JPH05267224A - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

Info

Publication number
JPH05267224A
JPH05267224A JP6291492A JP6291492A JPH05267224A JP H05267224 A JPH05267224 A JP H05267224A JP 6291492 A JP6291492 A JP 6291492A JP 6291492 A JP6291492 A JP 6291492A JP H05267224 A JPH05267224 A JP H05267224A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
vacuum chamber
pressure gauge
gauge
gauges
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6291492A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2826409B2 (ja
Inventor
Yasuo Miyazaki
康夫 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamaguchi Ltd
Original Assignee
NEC Yamaguchi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamaguchi Ltd filed Critical NEC Yamaguchi Ltd
Priority to JP4062914A priority Critical patent/JP2826409B2/ja
Publication of JPH05267224A publication Critical patent/JPH05267224A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2826409B2 publication Critical patent/JP2826409B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】真空室4の圧力を測定する圧力計の劣化をエッ
チングする前に検知し、エッチング異常を起さない。 【構成】真空室4に少くとも2つの圧力計8及び9を取
付け、一つの圧力計8は圧力値を設定圧力と比較し、圧
力調整器5を調節する圧力計として使用し、他の圧力計
9は圧力計8の圧力値のと比較して圧力計のいずれかが
劣化しているか否かを監視する圧力計として使用し、こ
の圧力計の劣化をいち早く発見し、エッチング異常を起
さないようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、反応性ガスを真空室に
導入し、一定の圧力で半導体基板をエッチングするドラ
イエッチング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のドライエッチング装置の一
例における構成を示す図である。従来のドライエッチン
グ装置は、図3に示すように半導体基板を収納する真空
室4と、この真空室4を排気する真空ポンプ7と、真空
になった真空室4に流入する反応性ガスの流量を制御す
るガス流量制御器1、2及び3と、真空室4の圧力を検
出する圧力計8と、この圧力計8の圧力と設定した圧力
と比較して圧力調整器5の開口を調整する圧力制御部6
及び装置制御部11とで構成されていた。
【0003】このドライエッチング装置の動作は、ま
ず、真空ポンプ7で真空室4を真空排気し、高真空状態
にする。次に、ガス流量制御器1,2,3より反応性ガ
スを導入する。そして圧力計8で真空室4の圧力を測定
し、設定された圧力値と比較しながら圧力調整器5を調
節して真空室4の圧力を一定に保つ。
【0004】次に、高周波を印加し、プラズマ状態をつ
くり、半導体基板をエッチングする。このように圧力計
8で測定した真空室4の圧力を装置制御部11に伝え、
設定した圧力になっているかどうかを判定していた。こ
のとき、もし圧力調整器5で圧力制御ができない場合
は、圧力計8で測定した圧力と設定された圧力が異なっ
ていることを装置制御部11で異常と検知するようにな
っていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来のドライエッ
チング装置では、一つの圧力計で測定した真空室の圧力
を圧力制御部に伝え、圧力調整器で真空室の圧力を一定
に保つとともに、装置制御部にも真空室の圧力を伝え、
設定された圧力になっているかどうかを判定していた。
しかしながら半導体基板上の薄膜をエッチングすること
により発生する反応生成物や、反応性ガスにより、圧力
計が汚染され劣化し易い。このため、しばしば真空室の
圧力が正確に測定できなくなることがある。また、この
場合には実際の圧力は異なった圧力を伝えるようにな
る。一方、圧力制御部や装置制御部は、圧力計の劣化を
検知する機能はなく、半導体基板のエッチングに異常を
発見することにより、初めて圧力計の異常が発見される
ことになる。さらに、この圧力計が劣化する時期には一
定としないので、交換時期を決めることが困難であっ
た。
【0006】本発明の目的は、圧力計の異常を速やかに
検知し、事前に処理出来るドライエッチング装置を提供
することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の第1のドライエ
ッチング装置は、半導体基板を収納する真空室と、この
真空室を真空排気する真空ポンプと、反応性ガスを前記
真空室に導入する流量を制御するガス流量制御器と、前
記真空室の圧力を測定する少くとも2つの圧力計と、前
記真空室から前記反応性ガスを排気する流量を調節する
圧力調整器とを備え、前記2つの圧力計の1つを前記圧
力調整器を制御するために使用し、残りの圧力計を前記
圧力計の監視用に使用することを特徴としている。
【0008】また、第2のドライエッチング装置は、前
記2つの圧力計とは別に圧力計をバルブを介して前記真
空室に取付けることを特徴としている。
【0009】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。図1は、本発明のドライエッチング装置の一実施例
における構成を示す図である。このドライエッチング装
置は、図1に示すように、真空室4の圧力を検出する圧
力計8以外に圧力計8の圧力値が正しいか否かを監視す
る圧力計9を設けたことである。それ以外は従来例と同
じである。
【0010】次に、このドライエッチング装置の動作を
説明する。まず、従来例で説明したと同じように、真空
室4を真空排気した後に、それぞれ制御された反応性ガ
スを導入し、装置制御部11で設定された圧力と圧力計
8で測定した圧力を圧力制御部6で比較し、圧力調整器
5で真空室4の圧力を一定に保つ。また、圧力計9で真
空室4の圧力を装置制御部11に伝え、設定された圧力
になっているかどうかを判定する。もし、ここで圧力計
8が劣化した場合は、実際の圧力とは、異なった圧力に
真空室4の圧力が制御されるため、圧力計9から装置制
御部11に伝えられる圧力は、設定された圧力とは、異
なった圧力になるので、装置制御部11で異常が検知で
きる。また、圧力計9が劣化した場合は、真空室4の圧
力は、装置制御部11で設定された圧力に制御されてい
るが、装置制御部11に伝えられる圧力は、実際の圧力
とは、異なっているので、異常が検知できる。このよう
に同種の圧力計を少くとも2個取付け、比較して圧力値
に差があれば、ただちにいずれかの圧力計が異常である
ことが発見出来る。
【0011】図2は本発明のドライエッチング装置の他
の実施例における構成を示す図である。このドライエッ
チング装置は、図2に示すように、二つの圧力計8及び
9以外に圧力計10を追加して設け、この圧力計10を
真空室4にバルブ12を介して取付けたことである。
【0012】次に、このドライエッチング装置の動作に
ついて説明する。まずは反応ガスを真空室4に導入し、
装置制御部11で設定された圧力と圧力計8で測定した
圧力を圧力制御部6で比較し、圧力調整器5で真空室4
の圧力を一定に保つ。また、圧力計で真空室4の圧力を
装置制御部11に伝え、設定された圧力になっているか
どうかを判定する。さらに圧力計10は、反応性ガスを
真空室4に導入している時は、バルブ12を閉じ、導入
していない時は開けるようにし、反応性ガスや反応生成
物により劣化しないようにしておくことである。このこ
とは前述の実施例では圧力計が劣化した場合に、圧力計
8と圧力計9のどちらが劣化したかの判定ができなかっ
たが、圧力計10を基準にすることにより、判定ができ
るという利点がある。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、真空室の
圧力を監視するための圧力計と真空室の圧力を圧力制御
部に伝え、圧力調整器を動作させ圧力を制御するための
圧力計とを設け、2つの圧力計の測定した圧力を比較す
ることにより、いずれかの圧力計が劣化したことを検知
できるとともに半導体基板が異常にエッチングされる前
に交換し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のドライエッチング装置の一実施例にお
ける構成を示す図である。
【図2】本発明のドライエッチング装置の他の実施例に
おける構成を示す図である。
【図3】従来のドライエッチング装置の一例における構
成を示す図である。
【符号の説明】
1,2,3 ガス流量制御器 5 圧力調整器 6 圧力制御部 7 真空ポンプ 8,9,10 圧力計 11 装置制御部 12 バルブ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板を収納する真空室と、この真
    空室を真空排気する真空ポンプと、反応性ガスを前記真
    空室に導入する流量を制御するガス流量制御器と、前記
    真空室の圧力を測定する少くとも2つの圧力計と、前記
    真空室から前記反応性ガスを排気する流量を調節する圧
    力調整器とを備え、前記2つの圧力計の1つを前記圧力
    調整器を制御するために使用し、残りの圧力計を前記圧
    力計の監視用に使用することを特徴とするドライエッチ
    ング装置。
  2. 【請求項2】 前記2つの圧力計とは別に圧力計をバル
    ブを介して前記真空室に取付けることを特徴とする請求
    項1記載のドライエッチング装置。
JP4062914A 1992-03-19 1992-03-19 ドライエッチング装置 Expired - Fee Related JP2826409B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4062914A JP2826409B2 (ja) 1992-03-19 1992-03-19 ドライエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4062914A JP2826409B2 (ja) 1992-03-19 1992-03-19 ドライエッチング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05267224A true JPH05267224A (ja) 1993-10-15
JP2826409B2 JP2826409B2 (ja) 1998-11-18

Family

ID=13214002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4062914A Expired - Fee Related JP2826409B2 (ja) 1992-03-19 1992-03-19 ドライエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2826409B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100467813B1 (ko) * 2002-05-02 2005-01-24 동부아남반도체 주식회사 포토레지스트 미제거 경고 장치 및 이를 사용한 반도체소자의 제조방법
US7553773B2 (en) * 1999-12-14 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Pressure control method and processing device
JP2017167102A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 東京エレクトロン株式会社 圧力測定装置及びこれを用いた排気システム、並びに基板処理装置
WO2020066701A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2020148473A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法及び基板処理システム

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2902027B1 (fr) * 2006-06-08 2008-12-05 Sidel Participations Machine de traitement de recipients par plasma, comprenant un circuit de vide embarque

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6091642A (ja) * 1983-10-25 1985-05-23 Toshiba Corp 半導体製造用真空装置
JPS61220332A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Hitachi Ltd エッチング終点判定方法
JPS62169416A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Hitachi Ltd 真空装置の圧力制御方法および装置
JPS6368790A (ja) * 1986-09-10 1988-03-28 Hitachi Ltd 真空排気装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6091642A (ja) * 1983-10-25 1985-05-23 Toshiba Corp 半導体製造用真空装置
JPS61220332A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Hitachi Ltd エッチング終点判定方法
JPS62169416A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Hitachi Ltd 真空装置の圧力制御方法および装置
JPS6368790A (ja) * 1986-09-10 1988-03-28 Hitachi Ltd 真空排気装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7553773B2 (en) * 1999-12-14 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Pressure control method and processing device
KR100467813B1 (ko) * 2002-05-02 2005-01-24 동부아남반도체 주식회사 포토레지스트 미제거 경고 장치 및 이를 사용한 반도체소자의 제조방법
JP2017167102A (ja) * 2016-03-18 2017-09-21 東京エレクトロン株式会社 圧力測定装置及びこれを用いた排気システム、並びに基板処理装置
CN107202665A (zh) * 2016-03-18 2017-09-26 东京毅力科创株式会社 压力测定装置、排气系统以及基板处理装置
KR20170108858A (ko) * 2016-03-18 2017-09-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 압력 측정 장치 및 이것을 사용한 배기 시스템, 및 기판 처리 장치
CN107202665B (zh) * 2016-03-18 2020-11-10 东京毅力科创株式会社 压力测定装置、排气系统以及基板处理装置
WO2020066701A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JPWO2020066701A1 (ja) * 2018-09-26 2021-09-09 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP2020148473A (ja) * 2019-03-11 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 複数のチャンバ圧力センサを校正する方法及び基板処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2826409B2 (ja) 1998-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080067146A1 (en) Plasma processing apparatus, method for detecting abnormality of plasma processing apparatus and plasma processing method
US5394755A (en) Flow quantity test system for mass flow controller
US7253107B2 (en) Pressure control system
US7194821B2 (en) Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
KR100745372B1 (ko) 반도체 제조설비의 개스플로우량 감시장치 및 그 방법
US7155319B2 (en) Closed loop control on liquid delivery system ECP slim cell
JP4335085B2 (ja) 真空圧力制御システム
US7592569B2 (en) Substrate processing apparatus, pressure control method for substrate processing apparatus and recording medium having program recorded therein
US7658200B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and control method thereof
TW202146856A (zh) 氣體檢查方法、基板處理方法及基板處理系統
JPH05267224A (ja) ドライエッチング装置
US20190139796A1 (en) Monitoring apparatus and semiconductor manufacturing apparatus including the same
US6117348A (en) Real time monitoring of plasma etching process
JPH08134649A (ja) 半導体製造装置の圧力制御方法及び圧力制御装置
JPH11353032A (ja) 冷却ガスの漏洩検出機構および検出方法
JPH02276243A (ja) プラズマエッチング装置
JP2002303295A (ja) 排気能力監視方法、真空処理方法及び装置
JP2003257878A (ja) 半導体製造装置およびそれを利用した半導体装置の製造方法
JP4511236B2 (ja) 半導体製造装置および測定ずれ検出方法
KR200269069Y1 (ko) 플라즈마 식각 장비의 냉각 가스 공급장치
JP2000181548A (ja) 真空処理装置及びその圧力制御方法
KR100968563B1 (ko) 플라즈마 식각 장치의 자동 압력 조절 방법
KR20010045942A (ko) 반도체 제조 설비의 배기 압력 제어 장치
KR100212714B1 (ko) 배기압 제어 시스템
KR20220128281A (ko) 처리 장치 및 가스 공급 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980818

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080911

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080911

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090911

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees