに回転させながら蒸着を行った。蒸着条件としては、
真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ、蒸着速度１０Å／ｓｅｃ、
蒸着層厚さ３０００Åの条件を用いた。この電極用フィ
ルムは、０．５Ω／□のシート抵抗値を示し、多孔質Ｐ
ＴＦＥと白金からなるため、耐食性にすぐれたものであ
った。この電極用フィルムは、体内電極としても好適で
ある。蒸着用金属としては、前記白金の他、チタンや金
等の耐食性の良いものが用いられる。
【００１６】図９に濡水センサー２５の説明断面図を示
す。この図において、２５は濡水センサーを示し、２６
は親水化多孔質ふっ素樹脂フィルム、２７は金属蒸着層
を示す。この濡水センサーは、例えば、厚さ５０μｍ、
細孔直径０．２μｍの多孔質ＰＴＦＥフィルムを、メタ
ノール又はエタノールで希釈したテトラフルオロエチレ
ン／ビニルアルコール共重合体溶液（濃度０．５ｗｔ
％）中に漬浸した後、６０℃で３０分間加熱乾燥し、親
水化された多孔質ＰＴＦＥフィルム２６を得た後、この
フィルムの両面にニッケルを蒸着して金属蒸着層２７を
形成することによって得ることができる。この濡水セン
サーは、これに水が付着すると、その親水化多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム層２６にイオンを含んだ水が入り込み、２
つの金属蒸着層２７間にリーク電流が流れて濡水を検知
する。蒸着用金属としては、前記ニッケルの他、銅、ア
ルミニウム等の導電性の良い金属が用いられる。
す。この図において、２５は濡水センサーを示し、２６
は親水化多孔質ふっ素樹脂フィルム、２７は金属蒸着層
を示す。この濡水センサーは、例えば、厚さ５０μｍ、
細孔直径０．２μｍの多孔質ＰＴＦＥフィルムを、メタ
ノール又はエタノールで希釈したテトラフルオロエチレ
ン／ビニルアルコール共重合体溶液（濃度０．５ｗｔ
％）中に漬浸した後、６０℃で３０分間加熱乾燥し、親
水化された多孔質ＰＴＦＥフィルム２６を得た後、この
フィルムの両面にニッケルを蒸着して金属蒸着層２７を
形成することによって得ることができる。この濡水セン
サーは、これに水が付着すると、その親水化多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム層２６にイオンを含んだ水が入り込み、２
つの金属蒸着層２７間にリーク電流が流れて濡水を検知
する。蒸着用金属としては、前記ニッケルの他、銅、ア
ルミニウム等の導電性の良い金属が用いられる。
【００１７】図１０に抗菌性フィルムを素材としたエア
フィルターの説明断面図を示す。この図において、２８
は抗菌性フィルターを示し、２９は多孔質ふっ素樹脂フ
ィルム、３０は抗菌性金属蒸着層を示す。この抗菌性フ
ィルターは、例えば、細孔直径０．２μｍ、空孔率８０
％、厚さ４０μｍ、透気度（ＧＮｏ）６秒の多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム２９の片面に、銀（Ａｇ）２０００Åを蒸
着させることによって得ることができる。このものをエ
アーフィルターとして使用したところ、金属を蒸着して
いない同じ多孔質ＰＴＦＥフィルムに比べて、透気度は
殆ど変らず良好で、かつフィルム表面及び内部に発生す
るカビの量が大幅に低減できた。蒸着用金属としては、
前記銀の他に、銅、金等の抗菌性金属が用いられる。
フィルターの説明断面図を示す。この図において、２８
は抗菌性フィルターを示し、２９は多孔質ふっ素樹脂フ
ィルム、３０は抗菌性金属蒸着層を示す。この抗菌性フ
ィルターは、例えば、細孔直径０．２μｍ、空孔率８０
％、厚さ４０μｍ、透気度（ＧＮｏ）６秒の多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム２９の片面に、銀（Ａｇ）２０００Åを蒸
着させることによって得ることができる。このものをエ
アーフィルターとして使用したところ、金属を蒸着して
いない同じ多孔質ＰＴＦＥフィルムに比べて、透気度は
殆ど変らず良好で、かつフィルム表面及び内部に発生す
るカビの量が大幅に低減できた。蒸着用金属としては、
前記銀の他に、銅、金等の抗菌性金属が用いられる。
【００１８】図１１に電磁シールド用フィルム３１の説
明断面図を示す。この図において、３１は電磁シールド
用フィルムを示し、３２は多孔質ふっ素樹脂フィルム、
３３は熱硬化性樹脂層、３４は金属蒸着層を示す。この
電磁シールド用フィルムは、例えば、厚さ４０μｍ、空
孔率８０％の多孔質ＰＴＦＥフィルム３２の片面に厚さ
５０００Åのニッケル蒸着層３４を形成し、他方の片面
に厚さ２０μｍの半硬化（Ｂステージ）エポキシ樹脂層
を形成することによって得ることができる。このもの
は、その半硬化エポキシ樹脂層を介して、他の基板やフ
ィルムの上に容易に熱圧着させることができ、これによ
り電磁シールド効果を付与することができる。蒸着用金
属としては、前記ニッケルの他、銅、アルミニウム等の
導電性金属が使用される。また、熱硬化性樹脂として
は、前記エポキシ樹脂の他、フェノール樹脂、ウレタン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の各種のものが使用可
能である。
明断面図を示す。この図において、３１は電磁シールド
用フィルムを示し、３２は多孔質ふっ素樹脂フィルム、
３３は熱硬化性樹脂層、３４は金属蒸着層を示す。この
電磁シールド用フィルムは、例えば、厚さ４０μｍ、空
孔率８０％の多孔質ＰＴＦＥフィルム３２の片面に厚さ
５０００Åのニッケル蒸着層３４を形成し、他方の片面
に厚さ２０μｍの半硬化（Ｂステージ）エポキシ樹脂層
を形成することによって得ることができる。このもの
は、その半硬化エポキシ樹脂層を介して、他の基板やフ
ィルムの上に容易に熱圧着させることができ、これによ
り電磁シールド効果を付与することができる。蒸着用金
属としては、前記ニッケルの他、銅、アルミニウム等の
導電性金属が使用される。また、熱硬化性樹脂として
は、前記エポキシ樹脂の他、フェノール樹脂、ウレタン
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等の各種のものが使用可
能である。
【００１９】図１２に、本発明のガスセンサー用膜フィ
ルターを用いたガスセンサー５１の説明断面図を示す。
この図において、３５はガスセンサー用膜フィルター、
３６は多孔質ふっ素樹脂フィルム、３７は金属蒸着層、
３８は集電体、３９はアノード、４０は電解質を各示
す。このガスセンサーは、アノード３９を有し、電解質
４０を収容した筒状容器の上端開口部に電解質４０に接
触する集電体（例えば白金ネット）３８を介して、膜フ
ィルター３５を配設することによって得ることができ
る。膜フィルター３５は、例えば、厚さ１００μｍ、空
孔率８０％の多孔質ＰＴＦＥフィルム３６の片面に白金
を蒸着せて金属蒸着層３７を形成することにより得るこ
とができる。この膜は、透気度が大きく、かつ電気伝導
性及び耐食性にすぐれたものである。蒸着用金属として
は、前記白金の他、チタン、金等の耐食性金属が用いら
れる。
ルターを用いたガスセンサー５１の説明断面図を示す。
この図において、３５はガスセンサー用膜フィルター、
３６は多孔質ふっ素樹脂フィルム、３７は金属蒸着層、
３８は集電体、３９はアノード、４０は電解質を各示
す。このガスセンサーは、アノード３９を有し、電解質
４０を収容した筒状容器の上端開口部に電解質４０に接
触する集電体（例えば白金ネット）３８を介して、膜フ
ィルター３５を配設することによって得ることができ
る。膜フィルター３５は、例えば、厚さ１００μｍ、空
孔率８０％の多孔質ＰＴＦＥフィルム３６の片面に白金
を蒸着せて金属蒸着層３７を形成することにより得るこ
とができる。この膜は、透気度が大きく、かつ電気伝導
性及び耐食性にすぐれたものである。蒸着用金属として
は、前記白金の他、チタン、金等の耐食性金属が用いら
れる。
【００２０】図１３に親水性フィルター４１の説明断面
図を示す。この親水性フィルターは、例えば、厚さ２０
μｍ、細孔直径３μｍの多孔質ＰＴＦＥフィルムに、Ｓ
ｉＯ2を蒸着速度２Å／ｓｅｃでゆっくりと蒸着し、フ
ィルム内部にまでＳｉＯ2を蒸着させることによって得
ることができる。このＳｉＯ2蒸着フィルムは、その内
部まで親水性を示す。また、このものは、耐熱性にすぐ
れ、３００℃で加熱した後でも良好な親水性を示した。
蒸着用セラミックスとしては、前記シリカの他、アルミ
ナ、マグネシウム、カルシア、ジルコニア、チタニア等
の各種の金属酸化物や金属窒化物等が用いられる。
図を示す。この親水性フィルターは、例えば、厚さ２０
