JPH0526821Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0526821Y2 JPH0526821Y2 JP16843284U JP16843284U JPH0526821Y2 JP H0526821 Y2 JPH0526821 Y2 JP H0526821Y2 JP 16843284 U JP16843284 U JP 16843284U JP 16843284 U JP16843284 U JP 16843284U JP H0526821 Y2 JPH0526821 Y2 JP H0526821Y2
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- JP
- Japan
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- resonator
- substrate
- gallium arsenide
- type
- layer
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- Expired - Lifetime
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- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
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- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
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Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、発振装置やその他の装置の振動の基
準として利用される共振子に関する。特に、共振
式センサに用いられる共振子の構成に関する。
準として利用される共振子に関する。特に、共振
式センサに用いられる共振子の構成に関する。
従来の共振式センサに用いられる共振子の材料
としては、水晶、NbLiO3やシリコン等が用いら
れている。
としては、水晶、NbLiO3やシリコン等が用いら
れている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
しかし、水晶やNbLiO3の共振子は、３次元構
造を形成することができず、また、共振子とこれ
に付随した回路を一つのチツプに集積化すること
ができない欠点がある。また、シリコンは圧電性
がないため、圧電物質が別に必要となる欠点があ
る。
造を形成することができず、また、共振子とこれ
に付随した回路を一つのチツプに集積化すること
ができない欠点がある。また、シリコンは圧電性
がないため、圧電物質が別に必要となる欠点があ
る。
本考案は、以上の問題点を解決し、集積化が容
易で付加的な圧電物質を必要としない半導体共振
子を提供することを目的とする。
易で付加的な圧電物質を必要としない半導体共振
子を提供することを目的とする。
本考案は半導体共振子は、ガリルム砒素を用い
たモノリシツク共振子であることを特徴とする。
たモノリシツク共振子であることを特徴とする。
さらに詳しくは、基板面がその結晶軸方向に対
して〔110〕面に形成されたガリウム砒素結晶の
基板と、この基板上に成長させた伝導の型の異な
るガリウム砒素層と、このガリウム砒素層に延長
して形成され、この下の基板部分が空間に形成さ
れた構造のたわみ共振子と、このたわみ共振子の
節の位置に設けられ、圧電効果によりこのたわみ
共振子に歪を与える電極とを備えたことを特徴と
する。
して〔110〕面に形成されたガリウム砒素結晶の
基板と、この基板上に成長させた伝導の型の異な
るガリウム砒素層と、このガリウム砒素層に延長
して形成され、この下の基板部分が空間に形成さ
れた構造のたわみ共振子と、このたわみ共振子の
節の位置に設けられ、圧電効果によりこのたわみ
共振子に歪を与える電極とを備えたことを特徴と
する。
本考案の半導体共振子は、たわみ共振子と電極
との間に逆バイアスを印加して空乏層を形成し、
この部分に共振子の固有振動数foの信号電圧を印
加することにより、圧電効果によりたわみ共振子
に歪を発生させ、これにより共振を起こす。
との間に逆バイアスを印加して空乏層を形成し、
この部分に共振子の固有振動数foの信号電圧を印
加することにより、圧電効果によりたわみ共振子
に歪を発生させ、これにより共振を起こす。
第１図は本考案第一実施例半導体共振子の断面
図である。
図である。
基板面がその結晶軸に対して〔110〕面に形成
されたｐ型ガイルム砒素結晶の基板１の上に、ｎ
型ガリウム砒素層２を成長させる。このｎ型ガリ
ウム砒素層２の面も〔110〕面となる。このｎ型
ガイルム砒素層２に、公知の方法により切れ目３
を入れる。この切れ目３の平面的（〔110〕面内
の）形状は任意であるが、少なくともその一端は
ｎ型ガリウム砒素層２に連続である。さらに、こ
の切れ目３に囲まれた部分の下側の基板１を、ア
ルカリ液により選択性エツチング等により取り除
く。これにより、ｎ型ガリウム砒素のたわみ共振
子４を形成するさらに、このたわみ共振子４の節
の位置、すなわち、たわみ共振子４と基板１との
接合部上に、p+型の電極５を形成する。
されたｐ型ガイルム砒素結晶の基板１の上に、ｎ
型ガリウム砒素層２を成長させる。このｎ型ガリ
ウム砒素層２の面も〔110〕面となる。このｎ型
ガイルム砒素層２に、公知の方法により切れ目３
を入れる。この切れ目３の平面的（〔110〕面内
の）形状は任意であるが、少なくともその一端は
ｎ型ガリウム砒素層２に連続である。さらに、こ
の切れ目３に囲まれた部分の下側の基板１を、ア
ルカリ液により選択性エツチング等により取り除
く。これにより、ｎ型ガリウム砒素のたわみ共振
子４を形成するさらに、このたわみ共振子４の節
の位置、すなわち、たわみ共振子４と基板１との
接合部上に、p+型の電極５を形成する。
ガリウム砒素は＜110＞方向に電界を印加する
と、その直交方向に歪を発生する。またこの逆も
成立する。
と、その直交方向に歪を発生する。またこの逆も
成立する。
第２図は電極５とｎ型ガイルム砒素層２との接
合を示す図である。
合を示す図である。
電極５（ｐ型）とｎ型ガリウム砒素層２との間
に逆バイアスの電圧を供給し、ｎ型ガイルム砒素
層２に空乏層（第２図に破線で示す）を形成す
る。さらに、この空乏層に電圧Ｅを印加すると、
ガリウム砒素の圧電性により横波εが発生し、た
わみ共振子４に伝達し、たわし共振子４の振動を
誘起する。たわみ共振子４の固有振動数foの信号
電圧を空乏層に印加することにより、たわみ共振
子４が共振する。
に逆バイアスの電圧を供給し、ｎ型ガイルム砒素
層２に空乏層（第２図に破線で示す）を形成す
る。さらに、この空乏層に電圧Ｅを印加すると、
ガリウム砒素の圧電性により横波εが発生し、た
わみ共振子４に伝達し、たわし共振子４の振動を
誘起する。たわみ共振子４の固有振動数foの信号
電圧を空乏層に印加することにより、たわみ共振
子４が共振する。
第３図は本考案第二実施例半導体共振子の断面
図である。
図である。
本実施例の第一実施例との違いは、たわし共振
子４の両端が固定され、この位置にp+型の電極
５，６が形成されたことにある。これらの二つの
電極５，６は、増幅回路７により接続される。増
幅回路７は、電極路６に発生する起電力を増幅し
て電極５に正帰還させ、たわみ共振子４が発振を
起こす。
子４の両端が固定され、この位置にp+型の電極
５，６が形成されたことにある。これらの二つの
電極５，６は、増幅回路７により接続される。増
幅回路７は、電極路６に発生する起電力を増幅し
て電極５に正帰還させ、たわみ共振子４が発振を
起こす。
以上の実施例では、基板１としてｐ型ガリウム
砒素を用いた例を示した。これは、通常のガリウ
ム砒素基板がｐ型であるからであり、ｎ型の基板
を用いても同様に本考案を実施できる。
砒素を用いた例を示した。これは、通常のガリウ
ム砒素基板がｐ型であるからであり、ｎ型の基板
を用いても同様に本考案を実施できる。
本考案の半導体共振子は、以上説明したよう
に、水晶のように圧電性がありしかも半導体であ
るガリウム砒素を用いて共振子を構成しているの
で、これをセンサに用い、センサと信号処理回路
を同一基板に集積化できる効果がある。さらに、
センサと信号処理回路を同一基板に形成すること
により、生産性を上げ、生産コストを引き下げる
効果がある。
に、水晶のように圧電性がありしかも半導体であ
るガリウム砒素を用いて共振子を構成しているの
で、これをセンサに用い、センサと信号処理回路
を同一基板に集積化できる効果がある。さらに、
センサと信号処理回路を同一基板に形成すること
により、生産性を上げ、生産コストを引き下げる
効果がある。
第１図は本考案第一実施例半導体振動子の断面
図。第２図は電極とわたみ共振子の接合を示す
図。第３図は本考案第二実施例半導体共振子の断
面図。 １……基板、２……ｎ型ガリウム砒素層、３…
…切れ目、４……たわみ振動子、５，６……電
極、７……増幅回路。
図。第２図は電極とわたみ共振子の接合を示す
図。第３図は本考案第二実施例半導体共振子の断
面図。 １……基板、２……ｎ型ガリウム砒素層、３…
…切れ目、４……たわみ振動子、５，６……電
極、７……増幅回路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 基板面がその結晶軸方向に対して110面に形成
されたガリウム砒素結晶の基板と、 この基板上に成長させた伝導の型の異なるガリ
ウム砒素層と、 このガリウム砒素層に延長して形成され、この
下の基板部分が空間に形成された構造のたわみ共
振子と、 このたわみ共振子の節の位置に設けられ、圧電
効果によりこのたわみ共振子に歪を与える電極と を備えた半導体共振子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16843284U JPH0526821Y2 (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16843284U JPH0526821Y2 (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6183328U JPS6183328U (ja) | 1986-06-02 |
| JPH0526821Y2 true JPH0526821Y2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=30726201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16843284U Expired - Lifetime JPH0526821Y2 (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0526821Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023503A (en) * | 1990-01-03 | 1991-06-11 | Motorola, Inc. | Super high frequency oscillator/resonator |
| JP5586067B2 (ja) * | 2011-05-18 | 2014-09-10 | 日本電信電話株式会社 | 微小機械振動子とその製造方法 |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP16843284U patent/JPH0526821Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6183328U (ja) | 1986-06-02 |
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