JPH05275433A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
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- JPH05275433A JPH05275433A JP4071441A JP7144192A JPH05275433A JP H05275433 A JPH05275433 A JP H05275433A JP 4071441 A JP4071441 A JP 4071441A JP 7144192 A JP7144192 A JP 7144192A JP H05275433 A JPH05275433 A JP H05275433A
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Classifications
-
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハが大口径化しても、ライフタイ
ムキラーとしての金や白金などの重金属を均一で効率よ
く拡散し、析出した金などの塊りが生じないような半導
体装置の製法を提供する。 【構成】 半導体装置内部にライフタイムキラーとし
て、Ａｕを代表とする重金属類からなる不純物を拡散す
る半導体装置の製法であって、裏面に金７などを被着し
た半導体ウェハ６をランプアニーラのチャンバー２内に
配置して加熱し、前記半導体ウェハ内部に金などを熱拡
散し、そののち、熱源を停止してランプアニーラのチャ
ンバー内部にＨｅまたはＨ2 ガスなどの冷却用ガスを導
入し、半導体ウェハを急冷する半導体装置の製法。
ムキラーとしての金や白金などの重金属を均一で効率よ
く拡散し、析出した金などの塊りが生じないような半導
体装置の製法を提供する。 【構成】 半導体装置内部にライフタイムキラーとし
て、Ａｕを代表とする重金属類からなる不純物を拡散す
る半導体装置の製法であって、裏面に金７などを被着し
た半導体ウェハ６をランプアニーラのチャンバー２内に
配置して加熱し、前記半導体ウェハ内部に金などを熱拡
散し、そののち、熱源を停止してランプアニーラのチャ
ンバー内部にＨｅまたはＨ2 ガスなどの冷却用ガスを導
入し、半導体ウェハを急冷する半導体装置の製法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製法に関す
る。さらに詳しくは、ライフタイムキラーである金や白
金などの重金属を半導体結晶層の格子内に高濃度で拡散
させる半導体装置の製法に関する。
る。さらに詳しくは、ライフタイムキラーである金や白
金などの重金属を半導体結晶層の格子内に高濃度で拡散
させる半導体装置の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、トランジスタやダイオードなど半
導体装置のスイッチング速度を改善するため、シリコン
（以下、Ｓｉという）結晶基板に金や白金などの重金属
を拡散して、少数キャリヤのライフタイムを減小するこ
とが広く行われている。これは、Ｓｉ結晶構造中にたと
えば金を導入し、金の原子をトラップとして少数キャリ
ヤの再結合を助け、ライフタイムを短くするものであ
る。
導体装置のスイッチング速度を改善するため、シリコン
（以下、Ｓｉという）結晶基板に金や白金などの重金属
を拡散して、少数キャリヤのライフタイムを減小するこ
とが広く行われている。これは、Ｓｉ結晶構造中にたと
えば金を導入し、金の原子をトラップとして少数キャリ
ヤの再結合を助け、ライフタイムを短くするものであ
る。
【０００３】この結晶格子間への金原子の拡散は極めて
早く拡散し、1000℃位で数分間処理すると、無限時間行
ったのと同じように、その温度のＳｉ中での金の固溶度
に等しい濃度で一様に分布する。しかしＳｉ中の金の溶
解度は温度に非常に依存し、たとえば、1150℃で安定し
たときの金濃度は５×1016／cm3 であるが、これを1050
℃に下げると２×1016／cm3 となり、その差（1150℃で
結晶中にあった金の約半分）の余分の金属は結晶から拡
散して出てゆくが、結晶中に小さな塊りとなって、ばら
まかれて析出する。析出した金は電気的に不活性であ
り、もはや再結合を助ける働きをしない。したがって、
高温度でえられる格子内の有効な金濃度を確保するに
は、その温度から急速に冷却する必要がある。すなわ
ち、急冷すると金が拡散する余裕がなくなるので、高い
金濃度を格子内に保持することができる。
早く拡散し、1000℃位で数分間処理すると、無限時間行
ったのと同じように、その温度のＳｉ中での金の固溶度
に等しい濃度で一様に分布する。しかしＳｉ中の金の溶
解度は温度に非常に依存し、たとえば、1150℃で安定し
たときの金濃度は５×1016／cm3 であるが、これを1050
℃に下げると２×1016／cm3 となり、その差（1150℃で
結晶中にあった金の約半分）の余分の金属は結晶から拡
散して出てゆくが、結晶中に小さな塊りとなって、ばら
まかれて析出する。析出した金は電気的に不活性であ
り、もはや再結合を助ける働きをしない。したがって、
高温度でえられる格子内の有効な金濃度を確保するに
は、その温度から急速に冷却する必要がある。すなわ
ち、急冷すると金が拡散する余裕がなくなるので、高い
金濃度を格子内に保持することができる。
【０００４】従来のＳｉ結晶基板に金を拡散する方法
は、たとえば図４に示すような方法で行われている。す
なわちトランジスタなどの半導体回路を形成し、裏面に
金被膜を形成した半導体ウェハ６を、石英ボート15に乗
せ、周囲からヒータ16で加熱される横型炉チャンバー17
に人間の力により炉入れ、炉出しを行い、その速度はお
およそ３〜20cm／秒で行っている。すなわち、石英ボー
トを自動搬送機（オートローダ）で行うには前述の急冷
の速度に対応しきれないためである。
は、たとえば図４に示すような方法で行われている。す
なわちトランジスタなどの半導体回路を形成し、裏面に
金被膜を形成した半導体ウェハ６を、石英ボート15に乗
せ、周囲からヒータ16で加熱される横型炉チャンバー17
に人間の力により炉入れ、炉出しを行い、その速度はお
およそ３〜20cm／秒で行っている。すなわち、石英ボー
トを自動搬送機（オートローダ）で行うには前述の急冷
の速度に対応しきれないためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、半導体
装置の生産効率を向上するため、ウェハの大口径化が進
み、それに合わせて、ウェハを乗せる石英ボートも幅方
向のみならず、長さ方向にも長くなり大型化してきてい
る。
装置の生産効率を向上するため、ウェハの大口径化が進
み、それに合わせて、ウェハを乗せる石英ボートも幅方
向のみならず、長さ方向にも長くなり大型化してきてい
る。
【０００６】そのため、重量も重くなり、前記石英ボー
トを炉出しするときに作業者の負担が大きくなると共
に、搬送速度を正確にコントロールすることができな
い。さらに炉出し作業において、炉出し直後の半導体ウ
ェハおよび石英ボートは高温であり、作業の危険度も高
いという問題がある。
トを炉出しするときに作業者の負担が大きくなると共
に、搬送速度を正確にコントロールすることができな
い。さらに炉出し作業において、炉出し直後の半導体ウ
ェハおよび石英ボートは高温であり、作業の危険度も高
いという問題がある。
【０００７】また、石英ボートを横型炉から外部に引き
出すときに、炉口付近で一旦停止するが、横型拡散炉内
の温度分布は図５に示すように炉口付近では低くなって
おり、70cm位奥からは均熱帯になっている。そのため、
半導体ウェハの大口径化と共に大型化した石英ボート
（たとえば、長さＢ2 ＝67.3cm、従来の短いボートの長
さはＢ1 ＝30.5cm）では、炉口から15cmの所で一旦石英
ボートを止めたばあい、奥側の半導体ウェハは均熱帯に
近く急冷されず、前述の目的が達成されないと共に、場
所によって品質がバラつくという問題がある。
出すときに、炉口付近で一旦停止するが、横型拡散炉内
の温度分布は図５に示すように炉口付近では低くなって
おり、70cm位奥からは均熱帯になっている。そのため、
半導体ウェハの大口径化と共に大型化した石英ボート
（たとえば、長さＢ2 ＝67.3cm、従来の短いボートの長
さはＢ1 ＝30.5cm）では、炉口から15cmの所で一旦石英
ボートを止めたばあい、奥側の半導体ウェハは均熱帯に
近く急冷されず、前述の目的が達成されないと共に、場
所によって品質がバラつくという問題がある。
【０００８】本発明は、半導体ウェハが大口径化して
も、ライフタイムキラーである金などの重金属を効率よ
く高濃度で結晶格子内に拡散する方法を提供することを
目的とする。
も、ライフタイムキラーである金などの重金属を効率よ