μｍ、細孔直径３μｍの多孔質ＰＴＦＥフィルムに、Ｓ
ｉＯ2を蒸着速度２Å／ｓｅｃでゆっくりと蒸着し、フ
ィルム内部にまでＳｉＯ2を蒸着させることによって得
ることができる。このＳｉＯ2蒸着フィルムは、その内
部まで親水性を示す。また、このものは、耐熱性にすぐ
れ、３００℃で加熱した後でも良好な親水性を示した。
蒸着用セラミックスとしては、前記シリカの他、アルミ
ナ、マグネシウム、カルシア、ジルコニア、チタニア等
の各種の金属酸化物や金属窒化物等が用いられる。
【００２１】図１４にファブリック用シート４２の説明
断面図を示す。この図において、４２はファブリック用
シートを示し、４３は多孔質ふっ素樹脂フィルム、４４
は金属蒸着層、４５は接着剤層、４６は布地を各示す。
このファブリック用シートは、例えば、多孔質ＰＴＦＥ
フィルム４３を接着剤層４５を介して布地上にラミネー
トし、このラミネート体のフィルム上にアルミニウムを
２０００Å厚に蒸着させることによって得ることができ
る。このものは、透気性にすぐれ、金属アルミニウムの
熱反射作用により保温特性にもすぐれている。さらに屈
曲によっても蒸着金属が剥離するようなこともない。蒸
着用金属としては、前記アルミニウムの他、チタン、ニ
ッケル等の熱反射作用にすぐれたものが使用される。
断面図を示す。この図において、４２はファブリック用
シートを示し、４３は多孔質ふっ素樹脂フィルム、４４
は金属蒸着層、４５は接着剤層、４６は布地を各示す。
このファブリック用シートは、例えば、多孔質ＰＴＦＥ
フィルム４３を接着剤層４５を介して布地上にラミネー
トし、このラミネート体のフィルム上にアルミニウムを
２０００Å厚に蒸着させることによって得ることができ
る。このものは、透気性にすぐれ、金属アルミニウムの
熱反射作用により保温特性にもすぐれている。さらに屈
曲によっても蒸着金属が剥離するようなこともない。蒸
着用金属としては、前記アルミニウムの他、チタン、ニ
ッケル等の熱反射作用にすぐれたものが使用される。
【００２２】図１５にセラミックス蒸着フィルムを用い
た電子回路基板の説明断面図を示す。この図において、
４７は電子回路基板を示し、４８は多孔質ふっ素樹脂フ
ィルム、４９は導体回路、５０はセラミックス蒸着層を
示す。この電子回路基板は、例えば、多孔質ＰＴＦＥフ
ィルム４８の片面にＡｌ2Ｏ3を蒸着して厚さ８０００Å
のセラミックス蒸着層５０を形成し、他方の面に導体回
路４９を形成することにより得ることができる。このよ
うな基板は、薄型、軽量で誘電特性にすぐれるととも
に、寸法安定性においてもすぐれている。また、このも
のの線膨脹係数は、縦、横とも１０×１０-6deg-1と非
常にすぐれ、微細線のパターンの形成が容易である。蒸
着用セラミックスとしては、前記アルミナの他、シリ
カ、チタニア、ジルコニア、マグネシア等の金属酸化物
を用いることができる。
た電子回路基板の説明断面図を示す。この図において、
４７は電子回路基板を示し、４８は多孔質ふっ素樹脂フ
ィルム、４９は導体回路、５０はセラミックス蒸着層を
示す。この電子回路基板は、例えば、多孔質ＰＴＦＥフ
ィルム４８の片面にＡｌ2Ｏ3を蒸着して厚さ８０００Å
のセラミックス蒸着層５０を形成し、他方の面に導体回
路４９を形成することにより得ることができる。このよ
うな基板は、薄型、軽量で誘電特性にすぐれるととも
に、寸法安定性においてもすぐれている。また、このも
のの線膨脹係数は、縦、横とも１０×１０-6deg-1と非
常にすぐれ、微細線のパターンの形成が容易である。蒸
着用セラミックスとしては、前記アルミナの他、シリ
カ、チタニア、ジルコニア、マグネシア等の金属酸化物
を用いることができる。
【００２３】図１６に他の電子回路基板４７を示す。こ
の電子回路基板は、多孔質ＰＴＦＥフィルム４８の片面
に導体回路４９を設けるとともに、他の面にセラミック
ス蒸着層５０を介して導体回路４９を設けたものであ
る。このような基板は、そのセラミックス蒸着層にＳｉ
Ｏ2蒸着層を用いることにより、低誘電率、寸法安定化
基板として好適なもので、また、Ａｌ2Ｏ3蒸着層を用い
ることにより、高誘電率、寸法安定化基板として好適な
ものである。
の電子回路基板は、多孔質ＰＴＦＥフィルム４８の片面
に導体回路４９を設けるとともに、他の面にセラミック
ス蒸着層５０を介して導体回路４９を設けたものであ
る。このような基板は、そのセラミックス蒸着層にＳｉ
Ｏ2蒸着層を用いることにより、低誘電率、寸法安定化
基板として好適なもので、また、Ａｌ2Ｏ3蒸着層を用い
ることにより、高誘電率、寸法安定化基板として好適な
ものである。
【００２４】図１７にさらに他の電子回路基板４７の説
明断面図を示す。この電子回路基板は、多孔質ＰＴＦＥ
フィルム４８の片面の一部分にＡｌ2Ｏ3蒸着層５０を設
け、その上に導体回路４９を設けるとともに、フィルム
４８表面の残りの部分及び他の面に導体回路４９を設け
たものである。このものは、同一基板上に高誘電率部分
と低誘電率部分を持つ複合基板として用いられる。
明断面図を示す。この電子回路基板は、多孔質ＰＴＦＥ
フィルム４８の片面の一部分にＡｌ2Ｏ3蒸着層５０を設
け、その上に導体回路４９を設けるとともに、フィルム
４８表面の残りの部分及び他の面に導体回路４９を設け
たものである。このものは、同一基板上に高誘電率部分
と低誘電率部分を持つ複合基板として用いられる。
【００２５】図１８に静電気除去エアーフィルターの説
明断面図を示す。この図において、５２は静電気除去エ
アーフィルターを示し、５３は多孔質ふっ素樹脂フィル
ム、５４は金属蒸着層を示す。この静電気除去エアーフ
ィルターは、例えば、細孔直径０．２μｍ、空孔率８０
％、厚さ２０μｍ、透気度（ＧＮｅ）５秒の多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム５３の片面に、Ｎｉを蒸着することで得る
ことができる。Ｎｉの蒸着厚さは４０００Åとした。こ
のものをエアーフィルターとして使用したところ、金属
を蒸着していない同じ多孔質ＰＴＦＥフィルムと比べ
て、透気度は殆ど変らず良好で、かつフィルムに発生す
る静電気を大幅に低減できた。これは、防爆用エアーフ
ィルターとしても使用できる。蒸着金属としては、前記
Ｎｉの他に、Ａｌ、Ｔｉ等の金属が用いられる。
明断面図を示す。この図において、５２は静電気除去エ
アーフィルターを示し、５３は多孔質ふっ素樹脂フィル
ム、５４は金属蒸着層を示す。この静電気除去エアーフ
ィルターは、例えば、細孔直径０．２μｍ、空孔率８０
％、厚さ２０μｍ、透気度（ＧＮｅ）５秒の多孔質ＰＴ
ＦＥフィルム５３の片面に、Ｎｉを蒸着することで得る
ことができる。Ｎｉの蒸着厚さは４０００Åとした。こ
のものをエアーフィルターとして使用したところ、金属
を蒸着していない同じ多孔質ＰＴＦＥフィルムと比べ
て、透気度は殆ど変らず良好で、かつフィルムに発生す
る静電気を大幅に低減できた。これは、防爆用エアーフ
ィルターとしても使用できる。蒸着金属としては、前記
Ｎｉの他に、Ａｌ、Ｔｉ等の金属が用いられる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の蒸着法によれば、多孔質ふっ素
樹脂フィルム上に均一でかつ接着強度の高い蒸着層を形
成させることができる。本発明の金属蒸着フィルムを用
いた各製品は、多孔質ふっ素樹脂フィルムの特性を十分
に生かしたもので、産業上有利に用いられる。本発明の
セラミックス蒸着フィルムを用いた各製品は、その多孔
質ふっ素樹脂フィルムの特性を十分に生かしたもので、
産業上有利に用いられる。本発明の親水化処理した多孔
質ふっ素樹脂フィルムに金属蒸着した金属蒸着フィルム
は各種用途に供される。
樹脂フィルム上に均一でかつ接着強度の高い蒸着層を形
成させることができる。本発明の金属蒸着フィルムを用
いた各製品は、多孔質ふっ素樹脂フィルムの特性を十分
に生かしたもので、産業上有利に用いられる。本発明の
セラミックス蒸着フィルムを用いた各製品は、その多孔
質ふっ素樹脂フィルムの特性を十分に生かしたもので、
産業上有利に用いられる。本発明の親水化処理した多孔
質ふっ素樹脂フィルムに金属蒸着した金属蒸着フィルム
は各種用途に供される。
【図１】本発明による２個所以上の蒸着源を用いる蒸着
法の原理説明図を示す。
法の原理説明図を示す。
【図２】本発明による長く延びたタングステンボートを
蒸着源として用いる蒸着法の原理説明図を示す。
蒸着源として用いる蒸着法の原理説明図を示す。
【図３】本発明による多孔質ふっ素樹脂フィルムを蒸着
源を相対的に移動させる蒸着法の原理説明図を示す。
源を相対的に移動させる蒸着法の原理説明図を示す。
【図４】本発明の蒸着法により得られる金属蒸着フィル
ムの説明断面図を示す。
ムの説明断面図を示す。
【図５】本発明による金属蒸着フィルム含有フレキシブ
ル回路基板の説明断面図を示す。
ル回路基板の説明断面図を示す。
【図６】本発明による金属蒸着フィルム含有平面アンテ
ナ基板の説明断面図を示す。
ナ基板の説明断面図を示す。
【図７】本発明による金属蒸着フィルム含有集電体フィ
ルムの説明断面図を示す。
ルムの説明断面図を示す。
【図８】本発明による金属蒸着フィルム含有耐食性電極
フィルムの説明断面図を示す。
フィルムの説明断面図を示す。
【図９】本発明による金属蒸着フィルム含有濡水センサ
ーの説明断面図を示す。
ーの説明断面図を示す。
【図１０】本発明による金属蒸着フィルム含有抗菌性フ
ィルターの説明断面図を示す。
ィルターの説明断面図を示す。
【図１１】本発明による金属蒸着フィルム含有電磁シー
ルドフィルムの説明断面図を示す。
ルドフィルムの説明断面図を示す。
【図１２】本発明によるガスセンサー用膜フィルターを
含むガスセンサーの説明断面図を示す。
含むガスセンサーの説明断面図を示す。
【図１３】本発明によるセラミックス蒸着フィルムから
なる親水性フィルター説明図を示す。
なる親水性フィルター説明図を示す。
【図１４】本発明による金属蒸着フィルム含有ファブリ
ック用シートの説明断面図を示す。
ック用シートの説明断面図を示す。
【図１５】本発明によるセラミックス蒸着フィルム含有
電子回路基板の説明断面図を示す。
電子回路基板の説明断面図を示す。
【図１６】本発明によるセラミックス蒸着フィルム含有
電子回路基板の変形例についての説明断面図を示す。
電子回路基板の変形例についての説明断面図を示す。
【図１７】本発明によるセラミックス蒸着フィルム含有
電子回路基板の他の変形例についての説明断面図を示
す。
電子回路基板の他の変形例についての説明断面図を示
す。
【図１８】本発明による金属蒸着フィルム含有静電気除
去エアーフィルターの説明断面図を示す。
去エアーフィルターの説明断面図を示す。
１ 蒸着層 ２ 多孔質ふっ素樹脂フィルム ３ 蒸着源 １０ フレキシブル回路基板 １５ 平面アンテナ用基板 １９ 集電体用フィルム ２２ 耐食性電極用フィルム ２５ 濡水センサー ２８ 抗菌性エアーフィルター ３１ 電磁シールド用フィルム ３５ ガスセンサー用膜フィルター ４１ 親水性フィルター ４２ ファブリック用シート ４７ 電子回路基板 ５１ ガスセンサー ５２ 静電気除去エアーフィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 5/16 Ｈ０１Ｍ 4/66 Ｈ０１Ｐ 3/08 Ｈ０５Ｋ 1/03 Ｂ 7011−4Ｅ 9/00 Ｗ 7128−4Ｅ // Ｈ０１Ｑ 13/00 8940−5Ｊ
Claims (17)
- 【請求項１】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる回路基板。 - 【請求項２】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなるアンテナ用基板。 - 【請求項３】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに抗菌性金属
を蒸着した金属蒸着フィルムからなる抗菌性フィルム。 - 【請求項４】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなるファブリック用フィル
ム。 - 【請求項５】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる集電体用フィルム。 - 【請求項６】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸着
した金属蒸着フィルムからなる電磁シールド用フィル
ム。 - 【請求項７】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに耐食性金属
を蒸着した金属蒸着フィルムからなる耐食性電極用フィ
ルム。 - 【請求項８】 多孔質ふっ素樹脂フィルムの片面のみに
金属を蒸着した金属蒸着フィルムからなるガスセンサー
用電極膜。 - 【請求項９】 多孔質ふっ素樹脂フィルムにセラミック
スを蒸着したセラミックス蒸着フィルムからなる電子回
