JPH05269306A - 脱酸素装置 - Google Patents
脱酸素装置Info
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- JPH05269306A JPH05269306A JP4097251A JP9725192A JPH05269306A JP H05269306 A JPH05269306 A JP H05269306A JP 4097251 A JP4097251 A JP 4097251A JP 9725192 A JP9725192 A JP 9725192A JP H05269306 A JPH05269306 A JP H05269306A
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- Degasification And Air Bubble Elimination (AREA)
- Physical Water Treatments (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パラジウム触媒の存在下での水素と酸素の反
応を利用して水から酸素を除去する脱酸素装置におい
て、水素ガスの消費量を減少させるとともに、処理後の
溶存水素ガスの量を０．０１ｐｐｍ以下として、溶存水
素により引き起こされる問題を解決する。 【構成】 過剰量の水素ガスを被処理水に注入するライ
ン５と、そのラインの下流にあってパラジウム触媒を充
填した脱酸素塔４と、該脱酸素塔４の出口に設けられた
真空脱気装置７または膜脱気装置１０と、該真空脱気装
置７または膜脱気装置１０において被処理水から分離さ
れた水素を主に含むガスを上記脱酸素塔４の上流に注入
するためのライン８とからなる。
応を利用して水から酸素を除去する脱酸素装置におい
て、水素ガスの消費量を減少させるとともに、処理後の
溶存水素ガスの量を０．０１ｐｐｍ以下として、溶存水
素により引き起こされる問題を解決する。 【構成】 過剰量の水素ガスを被処理水に注入するライ
ン５と、そのラインの下流にあってパラジウム触媒を充
填した脱酸素塔４と、該脱酸素塔４の出口に設けられた
真空脱気装置７または膜脱気装置１０と、該真空脱気装
置７または膜脱気装置１０において被処理水から分離さ
れた水素を主に含むガスを上記脱酸素塔４の上流に注入
するためのライン８とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水中の溶存酸素を除去
する装置に関し、より具体的には、水素ガス（Ｈ2 ）お
よび触媒樹脂を利用して酸素を除去する装置に関する。
する装置に関し、より具体的には、水素ガス（Ｈ2 ）お
よび触媒樹脂を利用して酸素を除去する装置に関する。
【０００２】今日、大量の水がボイラー用水や冷却水と
して用いられている。ところが、これらの水中に酸素が
溶存していると、その水が通るボイラー水系や冷却水系
における、溶存酸素を原因とする腐食の問題が生じる。
このため、化学的方法あるいは物理的方法によって、水
中の溶存酸素を除去しなければならない。
して用いられている。ところが、これらの水中に酸素が
溶存していると、その水が通るボイラー水系や冷却水系
における、溶存酸素を原因とする腐食の問題が生じる。
このため、化学的方法あるいは物理的方法によって、水
中の溶存酸素を除去しなければならない。
【０００３】また、半導体工業向けの超純水について
も、溶存酸素量を極低濃度にする必要がある。すなわ
ち、半導体工業向けの超純水製造システムにおいては、
溶存酸素を１００ｐｐｂ以下、好ましくは２０ｐｐｂ以
下に低減する必要がある。
も、溶存酸素量を極低濃度にする必要がある。すなわ
ち、半導体工業向けの超純水製造システムにおいては、
溶存酸素を１００ｐｐｂ以下、好ましくは２０ｐｐｂ以
下に低減する必要がある。
【０００４】
【従来の技術】従来、水中の溶存酸素を除去する方法と
しては、（１）純水を加熱して脱気する方法、（２）水
の蒸気圧程度まで減圧して溶存気体を除去する方法、
（３）気液接触面の気体を窒素ガスのみにして、溶存酸
素を水中から気相に拡散させる方法、（４）疎水性の高
分子膜のガス透過性の差を利用する方法、（５）ある種
の金属をイオン交換樹脂の表面に担持させた触媒樹脂
で、溶存酸素を除去する方法などが行われてきた。
しては、（１）純水を加熱して脱気する方法、（２）水
の蒸気圧程度まで減圧して溶存気体を除去する方法、
（３）気液接触面の気体を窒素ガスのみにして、溶存酸
素を水中から気相に拡散させる方法、（４）疎水性の高
分子膜のガス透過性の差を利用する方法、（５）ある種
の金属をイオン交換樹脂の表面に担持させた触媒樹脂
で、溶存酸素を除去する方法などが行われてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このうち、（１）から
（４）の方法では、対象が水中に溶存しているすべての
気体（窒素を利用した（３）の方法では、窒素以外のす
べての気体）であるため、酸素以外の気体も同時に除去
される欠点がある。また、（３）の窒素を用いる方法に
おいては、処理後の水が窒素により飽和してしまう欠点
がある。
（４）の方法では、対象が水中に溶存しているすべての
気体（窒素を利用した（３）の方法では、窒素以外のす
べての気体）であるため、酸素以外の気体も同時に除去
される欠点がある。また、（３）の窒素を用いる方法に
おいては、処理後の水が窒素により飽和してしまう欠点
がある。
【０００６】また、（５）の触媒樹脂を利用した方法と
しては、例えば、特公昭５９−３２１９５号公報および
特開平２−２６５６０４号公報に記載されているよう
な、パラジウムなどの貴金属を担持した触媒を用い、水
素を添加して、溶存酸素を除去する方法がある。すなわ
ち、溶存酸素と水素とを触媒の存在下で反応させること
により、水に変化させる方法である。
しては、例えば、特公昭５９−３２１９５号公報および
特開平２−２６５６０４号公報に記載されているよう
な、パラジウムなどの貴金属を担持した触媒を用い、水
素を添加して、溶存酸素を除去する方法がある。すなわ
ち、溶存酸素と水素とを触媒の存在下で反応させること
により、水に変化させる方法である。
【０００７】この方法において、処理水の溶存酸素を１
０ｐｐｂ以下にするためには、注入する水素は理論値の
１．１から１．３倍の量が必要である。しかも、溶存酸
素濃度に合わせて水素ガスの注入量を制御しても、０．
１〜０．３ｐｐｍの水素ガスが処理水に溶存してしま
う。また、処理中の水素ガスは、処理槽上部や配管の上
部にたまり、危険である。さらに、半導体ウェーハの洗
浄用水としては、このような処理水が気泡の発生原因と
なる問題があった。加えて、水素ガスの過剰注入によ
り、ランニングコストが高くなったり、ボイラーや熱交
換器などにおいて、金属材質の水素による脆化を起こす
可能性があるといった問題があった。
０ｐｐｂ以下にするためには、注入する水素は理論値の
１．１から１．３倍の量が必要である。しかも、溶存酸
素濃度に合わせて水素ガスの注入量を制御しても、０．
１〜０．３ｐｐｍの水素ガスが処理水に溶存してしま
う。また、処理中の水素ガスは、処理槽上部や配管の上
部にたまり、危険である。さらに、半導体ウェーハの洗
浄用水としては、このような処理水が気泡の発生原因と
なる問題があった。加えて、水素ガスの過剰注入によ
り、ランニングコストが高くなったり、ボイラーや熱交
換器などにおいて、金属材質の水素による脆化を起こす
可能性があるといった問題があった。
【０００８】本発明は、上述の従来技術のもつ課題に鑑
み、水素ガスの消費量を減少させるとともに、処理後の
溶存水素ガスの量を０．０１ｐｐｍ以下として、溶存水
素により引き起こされる問題を解決できる脱酸素装置を
提供することを目的とする。
み、水素ガスの消費量を減少させるとともに、処理後の
溶存水素ガスの量を０．０１ｐｐｍ以下として、溶存水
素により引き起こされる問題を解決できる脱酸素装置を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下のような
脱酸素装置を提供する。
脱酸素装置を提供する。
【００１０】（１）パラジウム触媒の存在下の水素と酸
素から水を生成する反応を利用して水から酸素を除去す
る脱酸素装置において、水素ガスを被処理水に注入する
水素ラインと、その水素ラインの下流にあってパラジウ
ム触媒を充填した脱酸素塔と、該脱酸素塔の出口に設け
られた真空脱気装置または膜脱気装置と、該真空脱気装
置または膜脱気装置において被処理水から分離された、
水素を主に含むガスを上記脱酸素塔の上流に注入するた
めのガスラインとからなる脱酸素装置。
素から水を生成する反応を利用して水から酸素を除去す
る脱酸素装置において、水素ガスを被処理水に注入する
水素ラインと、その水素ラインの下流にあってパラジウ
ム触媒を充填した脱酸素塔と、該脱酸素塔の出口に設け
られた真空脱気装置または膜脱気装置と、該真空脱気装
置または膜脱気装置において被処理水から分離された、
水素を主に含むガスを上記脱酸素塔の上流に注入するた
めのガスラインとからなる脱酸素装置。
【００１１】（２）上記（１）の脱酸素装置において、
上記真空脱気装置または膜脱気装置へ真空を供給するた
めに、被処理水の流れにより作動し、上記ガスラインに
接続するエゼクタを、上記脱酸素塔の上流に設置するこ
とを特徴とする脱酸素装置。
上記真空脱気装置または膜脱気装置へ真空を供給するた
めに、被処理水の流れにより作動し、上記ガスラインに
接続するエゼクタを、上記脱酸素塔の上流に設置するこ
とを特徴とする脱酸素装置。
【００１２】（３）上記（２）の脱酸素装置において、
上記真空脱気装置または膜脱気装置と上記エゼクタの間
の上記ガスラインに水素ガス分離膜装置を設置し、上記
エゼクタから水素ガスのみを被処理水に戻すことを特徴
とする脱酸素装置。
上記真空脱気装置または膜脱気装置と上記エゼクタの間
の上記ガスラインに水素ガス分離膜装置を設置し、上記
エゼクタから水素ガスのみを被処理水に戻すことを特徴
とする脱酸素装置。
【００１３】本発明の装置において、溶存酸素の除去
は、パラジウムを触媒として、処理される水中に加えら
れた水素と溶存している酸素とを反応させることにより
行われる。すなわち、溶存酸素を含有した水に過剰量の
水素ガスを添加し、パラジウム触媒の存在下において、
酸素と水素との化学反応により水を生成して、溶存酸素
を除去する。
は、パラジウムを触媒として、処理される水中に加えら
れた水素と溶存している酸素とを反応させることにより
行われる。すなわち、溶存酸素を含有した水に過剰量の
水素ガスを添加し、パラジウム触媒の存在下において、
酸素と水素との化学反応により水を生成して、溶存酸素
を除去する。
【００１４】パラジウム触媒としては、金属パラジウ
ム、酸化パラジウム、水酸化パラジウム等のパラジウム
化合物をイオン交換樹脂やアルミナ、活性炭、ゼオライ
ト等の担体に担持させたものを使用することができる。
この場合、担持量は単体に対し外割で通常０．１〜１０
重量％程度である。担体としては、特に、アニオン交換
樹脂を用いることにより、少ないパラジウム担持量で、
優れた効果を発揮させることができ、きわめて好適であ
る。
ム、酸化パラジウム、水酸化パラジウム等のパラジウム
化合物をイオン交換樹脂やアルミナ、活性炭、ゼオライ
ト等の担体に担持させたものを使用することができる。
この場合、担持量は単体に対し外割で通常０．１〜１０
重量％程度である。担体としては、特に、アニオン交換
樹脂を用いることにより、少ないパラジウム担持量で、
優れた効果を発揮させることができ、きわめて好適であ
る。
【００１５】なお、アニオン交換樹脂にパラジウムを担
持させるには、アニオン交換樹脂をカラムに充填し、次
いで塩化パラジウムの酸性溶液を通水すればよい。もし
金属パラジウムとして担持させるのならば、さらにホル
マリンなどを加えて還元すれば良い。
持させるには、アニオン交換樹脂をカラムに充填し、次
いで塩化パラジウムの酸性溶液を通水すればよい。もし
金属パラジウムとして担持させるのならば、さらにホル
マリンなどを加えて還元すれば良い。
【００１６】パラジウム触媒の形状は、粉末状、粒状、
ペレット状などいずれの形状でも利用できる。粉末状の
ものを使用する場合には、反応槽を脱酸素塔内に設け
て、この反応槽に適当量添加する。粒状またはペレット
状のものはカラム等に充填し、被処理水を連続的に通水
するときに有利である。もちろん、粉末状のものでも、
カラムに充填して、流動床で通水処理することができ
る。
ペレット状などいずれの形状でも利用できる。粉末状の
ものを使用する場合には、反応槽を脱酸素塔内に設け
て、この反応槽に適当量添加する。粒状またはペレット
状のものはカラム等に充填し、被処理水を連続的に通水
するときに有利である。もちろん、粉末状のものでも、
カラムに充填して、流動床で通水処理することができ
る。
【００１７】本発明の装置の処理の対象となる被処理水
としては、純水はもちろんのこと、例えば、ボイラー給
水、冷却水などがある。
としては、純水はもちろんのこと、例えば、ボイラー給
水、冷却水などがある。
【００１８】この脱酸素塔における処理の後、さらに余
剰の水素ガスなどのその他のガス成分を真空脱気装置ま
たは膜脱気装置により分離する。
剰の水素ガスなどのその他のガス成分を真空脱気装置ま
たは膜脱気装置により分離する。
【００１９】上記真空脱気装置としては、脱気塔にラシ
ヒリング等の充填物を充填した装置を利用することがで
きる。この脱気塔の上部から真空を供給し、充填物上の
ノズルから被処理水を噴射して、真空脱気による水素の
除去が行われる。
ヒリング等の充填物を充填した装置を利用することがで
きる。この脱気塔の上部から真空を供給し、充填物上の
ノズルから被処理水を噴射して、真空脱気による水素の
除去が行われる。
【００２０】さらに、上記膜脱気装置としては、例え
ば、ケイ素樹脂またはポリフッ化エチレン等の膜を利用
した装置を使用することができる。
ば、ケイ素樹脂またはポリフッ化エチレン等の膜を利用
した装置を使用することができる。
【００２１】また、上記真空脱気装置または膜脱気装置
が必要とする真空は、真空ポンプを利用して供給するこ
ともできるが、その代わり、上記脱酸素塔の入口にエゼ
クタを設けることができる。すなわち、被処理水の流れ
を利用して、エゼクタを脱水素塔に接続する真空ライン
の真空源として利用する。エゼクタを使用することによ
り、真空供給のための別個の動力源が不要となり、設備
の簡略化を図ることができる。
が必要とする真空は、真空ポンプを利用して供給するこ
ともできるが、その代わり、上記脱酸素塔の入口にエゼ
クタを設けることができる。すなわち、被処理水の流れ
を利用して、エゼクタを脱水素塔に接続する真空ライン
の真空源として利用する。エゼクタを使用することによ
り、真空供給のための別個の動力源が不要となり、設備
の簡略化を図ることができる。
【００２２】このように、真空脱気装置または膜脱気装
置において酸素以外のガス成分を分離し、エゼクタまた
は真空ポンプを経て、水素ガスを多く含むこの分離ガス
を、上記脱酸素塔へと戻す。これにより、水素ガスの使
用量を低減することができるとともに、処理後の水に含
まれる水素ガスが下流の配管等にたまる危険を避けるこ
とができる。
置において酸素以外のガス成分を分離し、エゼクタまた
は真空ポンプを経て、水素ガスを多く含むこの分離ガス
を、上記脱酸素塔へと戻す。これにより、水素ガスの使
用量を低減することができるとともに、処理後の水に含
まれる水素ガスが下流の配管等にたまる危険を避けるこ
とができる。
【００２３】さらに、このようにして分離されたガスか
ら、水素分離膜等を利用して水素ガスのみを分離し、上
記脱酸素塔に戻すことができる。これによれば、処理後
の水質をさらに高めることができる。
ら、水素分離膜等を利用して水素ガスのみを分離し、上
記脱酸素塔に戻すことができる。これによれば、処理後
の水質をさらに高めることができる。
【００２４】
【実施例】図面を参照しつつ本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
【００２５】図１に、本発明装置の第１の実施例の構成
を示す。本発明の装置による処理の対象となる水を貯蔵
するタンク１から、ポンプ２により被処理水ライン３を
通って脱酸素塔４へと被処理水が送られる。そのライン
に水素ガスライン５から水素ガスを注入する。上記脱酸
素塔４の入口の直前の被処理水ライン３にエゼクタ６が
設けられる。脱酸素塔４には、パラジウム触媒を担持し
た樹脂、例えばバイエル社製のＬｅｗａｔｉｔ ＯＣ１
０６３またはＯＣ１０４５のようなパラジウム触媒をア
ニオン交換樹脂に担持したものが充填されており、水中
の過剰量の水素ガスと酸素が、この触媒により反応し
て、水となる。
を示す。本発明の装置による処理の対象となる水を貯蔵
するタンク１から、ポンプ２により被処理水ライン３を
通って脱酸素塔４へと被処理水が送られる。そのライン
に水素ガスライン５から水素ガスを注入する。上記脱酸
素塔４の入口の直前の被処理水ライン３にエゼクタ６が
設けられる。脱酸素塔４には、パラジウム触媒を担持し
た樹脂、例えばバイエル社製のＬｅｗａｔｉｔ ＯＣ１
０６３またはＯＣ１０４５のようなパラジウム触媒をア
ニオン交換樹脂に担持したものが充填されており、水中
の過剰量の水素ガスと酸素が、この触媒により反応し
て、水となる。
【００２６】この脱酸素塔４において酸素が化学的に除
去された水は、ラシヒリングや充填剤が充填された脱水
素塔７へと送られる。この脱水素塔７には上記エゼクタ
６につながる真空ライン８が接続されている。すなわ
ち、このエゼクタ６は、上記脱酸素塔４に流入する水の
流れを利用して作動し、上記脱水素塔７を真空排気す
る。エゼクタ６を使用することにより、真空脱気を行う
ための真空ポンプなどの別個の動力源が不要となる。こ
の脱水素塔７において、水素等の酸素以外のガスが物理
的に真空脱気される。脱水素塔７での処理を終了した水
は、ポンプ９により排出される。この真空脱気により、
処理された水の中の溶存水素ガス濃度を減少させること
ができ、水素ガスが配管中などにたまる危険性、半導体
ウェーハの洗浄水として使用する場合における気泡の発
生などを防止することができる。
去された水は、ラシヒリングや充填剤が充填された脱水
素塔７へと送られる。この脱水素塔７には上記エゼクタ
６につながる真空ライン８が接続されている。すなわ
ち、このエゼクタ６は、上記脱酸素塔４に流入する水の
流れを利用して作動し、上記脱水素塔７を真空排気す
る。エゼクタ６を使用することにより、真空脱気を行う
ための真空ポンプなどの別個の動力源が不要となる。こ
の脱水素塔７において、水素等の酸素以外のガスが物理
的に真空脱気される。脱水素塔７での処理を終了した水
は、ポンプ９により排出される。この真空脱気により、
処理された水の中の溶存水素ガス濃度を減少させること
ができ、水素ガスが配管中などにたまる危険性、半導体
ウェーハの洗浄水として使用する場合における気泡の発
生などを防止することができる。
【００２７】図２に、本発明装置の第２の実施例の構成
を示す。同様な部位については、第１図と同一の参照番
号を使用し、重複した記載を省略する。第１の実施例の
場合と同様に、処理される水には水素ガスが注入され、
エゼクタ６を通って、脱酸素塔４へと流入する。第１の
実施例と同様のパラジウム触媒が充填された脱酸素塔４
において、酸素と水素の反応が起こって、酸素が取り除
かれる。その後、ケイ素樹脂またはポリフッ化エチレン
等の脱気膜を有する膜脱気装置１０において、酸素が取
り除かれた水からさらに、水素、窒素等の酸素以外のガ
スが除去される。この膜脱気装置１０には、エゼクタ６
につながる真空ライン８により真空が供給されている。
真空ライン８の途中には、水素ガス分離装置１１があっ
て、上記膜脱気装置１０において分離された各種の気体
のうちから水素のみをさらに分離する。ここで、分離さ
れた水素ガスは、エゼクタ６において、処理される水に
加えられるが、水素以外の窒素その他の気体は、上記水
素ガス分離装置１１から排出される。このように水素ガ
スを回収・再利用することにより、水素ガスの使用量を
低減することができるとともに、水素ガスのみを分離し
て処理水に加えることにより、処理後の水質をさらに高
めることができる。
を示す。同様な部位については、第１図と同一の参照番
号を使用し、重複した記載を省略する。第１の実施例の
場合と同様に、処理される水には水素ガスが注入され、
エゼクタ６を通って、脱酸素塔４へと流入する。第１の
実施例と同様のパラジウム触媒が充填された脱酸素塔４
において、酸素と水素の反応が起こって、酸素が取り除
かれる。その後、ケイ素樹脂またはポリフッ化エチレン
等の脱気膜を有する膜脱気装置１０において、酸素が取
り除かれた水からさらに、水素、窒素等の酸素以外のガ
スが除去される。この膜脱気装置１０には、エゼクタ６
につながる真空ライン８により真空が供給されている。
真空ライン８の途中には、水素ガス分離装置１１があっ
て、上記膜脱気装置１０において分離された各種の気体
のうちから水素のみをさらに分離する。ここで、分離さ
れた水素ガスは、エゼクタ６において、処理される水に
加えられるが、水素以外の窒素その他の気体は、上記水
素ガス分離装置１１から排出される。このように水素ガ
スを回収・再利用することにより、水素ガスの使用量を
低減することができるとともに、水素ガスのみを分離し
て処理水に加えることにより、処理後の水質をさらに高
めることができる。
【００２８】実験例 バイエル社製の触媒樹脂Ｌｅｗａｔｉｔ ＯＣ１０６３
を２０リットル、ＳＵＳカラム（直径２００ｍｍ×長さ
１０００ｍｍ）に充填した。このカラムからなる脱酸素
塔の入口にエゼクタおよび同脱酸素塔の後段に膜面積
０．５ｍ2 の中空子型の膜脱気装置を設けた。この脱酸
素塔に水素ガスを１．３ｇ／ｈｒの流量で注入しつつ、
溶存酸素８ｐｐｍを含む純水を２．５ｋｇ／ｃｍ2 の操
作圧ものとで、１０００リットル／ｈｒの流量で通し
た。エゼクタによる減圧は、６５０ｍｍＨｇであった。
を２０リットル、ＳＵＳカラム（直径２００ｍｍ×長さ
１０００ｍｍ）に充填した。このカラムからなる脱酸素
塔の入口にエゼクタおよび同脱酸素塔の後段に膜面積
０．５ｍ2 の中空子型の膜脱気装置を設けた。この脱酸
素塔に水素ガスを１．３ｇ／ｈｒの流量で注入しつつ、
溶存酸素８ｐｐｍを含む純水を２．５ｋｇ／ｃｍ2 の操
作圧ものとで、１０００リットル／ｈｒの流量で通し
た。エゼクタによる減圧は、６５０ｍｍＨｇであった。
【００２９】比較例 上記の実験例の装置から膜脱気装置とエゼクタを取り去
り、その他の物理的条件を同一なものとして実験を行っ
た。
り、その他の物理的条件を同一なものとして実験を行っ
た。
【００３０】表１に上記実験例および比較例の結果を記
す。
す。
【表１】
【００３１】
【発明の効果】本発明の脱酸素装置によれば、水素ガス
の消費量を減少させるとともに、処理後の溶存水素ガス
の量を０．０１ｐｐｍ以下として、溶存水素により引き
起こされる問題を解決できる。本発明の脱酸素装置によ
り酸素を除去された高品質の水は、ボイラー用水や冷却
水として使用することができ、腐食の問題を生じること
がない。また、本発明の装置は、半導体工業の分野で使
用される超純水の製造装置としても好適であり、ウェー
ハの製造で問題となる気泡の発生を防ぐことができる。
の消費量を減少させるとともに、処理後の溶存水素ガス
の量を０．０１ｐｐｍ以下として、溶存水素により引き
起こされる問題を解決できる。本発明の脱酸素装置によ
り酸素を除去された高品質の水は、ボイラー用水や冷却
水として使用することができ、腐食の問題を生じること
がない。また、本発明の装置は、半導体工業の分野で使
用される超純水の製造装置としても好適であり、ウェー
ハの製造で問題となる気泡の発生を防ぐことができる。
【図１】本発明の装置の第１の実施例を示す概略図であ
る。
る。
【図２】本発明の装置の第２の実施例を示す概略図であ
る。
る。
１ 被処理水貯蔵タンク ２ ポンプ ３ 被処理水ライン ４ 脱酸素塔 ５ 水素ガスライン ６ エゼクタ ７ 脱水素塔（真空脱気装置） ８ 真空ライン ９ ポンプ １０ 膜脱気装置 １１ 水素ガス分離装置
Claims (3)
- 【請求項１】 パラジウム触媒の存在下で水素と酸素か
ら水を生成する反応を利用して水から酸素を除去する脱
酸素装置において、水素ガスを被処理水に注入する水素
ラインと、その水素ラインの下流にあってパラジウム触
媒を充填した脱酸素塔と、該脱酸素塔の下流に設けられ
た真空脱気装置または膜脱気装置と、該真空脱気装置ま
たは膜脱気装置において被処理水から分離された、水素
を主に含むガスを上記脱酸素塔の上流に注入するための
ガスラインとからなる脱酸素装置。 - 【請求項２】 上記真空脱気装置または膜脱気装置へ真
空を供給するために、被処理水により作動し、上記ガス
ラインに接続するエゼクタを上記脱酸素塔の上流に設置
することを特徴とする請求項１に記載の脱酸素装置。 - 【請求項３】 上記真空脱気装置または膜脱気装置と上
記エゼクタの間の上記ガスラインに水素ガス分離膜装置
を設置し、上記エゼクタから水素ガスのみを被処理水に
戻すことを特徴とする請求項２に記載の脱酸素装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09725192A JP3224037B2 (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 脱酸素装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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1992
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