JPH05268023A - 出力回路 - Google Patents

出力回路

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JPH05268023A
JPH05268023A JP3655492A JP3655492A JPH05268023A JP H05268023 A JPH05268023 A JP H05268023A JP 3655492 A JP3655492 A JP 3655492A JP 3655492 A JP3655492 A JP 3655492A JP H05268023 A JPH05268023 A JP H05268023A
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JP
Japan
Prior art keywords
output
field effect
effect transistor
drive signal
mos field
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Withdrawn
Application number
JP3655492A
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English (en)
Inventor
Isao Yoshino
功 吉野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】出力回路の出力用パワートランジスタに接続さ
れた外部の負荷が短絡した場合の、過電流による素子破
壊を防止する。 【構成】出力用NMOSトランジスタN0 のドレイン電
極とソース電極との間に、電流帰還用NMOSトランジ
スタN1 と駆動信号遮断用抵抗RC とを直列に接続し、
出力電流の一部を検出電流として分流する。出力用NM
OSトランジスタN0 のゲート電極とソース電極との間
に、駆動信号遮断用NMOSトランジスタN2 を接続
し、そのゲート電極に抵抗RC で発生する降下電圧を入
力する。出力電流が過大になると抵抗RC での降下電圧
が大きくなるので、駆動信号遮断用NMOSトランジス
タN2 がオン状態になり、出力用NMOSトランジスタ
0 のゲートへの駆動信号Sを遮断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、出力回路に関し、特
に、電力用のMOS電界効果トランジスタを用いた出力
回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の出力回路の回路構成は、
図2にその一例を示すように、出力用Nチャンネル型パ
ワーMOS電界効果トランジスタ(以後NMOSトラン
ジスタと記す)N0 のドレイン電極に、例えばインダク
タンスような外部の負荷1を接続し、その負荷1と出力
用NMOSトランジスタN0 のソース電極との間に電源
2を接続する構成になっている。出力用NMOSトラン
ジスタN0 は、ゲート電極が入力保護用抵抗RI を介し
て外部の駆動信号源3に接続されており、その信号によ
って駆動される。今、図2において出力用NMOSトラ
ンジスタN0 のゲートに駆動信号Sが入力されると、こ
のトランジスタはオン状態になって、電流が、電源2か
ら負荷1を通ってドレイン・ソース間に流れ、負荷1を
駆動する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の出力回
路では、外部負荷1が破損などにより短絡した場合、外
部の電源2より供給される最大の電流が出力用NMOS
トランジスタN0 のドレイン・ソース間に流れるので、
オン状態におけるオン抵抗損失により発熱し、素子破壊
に至る。又、ドレイン電極およびソース電極と接続端子
とを結結するワイヤが過電流により溶断するという問題
点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の出力回路は、負
荷を駆動する出力用MOS電界効果トランジスタと、こ
の出力用MOS電界効果トランジスタに加わる電流の一
部を検出電流として前記出力用MOS電界効果トランジ
スタのゲート電位に帰還する帰還用MOS電界効果トラ
ンジスタと、駆動信号を遮断する遮断用MOS電界効果
トランジスタとを含むことを特徴としている。
【0005】
【実施例】次に、本発明の最適な実施例について図面を
参照して説明する。図1は、本発明の一実施例の回路図
である。出力用MOSトランジスタN0 は、外部からの
駆動信号Sによりオン状態になり、電源2より供給され
る電流を導通させ、外部の負荷1を駆動する。電流帰還
用NMOSトランジスタN1 は、出力用NMOSトラン
ジスタN0 に流れる電流を分流して駆動信号遮断用抵抗
C に電流を流す。駆動信号遮断用NMOSトランジス
タN2 は駆動信号遮断用抵抗RC での降下電圧により導
通状態になり入力信号Sを遮断する。
【0006】例えば、出力用NMOSトランジスタN0
と電流帰還用NMOSトランジスタN1 のオン抵抗の比
を1:1,000とすれば、その電流比は1,000:
1となる。外部の負荷1が短絡し、出力用NMOSトラ
ンジスタN0 に10Aの過電流が流れたとすれば、電流
帰還用NMOSトランジスタN1 には10mAの電流が
流れる。従って、駆動信号遮断用抵抗RC が100Ωで
あればこの抵抗での降下電圧は1.0Vとなり駆動信号
遮断用NMOSトランジスタN2 を導通状態にする。こ
の結果、出力用NMOSトランジスタN0 のゲート電圧
が降下し、このトランジスタがオフ状態となるので、出
力電流は流れなくなり、過電流を防止することができ
る。
【0007】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電流帰
還用NMOSトランジスタにより、出力用NMOSトラ
ンジスタのドレイン端子に加わる過電流の一部を検出電
流として入力される信号に帰還し、駆動信号を遮断して
いる。これにより本発明によれば出力回路の過電流によ
る素子破壊を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路図である。
【図2】従来の出力回路の一例の回路図である。
【符号の説明】
1 負荷 2 電源 3 駆動信号源

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 負荷を駆動する出力用MOS電界効果ト
    ランジスタと、この出力用MOS電界効果トランジスタ
    に加わる電流の一部を検出電流として前記出力用MOS
    電界効果トランジスタのゲート電位に帰還する帰還用M
    OS電界効果トランジスタと、駆動信号を遮断する遮断
    用MOS電界効果トランジスタとを含むことを特徴とす
    る出力回路。
  2. 【請求項2】 ドレイン電極が負荷を介して高位電源端
    子に接続され、ゲート電極が入力保護用抵抗を介して駆
    動信号入力端子に接続され、ソース電極が低位電源端子
    に接続された出力用Nチャンネル型MOS電界効果トラ
    ンジスタと、 ドレイン電極が前記出力用Nチャンネル型MOS電界効
    果トランジスタのドレイン電極に接続され、ゲート電極
    が前記駆動信号入力端子に接続され、ソース電極が駆動
    信号遮断用抵抗を介して前記低位電源端子に接続された
    帰還用Nチャンネル型MOS電界効果トランジスタと、 ドレイン電極が前記出力用Nチャンネル型MOS電界効
    果トランジスタのゲート電極に接続され、ゲート電極が
    前記帰還用Nチャンネル型MOS電界効果トランジスタ
    のソース電極に接続され、ソース電極が前記低位電源端
    子に接続された駆動信号遮断用Nチャンネル型MOS電
    界効果トランジスタとを含むことを特徴とする出力回
    路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005123666A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Nec Electronics Corp 出力回路
CN106623587A (zh) * 2016-12-27 2017-05-10 安徽钜芯半导体科技有限公司 一种集成式框架类芯片产品切断测试装置

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Effective date: 19990518