く高濃度で結晶格子内に拡散する方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
の製法は、半導体ウェハの裏面に重金属を被着してチャ
ンバー内に配置し、熱容量の小さい加熱源により加熱し
て前記重金属を前記半導体ウェハ内に拡散したのち、前
記加熱源の加熱を停止し冷却用ガスを前記チャンバー内
に導入することを特徴とするものである。
の製法は、半導体ウェハの裏面に重金属を被着してチャ
ンバー内に配置し、熱容量の小さい加熱源により加熱し
て前記重金属を前記半導体ウェハ内に拡散したのち、前
記加熱源の加熱を停止し冷却用ガスを前記チャンバー内
に導入することを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、熱容量の小さい加熱源により
半導体ウェハに重金属を拡散しているため、拡散炉の熱
容量が小さく、昇温した炉内で加熱手段を停止したのち
直ちに冷却用ガスをチャンバー内に導入することにより
急速に冷却でき、高温で拡散した状態のままで重金属を
固定できる。また半導体ウェハを動かさないでランプな
どにより直接加熱、停止するため、半導体ウェハ内での
温度分布は均一になり、拡散ムラを生じることがない。
半導体ウェハに重金属を拡散しているため、拡散炉の熱
容量が小さく、昇温した炉内で加熱手段を停止したのち
直ちに冷却用ガスをチャンバー内に導入することにより
急速に冷却でき、高温で拡散した状態のままで重金属を
固定できる。また半導体ウェハを動かさないでランプな
どにより直接加熱、停止するため、半導体ウェハ内での
温度分布は均一になり、拡散ムラを生じることがない。
【００１１】さらに半導体ウェハの移動は拡散炉が低温
になってから行えるため、オートローダにより自動的に
搬入、搬出ができ、拡散処理を含めて全工程をコンピュ
ータプログラムにより自動化で行える。
になってから行えるため、オートローダにより自動的に
搬入、搬出ができ、拡散処理を含めて全工程をコンピュ
ータプログラムにより自動化で行える。
【００１２】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体
装置の製法について説明する。
装置の製法について説明する。
【００１３】図１は本発明の半導体装置の製法の一実施
例を説明する図、図２は本発明により製造するトランジ
スタの構造説明図、図３は本発明の製法により製造した
トランジスタのスイッチング時間を示したグラフであ
る。
例を説明する図、図２は本発明により製造するトランジ
スタの構造説明図、図３は本発明の製法により製造した
トランジスタのスイッチング時間を示したグラフであ
る。
【００１４】本発明による製法は、まず、半導体ウェハ
の表面に半導体回路を形成し、半導体ウェハの裏面にラ
イフタイムキラーとしての金または白金などの重金属を
真空蒸着法またはスパッタ法などで100 〜500 オングス
トローム被着する。
の表面に半導体回路を形成し、半導体ウェハの裏面にラ
イフタイムキラーとしての金または白金などの重金属を
真空蒸着法またはスパッタ法などで100 〜500 オングス
トローム被着する。
【００１５】つぎに、図１に示すように、この半導体ウ
ェハ６を熱容量の小さい加熱炉のチャンバー２の中に入
れてハロゲンランプのような加熱源４で加熱し、半導体
ウェハ６を900 〜1100℃に昇温して0.5 〜５分間の熱処
理を行う。この熱容量の小さい加熱炉とはハロゲンラン
プ、キセノンランプなどの光ランプ、レーザビーム、電
子ビームなどの熱容量の小さい加熱源を用いた加熱炉を
いい、加熱源のスイッチを切ることにより、急激に温度
が下がるものを指す。そののち加熱手段を停止して、一
旦約900 ℃に下げ冷却用ガスをガス導入口５よりチャン
バー２内に導入して半導体ウェハ６を冷却する。この冷
却用ガスは液化ガスを使用するため、チッ素ガス（沸点
−195.8 ℃）や酸素ガス（沸点−183 ℃）より沸点の低
いヘリウムガス（沸点−268.9 ℃）や水素ガス（沸点−
252.9 ℃）の方が気体温度が低く好ましい。しかし、チ
ッ素ガスや酸素ガスでも充分急冷できる。この加熱炉の
一例であるハロゲンランプを使用したランプアニーラは
石英ガラスまたは炭化ケイ素などでつくられた矩形状の
チャンバー２内に半導体ウェハ６を１枚、石英ガラス製
の石英トレー３に載置して配置し、外部からリフレクタ
１で覆われた加熱源４の一例であるハロゲンランプなど
で、矩形状チャンバー２の上下から照射することにより
昇温させているため、チャンバー２の周囲にヒータなど
は存在せず、またチャンバー２内も半導体ウェハ６が１
枚と小さな石英トレー３だけであるため、熱容量は非常
に小さく、加熱手段を停止し、一旦900 ℃位で数10秒保
持したのち、冷却用ガスを流量35〜40リットル／秒で流
入させることにより、900 ℃の半導体ウェハ６を0.5 〜
５分間で50℃以下に急速冷却させることができる。その
結果前述の理由により、半導体結晶内に金を析出させな
いで、効率よく高濃度に金を拡散することができる。
ェハ６を熱容量の小さい加熱炉のチャンバー２の中に入
れてハロゲンランプのような加熱源４で加熱し、半導体
ウェハ６を900 〜1100℃に昇温して0.5 〜５分間の熱処
理を行う。この熱容量の小さい加熱炉とはハロゲンラン
プ、キセノンランプなどの光ランプ、レーザビーム、電
子ビームなどの熱容量の小さい加熱源を用いた加熱炉を
いい、加熱源のスイッチを切ることにより、急激に温度
が下がるものを指す。そののち加熱手段を停止して、一
旦約900 ℃に下げ冷却用ガスをガス導入口５よりチャン
バー２内に導入して半導体ウェハ６を冷却する。この冷
却用ガスは液化ガスを使用するため、チッ素ガス（沸点
−195.8 ℃）や酸素ガス（沸点−183 ℃）より沸点の低
いヘリウムガス（沸点−268.9 ℃）や水素ガス（沸点−
252.9 ℃）の方が気体温度が低く好ましい。しかし、チ
ッ素ガスや酸素ガスでも充分急冷できる。この加熱炉の
一例であるハロゲンランプを使用したランプアニーラは
石英ガラスまたは炭化ケイ素などでつくられた矩形状の
チャンバー２内に半導体ウェハ６を１枚、石英ガラス製
の石英トレー３に載置して配置し、外部からリフレクタ
１で覆われた加熱源４の一例であるハロゲンランプなど
で、矩形状チャンバー２の上下から照射することにより
昇温させているため、チャンバー２の周囲にヒータなど
は存在せず、またチャンバー２内も半導体ウェハ６が１
枚と小さな石英トレー３だけであるため、熱容量は非常
に小さく、加熱手段を停止し、一旦900 ℃位で数10秒保
持したのち、冷却用ガスを流量35〜40リットル／秒で流
入させることにより、900 ℃の半導体ウェハ６を0.5 〜
５分間で50℃以下に急速冷却させることができる。その
結果前述の理由により、半導体結晶内に金を析出させな
いで、効率よく高濃度に金を拡散することができる。
【００１６】つぎに、具体的実施例により、本発明につ
いてさらに詳細に説明する。
いてさらに詳細に説明する。
【００１７】図２は半導体ウェハ６の表面に半導体回路
を形成し、裏面に金をスパッタ法により被着した状態の
１個のチップ部分の説明用断面図を示している。すなわ
ち図２において、ｎ型半導体基板で形成されたコレクタ
領域８にボロンなどの不純物が拡散されてベース領域９
が形成され、さらにリンなどの不純物が拡散されてエミ
ッタ領域10が形成されてトランジスタが構成されてい
る。さらに、裏面には金７が400 オングストローム、ス
パッタ法により被着され、表面にはＳｉＯ2 の保護膜11
が形成されている。この状態の半導体ウェハを図１に示
すようなランプアニーラのチャンバー２内の中心部に石
英トレー３により配置し、チャンバー２内を酸素ガスで
置換した。そののち加熱源４を作動し、加熱源の一例で
あるハロゲンランプで照射することにより、チャンバー
２内の半導体ウェハ６の温度が上昇し、約900 ℃にラン
プアップする。約２分間の照射で半導体ウェハ６の温度
は1050℃になり、そののち５分間加熱した。半導体ウェ
ハ６の温度はのぞき窓１ａからパイロメータで測定し
た。
を形成し、裏面に金をスパッタ法により被着した状態の
１個のチップ部分の説明用断面図を示している。すなわ
ち図２において、ｎ型半導体基板で形成されたコレクタ
領域８にボロンなどの不純物が拡散されてベース領域９
が形成され、さらにリンなどの不純物が拡散されてエミ
ッタ領域10が形成されてトランジスタが構成されてい
る。さらに、裏面には金７が400 オングストローム、ス
パッタ法により被着され、表面にはＳｉＯ2 の保護膜11
が形成されている。この状態の半導体ウェハを図１に示
すようなランプアニーラのチャンバー２内の中心部に石
英トレー３により配置し、チャンバー２内を酸素ガスで
置換した。そののち加熱源４を作動し、加熱源の一例で
あるハロゲンランプで照射することにより、チャンバー
２内の半導体ウェハ６の温度が上昇し、約900 ℃にラン
プアップする。約２分間の照射で半導体ウェハ６の温度
は1050℃になり、そののち５分間加熱した。半導体ウェ
ハ６の温度はのぞき窓１ａからパイロメータで測定し
た。
【００１８】つぎに、加熱源４の動作を停止し一旦約90
0 ℃にランプダウンし、冷却用ガスとして常温の水素ガ
スを38リットル／秒の流量でガス導入口５からチャンバ
ー２内に導入し、半導体ウェハを冷却した。約２分間で
半導体ウェハは約25℃まで冷却され、オートローダ（図
示せず）でチャンバー２から外部に搬出され、別の半導
体ウェハを載置してチャンバー２内に配置した。半導体
ウェハ２は同じ大きさで一定容量であり、金の被着量を
同じ厚さにしておけば同一条件で金を拡散することがで
き、この金の拡散工程はコンピュータ制御により全自動
で行うことができた。
0 ℃にランプダウンし、冷却用ガスとして常温の水素ガ
スを38リットル／秒の流量でガス導入口５からチャンバ
ー２内に導入し、半導体ウェハを冷却した。約２分間で
半導体ウェハは約25℃まで冷却され、オートローダ（図
示せず）でチャンバー２から外部に搬出され、別の半導
体ウェハを載置してチャンバー２内に配置した。半導体
ウェハ２は同じ大きさで一定容量であり、金の被着量を
同じ厚さにしておけば同一条件で金を拡散することがで
き、この金の拡散工程はコンピュータ制御により全自動
で行うことができた。
【００１９】この方法で拡散時間を0.5 分、1.5 分およ
び５分で製造したトランジスタのスイッチング時間ｔ
off を測定した。この測定は、トランジスタにパルスを
加えることによりトランジスタをＯＮ状態からＯＦＦ状
態へ変化させたときの入力パルスに対する出力パルスの
時間的遅れを測定したもので、拡散時間に対するトラン
ジスタのスイッチング時間ｔoff （nsec）の関係を図３
に実線Ａで示した。図３には同時に、従来の横型拡散炉
で金拡散をして形成したトランジスタのスイッチング時
間を比較例として、拡散時間が0.5 分、15分、30分の３
種類で測定し同様の関係を破線Ｂで示した。
び５分で製造したトランジスタのスイッチング時間ｔ
off を測定した。この測定は、トランジスタにパルスを
加えることによりトランジスタをＯＮ状態からＯＦＦ状
態へ変化させたときの入力パルスに対する出力パルスの
時間的遅れを測定したもので、拡散時間に対するトラン
ジスタのスイッチング時間ｔoff （nsec）の関係を図３
に実線Ａで示した。図３には同時に、従来の横型拡散炉
で金拡散をして形成したトランジスタのスイッチング時
間を比較例として、拡散時間が0.5 分、15分、30分の３
種類で測定し同様の関係を破線Ｂで示した。
【００２０】図３から明らかなように、拡散時間が長い
程スイッチング時間が短くなるが、本発明による方法に
よれば、同じ拡散時間で大幅に短くなっており、従来の
方法によりスイッチング時間を20〜30nsにするため、15
〜30分間の拡散処理時間が必要であったのに対し、本発
明によれば５分間の拡散処理時間で同程度のスイッチン
グ時間のトランジスタがえられた。これは本発明によ
り、拡散した金や白金などの重金属が析出することな
く、有効に利用できるからである。
程スイッチング時間が短くなるが、本発明による方法に
よれば、同じ拡散時間で大幅に短くなっており、従来の
方法によりスイッチング時間を20〜30nsにするため、15
〜30分間の拡散処理時間が必要であったのに対し、本発
明によれば５分間の拡散処理時間で同程度のスイッチン
グ時間のトランジスタがえられた。これは本発明によ
り、拡散した金や白金などの重金属が析出することな
く、有効に利用できるからである。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、熱容量の小さい加熱源
を使用して、半導体ウェハの１枚ずつに金などの重金属
を拡散したのち、加熱を停止してそのチャンバー内に直
接冷却用のガスを導入しているため、高温になった半導
体ウェハを作業者が炉から出す必要がなく、作業者の負
担が大幅に軽減されると共に、急激に冷却することがで
きると同時に作業時の危険性が解消される。
を使用して、半導体ウェハの１枚ずつに金などの重金属
を拡散したのち、加熱を停止してそのチャンバー内に直
接冷却用のガスを導入しているため、高温になった半導
体ウェハを作業者が炉から出す必要がなく、作業者の負
担が大幅に軽減されると共に、急激に冷却することがで
きると同時に作業時の危険性が解消される。
【００２２】さらに、高温状態で半導体ウェハを移動さ
せなくてもよいため、オートローダなどで自動的にチャ
ンバー内に搬入、搬出ができ、搬入から拡散、冷却、搬
出までをコンピュータ制御による完全な自動化で行え
る。しかも拡散時間は従来に比べて大幅に減少している
ため、半導体ウェハを１枚ずつで拡散処理してもコスト
アップの要因にはならず、むしろ人手が完全に不要とな
り、コストダウンになると共に加熱は均一化され、品質
の一定した半導体装置をうることができる。
せなくてもよいため、オートローダなどで自動的にチャ
ンバー内に搬入、搬出ができ、搬入から拡散、冷却、搬
出までをコンピュータ制御による完全な自動化で行え
る。しかも拡散時間は従来に比べて大幅に減少している
ため、半導体ウェハを１枚ずつで拡散処理してもコスト
アップの要因にはならず、むしろ人手が完全に不要とな
り、コストダウンになると共に加熱は均一化され、品質
の一定した半導体装置をうることができる。
【００２３】さらに本発明によれば、半導体ウェハの大
口径化に対しても、チャンバーまたはオートローダのア
タッチメントの形状を変更することにより、対応するこ
とができる。
口径化に対しても、チャンバーまたはオートローダのア
タッチメントの形状を変更することにより、対応するこ
とができる。
【図１】本発明の半導体装置の製法の一実施例を説明す
る図である。
る図である。
【図２】半導体ウェハの裏面に金を被着した半導体装置
部分の断面説明図である。
部分の断面説明図である。
【図３】本発明の製法により製造されたトランジスタの
スイッチング時間を従来の方法により製造されたトラン
ジスタと比較して示したグラフである。
スイッチング時間を従来の方法により製造されたトラン
ジスタと比較して示したグラフである。
【図４】従来の半導体装置の製法を示す説明図である。
【図５】横型拡散炉の炉内における温度分布を示す図で
ある。
ある。
２ チャンバー ４ 加熱源 ６ 半導体ウェハ ７ 金
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェハの裏面に重金属を被着して
チャンバー内に配置し、熱容量の小さい加熱源により加
熱して前記重金属を前記半導体ウェハ内に拡散したの
ち、前記加熱源の加熱を停止し冷却用ガスを前記チャン
バー内に導入することを特徴とする半導体装置の製法。 - 【請求項２】 前記冷却用ガスがヘリウムまたは水素ガ
スであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071441A JPH05275433A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置の製法 |
| US08/029,226 US5300453A (en) | 1992-03-27 | 1993-03-10 | Method for producing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071441A JPH05275433A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05275433A true JPH05275433A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=13460633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071441A Pending JPH05275433A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | 半導体装置の製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5300453A (ja) |
| JP (1) | JPH05275433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021049283A1 (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10510397A (ja) * | 1994-12-07 | 1998-10-06 | デスパッチ インダストリーズ リミティド パートナーシップ | 酸素感応製品の熱処理方法 |
| US6355543B1 (en) * | 1998-09-29 | 2002-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Laser annealing for forming shallow source/drain extension for MOS transistor |
| KR100634642B1 (ko) * | 1998-11-20 | 2006-10-16 | 스티그 알티피 시스템즈, 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼의 급속 가열 및 냉각 장치 |
| US20030222272A1 (en) * | 2002-05-30 | 2003-12-04 | Hamerski Roman J. | Semiconductor devices using minority carrier controlling substances |
| TW200616099A (en) * | 2004-11-02 | 2006-05-16 | Lite On Semiconductor Corp | Semiconductor doping process |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5427697B2 (ja) * | 1971-08-14 | 1979-09-11 | ||
| US4151008A (en) * | 1974-11-15 | 1979-04-24 | Spire Corporation | Method involving pulsed light processing of semiconductor devices |
| JPS55102266A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-05 | Fujitsu Ltd | Fabricating method of semiconductor device |
| US4503087A (en) * | 1983-08-29 | 1985-03-05 | Varian Associates, Inc. | Process for high temperature drive-in diffusion of dopants into semiconductor wafers |
| JP2610809B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1997-05-14 | ローム 株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4717588A (en) * | 1985-12-23 | 1988-01-05 | Motorola Inc. | Metal redistribution by rapid thermal processing |
| US4732874A (en) * | 1986-10-15 | 1988-03-22 | Delco Electronics Corporation | Removing metal precipitates from semiconductor devices |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4071441A patent/JPH05275433A/ja active Pending
-
1993
- 1993-03-10 US US08/029,226 patent/US5300453A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021049283A1 (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| TWI761908B (zh) * | 2019-09-11 | 2022-04-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 熱處理方法及熱處理裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5300453A (en) | 1994-04-05 |
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