JPS632006A - 光導波路の製造方法 - Google Patents
光導波路の製造方法Info
- Publication number
- JPS632006A JPS632006A JP14586586A JP14586586A JPS632006A JP S632006 A JPS632006 A JP S632006A JP 14586586 A JP14586586 A JP 14586586A JP 14586586 A JP14586586 A JP 14586586A JP S632006 A JPS632006 A JP S632006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide substrate
- glass
- waveguide
- soot
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
導波路基板の表面に先導波路を製造するにあたり、光導
波路を形成する前に、導波路基板の表面。
波路を形成する前に、導波路基板の表面。
裏面の全面にガラス膜を形成することにより、導波路基
板が反ることを防止して、高精度の光導波路を得る。
板が反ることを防止して、高精度の光導波路を得る。
本発明方法は、先導波路の製造方法の改良に関する。
光部品は、光ファイバーを導波路として、光ファイバー
、レンズ、プリズム、或いは光合分波機能を有するガラ
ス板を、基台上に光結合させて組合わせた、所謂バルク
形光部品から、導波路基板の表面に、所望のガラス層を
形成し、このガラス層をエツチングして、導波路基板の
表面にチャンネル状の光導波路を形成した平板形光部品
に変換しつつある。
、レンズ、プリズム、或いは光合分波機能を有するガラ
ス板を、基台上に光結合させて組合わせた、所謂バルク
形光部品から、導波路基板の表面に、所望のガラス層を
形成し、このガラス層をエツチングして、導波路基板の
表面にチャンネル状の光導波路を形成した平板形光部品
に変換しつつある。
このような平板形光部品は、小形で、構成素子が少な（
て低コストであり、さらに光結合損失が少ない等という
利点がある。
て低コストであり、さらに光結合損失が少ない等という
利点がある。
このような先導波路は、光ファイバーと光結合させる為
に、光ファイバーとほぼ同程度の断面積を必要とし、例
えば、幅が約５０μｍ、高さが約６０μｍである。
に、光ファイバーとほぼ同程度の断面積を必要とし、例
えば、幅が約５０μｍ、高さが約６０μｍである。
上述のような光導波路を製造する際に、光導波路基板ｌ
に反りが発生しないよう留意する必要がある。
に反りが発生しないよう留意する必要がある。
第２図の（ａ）、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ）は従来の
製造工程を示す断面図である。
製造工程を示す断面図である。
従来の製造方法は、まず第２図（ａｌの如くに、石英箱
１０の内底面に、例えば板厚が０．５ ｍｍのシリコン
基板よりなる導波路基板１を載置し、化学気相堆積法に
より、導波路基板１の表面に所望の屈折率を有するガラ
ス層を形成している。
１０の内底面に、例えば板厚が０．５ ｍｍのシリコン
基板よりなる導波路基板１を載置し、化学気相堆積法に
より、導波路基板１の表面に所望の屈折率を有するガラ
ス層を形成している。
化学気相堆積法とはガラスの原料である５ｉＣＬｔ＋Ｇ
ｅＣＬｔ、 ＰＯＣｌ２等の原料ガスを酸素とともに、
加熱された石英管内に送り込み、熱酸化反応を行わせて
、導波路基板の表面に、コア或いはクラッドとなるガラ
ススート（ガラス微粉体物）を付着・堆積させる。次に
原料ガスの供給を停止し、導波路基板を加熱して、ガラ
ススートをガラス化させ、４波路基板の表面に所望の屈
折率を有するガラス層を形成する方法を言う。
ｅＣＬｔ、 ＰＯＣｌ２等の原料ガスを酸素とともに、
加熱された石英管内に送り込み、熱酸化反応を行わせて
、導波路基板の表面に、コア或いはクラッドとなるガラ
ススート（ガラス微粉体物）を付着・堆積させる。次に
原料ガスの供給を停止し、導波路基板を加熱して、ガラ
ススートをガラス化させ、４波路基板の表面に所望の屈
折率を有するガラス層を形成する方法を言う。