路基板。 - 【請求項１０】 多孔質ふっ素樹脂フィルムにセラミッ
クスを蒸着したセラミックス蒸着フィルムからなる親水
性フィルター。 - 【請求項１１】 親水化処理した多孔質ふっ素樹脂フィ
ルムに金属を蒸着した金属蒸着フィルム。 - 【請求項１２】 親水化処理した多孔質ふっ素樹脂フィ
ルムに金属を蒸着した金属蒸着フィルムからなる濡水セ
ンサー。 - 【請求項１３】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに対し、少
なくとも２個所以上の蒸着源より金属又はセラミックス
を蒸着することを特徴とする多孔質ふっ素樹脂フィルム
表面への金属又はセラミックス蒸着法。 - 【請求項１４】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに対して蒸
着源から金属又はセラミックスを蒸着させるに際し、該
フィルムと蒸着源を相対的に移動させることを特徴とす
る多孔質ふっ素樹脂フィルム表面への金属又はセラミッ
クス蒸着法。 - 【請求項１５】 蒸着源の長さを多孔質ふっ素樹脂フィ
ルム幅の１／５以上としたことを特徴とする多孔質ふっ
素樹脂フィルム表面への金属又はセラミックス蒸着法。 - 【請求項１６】 系内圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ以下の
低真空下で蒸着を行う多孔質ふっ素樹脂フィルム表面へ
の金属又はセラミックス蒸着法。 - 【請求項１７】 多孔質ふっ素樹脂フィルムに金属を蒸
着した金属蒸着フィルムからなる静電気除去エアーフィ
ルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106183A JPH05279841A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 金属又はセラミックス蒸着フィルムを用いた製品及び金属又はセラミックス蒸着フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4106183A JPH05279841A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 金属又はセラミックス蒸着フィルムを用いた製品及び金属又はセラミックス蒸着フィルムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279841A true JPH05279841A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=14427110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4106183A Pending JPH05279841A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 金属又はセラミックス蒸着フィルムを用いた製品及び金属又はセラミックス蒸着フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05279841A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003013844A1 (fr) * | 2001-08-06 | 2003-02-20 | Daikin Industries, Ltd. | Resine moulee, objet en couches, et procedes de production associe |
| WO2023159372A1 (zh) * | 2022-02-23 | 2023-08-31 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 复合集流体、电极组件、及它们的制造方法、二次电池 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4106183A patent/JPH05279841A/ja active Pending
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