JPH05275670A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH05275670A JPH05275670A JP4067343A JP6734392A JPH05275670A JP H05275670 A JPH05275670 A JP H05275670A JP 4067343 A JP4067343 A JP 4067343A JP 6734392 A JP6734392 A JP 6734392A JP H05275670 A JPH05275670 A JP H05275670A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- solid
- photoelectric conversion
- photodiode
- signal charge
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】増幅用トランジスタ自身の暗電流を小さくし、
非破壊読み出しをある時間間隔で繰り返し行っても、固
定パタ−ンノイズの小さい固体撮像素子を提供する。 【構成】光電変換部２０により入射光を受光して信号電
荷を発生し、その信号電荷を信号読み出し部３０るより
読み出す。光電変換部２０はフォトダイオ−ド６を有す
るとともに、信号読み出し部３０は信号電荷を増幅する
ための増幅用トランジスタ３，４，９，１５を有する。
この増幅用トランジスタは接合型電界効果トランジスタ
である。フォトダイオ−ド６で発生した信号電荷は転送
手段１０により増幅用トランジスタに転送される。
非破壊読み出しをある時間間隔で繰り返し行っても、固
定パタ−ンノイズの小さい固体撮像素子を提供する。 【構成】光電変換部２０により入射光を受光して信号電
荷を発生し、その信号電荷を信号読み出し部３０るより
読み出す。光電変換部２０はフォトダイオ−ド６を有す
るとともに、信号読み出し部３０は信号電荷を増幅する
ための増幅用トランジスタ３，４，９，１５を有する。
この増幅用トランジスタは接合型電界効果トランジスタ
である。フォトダイオ−ド６で発生した信号電荷は転送
手段１０により増幅用トランジスタに転送される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅型の固体撮像素子
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像素子は、ＣＣＤ型撮像素
子と増幅型撮像素子とに大別される。ＣＣＤ型撮像素子
の単位画素は、入射光を信号電荷に変換するための光電
変換部としての埋込フォトダイオ−ド（以下、ＢＰＤと
略称する）と、信号電荷を転送して読み出すための転送
部とから構成されている。ＢＰＤは、ＰＮ接合領域上に
反対導電型（Ｐ型フォトダイオ−ドであればＮ型、Ｎ型
フォトダイオ−ドであればＰ型）の浅い拡散領域が設け
られた構造をなしている。
子と増幅型撮像素子とに大別される。ＣＣＤ型撮像素子
の単位画素は、入射光を信号電荷に変換するための光電
変換部としての埋込フォトダイオ−ド（以下、ＢＰＤと
略称する）と、信号電荷を転送して読み出すための転送
部とから構成されている。ＢＰＤは、ＰＮ接合領域上に
反対導電型（Ｐ型フォトダイオ−ドであればＮ型、Ｎ型
フォトダイオ−ドであればＰ型）の浅い拡散領域が設け
られた構造をなしている。
【０００３】一方、増幅型固体撮像素子の単位画素は、
ＭＯＳ型静電誘導トランジスタ（以下、ＭＯＳ・ＳＩＴ
と略称する）、接合型電界効果トランジスタ（以下、Ｊ
・ＦＥＴと略称する）、バイポ−ラトランジスタなどの
トランジスタからなり、光電変換部は各トランジスタの
構成要素の一部であるＭＯＳダイオ−ド、ＰＮ接合ダイ
オ−ドで構成されていた。
ＭＯＳ型静電誘導トランジスタ（以下、ＭＯＳ・ＳＩＴ
と略称する）、接合型電界効果トランジスタ（以下、Ｊ
・ＦＥＴと略称する）、バイポ−ラトランジスタなどの
トランジスタからなり、光電変換部は各トランジスタの
構成要素の一部であるＭＯＳダイオ−ド、ＰＮ接合ダイ
オ−ドで構成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の固体撮像素子においては次のような問題点があっ
た。まず、ＣＣＤ型撮像素子は、光電変換部に埋込フォ
トダイオ−ドを備えているので、量子効率が高い、残像
が少ない、暗電流が小さく、暗電流のばらつきによる固
定パタ−ンノイズ（以下、ＦＰＮという）が小さい、と
いう長所を持つが、個々の画素単位で信号電荷が増幅さ
れずに転送されるため、増幅型撮像素子に比べて感度が
低いという問題がある。
従来の固体撮像素子においては次のような問題点があっ
た。まず、ＣＣＤ型撮像素子は、光電変換部に埋込フォ
トダイオ−ドを備えているので、量子効率が高い、残像
が少ない、暗電流が小さく、暗電流のばらつきによる固
定パタ−ンノイズ（以下、ＦＰＮという）が小さい、と
いう長所を持つが、個々の画素単位で信号電荷が増幅さ
れずに転送されるため、増幅型撮像素子に比べて感度が
低いという問題がある。
【０００５】一方、増幅型撮像素子においては、増幅型
トランジスタの構成要素の一部であるダイオ−ドで光電
変換が行われるため、光電変換用の埋込フォトダイオ−
ドを備えるＣＣＤ撮像素子のような優れた光電変換特性
が得られない。たとえば、ＭＯＳダイオ−ドでは、ゲ−
ト電極となるポリシリコン層の透過率が低いことから量
子効率が小さくなってしまう上、表面リ−ク電流が大き
いという欠点があり、ＦＰＮが大きくなってしまうとい
う問題がある。また、ＰＮ接合ダイオ−ドでは、そのリ
セット動作が不完全であるために残像が発生してしま
う。この残像を減らそうとして、フォトダイオ−ド領域
を低濃度化し、完全なリセット動作を実現しようとする
と、今度は表面リ−ク電流が大きくなってしまうという
不都合が生じる。
トランジスタの構成要素の一部であるダイオ−ドで光電
変換が行われるため、光電変換用の埋込フォトダイオ−
ドを備えるＣＣＤ撮像素子のような優れた光電変換特性
が得られない。たとえば、ＭＯＳダイオ−ドでは、ゲ−
ト電極となるポリシリコン層の透過率が低いことから量
子効率が小さくなってしまう上、表面リ−ク電流が大き
いという欠点があり、ＦＰＮが大きくなってしまうとい
う問題がある。また、ＰＮ接合ダイオ−ドでは、そのリ
セット動作が不完全であるために残像が発生してしま
う。この残像を減らそうとして、フォトダイオ−ド領域
を低濃度化し、完全なリセット動作を実現しようとする
と、今度は表面リ−ク電流が大きくなってしまうという
不都合が生じる。
【０００６】本出願人は、すでに特願平３−６９４０５
において、上記問題点を解決するための固体撮像素子を
提案した。図２は、特願平３−６９４０５において提案
した固体撮像素子の構成を示す平面図（図２（ａ））、
断面図（図２（ｂ））である。図２（ａ）において、２
０は光電変換部となる埋込フォトダイオ−ド（ＢＰ
Ｄ）、１０は転送ゲ−ト、３０は信号電荷増幅用のＭＯ
Ｓ型静電誘導トランジスタ（ＭＯＳ・ＳＩＴ）である。
において、上記問題点を解決するための固体撮像素子を
提案した。図２は、特願平３−６９４０５において提案
した固体撮像素子の構成を示す平面図（図２（ａ））、
断面図（図２（ｂ））である。図２（ａ）において、２
０は光電変換部となる埋込フォトダイオ−ド（ＢＰ
Ｄ）、１０は転送ゲ−ト、３０は信号電荷増幅用のＭＯ
Ｓ型静電誘導トランジスタ（ＭＯＳ・ＳＩＴ）である。
【０００７】図２に示した固体撮像素子は、光電変換部
がＢＰＤであるため、ＭＯＳダイオ−ドに比べて、量子
効率が高い、暗電流が小さいため、そのばらつきによる
固定パタ−ンノイズが小さい、通常のＰＮ接合にみられ
るような残像がない、さらに、発生した信号電荷をＭＯ
Ｓ・ＳＩＴで増幅してから読み出すため感度が高い、と
いう長所を持っている。
がＢＰＤであるため、ＭＯＳダイオ−ドに比べて、量子
効率が高い、暗電流が小さいため、そのばらつきによる
固定パタ−ンノイズが小さい、通常のＰＮ接合にみられ
るような残像がない、さらに、発生した信号電荷をＭＯ
Ｓ・ＳＩＴで増幅してから読み出すため感度が高い、と
いう長所を持っている。
【０００８】さらに、ＭＯＳ・ＳＩＴでは信号の読み出
しは非破壊で行われるため、リセット動作を行わない限
り何度でも読み出し動作を行うことができる。この特性
を積極的に利用する技術として、本出願人は、特願平３
−１３７０５において、高ダイナミックレンジ撮像装置
を提案した。これは、非破壊読み出しを利用して、実効
的な蓄積時間を画素ごとに最適化し、高ダイナミックレ
ンジを得るものである。図２に示した固体撮像素子を、
上記のような高ダイナミックレンジを得る技術に適用し
ようとすると、光電変換部のＢＰＤの特性が良好である
にもかかわらず、信号電荷増幅用ＭＯＳ・ＳＩＴの暗電
流が大きいために固定パタ−ンノイズが大きくなってし
まうという問題点がある。
しは非破壊で行われるため、リセット動作を行わない限
り何度でも読み出し動作を行うことができる。この特性
を積極的に利用する技術として、本出願人は、特願平３
−１３７０５において、高ダイナミックレンジ撮像装置
を提案した。これは、非破壊読み出しを利用して、実効
的な蓄積時間を画素ごとに最適化し、高ダイナミックレ
ンジを得るものである。図２に示した固体撮像素子を、
上記のような高ダイナミックレンジを得る技術に適用し
ようとすると、光電変換部のＢＰＤの特性が良好である
にもかかわらず、信号電荷増幅用ＭＯＳ・ＳＩＴの暗電
流が大きいために固定パタ−ンノイズが大きくなってし
まうという問題点がある。
【０００９】これは、ある時間間隔で非破壊読み出しを
繰り返し行うためには、ＢＰＤに蓄積された電荷をその
都度、順次ＭＯＳ・ＳＩＴに転送して読み出し動作を行
い、最終的にリセットされるまで信号電荷を保持するこ
とになるため、ＭＯＳ・ＳＩＴ自身の暗電流も信号電荷
に加算されてしまうためである。本発明は、上記問題点
を解決するためのものであり、増幅用トランジスタ自身
の暗電流を小さくし、非破壊読み出しをある時間間隔で
繰り返し行っても、固定パタ−ンノイズの小さい固体撮
像素子を提供することを目的とする。
繰り返し行うためには、ＢＰＤに蓄積された電荷をその
都度、順次ＭＯＳ・ＳＩＴに転送して読み出し動作を行
い、最終的にリセットされるまで信号電荷を保持するこ
とになるため、ＭＯＳ・ＳＩＴ自身の暗電流も信号電荷
に加算されてしまうためである。本発明は、上記問題点
を解決するためのものであり、増幅用トランジスタ自身
の暗電流を小さくし、非破壊読み出しをある時間間隔で
繰り返し行っても、固定パタ−ンノイズの小さい固体撮
像素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決のため本
発明は、入射光を受光して信号電荷を発生する光電変換
部と、該光電変換部で発生した信号電荷を読み出す信号
読み出し部とを有する固体撮像素子において、前記光電
変換部はフォトダイオ−ドを有するとともに、前記信号
読み出し部は前記信号電荷を増幅するための増幅用トラ
ンジスタを有し、かつ、前記フォトダイオ−ドで発生し
た信号電荷を前記増幅用トランジスタに転送する転送手
段を備え、前記増幅用トランジスタは接合型電界効果ト
ランジスタである構成とした。
発明は、入射光を受光して信号電荷を発生する光電変換
部と、該光電変換部で発生した信号電荷を読み出す信号
読み出し部とを有する固体撮像素子において、前記光電
変換部はフォトダイオ−ドを有するとともに、前記信号
読み出し部は前記信号電荷を増幅するための増幅用トラ
ンジスタを有し、かつ、前記フォトダイオ−ドで発生し
た信号電荷を前記増幅用トランジスタに転送する転送手
段を備え、前記増幅用トランジスタは接合型電界効果ト
ランジスタである構成とした。
【００１１】
【作用】本発明の固体撮像素子においては、信号電荷を
増幅するための増幅用トランジスタに接合型電界効果ト
ランジスタを使用しているので、ゲ−ト電極下部のＳｉ
表面の空乏化を防ぐことができ、暗電流が小さくなる。
これは、ＪＦＥＴにおいては、ゲ−ト電極下部のＳｉ表
面にチャネル領域と反対導電型の高濃度拡散層（ゲ−ト
領域となる）を形成するため、このゲ−ト領域とチャネ
ル領域とで構成されるＰＮ接合を逆バイアス状態として
も、ゲ−ト領域の表面まで空乏層が延びるのを防ぐこと
ができるためである。
増幅するための増幅用トランジスタに接合型電界効果ト
ランジスタを使用しているので、ゲ−ト電極下部のＳｉ
表面の空乏化を防ぐことができ、暗電流が小さくなる。
これは、ＪＦＥＴにおいては、ゲ−ト電極下部のＳｉ表
面にチャネル領域と反対導電型の高濃度拡散層（ゲ−ト
領域となる）を形成するため、このゲ−ト領域とチャネ
ル領域とで構成されるＰＮ接合を逆バイアス状態として
も、ゲ−ト領域の表面まで空乏層が延びるのを防ぐこと
ができるためである。
【００１２】
【実施例】図１(a) は本発明の実施例による固体撮像素
子の模式的な平面図、図１(b) は、図１(a) の固体撮像
素子のＡＡ’断面図である。図１(a) では、便宜上、Ａ
ｌ膜１３を除去してソ−ス電極より下方を示し、各領域
とも実線で示す。まず、図１(a) において、固体撮像素
子の単位画素は、埋込フォトダイオ−ドを備えた光電変
換部２０、転送ゲ−ト１０、接合型電界効果トランジス
タ（以下、Ｊ・ＦＥＴと略称する）を備えた信号読み出
し部３０から構成されており、Ｌ字形に設けられた光電
変換部２０と正方形状の信号読み出し部３０は、転送ゲ
−ト１０で接続されている。
子の模式的な平面図、図１(b) は、図１(a) の固体撮像
素子のＡＡ’断面図である。図１(a) では、便宜上、Ａ
ｌ膜１３を除去してソ−ス電極より下方を示し、各領域
とも実線で示す。まず、図１(a) において、固体撮像素
子の単位画素は、埋込フォトダイオ−ドを備えた光電変
換部２０、転送ゲ−ト１０、接合型電界効果トランジス
タ（以下、Ｊ・ＦＥＴと略称する）を備えた信号読み出
し部３０から構成されており、Ｌ字形に設けられた光電
変換部２０と正方形状の信号読み出し部３０は、転送ゲ
−ト１０で接続されている。
【００１３】次に、図１(b) において、単位画素の断面
構造を説明する。図において、Ｐ型基板１上にはＮ型半
導体層２が積層されており、Ｎ型半導体層２の表面近傍
にはＮ型ソ−ス領域３とＮ型ドレイン領域４が形成され
ている。Ｎ型ドレイン領域４は、図１(a) に示されるよ
うに、Ｎ型ソ−ス領域３の外側に、単位画素を取り囲む
ように形成されており、後述するフォトダイオ−ドのＮ
型拡散領域７と連続している。また、Ｎ型ソ−ス領域３
にはポリシリコンからなるソ−ス電極８が設けられてい
る。
構造を説明する。図において、Ｐ型基板１上にはＮ型半
導体層２が積層されており、Ｎ型半導体層２の表面近傍
にはＮ型ソ−ス領域３とＮ型ドレイン領域４が形成され
ている。Ｎ型ドレイン領域４は、図１(a) に示されるよ
うに、Ｎ型ソ−ス領域３の外側に、単位画素を取り囲む
ように形成されており、後述するフォトダイオ−ドのＮ
型拡散領域７と連続している。また、Ｎ型ソ−ス領域３
にはポリシリコンからなるソ−ス電極８が設けられてい
る。
【００１４】Ｎ型ソ−ス領域３とＮ型ドレイン領域４の
間の領域上には、絶縁層１４を介してゲ−ト電極９がＮ
型ソ−ス領域３を囲むように設けられ、ゲ−トライン１
２および転送ゲ−トライン１１は、絶縁層１４を介して
Ｎ型ドレイン領域４上に重なるように設けられている。
以上は、図２に示した固体撮像素子の構成と同様であ
る。本実施例においては、ゲ−ト電極９の下部にＰ型ゲ
−ト領域１５が設けられている。ゲ−ト電極９とＰ型ゲ
−ト領域１５の間には、絶縁層１４が介されている。
間の領域上には、絶縁層１４を介してゲ−ト電極９がＮ
型ソ−ス領域３を囲むように設けられ、ゲ−トライン１
２および転送ゲ−トライン１１は、絶縁層１４を介して
Ｎ型ドレイン領域４上に重なるように設けられている。
以上は、図２に示した固体撮像素子の構成と同様であ
る。本実施例においては、ゲ−ト電極９の下部にＰ型ゲ
−ト領域１５が設けられている。ゲ−ト電極９とＰ型ゲ
−ト領域１５の間には、絶縁層１４が介されている。
【００１５】上述したＮ型ソ−ス領域３、ゲ−ト電極
９、Ｎ型ドレイン領域４、Ｐ型ゲ−ト領域１５でＪ・Ｆ
ＥＴが構成されている。このＪ・ＦＥＴは信号電荷の増
幅専用に設けられているので、Ｊ・ＦＥＴに光が入射し
て電荷が発生しないように信号読み出し部３０の最上層
は、遮光用のＡｌ膜１３で覆われている。一方、光電変
換部２０のＮ型半導体層２には、下からＮ型ウエル領域
５、Ｐ型フォトダイオ−ド領域６、浅いＮ型拡散領域７
が形成されており、Ｎ型拡散領域７、Ｐ型フォトダイオ
−ド領域６、Ｎ型ウエル領域５、Ｐ型半導体基板１とい
う縦構造でＮＰＮＮＰ型埋込フォトダイオ−ドが構成さ
れている。
９、Ｎ型ドレイン領域４、Ｐ型ゲ−ト領域１５でＪ・Ｆ
ＥＴが構成されている。このＪ・ＦＥＴは信号電荷の増
幅専用に設けられているので、Ｊ・ＦＥＴに光が入射し
て電荷が発生しないように信号読み出し部３０の最上層
は、遮光用のＡｌ膜１３で覆われている。一方、光電変
換部２０のＮ型半導体層２には、下からＮ型ウエル領域
５、Ｐ型フォトダイオ−ド領域６、浅いＮ型拡散領域７
が形成されており、Ｎ型拡散領域７、Ｐ型フォトダイオ
−ド領域６、Ｎ型ウエル領域５、Ｐ型半導体基板１とい
う縦構造でＮＰＮＮＰ型埋込フォトダイオ−ドが構成さ
れている。
【００１６】光電変換部２０と信号読み出し部３０を接
続する転送ゲ−ト１０は、埋込フォトダイオ−ドのＰ型
フォトダイオ−ド領域６とＪ・ＦＥＴのゲ−ト電極９の
間に、絶縁層１４を介して跨がるように設けられてお
り、フォトダイオ−ドに蓄積された電荷をＪ・ＦＥＴの
ゲ−ト電極９下部に転送する働きをする。上述の図１の
固体撮像素子の動作は次のようになる。
続する転送ゲ−ト１０は、埋込フォトダイオ−ドのＰ型
フォトダイオ−ド領域６とＪ・ＦＥＴのゲ−ト電極９の
間に、絶縁層１４を介して跨がるように設けられてお
り、フォトダイオ−ドに蓄積された電荷をＪ・ＦＥＴの
ゲ−ト電極９下部に転送する働きをする。上述の図１の
固体撮像素子の動作は次のようになる。
【００１７】まず、光電変換部で一定時間受光された入
射光は、埋込みフォトダイオ−ドで光電変換され、発生
した電荷はフォトダイオ−ド領域６に蓄積される。その
後、転送ゲ−ト電極１０にパルス電圧を加えることによ
り、蓄積されていた電荷はＪ・ＦＥＴのゲ−ト電極９の
下部に転送される。電荷が転送された後は、フォトダイ
オ−ド領域６には全く電荷が残らないので、残像が発生
することがない。
射光は、埋込みフォトダイオ−ドで光電変換され、発生
した電荷はフォトダイオ−ド領域６に蓄積される。その
後、転送ゲ−ト電極１０にパルス電圧を加えることによ
り、蓄積されていた電荷はＪ・ＦＥＴのゲ−ト電極９の
下部に転送される。電荷が転送された後は、フォトダイ
オ−ド領域６には全く電荷が残らないので、残像が発生
することがない。
【００１８】次に、ゲ−ト電極９にパルス電圧を加え
て、Ｊ・ＦＥＴを動作状態とすることで、転送された電
荷に応じて、増幅された信号がソ−ス電極８から得られ
る。この際、信号の読み出しは非破壊で行われるため
（ソ−ス電極８から信号を読み出しても、ゲ−ト電極９
の下部に転送された電荷はそのまま残る）、ゲ−ト電極
９にリセット用のパルス電圧を加えて、電荷を吐き出し
てから、次の電荷転送動作に入る。この際、電荷がフォ
トダイオ−ド領域６からゲ−ト電極９の下部に転送され
た後は、フォトダイオ−ド領域６には全く電荷が残らな
いので、残像が発生がない。
て、Ｊ・ＦＥＴを動作状態とすることで、転送された電
荷に応じて、増幅された信号がソ−ス電極８から得られ
る。この際、信号の読み出しは非破壊で行われるため
（ソ−ス電極８から信号を読み出しても、ゲ−ト電極９
の下部に転送された電荷はそのまま残る）、ゲ−ト電極
９にリセット用のパルス電圧を加えて、電荷を吐き出し
てから、次の電荷転送動作に入る。この際、電荷がフォ
トダイオ−ド領域６からゲ−ト電極９の下部に転送され
た後は、フォトダイオ−ド領域６には全く電荷が残らな
いので、残像が発生がない。
【００１９】また、光電変換領域に備えるフォトダイオ
−ドは、ＦＰＮの低減等の観点からは埋込フォトダイオ
−ドとすることが好ましいものであるが、必ずしも埋込
型に限定されるものではなく、図１(b) のＮ型拡散領域
７のないフォトダイオ−ドであってもよい。
−ドは、ＦＰＮの低減等の観点からは埋込フォトダイオ
−ドとすることが好ましいものであるが、必ずしも埋込
型に限定されるものではなく、図１(b) のＮ型拡散領域
７のないフォトダイオ−ドであってもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光電変換
部にフォトダイオ−ドを備えており、発生した電荷を信
号読み出し部の増幅用トランジスタに転送する構成をと
っているので、量子効率が高く、暗電流に起因するＦＰ
Ｎが小さいというすぐれた特性を有する。また、フォト
ダイオ−ドから増幅用トランジスタへ電荷が転送された
後は、フォトダイオ−ドには電荷が残らず、完全転送が
可能になるので残像がきわめて少ない。さらに、転送さ
れた電荷は、個々の画素単位の増幅用トランジスタで増
幅されてから読み出されるので、高い感度が確保され
る。
部にフォトダイオ−ドを備えており、発生した電荷を信
号読み出し部の増幅用トランジスタに転送する構成をと
っているので、量子効率が高く、暗電流に起因するＦＰ
Ｎが小さいというすぐれた特性を有する。また、フォト
ダイオ−ドから増幅用トランジスタへ電荷が転送された
後は、フォトダイオ−ドには電荷が残らず、完全転送が
可能になるので残像がきわめて少ない。さらに、転送さ
れた電荷は、個々の画素単位の増幅用トランジスタで増
幅されてから読み出されるので、高い感度が確保され
る。
【００２１】さらに、本発明においては、増幅用トラン
ジスタに接合型電界効果トランジスタを用いているの
で、ゲ−ト電極下部のＳｉ表面の空乏化を防ぐことがで
き、暗電流が小さくなるので、非破壊読み出しをある時
間間隔で繰り返し行ってもＦＰＮが小さいという効果が
ある。
ジスタに接合型電界効果トランジスタを用いているの
で、ゲ−ト電極下部のＳｉ表面の空乏化を防ぐことがで
き、暗電流が小さくなるので、非破壊読み出しをある時
間間隔で繰り返し行ってもＦＰＮが小さいという効果が
ある。
【図１】図１(a) は本発明の実施例による固体撮像素子
の模式的な平面図、図１(b) は、図１(a) の固体撮像素
子のＡＡ’断面図である。
の模式的な平面図、図１(b) は、図１(a) の固体撮像素
子のＡＡ’断面図である。
【図２】図２（ａ）は特願平３−６９４０５において提
案した固体撮像素子の模式的な平面図、図２(b) は、図
２(a) の固体撮像素子のＡＡ’断面図である。
案した固体撮像素子の模式的な平面図、図２(b) は、図
２(a) の固体撮像素子のＡＡ’断面図である。
１ Ｐ型半導体基板 ２ Ｎ型半導体層 ３ Ｎ型ソ−ス領域 ４ Ｎ型ドレイン領域 ５ Ｎ型ウエル領域 ６ Ｐ型フォトダイオ−ド領域 ７ Ｎ型拡散領域 ８ ソ−ス電極 ９ ゲ−ト電極 １０ 転送ゲ−ト電極 １１ 転送ゲ−トライン １２ ゲ−トライン １３ 遮光用Ａｌ膜 １５ Ｐ型ゲ−ト領域
Claims (1)
- 【請求項１】入射光を受光して信号電荷を発生する光電
変換部と、該光電変換部で発生した信号電荷を読み出す
信号読み出し部とを有する固体撮像素子において、 前記光電変換部はフォトダイオ−ドを有するとともに、
前記信号読み出し部は前記信号電荷を増幅するための増
幅用トランジスタを有し、かつ、前記フォトダイオ−ド
で発生した信号電荷を前記増幅用トランジスタに転送す
る転送手段を備え、前記増幅用トランジスタは接合型電
界効果トランジスタであることを特徴とする固体撮像素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4067343A JP3049930B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 非破壊読み出し型固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4067343A JP3049930B2 (ja) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | 非破壊読み出し型固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563429A (en) * | 1994-06-14 | 1996-10-08 | Nikon Corp. | Solid state imaging device |
| US5847381A (en) * | 1996-03-18 | 1998-12-08 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion apparatus having a light-shielding shunt line and a light-shielding dummy line |
| US5942774A (en) * | 1995-02-24 | 1999-08-24 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion apparatus |
| US6037643A (en) * | 1998-02-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Photocell layout for high-speed optical navigation microchips |
| CN100377362C (zh) * | 1998-02-28 | 2008-03-26 | 美格纳半导体有限会社 | 图像传感器件及制造方法 |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP4067343A patent/JP3049930B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5563429A (en) * | 1994-06-14 | 1996-10-08 | Nikon Corp. | Solid state imaging device |
| US5942774A (en) * | 1995-02-24 | 1999-08-24 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion element and photoelectric conversion apparatus |
| US5847381A (en) * | 1996-03-18 | 1998-12-08 | Nikon Corporation | Photoelectric conversion apparatus having a light-shielding shunt line and a light-shielding dummy line |
| US6037643A (en) * | 1998-02-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Photocell layout for high-speed optical navigation microchips |
| CN100377362C (zh) * | 1998-02-28 | 2008-03-26 | 美格纳半导体有限会社 | 图像传感器件及制造方法 |
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