石英箱１０を電気炉１１内に挿入して石英箱１０内の温
度を約１１００°Ｃに加熱し、図示してない原料ガス供
給装置より、原料ガス（ＳｉＣＬ４ガス）及び酸素を供
給し、導波路基板１の表面に、クラッドスート２Ａを一
様の厚さに堆積させている。
度を約１１００°Ｃに加熱し、図示してない原料ガス供
給装置より、原料ガス（ＳｉＣＬ４ガス）及び酸素を供
給し、導波路基板１の表面に、クラッドスート２Ａを一
様の厚さに堆積させている。
次にガラス化した場合に、クラッド層よりは屈折率が大
きくなるような原料ガス（ＳｉＣｌ２． ＧｅＣＬａの
ガス）を酸素とともに、石英箱１０内に供給して、クラ
ッドスート２Ａの上面に、−様の厚さのコアスート３Ａ
を堆積させる。
きくなるような原料ガス（ＳｉＣｌ２． ＧｅＣＬａの
ガス）を酸素とともに、石英箱１０内に供給して、クラ
ッドスート２Ａの上面に、−様の厚さのコアスート３Ａ
を堆積させる。
そして、原料ガスの供給を停止し、石英箱１０をほぼ２
時間、１３５０℃に加熱して、それぞれのクラッドスー
ト２Ａ、 コアスー）３Ａをガラス化して、第２図（′
ｂ）のように、導波路基板ｌの表面に、クラッド層２．
コア層３を一様の厚さで積層形成する。
時間、１３５０℃に加熱して、それぞれのクラッドスー
ト２Ａ、 コアスー）３Ａをガラス化して、第２図（′
ｂ）のように、導波路基板ｌの表面に、クラッド層２．
コア層３を一様の厚さで積層形成する。
その後、導波路基板１を石英箱１０より取り出して、導
波路基板１の表面に所望の形状のパターンを有するマス
クを載せて、例えばフレオンガスが入った容器に入れ、
高周波電圧を印加してコア層３、及びクラッド層２をド
ライエツチングし、第２図（Ｃ１のように、導波路基板
１の表面に帯状に、リッジ形の光導波路５を形成する。
波路基板１の表面に所望の形状のパターンを有するマス
クを載せて、例えばフレオンガスが入った容器に入れ、
高周波電圧を印加してコア層３、及びクラッド層２をド
ライエツチングし、第２図（Ｃ１のように、導波路基板
１の表面に帯状に、リッジ形の光導波路５を形成する。
次に、化学気相堆積法により、第２図（ｄ）のように、
光導波路５の上面、側面を含む導波路基板１の表面に、
クラッド層４を形成して先導波路５を完成させている。
光導波路５の上面、側面を含む導波路基板１の表面に、
クラッド層４を形成して先導波路５を完成させている。
しかしながら上記従来方法は、導波路基板の熱膨張係数
が、クラッド層、コア層のガラス層の熱膨張係数よりも
約１桁大きいことに起因して、加熱された導波路基板が
常温になる場合に、導波路基板が反るという問題点があ
る。
が、クラッド層、コア層のガラス層の熱膨張係数よりも
約１桁大きいことに起因して、加熱された導波路基板が
常温になる場合に、導波路基板が反るという問題点があ
る。
導波路基板に反りが発生すると、ドライエツチング時に
、パターンの形状精度が悪くなり、光導波路の形状精度
が低下したり、或いは、導波路基板を光装置に組み込む
ことが困難になる恐れがある。
、パターンの形状精度が悪くなり、光導波路の形状精度
が低下したり、或いは、導波路基板を光装置に組み込む
ことが困難になる恐れがある。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
上記従来の問題点を解決するため本発明方法は、第１図
の工程図に示すように、石英管１５内に設けた脚柱１９
上に、導波路基板１を水平に保持した状態で、化学気相
堆積法により導波路基板１０表面に、タララドスート２
Ａ、コアスート３八よりなるガラススート４０Ａを、裏
面にクラッドスート２０Ａ。
の工程図に示すように、石英管１５内に設けた脚柱１９
上に、導波路基板１を水平に保持した状態で、化学気相
堆積法により導波路基板１０表面に、タララドスート２
Ａ、コアスート３八よりなるガラススート４０Ａを、裏
面にクラッドスート２０Ａ。
コアスート３０Ａよりなるガラススート５０Ａをそれぞ
れ堆積させ、加熱・ガラス化して、ガラススート４０Ａ
、 ５０Ａをそれぞれ、クラッド層２とコア層３とよ
りなるガラス層４０に、クラッド層２０とコア層３０と
よりなるガラス層５０にする。
れ堆積させ、加熱・ガラス化して、ガラススート４０Ａ
、 ５０Ａをそれぞれ、クラッド層２とコア層３とよ
りなるガラス層４０に、クラッド層２０とコア層３０と
よりなるガラス層５０にする。
その後、ガラス層４０をドライエツチングして、導波路
基板１０表面に先導波路５を形成し、次に光導波路５の
表面に、クラッド層４を形成して光導波路５を完成せさ
るようにした製造方法である。
基板１０表面に先導波路５を形成し、次に光導波路５の
表面に、クラッド層４を形成して光導波路５を完成せさ
るようにした製造方法である。
上記本発明方法によれば、導波路基板１の表面及び裏面
の全面にそれぞれ、はぼ同等の厚さでガラスＮ４０とガ
ラス層５０が形成されているので、高温加熱された導波
路基板ｌが冷却した場合に、導波路基板ｌの表面と裏面
にはほぼ等しい引張力が付与される。したがって、導波
路基板ｌに反りが発生する恐れがない。
の全面にそれぞれ、はぼ同等の厚さでガラスＮ４０とガ
ラス層５０が形成されているので、高温加熱された導波
路基板ｌが冷却した場合に、導波路基板ｌの表面と裏面
にはほぼ等しい引張力が付与される。したがって、導波
路基板ｌに反りが発生する恐れがない。
以下図を参照しながら、本発明方法を具体的に説明する
。なお、企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
。なお、企図を通じて同一符号は同一対象物を示す。
第１図の（ａｌ、 （ｂｌ、 （Ｃ１，（ｄ）は本発明
方法の工程を示す図である。
方法の工程を示す図である。
本発明方法は、まず第１図（ａｌの如くに、石英管１５
の一方の端部に、切換バルブ１８を介して原料ガス供給
装置１７を連結し、且つ石英管１５を電気炉１６内に設
置した製造設備を使用して、例えばシリコン基板よりな
る導波路基板１を、石英管１５内に設けた脚柱１９の上
部に水平に載せて、化学気相堆積法により導波路基板１
の表面の全面にガラス層４０を、裏面のほぼ全面にガラ
ス層５０を形成する。
の一方の端部に、切換バルブ１８を介して原料ガス供給
装置１７を連結し、且つ石英管１５を電気炉１６内に設
置した製造設備を使用して、例えばシリコン基板よりな
る導波路基板１を、石英管１５内に設けた脚柱１９の上
部に水平に載せて、化学気相堆積法により導波路基板１
の表面の全面にガラス層４０を、裏面のほぼ全面にガラ
ス層５０を形成する。
この原料ガス供給装置１０は、ガラススートの原料であ
る５ｉｃＬ、 ＧｅＣＬ、 ＰＯＣｌ２ 、 ＢＢｒ
３等のガス、及び酸素を蓄え、切換パルプ１８の操作に
より、原料ガスを選択して、石英管１５内に供給するよ
うに構成されている。
る５ｉｃＬ、 ＧｅＣＬ、 ＰＯＣｌ２ 、 ＢＢｒ
３等のガス、及び酸素を蓄え、切換パルプ１８の操作に
より、原料ガスを選択して、石英管１５内に供給するよ
うに構成されている。
ガラスＮ４０．ガラス層５０の形成方法を詳述すると、
電気炉１６により石英管１５内の温度を、導波路基板ｌ
近傍を約８００℃に、導波路基板１より原料ガス供給装
置１７寄りを約１１００℃に加熱した状態で、原料ガス
供給装置１７より原料ガス（ＳｉＣＬ４＋ ＢＢｒ、
ガス）及び酸素を供給して、導波路基板１の表面に、ガ
ラススート４０Ａの下層を構成するクラッドスート２Ａ
、裏面にガラススート５０Ａの下層を構成するクラッド
スート２０＾を、それぞれ−様の厚さに堆積させる。
電気炉１６により石英管１５内の温度を、導波路基板ｌ
近傍を約８００℃に、導波路基板１より原料ガス供給装
置１７寄りを約１１００℃に加熱した状態で、原料ガス
供給装置１７より原料ガス（ＳｉＣＬ４＋ ＢＢｒ、
ガス）及び酸素を供給して、導波路基板１の表面に、ガ
ラススート４０Ａの下層を構成するクラッドスート２Ａ
、裏面にガラススート５０Ａの下層を構成するクラッド
スート２０＾を、それぞれ−様の厚さに堆積させる。
次に、ガラス化した場合に、クラフト層よりは屈折率が
大きくなるような原料ガス（ｓｉｃｔ、４． ＧｅＣＬ
４．、 ＰＯＣｌ２のガス）を酸素とともに、石英管１
５内に供給して、タラッドスー）２Ａの上面にコアスー
）３Ａを、クラッドスート２ＯＡの上面にコアスート３
０Ａをそれぞれ一様の厚さで堆積させる。
大きくなるような原料ガス（ｓｉｃｔ、４． ＧｅＣＬ
４．、 ＰＯＣｌ２のガス）を酸素とともに、石英管１
５内に供給して、タラッドスー）２Ａの上面にコアスー
）３Ａを、クラッドスート２ＯＡの上面にコアスート３
０Ａをそれぞれ一様の厚さで堆積させる。
そして、原料ガスの供給を停止し、石英管１５をほぼ２
時間、１３５０℃に加熱して、タララドスート２Ａ、コ
アスート３Ａ、クラッドスート２０Ａ、コアスート３０
Ａをガラス化して、第１図（ｂ）のように、導波路基板
１の表面に、クラッド層２．コア層３よりなるガラス層
４０を、裏面にクラッド層２０．コア層３０よりなるガ
ラス層５０を一様の厚さで積層形成する。
時間、１３５０℃に加熱して、タララドスート２Ａ、コ
アスート３Ａ、クラッドスート２０Ａ、コアスート３０
Ａをガラス化して、第１図（ｂ）のように、導波路基板
１の表面に、クラッド層２．コア層３よりなるガラス層
４０を、裏面にクラッド層２０．コア層３０よりなるガ
ラス層５０を一様の厚さで積層形成する。
その後、導波路基板１を石英管１５より取り出して、導
波路基板１の表面に所望形状のパターンを有するマスク
を載せて、例えばフレオンガスが入った容器に入れ、高
周波電圧を印加してコア層３゜及びクラッド層２をドラ
イエツチングし、第１図（Ｃ）のように、導波路基板１
の表面に帯状に、リッジ形の光導波路５を形成する。
波路基板１の表面に所望形状のパターンを有するマスク
を載せて、例えばフレオンガスが入った容器に入れ、高
周波電圧を印加してコア層３゜及びクラッド層２をドラ
イエツチングし、第１図（Ｃ）のように、導波路基板１
の表面に帯状に、リッジ形の光導波路５を形成する。
次に、化学気相堆積法により、第１図（ｄ）のように、
光導波路５の上面、側面を含む導波路基板１の表面に、
クラッド層４を形成して先導波路５を完成させている。
光導波路５の上面、側面を含む導波路基板１の表面に、
クラッド層４を形成して先導波路５を完成させている。
本発明方法は上述のように、導波路基板１の表面及び裏
面の全面にそれぞれ、はぼ同等の厚さでガラス層４０．
ガラス層５０を形成した後に、導波路基板１を冷却して
いるので、冷却時に導波路基板ｌの表面と裏面にはほぼ
等しい引張力が付与されて、導波路基Ｆｉ、１に反りが
発生する恐れがない。
面の全面にそれぞれ、はぼ同等の厚さでガラス層４０．
ガラス層５０を形成した後に、導波路基板１を冷却して
いるので、冷却時に導波路基板ｌの表面と裏面にはほぼ
等しい引張力が付与されて、導波路基Ｆｉ、１に反りが
発生する恐れがない。
以上説明したように本発明方法は、光導波路の製造時に
、導波路基板に反りが発生する恐れがな（、したがって
、先導波路の形状゛精度が高く、且つ導波路基板を光装
置に組み込むことが容易であるなる等、実用上で優れた
効果がある。
、導波路基板に反りが発生する恐れがな（、したがって
、先導波路の形状゛精度が高く、且つ導波路基板を光装
置に組み込むことが容易であるなる等、実用上で優れた
効果がある。
第１図は本発明方法の工程を示す図、
第２図は従来方法の工程を示す図である。
図において、
１は導波路基板、
２，４．２０はクラッド層、
３．３０はコア層、
２Ａ、 ２ＯＡはタララドスート、
３Ａ、 ３０Ａはコアスート、
５は光導波路、
４０、５０はガラス層、
４０Ａ 、 ５０Ａはガラススート、
１０は石英箱、
１１、１６は電気炉、
１５は石英管、
１７は原料ガス供給装置、
１９は脚柱を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 石英管（１５）内に、導波路基板（１）を水平に保持し
た状態で、化学気相堆積法により該導波路基板（１）の
表面に、ガラススート（４０Ａ）を、裏面にガラススー
ト（５０Ａ）をそれぞれ堆積させ、加熱・ガラス化して
、該ガラススート（４０Ａ）、ガラススート（５０Ａ）
をそれぞれ、ガラス層（４０）、ガラス層（５０）にし
た後に、 該ガラス層（４０）をドライエッチングして、該導波路
基板（１）の表面に光導波路（５）を形成することを特
徴とする光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14586586A JPS632006A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14586586A JPS632006A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632006A true JPS632006A (ja) | 1988-01-07 |
| JPH0476443B2 JPH0476443B2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=15394847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14586586A Granted JPS632006A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107684U (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-20 |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14586586A patent/JPS632006A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01107684U (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0476443B2 (ja) | 1992-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07140336A (ja) | 光導波路 | |
| GB2066805A (en) | Glass waveguide for optical circuit and fabrication method thereof | |
| KR20030012940A (ko) | 이온 교환법을 이용한 평면형 광도파로 제조 방법 | |
| JPS6157601B2 (ja) | ||
| JPS632006A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPH05100123A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS6343105A (ja) | 単一モ−ド光導波路 | |
| US20020064360A1 (en) | Optical waveguide and a method for producing it | |
| JP2682919B2 (ja) | 光導波路及びその製造方法 | |
| JPS63157107A (ja) | 高複屈折性単一モ−ドガラス光導波路 | |
| JPS6365406A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JP2953173B2 (ja) | 光導波路 | |
| KR100405280B1 (ko) | 졸-겔 타입 평면 광파 회로 제조 방법 | |
| JP2603652B2 (ja) | 光導波路製造方法 | |
| KR100277362B1 (ko) | 더미층을 구비한 광도파로 형성방법 및 그 방법에 의한 광도파로 | |
| KR20010047296A (ko) | 에어로졸 공정을 이용한 평판형 광도파로 및 그 제조 방법 | |
| JPS6172206A (ja) | 基板型導波路およびその製造方法 | |
| KR19990024195A (ko) | 평면형 실리카 광도파로의 상부 클래드 화염 가수분해 증착 공정에서 생성되는 결함을 제거하기 위한 고밀화 열처리 장치 개발 | |
| KR20000000194A (ko) | 에이치티에스-에프에이치디를 이용한 광소자용 평판형실리카 박막의 제조법 | |
| JPS58115405A (ja) | 厚膜導波路の製造方法 | |
| JPH08136754A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| JP2003262749A (ja) | 光導波路基板の製造方法及び光導波路基板、並びに光導波路 | |
| JPH0820573B2 (ja) | 光分岐・結合器の製造方法 | |
| JP2001066444A (ja) | 光導波路 | |
| JP2002148462A (ja) | 二酸化シリコン膜生成方法及び光導波路生成方法 |