JPH0527133A - 光導波路膜の形成方法 - Google Patents
光導波路膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0527133A JPH0527133A JP18478891A JP18478891A JPH0527133A JP H0527133 A JPH0527133 A JP H0527133A JP 18478891 A JP18478891 A JP 18478891A JP 18478891 A JP18478891 A JP 18478891A JP H0527133 A JPH0527133 A JP H0527133A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical waveguide
- stage
- waveguide film
- oxide glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光導波路膜の形成方法に関し、基板全
体にわたって均一な厚みの光導波路膜の形成を可能にす
ることを目的とする。 【構成】原料ガスが供給されるバーナ２の炎を基板８に
対して走査することを繰り返して上記基板上に又は該基
板上に形成された光導波路膜上に酸化物ガラススート２
０を堆積させ、該酸化物ガラススートを高温下にてガラ
ス化させるようにした光導波路膜の形成方法において、
上記走査に際しては、上記基板８の上面とステージ６の
上面とが概略同一平面上に位置するように、上記基板８
を上記ステージ６上に形成された窪み２２に着座させる
ようにして構成する。
体にわたって均一な厚みの光導波路膜の形成を可能にす
ることを目的とする。 【構成】原料ガスが供給されるバーナ２の炎を基板８に
対して走査することを繰り返して上記基板上に又は該基
板上に形成された光導波路膜上に酸化物ガラススート２
０を堆積させ、該酸化物ガラススートを高温下にてガラ
ス化させるようにした光導波路膜の形成方法において、
上記走査に際しては、上記基板８の上面とステージ６の
上面とが概略同一平面上に位置するように、上記基板８
を上記ステージ６上に形成された窪み２２に着座させる
ようにして構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光導波路の製造に適用す
ることができる光導波路膜の形成方法に関する。
ることができる光導波路膜の形成方法に関する。
【０００２】近年、光通信システムを加入者系に適用す
るための研究及び開発が実用化レベルで行われている。
加入者系において波長分割多重を利用した双方向光通信
を実現するためには、異なる波長の光信号を分離し或い
は合流するための光合分波器が必要不可欠であり、この
光合分波器の量産技術の確立が、加入者系光通信システ
ムを実用化する上でのキーテクノロジーの一つとなって
いる。
るための研究及び開発が実用化レベルで行われている。
加入者系において波長分割多重を利用した双方向光通信
を実現するためには、異なる波長の光信号を分離し或い
は合流するための光合分波器が必要不可欠であり、この
光合分波器の量産技術の確立が、加入者系光通信システ
ムを実用化する上でのキーテクノロジーの一つとなって
いる。
【０００３】光合分波器等の光デバイスの量産化に適し
た形態として、光導波路型のものが知られている。この
種の導波路型光デバイスを製造するに際しては、良質な
光導波路膜を形成することが要求される。
た形態として、光導波路型のものが知られている。この
種の導波路型光デバイスを製造するに際しては、良質な
光導波路膜を形成することが要求される。
【０００４】
【従来の技術】従来、光導波路膜の形成方法として火炎
堆積法が知られている。この方法は、図５に示されるよ
うに、原料ガスが供給されるバーナ４２の炎を基板４４
に対して走査することを繰り返して、基板４４上に又は
基板４４上に形成された光導波路膜（図示せず）上に酸
化物ガラススート４６を堆積させ、この酸化物ガラスス
ートを高温下にてガラス化させるようにしたものであ
る。
堆積法が知られている。この方法は、図５に示されるよ
うに、原料ガスが供給されるバーナ４２の炎を基板４４
に対して走査することを繰り返して、基板４４上に又は
基板４４上に形成された光導波路膜（図示せず）上に酸
化物ガラススート４６を堆積させ、この酸化物ガラスス
ートを高温下にてガラス化させるようにしたものであ
る。
【０００５】バーナの炎の走査の繰り返しは例えば次の
ように実施される。即ち、基板４４をステージ４８の平
坦な面上に載置し、Ｘ軸方向についてはバーナ４２を走
査し、Ｘ軸方向と垂直なＹ方向についてはステージ４８
を走査する。
ように実施される。即ち、基板４４をステージ４８の平
坦な面上に載置し、Ｘ軸方向についてはバーナ４２を走
査し、Ｘ軸方向と垂直なＹ方向についてはステージ４８
を走査する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図６は、従来技術によ
る場合におけるＸ軸方向及びＹ軸方向についての光導波
路膜の厚みの分布を示す図である。特に基板の縁部で光
導波路膜の厚みが不均一になっていることが明らかであ
る。
る場合におけるＸ軸方向及びＹ軸方向についての光導波
路膜の厚みの分布を示す図である。特に基板の縁部で光
導波路膜の厚みが不均一になっていることが明らかであ
る。
【０００７】このように光導波路膜の厚みが不均一にな
る理由としては、次のことが考えられる。 ステージをＹ軸方向に走査するときに生じる慣性力に
よって、基板がステージ上で位置ずれする恐れがある。
る理由としては、次のことが考えられる。 ステージをＹ軸方向に走査するときに生じる慣性力に
よって、基板がステージ上で位置ずれする恐れがある。
【０００８】基板をステージ上に単に載置しているだ
けであるので、炎が基板の縁部の段差を通過するときに
炎の乱れが生じ、堆積する酸化物ガラススートの量が不
均一になる。
けであるので、炎が基板の縁部の段差を通過するときに
