JPH05279497A - ポリイミド表面の改質方法 - Google Patents
ポリイミド表面の改質方法Info
- Publication number
- JPH05279497A JPH05279497A JP7726892A JP7726892A JPH05279497A JP H05279497 A JPH05279497 A JP H05279497A JP 7726892 A JP7726892 A JP 7726892A JP 7726892 A JP7726892 A JP 7726892A JP H05279497 A JPH05279497 A JP H05279497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide
- film
- treatment
- discharge
- treating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】この発明は、ポリイミド表面を放電処理した
後、アルカリ処理することによりポリイミド表面を改質
する方法である。 【効果】本発明のポリイミド表面の改質方法によれば、
ポリイミドと配線金属、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等の無機
膜、封止樹脂、ポリイミド等の耐熱性樹脂、基板等との
接着力を簡便にかつ確実に向上させ、ポリイミドを用い
たプリント配線板、半導体素子、ＬＳＩ搭載用実装基板
等の電子デバイスの信頼性向上に大きく寄与する。
後、アルカリ処理することによりポリイミド表面を改質
する方法である。 【効果】本発明のポリイミド表面の改質方法によれば、
ポリイミドと配線金属、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等の無機
膜、封止樹脂、ポリイミド等の耐熱性樹脂、基板等との
接着力を簡便にかつ確実に向上させ、ポリイミドを用い
たプリント配線板、半導体素子、ＬＳＩ搭載用実装基板
等の電子デバイスの信頼性向上に大きく寄与する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子材料として有用な
ポリイミドの表面を改質する方法に関するものである。
ポリイミドの表面を改質する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスの信頼性を維持するために
は、ポリイミドと基板、配線金属、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ
2 等の無機膜、封止樹脂、ポリイミド、その他の耐熱性
樹脂等との接着力の低下がないことが要求される。従
来、ポリイミドと基板や配線金属などとの接着性を改善
する方法としては、プラズマ処理（例えば、Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．３
８，Ｎｏ．１１，ｐ．３７０８〜３７０９（１９８
９））やカップリング処理（例えば、近畿化学協会エレ
クトロニクス部会、第２回研究会、予稿集、ｐ．２０〜
２３（１９８８））などが知られている。しかしなが
ら、プラズマ処理では、コストが高く、生産性が悪いと
いった問題があり、また、カップリング処理を施そうと
する場合、カップリング処理が不要な部分、例えば、コ
ンタクトホール（上下配線間の接続孔）やボンディング
パッド（リードと配線の接続孔）部にカップリング層が
残存し、接続抵抗が大きくなるといった問題があり、カ
ップリング処理による表面改質が実用化し難いと言う状
況にある。さらに、特にポリイミドとポリイミドあるい
はポリイミドとその他の耐熱性樹脂が存在する用途にお
いては、これらプラズマ処理やカップリング処理の方法
をポリイミドとポリイミドあるいはポリイミドとその他
の耐熱性樹脂との接着性を向上させるために試みても十
分な効果はなく、ポリイミドとポリイミド等の耐熱性樹
脂との接着性を改善する方法は未だ開発されていないの
が現状である。
は、ポリイミドと基板、配線金属、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ
2 等の無機膜、封止樹脂、ポリイミド、その他の耐熱性
樹脂等との接着力の低下がないことが要求される。従
来、ポリイミドと基板や配線金属などとの接着性を改善
する方法としては、プラズマ処理（例えば、Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ Ｖｏｌ．３
８，Ｎｏ．１１，ｐ．３７０８〜３７０９（１９８
９））やカップリング処理（例えば、近畿化学協会エレ
クトロニクス部会、第２回研究会、予稿集、ｐ．２０〜
２３（１９８８））などが知られている。しかしなが
ら、プラズマ処理では、コストが高く、生産性が悪いと
いった問題があり、また、カップリング処理を施そうと
する場合、カップリング処理が不要な部分、例えば、コ
ンタクトホール（上下配線間の接続孔）やボンディング
パッド（リードと配線の接続孔）部にカップリング層が
残存し、接続抵抗が大きくなるといった問題があり、カ
ップリング処理による表面改質が実用化し難いと言う状
況にある。さらに、特にポリイミドとポリイミドあるい
はポリイミドとその他の耐熱性樹脂が存在する用途にお
いては、これらプラズマ処理やカップリング処理の方法
をポリイミドとポリイミドあるいはポリイミドとその他
の耐熱性樹脂との接着性を向上させるために試みても十
分な効果はなく、ポリイミドとポリイミド等の耐熱性樹
脂との接着性を改善する方法は未だ開発されていないの
が現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的は、ポ
リイミドの表面特性を簡単な方法で改質せしめるととも
に、ポリイミドと配線金属、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等の
無機膜、封止樹脂、ポリイミド、その他の耐熱性樹脂お
よび基板などとの接着力を簡便にかつ確実に向上させる
方法を提供することにある。
技術の諸欠点に鑑み創案されたもので、その目的は、ポ
リイミドの表面特性を簡単な方法で改質せしめるととも
に、ポリイミドと配線金属、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等の
無機膜、封止樹脂、ポリイミド、その他の耐熱性樹脂お
よび基板などとの接着力を簡便にかつ確実に向上させる
方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
ポリイミド表面を放電処理した後、アルカリ処理するこ
とを特徴とするポリイミド表面の改質方法により達成さ
れる。
ポリイミド表面を放電処理した後、アルカリ処理するこ
とを特徴とするポリイミド表面の改質方法により達成さ
れる。
【０００５】本発明におけるポリイミドは、テトラカル
ボン酸とジアミンを選択的に組み合わせ、これらを極性
溶媒中で反応させてポリイミド前駆体のワニスとした
後、このポリイミド前駆体のワニスを基板上に塗布し、
６０〜１２０℃で乾燥した後、１５０〜４５０℃の温度
で熱処理を行い脱水縮合することにより得ることができ
るもの、あるいは化学的に転換したもので、公知のポリ
イミドが使用できる。具体的なポリイミド前駆体として
は、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物などのテトラカル
ボン酸二無水物と、４，４´−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４
´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニレンジア
ミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミンとを非プ
ロトン性極性溶媒中で反応させて得られるポリアミド酸
が挙げられるが、これらに限定されない。非プロトン性
極性溶媒の好ましい例としては、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドなどが挙げられるが、これらに限定さ
れない。
ボン酸とジアミンを選択的に組み合わせ、これらを極性
溶媒中で反応させてポリイミド前駆体のワニスとした
後、このポリイミド前駆体のワニスを基板上に塗布し、
６０〜１２０℃で乾燥した後、１５０〜４５０℃の温度
で熱処理を行い脱水縮合することにより得ることができ
るもの、あるいは化学的に転換したもので、公知のポリ
イミドが使用できる。具体的なポリイミド前駆体として
は、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１，
２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物などのテトラカル
ボン酸二無水物と、４，４´−ジアミノジフェニルエ−
テル、３，３´−ジアミノジフェニルスルホン、４，４
´−ジアミノジフェニルメタン、ビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサン、メタフェニレンジア
ミン、パラフェニレンジアミンなどのジアミンとを非プ
ロトン性極性溶媒中で反応させて得られるポリアミド酸
が挙げられるが、これらに限定されない。非プロトン性
極性溶媒の好ましい例としては、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドなどが挙げられるが、これらに限定さ
れない。
【０００６】また、これら各々をビス（３−アミノプロ
ピル）テトラメチルジシロキサンと組み合わせたもの
は、特に好ましい。ここで、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサンの配合量は、好ましくは
全ジアミンの１〜１５モル％、より好ましくは３〜６モ
ル％である。
ピル）テトラメチルジシロキサンと組み合わせたもの
は、特に好ましい。ここで、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサンの配合量は、好ましくは
全ジアミンの１〜１５モル％、より好ましくは３〜６モ
ル％である。
【０００７】さらに、市販の“カプトン”（東レ・デュ
ポン（株）製）、“ユーピレックス”Ｒ、Ｓ（宇部興産
（株）製）、“アピカル”（三菱化成工業（株）製）な
どのポリイミドフィルムにも適用できる。
ポン（株）製）、“ユーピレックス”Ｒ、Ｓ（宇部興産
（株）製）、“アピカル”（三菱化成工業（株）製）な
どのポリイミドフィルムにも適用できる。
【０００８】ポリイミド前駆体として感光性を付与した
ものを使用した場合には、直接パターン加工ができ、工
程を簡略化できるので好ましいが、これに限定されな
い。感光性を付与する方法は例えば、特公昭５５−３０
２０７号公報、特開昭５３−１２７７２３号公報、特開
昭５９−５２８２２号公報などに記載されている。該ポ
リイミドのパターン加工は通常の方法で行うことができ
る。感光性を有するポリイミド前駆体を用いる場合は、
塗布、乾燥後、感光性ポリイミド前駆体の膜上にマスク
を置き、紫外線を照射する。ついで、現像を行う。現像
後、熱処理することにより膜を得る。熱処理は、室温か
ら４５０℃の温度を選び、段階的に昇温するかある温度
範囲を選び連続的に昇温しながら、５分〜５時間実施す
るのが好ましい。例えば、１３０℃で６０分熱処理後、
２００℃、３００℃、４００℃で各々３０分づつ熱処理
する。
ものを使用した場合には、直接パターン加工ができ、工
程を簡略化できるので好ましいが、これに限定されな
い。感光性を付与する方法は例えば、特公昭５５−３０
２０７号公報、特開昭５３−１２７７２３号公報、特開
昭５９−５２８２２号公報などに記載されている。該ポ
リイミドのパターン加工は通常の方法で行うことができ
る。感光性を有するポリイミド前駆体を用いる場合は、
塗布、乾燥後、感光性ポリイミド前駆体の膜上にマスク
を置き、紫外線を照射する。ついで、現像を行う。現像
後、熱処理することにより膜を得る。熱処理は、室温か
ら４５０℃の温度を選び、段階的に昇温するかある温度
範囲を選び連続的に昇温しながら、５分〜５時間実施す
るのが好ましい。例えば、１３０℃で６０分熱処理後、
２００℃、３００℃、４００℃で各々３０分づつ熱処理
する。
【０００９】感光性を有しないポリイミド前駆体を用い
る場合は、例えばポジレジストをマスクとしてポジレジ
ストの現像と同時にポリイミドのエッチングを行う方法
（例えば、Ｒ．Ａ．Ｄｉｎｅ−Ｈａｔｔ．他，Ｂｒ．Ｐ
ｏｌｙｍ．Ｊ．３，２２２（１９７１））、ネガレジス
トをマスクにし、ネガレジストの現像後にポリイミドを
ヒドラジンのような有機アルカリでエッチングする方法
（例えば、特開昭５３−４９７０１号公報）、金属薄膜
などをマスクにして、プラズマでエッチングする方法な
どで、パターンを形成できる。
る場合は、例えばポジレジストをマスクとしてポジレジ
ストの現像と同時にポリイミドのエッチングを行う方法
（例えば、Ｒ．Ａ．Ｄｉｎｅ−Ｈａｔｔ．他，Ｂｒ．Ｐ
ｏｌｙｍ．Ｊ．３，２２２（１９７１））、ネガレジス
トをマスクにし、ネガレジストの現像後にポリイミドを
ヒドラジンのような有機アルカリでエッチングする方法
（例えば、特開昭５３−４９７０１号公報）、金属薄膜
などをマスクにして、プラズマでエッチングする方法な
どで、パターンを形成できる。
【００１０】次に、本発明のポリイミドの表面処理につ
いて説明する。まず、基板上にポリイミドの前駆体の溶
液を塗布して膜を形成し、必要に応じてパターン加工し
た後、熱処理してポリイミド膜を形成した後、放電処理
を行う。
いて説明する。まず、基板上にポリイミドの前駆体の溶
液を塗布して膜を形成し、必要に応じてパターン加工し
た後、熱処理してポリイミド膜を形成した後、放電処理
を行う。
【００１１】ここで、放電処理とは、高電圧を印加する
ことによって開始持続する放電に基材をさらす処理をい
う。放電の形態としては、コロナ放電とグロー放電が挙
げられるが、放電の均一性に伴う処理効果および効率の
点からは、減圧化で行うグロー放電が好ましい。放電処
理に用いるガスとしては、Ａｒ、Ｏ2 、ＣＦ4 、Ｎ2、
Ｈｅ、ＣＯ2 、ＣＯ、空気、水蒸気などのガスが単独ま
たは混合して使用でき、特に限定されるものではない。
放電処理の圧力は特に限定されないが、１０-3Ｔｏｒｒ
〜１０Ｔｏｒｒの圧力の領域で起こりやすいグロー放電
処理、いわゆる低温プラズマ処理が均一性および処理効
率の点で好ましい。処理強度は、電力密度５０Ｗ・ｍｉ
ｎ／ｍ2 以上３００００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 以下の範囲が
好ましく、更に好ましくは５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 以上
１００００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 以下である。ここでいう放
電処理の電力密度とは、出力を放電部分の幅（例えば、
ドラム状電極の場合は軸長方向）と基板の移動速度で割
った値である。なお、放電処理のための装置、電極など
は特に限定されるものではなく、公知のものを用いるこ
とができる。該プラズマを基板上に形成したポリイミド
表面に曝して処理すればよい。
ことによって開始持続する放電に基材をさらす処理をい
う。放電の形態としては、コロナ放電とグロー放電が挙
げられるが、放電の均一性に伴う処理効果および効率の
点からは、減圧化で行うグロー放電が好ましい。放電処
理に用いるガスとしては、Ａｒ、Ｏ2 、ＣＦ4 、Ｎ2、
Ｈｅ、ＣＯ2 、ＣＯ、空気、水蒸気などのガスが単独ま
たは混合して使用でき、特に限定されるものではない。
放電処理の圧力は特に限定されないが、１０-3Ｔｏｒｒ
〜１０Ｔｏｒｒの圧力の領域で起こりやすいグロー放電
処理、いわゆる低温プラズマ処理が均一性および処理効
率の点で好ましい。処理強度は、電力密度５０Ｗ・ｍｉ
ｎ／ｍ2 以上３００００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 以下の範囲が
好ましく、更に好ましくは５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 以上
１００００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 以下である。ここでいう放
電処理の電力密度とは、出力を放電部分の幅（例えば、
ドラム状電極の場合は軸長方向）と基板の移動速度で割
った値である。なお、放電処理のための装置、電極など
は特に限定されるものではなく、公知のものを用いるこ
とができる。該プラズマを基板上に形成したポリイミド
表面に曝して処理すればよい。
【００１２】続いて、放電処理されたポリイミド表面に
アルカリ処理を行う。アルカリ処理としては、無機また
は有機のアルカリの水溶液をポリイミド表面に曝して処
理する方法が推奨される。ここで、無機アルカリの具体
例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの
カセイアルカリの水溶液などが挙げられるがこれらに限
定されない。有機アルカリの具体例としては、エチレン
ジアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、アミンの水溶液などが挙げられるがこれらに限定さ
れない。これらの水溶液濃度としては、０．１〜３０重
量％の範囲が好ましく、更に好ましくは０．５〜１５重
量％である。０．１重量％未満の濃度では効果が十分発
揮できず、３０重量％を越える濃度ではポリイミドが分
解し、ポリイミドに悪影響を及ぼす。安価に得られかつ
改善効果の点からは１０％の水酸化ナトリウムやポジレ
ジストの現像液であるテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液が好ましい。処理方法としては、回
転塗布法、浸漬法、ロール塗布法、印刷法、刷毛塗り法
などが挙げられるが、中でも浸漬する方法が簡便で好ま
しい。処理時間としては、０．５分〜６０分の範囲が好
ましく、更に好ましくは５分〜３０分である。０．５分
未満の処理時間では効果が十分発揮できず、６０分を越
える処理時間では時間がかかり、多層配線構成体の製造
プロセスのコストに影響することおよびポリイミドが分
解し、ポリイミドに悪影響を及ぼす問題がある。
アルカリ処理を行う。アルカリ処理としては、無機また
は有機のアルカリの水溶液をポリイミド表面に曝して処
理する方法が推奨される。ここで、無機アルカリの具体
例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの
カセイアルカリの水溶液などが挙げられるがこれらに限
定されない。有機アルカリの具体例としては、エチレン
ジアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、アミンの水溶液などが挙げられるがこれらに限定さ
れない。これらの水溶液濃度としては、０．１〜３０重
量％の範囲が好ましく、更に好ましくは０．５〜１５重
量％である。０．１重量％未満の濃度では効果が十分発
揮できず、３０重量％を越える濃度ではポリイミドが分
解し、ポリイミドに悪影響を及ぼす。安価に得られかつ
改善効果の点からは１０％の水酸化ナトリウムやポジレ
ジストの現像液であるテトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液が好ましい。処理方法としては、回
転塗布法、浸漬法、ロール塗布法、印刷法、刷毛塗り法
などが挙げられるが、中でも浸漬する方法が簡便で好ま
しい。処理時間としては、０．５分〜６０分の範囲が好
ましく、更に好ましくは５分〜３０分である。０．５分
未満の処理時間では効果が十分発揮できず、６０分を越
える処理時間では時間がかかり、多層配線構成体の製造
プロセスのコストに影響することおよびポリイミドが分
解し、ポリイミドに悪影響を及ぼす問題がある。
【００１３】放電処理とアルカリ処理の順序は、放電処
理後にアルカリ処理を行うのが好ましい。アルカリ処理
後に放電処理を行う場合、あるいはアルカリ処理、放電
処理単独では効果が小さい。
理後にアルカリ処理を行うのが好ましい。アルカリ処理
後に放電処理を行う場合、あるいはアルカリ処理、放電
処理単独では効果が小さい。
【００１４】上述のように表面改質の施されたポリイミ
ドは例えば同種または異種のポリイミド、その他の耐熱
性樹脂シートないしフィルム、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕなどの
金属配線、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 などの無機膜などとの
接合に適用することによりその接着性を著しく向上させ
ることができる。適用可能な他の耐熱性樹脂としては、
例えば、ビスフェノール類の芳香族ジカルボン酸の縮合
物であるポリアリレート、ポリスルホン、またはポリエ
ーテルスルホンに代表されるポリアリルスルホンあるい
はビスフェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸
の反応から得られる芳香族ポリアミド、芳香族ポリエー
テルアミド、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリル
エーテルケトン、液晶性ポリエステル、ポリアミドイミ
ド系樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに
限定されない。
ドは例えば同種または異種のポリイミド、その他の耐熱
性樹脂シートないしフィルム、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕなどの
金属配線、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 などの無機膜などとの
接合に適用することによりその接着性を著しく向上させ
ることができる。適用可能な他の耐熱性樹脂としては、
例えば、ビスフェノール類の芳香族ジカルボン酸の縮合
物であるポリアリレート、ポリスルホン、またはポリエ
ーテルスルホンに代表されるポリアリルスルホンあるい
はビスフェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸
の反応から得られる芳香族ポリアミド、芳香族ポリエー
テルアミド、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリル
エーテルケトン、液晶性ポリエステル、ポリアミドイミ
ド系樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに
限定されない。
【００１５】なお、本発明の処理方法は、表面改質され
たポリイミドと接合される他のポリイミドや耐熱性樹脂
などの接合面にも適宜適用できることは言うまでもな
い。
たポリイミドと接合される他のポリイミドや耐熱性樹脂
などの接合面にも適宜適用できることは言うまでもな
い。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【００１７】実施例１ ３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物１モルとパラフェニレンジアミン０．８３モル、
１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン０．１
３モル、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン０．０４モルからなる固形分濃度２０％のポリ
イミド前駆体のワニスを得た。次に、ポリイミド前駆体
のワニスを４インチシリコンウエハ上に熱処理後の膜厚
が２０μｍになるように塗布し、８０℃、１８０℃、３
００℃、４００℃で３０分づつ熱処理して、１層目のポ
リイミド膜を得た。ついで、該試料をドラム状電極と複
数の棒状電極からなる対極電極を有する内部電極方式の
放電処理装置を用い、ドラム電極に該試料をセットし、
０．００１Ｔｏｒｒまで排気した後、雰囲気ガスとし
て、Ｏ2 を０．２Ｔｏｒｒまで導入し、放電強度８００
Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 の条件で該試料の１層目のポリイミド
膜表面を処理した。ついで、該試料を１０％の水酸化ナ
トリウム水溶液中に１０分間浸漬した。浸漬後、流水中
で洗浄し、エアーブローを行い乾燥した。
水物１モルとパラフェニレンジアミン０．８３モル、
１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン０．１
３モル、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン０．０４モルからなる固形分濃度２０％のポリ
イミド前駆体のワニスを得た。次に、ポリイミド前駆体
のワニスを４インチシリコンウエハ上に熱処理後の膜厚
が２０μｍになるように塗布し、８０℃、１８０℃、３
００℃、４００℃で３０分づつ熱処理して、１層目のポ
リイミド膜を得た。ついで、該試料をドラム状電極と複
数の棒状電極からなる対極電極を有する内部電極方式の
放電処理装置を用い、ドラム電極に該試料をセットし、
０．００１Ｔｏｒｒまで排気した後、雰囲気ガスとし
て、Ｏ2 を０．２Ｔｏｒｒまで導入し、放電強度８００
Ｗ・ｍｉｎ／ｍ2 の条件で該試料の１層目のポリイミド
膜表面を処理した。ついで、該試料を１０％の水酸化ナ
トリウム水溶液中に１０分間浸漬した。浸漬後、流水中
で洗浄し、エアーブローを行い乾燥した。
【００１８】次に、該ポリイミド前駆体のワニスを該１
層目のポリイミド膜上に熱処理後の膜厚が２０μｍにな
るように塗布し、８０℃、１８０℃、３００℃、４００
℃で３０分づつ熱処理して、２層目のポリイミド膜を得
た。
層目のポリイミド膜上に熱処理後の膜厚が２０μｍにな
るように塗布し、８０℃、１８０℃、３００℃、４００
℃で３０分づつ熱処理して、２層目のポリイミド膜を得
た。
【００１９】そして、１層目と２層目のポリイミド膜の
接着力をＪＩＳ Ｃ６４８１に準じた９０°ピール試験
法（引っ張り速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ）により測定した
ところ、接着力は６００ｇ／ｃｍと極めて良好であっ
た。
接着力をＪＩＳ Ｃ６４８１に準じた９０°ピール試験
法（引っ張り速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ）により測定した
ところ、接着力は６００ｇ／ｃｍと極めて良好であっ
た。
【００２０】比較例１ 放電処理とアルカリ処理を全く行なわない他は、実施例
１と同じ条件で、試料を作製し、１層目と２層目のポリ
イミド膜の接着力を測定したところ、接着力は３０ｇ／
ｃｍであり、接着力はほとんど認められなかった。
１と同じ条件で、試料を作製し、１層目と２層目のポリ
イミド膜の接着力を測定したところ、接着力は３０ｇ／
ｃｍであり、接着力はほとんど認められなかった。
【００２１】実施例２ ポリイミド前駆体のワニスに３，３´，４，４´−ビフ
ェニルテトラカルボン酸二無水物１モルと４，４´−ジ
アミノターフェニル０．９６モル、ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサン０．０４モルからな
るものを用いる他は、実施例１と同じ条件で、試料を作
製し、１層目と２層目のポリイミド膜の接着力を測定し
たところ、接着力は５５０ｇ／ｃｍであった。
ェニルテトラカルボン酸二無水物１モルと４，４´−ジ
アミノターフェニル０．９６モル、ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルジシロキサン０．０４モルからな
るものを用いる他は、実施例１と同じ条件で、試料を作
製し、１層目と２層目のポリイミド膜の接着力を測定し
たところ、接着力は５５０ｇ／ｃｍであった。
【００２２】比較例２ 放電処理のみを行ない、アルカリ処理を行なわない他
は、実施例１と同じ条件で、試料を作製し、１層目と２
層目のポリイミド膜の接着力を測定したところ、接着力
は６０ｇ／ｃｍであり、実用性のないもので有った。
は、実施例１と同じ条件で、試料を作製し、１層目と２
層目のポリイミド膜の接着力を測定したところ、接着力
は６０ｇ／ｃｍであり、実用性のないもので有った。
【００２３】実施例３ ４インチシリコンウエハ上に実施例１で用いたポリイミ
ド前駆体のワニスを用い、実施例１と同様な条件でポリ
イミドを形成した。ついで、実施例１と同じ条件で放電
処理とアルカリ処理を行った。ポリイミド表面にクロム
をイオンプレーティング法により０．１μｍ積層し、さ
らにその上に銅を電解メッキして２μｍ形成させた。そ
して、クロムとポリイミドの接着力を同様にして測定し
たところ、接着力は６００ｇ／ｃｍであった。
ド前駆体のワニスを用い、実施例１と同様な条件でポリ
イミドを形成した。ついで、実施例１と同じ条件で放電
処理とアルカリ処理を行った。ポリイミド表面にクロム
をイオンプレーティング法により０．１μｍ積層し、さ
らにその上に銅を電解メッキして２μｍ形成させた。そ
して、クロムとポリイミドの接着力を同様にして測定し
たところ、接着力は６００ｇ／ｃｍであった。
【００２４】比較例３ 放電処理とアルカリ処理を全く行なわない他は、実施例
３と同じ条件で、試料を作製し、クロムとポリイミドの
接着力を測定したところ、接着力は２０ｇ／ｃｍであ
り、接着力はほとんど認められなかった。
３と同じ条件で、試料を作製し、クロムとポリイミドの
接着力を測定したところ、接着力は２０ｇ／ｃｍであ
り、接着力はほとんど認められなかった。
【００２５】実施例４ ４インチシリコンウエハ上に実施例１で用いたポリイミ
ド前駆体のワニスを用い、実施例１と同じ条件でポリイ
ミドを形成した。ついで、実施例１と同じ条件で放電処
理とアルカリ処理を行った。次に、該基板上に４ｍｍ
φ、厚さ２ｍｍの封止樹脂（東レ（株）製ＴＨ−８００
３）を１７０℃で形成し、ポリイミドと封止樹脂の密着
強度を引き倒し法（応用物理、５６巻、９２５頁、１９
８７年）で測定したところ、接着力は、３．０Ｋｇ／ｃ
ｍ2 であった。
ド前駆体のワニスを用い、実施例１と同じ条件でポリイ
ミドを形成した。ついで、実施例１と同じ条件で放電処
理とアルカリ処理を行った。次に、該基板上に４ｍｍ
φ、厚さ２ｍｍの封止樹脂（東レ（株）製ＴＨ−８００
３）を１７０℃で形成し、ポリイミドと封止樹脂の密着
強度を引き倒し法（応用物理、５６巻、９２５頁、１９
８７年）で測定したところ、接着力は、３．０Ｋｇ／ｃ
ｍ2 であった。
【００２６】比較例４ 放電処理とアルカリ処理を全く行なわない他は、実施例
４と同じ条件で、試料を作製し、ポリイミドと封止樹脂
の密着強度を引き倒し法で測定したところ、接着力は、
０．６Ｋｇ／ｃｍ2 であった。
４と同じ条件で、試料を作製し、ポリイミドと封止樹脂
の密着強度を引き倒し法で測定したところ、接着力は、
０．６Ｋｇ／ｃｍ2 であった。
【００２７】
【発明の効果】本発明は、上述のごとく構成したので、
簡便にしかも確実にポリイミドと配線金属、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等の無機膜、封止樹脂、ポリイミド等
の耐熱性樹脂、基板等との接着性を向上させることがで
きる。したがって、ポリイミドを用いたプリント配線
板、半導体素子、ＬＳＩ搭載用実装基板等の電子デバイ
スの信頼性向上に大きく寄与するものである。
簡便にしかも確実にポリイミドと配線金属、Ｓｉ
3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等の無機膜、封止樹脂、ポリイミド等
の耐熱性樹脂、基板等との接着性を向上させることがで
きる。したがって、ポリイミドを用いたプリント配線
板、半導体素子、ＬＳＩ搭載用実装基板等の電子デバイ
スの信頼性向上に大きく寄与するものである。
Claims (1)
- 【請求項１】ポリイミド表面を放電処理した後、アルカ
リ処理することを特徴とするポリイミド表面の改質方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7726892A JPH05279497A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ポリイミド表面の改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7726892A JPH05279497A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ポリイミド表面の改質方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279497A true JPH05279497A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=13629104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7726892A Pending JPH05279497A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | ポリイミド表面の改質方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05279497A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053082B2 (en) | 2004-03-23 | 2011-11-08 | Ube Industries, Ltd. | Adhesion-enhanced polyimide film, process for its production, and laminated body |
| JP2013151624A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Du Pont-Toray Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法、および、金属積層体 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7726892A patent/JPH05279497A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053082B2 (en) | 2004-03-23 | 2011-11-08 | Ube Industries, Ltd. | Adhesion-enhanced polyimide film, process for its production, and laminated body |
| JP2013151624A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Du Pont-Toray Co Ltd | ポリイミドフィルムの製造方法、および、金属積層体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI494036B (zh) | Flexible circuit substrate and method of manufacturing the same | |
| TW201124266A (en) | Metalized polyimide film and flexible printed circuit board using the same | |
| TW525420B (en) | Heat resistant resin film having metal layer, wiring board and processes for producing them | |
| JP2002264255A (ja) | 樹脂付き金属箔及びこれを用いた配線板 | |
| JP2003031924A (ja) | 金属回路形成方法 | |
| JPH05279497A (ja) | ポリイミド表面の改質方法 | |
| JPH06256733A (ja) | 耐熱性接着材料 | |
| JP5129111B2 (ja) | 積層体の製造方法及び回路配線基板の製造方法 | |
| JP2002030216A (ja) | ポリイミド樹脂前駆体溶液、その溶液を用いた電子部品用基材、およびその基材の製造方法 | |
| JP4408295B2 (ja) | ポリイミド樹脂前駆体溶液を用いた電子部品用基材及びその基材の製造方法 | |
| JP3691952B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| JP2002172734A (ja) | ポリイミド／金属積層体、およびそれを用いたフレキシブルプリント配線板 | |
| JP2002338930A (ja) | 半導体装置用接着材料および樹脂付き金属箔ならびに配線板 | |
| TW584595B (en) | Process for preparing metal-coated aromatic polyimide film | |
| JP2001313451A (ja) | フレキシブル配線板の製造方法 | |
| JPH06244172A (ja) | 多層配線構成体 | |
| JPH05283867A (ja) | 多層配線構成体 | |
| JP2003029401A (ja) | 感光性高分子金属錯体ドライフィルム、およびそれを用いた金属回路形成方法 | |
| JP2002290014A (ja) | 金属回路パターン形成方法 | |
| JP2002338929A (ja) | 半導体装置用接着材料および樹脂付き金属箔ならびに配線板 | |
| JP2004186166A (ja) | プリント回路用基板およびそれを用いたプリント回路基板 | |
| JPS63274942A (ja) | ポリイミドパタ−ンの形成方法 | |
| JP5291006B2 (ja) | 回路配線基板の製造方法 | |
| JPH05275417A (ja) | 配線構造体とその製造法 | |
| JP2001217554A (ja) | 多層配線基板 |