炎の乱れが生じ、堆積する酸化物ガラススートの量が不
均一になる。
【０００９】このような点を考慮して、基板をステージ
上に固定するためのチャック等の把持手段を採用するこ
とが提案され得るが、この場合、酸化物ガラススートを
ガラス化するときに、把持していた部分にクラックが生
じやすく、製造歩留りが低下する恐れがある。
上に固定するためのチャック等の把持手段を採用するこ
とが提案され得るが、この場合、酸化物ガラススートを
ガラス化するときに、把持していた部分にクラックが生
じやすく、製造歩留りが低下する恐れがある。
【００１０】本発明はこのような事情に鑑みて創作され
たもので、基板全体にわたって均一な厚みの光導波路膜
の形成を可能にすることを目的としている。
たもので、基板全体にわたって均一な厚みの光導波路膜
の形成を可能にすることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するために創作された本発明の光導波路膜の形成方法
は、原料ガスが供給されるバーナの炎を基板に対して走
査することを繰り返して上記基板上に又は該基板上に形
成された光導波路膜上に酸化物ガラススートを堆積さ
せ、該酸化物ガラススートを高温下にてガラス化させる
ようにした光導波路膜の形成方法において、上記走査に
際しては、上記基板の上面とステージの上面とが概略同
一平面上に位置するように、上記基板を上記ステージ上
に形成された窪みに着座させるようにしたものである。
決するために創作された本発明の光導波路膜の形成方法
は、原料ガスが供給されるバーナの炎を基板に対して走
査することを繰り返して上記基板上に又は該基板上に形
成された光導波路膜上に酸化物ガラススートを堆積さ
せ、該酸化物ガラススートを高温下にてガラス化させる
ようにした光導波路膜の形成方法において、上記走査に
際しては、上記基板の上面とステージの上面とが概略同
一平面上に位置するように、上記基板を上記ステージ上
に形成された窪みに着座させるようにしたものである。
【００１２】
【作用】本発明方法においては、ステージ上に窪みを形
成しておき、炎の走査に際しては、基板上面とステージ
上面が概略同一平面上に位置するように基板を上記窪み
に着座させるようにしているので、炎の走査に際して、
基板の端部で炎が乱れにくくなるとともに、ステージの
走査に伴う慣性力によって基板がステージ上で位置ずれ
する恐れがなくなる。その結果、基板全体にわたって均
一な厚みの光導波路膜を形成することができるようにな
る。
成しておき、炎の走査に際しては、基板上面とステージ
上面が概略同一平面上に位置するように基板を上記窪み
に着座させるようにしているので、炎の走査に際して、
基板の端部で炎が乱れにくくなるとともに、ステージの
走査に伴う慣性力によって基板がステージ上で位置ずれ
する恐れがなくなる。その結果、基板全体にわたって均
一な厚みの光導波路膜を形成することができるようにな
る。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明の望ましい実施例を示す光導波路膜の
形成装置の主要部の構成図、図２は本実施例において特
徴的なステージの近傍の斜視図、図３は同ステージのＡ
−Ａ断面図及びＢ−Ｂ断面図である。
る。図１は本発明の望ましい実施例を示す光導波路膜の
形成装置の主要部の構成図、図２は本実施例において特
徴的なステージの近傍の斜視図、図３は同ステージのＡ
−Ａ断面図及びＢ−Ｂ断面図である。
【００１４】２は原料ガス並びに燃焼用のＯ2 及びＨ2
が供給されるバーナであり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動
装置４によって図１中の左右方向に等速度（例えば１０
０mm／秒）で往復走査される。
が供給されるバーナであり、このバーナ２は、Ｘ軸駆動
装置４によって図１中の左右方向に等速度（例えば１０
０mm／秒）で往復走査される。
【００１５】６はその上に基板８が載置されるステージ
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
図１の紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いは裏面
側から表面側に向かう方向に等速度（例えば１mm／秒）
で往復動作する。ステージ６の構成の詳細については後
述する。基板８としては、半導体製造用に通常使用され
るシリコンウエハを採用することができる。
であり、このステージ６は、Ｙ軸駆動装置１０によって
図１の紙面の表面側から裏面側に向かう方向或いは裏面
側から表面側に向かう方向に等速度（例えば１mm／秒）
で往復動作する。ステージ６の構成の詳細については後
述する。基板８としては、半導体製造用に通常使用され
るシリコンウエハを採用することができる。
【００１６】１２は燃焼制御装置であり、Ｏ2 及びＨ2
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ原料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。原料ガス供給装置１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃにはそれぞれこの例ではＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 ，ＢＢｒ3 が液相で充填されている。
気相のＢＣｌ3 を用いて、その流量を直接ガスフローメ
ータで調整するようにしてもよい。１８は混合された原
料ガスの総流量を制御するためのガスフローメータであ
る。
を所定の混合比で混合して所定の流量でバーナ２に供給
する。１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃはそれぞれ原料ガス供給
装置であり、ガスフローメータ１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ
からそれぞれ送り込まれるＯ2 等のキャリアガスの流量
に応じた原料ガスを送り出す。原料ガス供給装置１４
Ａ，１４Ｂ，１４Ｃにはそれぞれこの例ではＳｉＣ
ｌ4 ，ＰＯＣｌ3 ，ＢＢｒ3 が液相で充填されている。
気相のＢＣｌ3 を用いて、その流量を直接ガスフローメ
ータで調整するようにしてもよい。１８は混合された原
料ガスの総流量を制御するためのガスフローメータであ
る。
【００１７】バーナ２から吹き出された原料ガスは、燃
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススートとし
て基板８上に堆積される。
焼に伴う火炎加水分解によりＳｉＯ 2 等の酸化物とな
り、この酸化物は白色粉末状の酸化物ガラススートとし
て基板８上に堆積される。
【００１８】バーナ２の走査及びステージ６の移動によ
って、基板８上には酸化物ガラススート２０が堆積され
る。尚、基板８上に堆積した酸化物ガラススート２０
は、図示はしないが次工程における電気炉等による加熱
によってガラス化され、光導波路膜となる。
って、基板８上には酸化物ガラススート２０が堆積され
る。尚、基板８上に堆積した酸化物ガラススート２０
は、図示はしないが次工程における電気炉等による加熱
によってガラス化され、光導波路膜となる。
【００１９】ステージ６は図２及び図３によく図示され
ているように概略円盤状の形状をなしており、例えば石
英ガラスから形成される。ステージ６の表面側にはその
概略中央部に基板２０の直径よりもわずかに大きい直径
の円形の溝２２が形成されており、炎の走査に際して
は、基板２０は窪み２２に着座させられる。
ているように概略円盤状の形状をなしており、例えば石
英ガラスから形成される。ステージ６の表面側にはその
概略中央部に基板２０の直径よりもわずかに大きい直径
の円形の溝２２が形成されており、炎の走査に際して
は、基板２０は窪み２２に着座させられる。
【００２０】基板２０が窪み２２に着座したときには、
基板２０の上面はステージ６の上面と概略同一平面上に
位置する。この実施例では、基板２０の上面がステージ
６の上面よりもわずかに突出するようにされている。こ
うしておくと、基板上に酸化物ガラススートを堆積させ
た後、基板をステージから取り外すときに、基板上の酸
化物ガラススートの特に端部の形態がくずれにくい。
基板２０の上面はステージ６の上面と概略同一平面上に
位置する。この実施例では、基板２０の上面がステージ
６の上面よりもわずかに突出するようにされている。こ
うしておくと、基板上に酸化物ガラススートを堆積させ
た後、基板をステージから取り外すときに、基板上の酸
化物ガラススートの特に端部の形態がくずれにくい。
【００２１】ステージ６上にはまた縁部から中央部に向
けて窪み２２よりも深い溝２４が形成されている。基板
上に酸化物ガラススートを堆積させた後に基板をステー
ジから取り外すに際しては、適当な治具を溝２４に沿っ
て基板２０の下側にもぐり込ませ、この治具を持ち上げ
ることによって容易に基板を取り外すことができる。
けて窪み２２よりも深い溝２４が形成されている。基板
上に酸化物ガラススートを堆積させた後に基板をステー
ジから取り外すに際しては、適当な治具を溝２４に沿っ
て基板２０の下側にもぐり込ませ、この治具を持ち上げ
ることによって容易に基板を取り外すことができる。
【００２２】図示はしないが、溝２４と同じように、平
行な２本以上の溝を形成してもよい。複数の溝を形成す
ることにより、基板をステージから取り外すに際しての
安定性が向上する。
行な２本以上の溝を形成してもよい。複数の溝を形成す
ることにより、基板をステージから取り外すに際しての
安定性が向上する。
【００２３】厚み約１mm、直径約１００mmの基板２０を
用い、直径約１５０mmの石英製のステージ６を用い、窪
み２２の深さを０．７mmとして実際に光導波路膜を形成
してみた。走査速度は前述の通りであり、ガラス化温度
は約１３００℃とした。
用い、直径約１５０mmの石英製のステージ６を用い、窪
み２２の深さを０．７mmとして実際に光導波路膜を形成
してみた。走査速度は前述の通りであり、ガラス化温度
は約１３００℃とした。
【００２４】このときの光導波路膜の膜厚の軸方向の分
布を測定した結果、図４に示すようになった。Ｘ軸方向
及びＹ軸方向について均一な膜厚が得られていることが
わかる。
布を測定した結果、図４に示すようになった。Ｘ軸方向
及びＹ軸方向について均一な膜厚が得られていることが
わかる。
【００２５】また、本実施例においては、基板の上面が
ステージの上面よりもわずかに突出するようにしている
ので、酸化物ガラススートをガラス化させるに際してク
ラックが生じることはなかった。
ステージの上面よりもわずかに突出するようにしている
ので、酸化物ガラススートをガラス化させるに際してク
ラックが生じることはなかった。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光導波路
膜の形成方法によると、基板全体にわたって均一な厚み
の光導波路膜の形成が可能になるという効果を奏する。
膜の形成方法によると、基板全体にわたって均一な厚み
の光導波路膜の形成が可能になるという効果を奏する。
【図１】本発明の望ましい実施例を示す光導波路膜形成
装置の主要部の構成図である。
装置の主要部の構成図である。
【図２】ステージ近傍の斜視図である。
【図３】ステージのＡ−Ａ断面図及びＢ−Ｂ断面図であ
る。
る。
【図４】実施例における光導波路膜の膜厚の分布を説明
するための図である。
するための図である。
【図５】従来技術の説明図である。
【図６】従来技術の問題点の説明図である。
２ バーナ ６ ステージ ８ 基板 ２２ 窪み
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 原料ガスが供給されるバーナ(2) の炎を
基板(8) に対して走査することを繰り返して上記基板上
に又は該基板上に形成された光導波路膜上に酸化物ガラ
ススート(20)を堆積させ、該酸化物ガラススートを高温
下にてガラス化させるようにした光導波路膜の形成方法
において、 上記走査に際しては、上記基板(8) の上面とステージ
(6) の上面とが概略同一平面上に位置するように、上記
基板(8) を上記ステージ(6) 上に形成された窪み(22)に
着座させることを特徴とする光導波路膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18478891A JPH0527133A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 光導波路膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18478891A JPH0527133A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 光導波路膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527133A true JPH0527133A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16159305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18478891A Withdrawn JPH0527133A (ja) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | 光導波路膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0527133A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841622B2 (en) | 1998-07-01 | 2005-01-11 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Method for producing acrylic polymer fine particles |
-
1991
- 1991-07-24 JP JP18478891A patent/JPH0527133A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6841622B2 (en) | 1998-07-01 | 2005-01-11 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Method for producing acrylic polymer fine particles |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8137469B2 (en) | Method and apparatus for making fused silica | |
| JPH05273426A (ja) | 光導波膜の作製方法およびこれを用いた光導波路の作製方法 | |
| US5800860A (en) | Method of manufacturing planar optical waveguides | |
| US6690872B2 (en) | Silica based optical waveguide and production method therefor | |
| JPH0527133A (ja) | 光導波路膜の形成方法 | |
| JPH05100123A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH05188231A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH0776097B2 (ja) | ガラス膜製造装置 | |
| JPH04344603A (ja) | 光導波路膜の形成方法 | |
| JPH05127032A (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JP2001074959A (ja) | 埋め込み型光導波路及びその製造方法 | |
| JPH05164904A (ja) | マイクロレンズアレイの製造方法 | |
| JPH05157921A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2001042151A (ja) | 光導波路膜の製造装置およびその製造方法 | |
| KR100221550B1 (ko) | 산화물 입자를 이용한 후막 형성방법 | |
| US6402973B1 (en) | Preparation of silicon substrate | |
| KR100294539B1 (ko) | 입자크기가조절되는화염가수분해증착법 | |
| JPH05297235A (ja) | 光導波路膜の作製方法 | |
| JP3097698B2 (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH04344602A (ja) | 光導波路膜の形成方法 | |
| JPH0710323Y2 (ja) | 光ガラス導波膜の製造装置 | |
| KR100459770B1 (ko) | 실리카 미립자가 증착된 웨이퍼의 고밀화 방법 | |
| JPH06347653A (ja) | 光導波膜の製造方法 | |
| JPS632006A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| KR19990024195A (ko) | 평면형 실리카 광도파로의 상부 클래드 화염 가수분해 증착 공정에서 생성되는 결함을 제거하기 위한 고밀화 열처리 장치 개발 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |