JPH05266977A

JPH05266977A - 高周波加熱装置

Info

Publication number: JPH05266977A
Application number: JP22153192A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Takimoto; 等滝本; Koji Murakami; 浩二村上; Tatsuya Nakagawa; 達也中川
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba AVE Co Ltd
Priority date: 1992-01-23
Filing date: 1992-08-20
Publication date: 1993-10-15
Also published as: KR100234815B1

Abstract

(57)【要約】【目的】容器に収容される液体の被加熱物に対する加
熱、例えば酒のかん、牛乳の暖めなどにおいて、被加熱
物への加熱を均一化する。【構成】マグネトロン２１から発生するマイクロ波を
加熱室１５の底面２７に設けた照射口３１から照射し、
照射口３１上に設置したとっくり３２内の液体に対して
加熱を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、加熱室内に収容され
た被加熱物に対し、マイクロ波を照射して誘電加熱を行
う高周波加熱装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の高周波加熱装置において、
被加熱物を均一に加熱する手段として、加熱室内の定在
波と被加熱物との位置関係を絶えず変化させて電界分布
を均一にする方式が行なわれている。具体的な方式とし
て、天井に設けた金属ファンを回転させて、マイクロ波
を攪乱するスタラファン方式、被加熱物を回転させなが
ら加熱するターンテーブル方式、電波の放射体であるア
ンテナを回転する回転アンテナ方式等がある。

【０００３】図２７はターンテーブル方式を例とした高
周波加熱装置を示す。この高周波加熱装置は、加熱室１
の側壁３にマイクロ波発生用のマグネトロン５が設けら
れ、マグネトロン５から発生したマイクロ波は導波管７
を通って側壁３上部の照射口９から加熱室１内に照射さ
れる。照射されたマイクロ波は回転するターンテーブル
１１に載置された被加熱物１３に達して被加熱物１３を
加熱する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
従来の高周波加熱装置は、被加熱物１３をターンテーブ
ル１１とともに回転させることで、上方から放射される
マイクロ波を被加熱物１３に対して、均一に照射して加
熱状態を均一化しようとするものであり、固体，半固体
の被加熱物１３に対してはほぼ満足する均一性能が得ら
れる。しかし、被加熱物１３が容器内に満たされた液体
の場合には、熱対流が加味されて上部と底部とで温度差
が大きくなり、加熱むらが発生する。このため、例えば
図２８に示すようなとっくりによる酒のかんや牛乳のあ
たため等ではその差が特に顕著になる。これは、ターン
テーブル方式に限らず、スタラファン方式、回転アンテ
ナ方式でもマイクロ波照射口が上部にあるため、同様で
ある。

【０００５】図２９は、とっくり内に水を入れ、図２８
に示すような〜に示す４点の温度測定点を設けて誘
電加熱中の温度上昇を示した図である。これによれば、
液体上部の昇温速度が底部に比べて速く、その温度差が
大きくなっている。例えば、４０℃が酒のかんの適温と
して評価すると、全体が４０℃を越えた時点での温度差
が１５℃強となっており、この時点でとっくり内の酒を
小わけにした場合、一部は適温だが一部は熱いという結
果になる。

【０００６】このように、従来の高周波加熱装置による
液体加熱では、液体負荷に顕著な温度差が発生するとい
う問題が生じていた。

【０００７】そこで、この発明は液体負荷でも均一に加
熱できる高周波加熱装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
にこの発明は、加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近に設けてなるもの
である。

【０００９】また、この発明は、前記マイクロ波を加熱
室に照射するための加熱室に開口する照射口を加熱室の
底部付近と、加熱室上部とにそれぞれ設け、これらの各
照射口に導波管の一端をそれぞれ接続し、この各導波管
の他端は相互に合流してマグネトロンに接続し、前記各
導波管相互の合流部にマグネトロンから発生するマイク
ロ波を前記２つの照射口いずれか一方に伝播させる切換
手段を設けた構成としてもよい。

【００１０】さらに、この発明は、マイクロ波を加熱室
内に照射するための加熱室の底部に設けた照射口と、こ
の照射口上に設けられ前記マイクロ波を透過可能なター
ンテーブルと、このターンテーブル上に載置した被加熱
物を検出する被加熱物検出手段と、この被加熱物検出手
段の検出信号に基づき、前記ターンテーブルを回転させ
て被加熱物を前記照射口上に移動させる制御手段とを有
する構成としてもよい。

【００１１】

【作用】上記構成によれば、加熱室内の照射口付近の底
部に被加熱物を載置し、この状態でマイクロ波が照射口
から照射されると、被加熱物はその底部付近から加熱さ
れる。このとき、被加熱物が容器に満たされた液体の場
合は、内部の液体に熱対流が発生し、被加熱液体が全体
的に均一加熱される。

【００１２】また、マグネトロンから発生するマイクロ
波は、切換手段により加熱室底部の照射口と上部の照射
口とのいずれか一方に伝播し、加熱室内に照射される。
前記切換手段は被加熱物に応じて適宜伝播方向を切換え
る。例えば加熱室底部からのマイクロ波は液体加熱に使
用する。

【００１３】さらに、ターンテーブル上の被加熱物に対
する被加熱物検出手段の検出動作に基づき、被加熱物が
照射口上に位置するようターンテーブルが回転して停止
し、この停止状態でターンテーブルの下部に設けた照射
口からマイクロ波が照射される。このとき、被加熱物が
容器に満たされた液体の場合は、内部の液体に熱対流が
発生し、被加熱液体が全体的に均一加熱される。

【００１４】

【実施例】以下、この発明の実施例を図面に基づき説明
する。

【００１５】図１は、この発明の第１の実施例を示し、
高周波加熱装置としての電子レンジの図示しないターン
テーブルを取り外した状態の内部構造図である。

【００１６】この電子レンジは加熱室１５の側壁１７外
部に、マイクロ波を発生する２つのマグネトロン１９，
２１が設けられている。上部のマグネトロン１９には、
側壁１７に沿って導波管２３が接続され、導波管２３の
上端に形成されたマイクロ波の照射口２５が側壁１７の
上部に位置して加熱室１５に開口している。この照射口
２５から加熱室１５に照射されたマイクロ波は、セット
したターンテーブル上に載置した固体や半固体の被加熱
物を加熱するために用いられる。一方、下部のマグネト
ロン２１には、加熱室１５の底面２７に沿って導波管２
９が接続され、導波管２９の先端に形成された照射口３
１が底面２７のほぼ中央付近に位置して加熱室１５に開
口している。この照射口３１から加熱室１５に放射され
たマイクロ波は照射口３１上に設けたとっくり３２など
の液体容器内の被加熱物を加熱するために用いられる。

【００１７】図２は前記液体加熱専用の照射口３１近傍
の拡大された断面図である。固体や半固体を加熱するた
めには、ＲＴモータ３３の軸３５に図示しないターンテ
ーブルを取付ける。液体の被加熱物を加熱する際には、
ターンテーブルを取り外し図２に示すように照射口３１
上にマイクロ波を透過する耐水性の絶縁板３７を設置
し、絶縁板３７の上に被加熱物である酒を収容したとっ
くり３２を載置する。

【００１８】液体加熱を行う場合、図２の状態で図示し
ない表示パネル上の液体負荷加熱キーを押す。この時、
マグネトロン１９からの、マイクロ波発振は行われず、
マグネトロン２１のみからマイクロ波が発振される。こ
れにより、とっくり３２の底部でのマイクロ波の吸収が
促進され、とっくり３２の内部では底部からの熱対流が
発生し液体負荷全体が均一に加熱される。図３は、第１
の実施例において図２８に示すとっくり内の〜の各
測定点における温度変化を示したものである。各部とも
同等な速度で昇温し且つ、均一に加熱されていることが
確認できる。

【００１９】図４はこの発明の第２の実施例を示す。こ
の実施例は、液体加熱専用のマグネトロン２１の導波管
４１の照射口４３が加熱室１５の側壁１７の下方に設け
られている。この場合は、液体の被加熱物が収納された
とっくり３２をその底部付近の照射口４３に密着させた
状態で加熱室１５内に設置し、マグネトロン２１から発
生したマイクロ波により加熱する。これにより第１の実
施例と同様にとっくり３２内部の底部付近からの熱対流
が発生し、均一加熱が可能となる。

【００２０】図５はこの発明の第３の実施例を示す。こ
の実施例は、固体及び半固体用のマグネトロンと液体用
のマグネトロンとを一つのマグネトロン４５で、兼用す
るようにしたものである。マグネトロン４５に接続され
る導波管４７の先端には、マグネトロン４５の伝播方向
を、上方に向けて接続される導波管４９側と、下方に向
けて接続される導波管５１側とに切り換える切換手段と
しての切り換え装置５３が設けられている。

【００２１】上方の導波管４９の先端には固体・半固体
を加熱するためのマイクロ波が照射される照射口５５が
形成され、この照射口５５は側壁１７の上部に位置して
加熱室１５に開口している。下方の導波管５１は加熱室
１５の下部の導波管５７に接続され、この導波管５７の
先端に形成された照射口５９は加熱室１５の底面２７の
ほぼ中央に位置して加熱室１５に開口している。

【００２２】以上のような構成の高周波加熱装置におい
て、液体加熱を行う場合は、図示しない表示パネル上の
液体負荷加熱キーを押すことによって、マイクロ波発振
が下方の導波管５１に伝播するように切り換わり、これ
により、マグネトロン４５から発振したマイクロ波は導
波管４７から切り換え装置５３を経て導波管５１，５７
に伝播し照射口５９から加熱室１５内に照射される。こ
のとき、照射口５９上に設置したとっくり３２は底部か
らマイクロ波の照射を受け、とっくり３２の内部では底
部からの熱対流が発生し液体負荷全体が均一に加熱され
る。

【００２３】一方、被加熱物が固体や半固体の場合に
は、切り換え装置５３が上方の導波管４９に伝播するよ
うに切り換わり、発生したマイクロ波は上方の導波管４
９を経て照射口５５から加熱室１５に照射され、図示し
ないターンテーブル上の被加熱物を加熱する。

【００２４】このように、液体負荷、非液体負荷のいず
れを加熱する場合にも、一つのマグネトロン４５で対応
できるので、図示しないマグネトロン駆動電源、マグネ
トロン冷却装置等を収容する機械室の省容積化が可能と
なり、第１の実施例のものに比べ小型・軽量化が図れ
る。

【００２５】図６および図７はこの発明の第４の実施例
を示す。この実施例は、ターンテーブル１１を取り外す
ことなく、ターンテーブル１１上にとっくり３２を設置
した状態で、とっくり３２内の液体に対し、均一加熱を
可能にしたものである。

【００２６】この実施例は、ターンテーブル１１を上下
に移動させる機構を設け、液体加熱の際にターンテーブ
ル１１を下降させることによって、照射口３１と被加熱
物との距離を短くし、効率よく液体加熱を行うようにし
ている。尚、この実施例ではマグネトロン１９，２１，
導波管２３，２９，照射口２５，３１などは、前記図１
の第１の実施例と同様である。

【００２７】ここで、とっくり３２底部でのマイクロ波
吸収を促進するためには、液体加熱専用の照射口３１か
らとっくり３２底部までの距離が問題となる。

【００２８】図１０〜図１３に、とっくり３２底部と液
体加熱専用の照射口３１との垂直方向距離を９ｍｍ，１
８ｍｍ，２４ｍｍ，３０ｍｍと順次大きくしたときのと
っくり３２内の温度分布を示す。図１０，図１１が示す
ように、とっくり３２底部と液体加熱専用照射口３１の
垂直方向距離が１８ｍｍで、周波数２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波の波長の場合、約１／８波長の距離までは、液
体加熱専用照射口３１に直接設置した場合と略同等の効
果が得られる。しかし、図１２，図１３が示すように、
距離を２４ｍｍ以上にすると、１／８波長の距離でも顕
著な温度差が発生し、加熱むらが生じる。

【００２９】このため、前記ターンテーブル１１を上下
に移動させるための機構は、図７に示すようなものとし
て、とっくり３２底部と照射口３１との距離を１８ｍｍ
以下となるようにしている。この機構は、ターンテーブ
ル１１をターンテーブル支え６１とともに回転させるＲ
Ｔモータ３３の下部に設けられ、ＲＴモータ３３をター
ンテーブル１１とともに昇降させるカム６３と、カム６
３を回転させるモータ６５とにより構成される。ＲＴモ
ータ３３の軸３５の周囲には、周方向等間隔に３つの突
起６７が設けられ、この３つの突起６７に対応してター
ンテーブル支え６１には図８に示すように、３つの開口
部６９が形成されている。また、図９に示すように、軸
３５の上端には切欠７１が形成され、この切欠７１がタ
ーンテーブル１１に係合して取付けられた状態で、３つ
の突起６７と３つの開口６９中心との相対的な位置関係
が常に同じになるようになっている。

【００３０】軸３５の側方には突起６７を検出するセン
サ７３が設置され、センサ７３がいずれかの突起６７を
検出したとき、いずれかの開口部６９が照射口３１に整
合するようになっている。センサ７３の検出信号はモー
タの制御回路７５に入力され、センサ７３が突起６７を
検出したときモータの制御回路７５はＲＴモータ３３の
回転を停止させる。

【００３１】ターンテーブル１１を回転させた状態で行
う加熱では、加熱終了直前にセンサ７３がいずれかの突
起６７を検出しその時点でターンテーブル１１の回転を
止め、照射口３１といずれかの開口部６９とを整合させ
て、液体加熱に備える。液体加熱を行う際に、被加熱物
を所定の位置に載置しやすいように加熱室１５の天井部
分には照射口３１に向けてスポット状の光を照射する投
光器７７が設けられている。

【００３２】以上のような構成のもとで、液体負荷に対
する加熱を説明する。

【００３３】投光器７７から照射されたスポット光によ
り指示された負荷設置領域に図示しないとっくりを設置
した後、図示しない表示パネル上の液体負荷専用の加熱
キーを押す。この液体加熱専用照射口３１からとっくり
３２の底部までの距離が、前述した１８ｍｍ以内で、照
射マイクロ波の波長で１／８波長以内になるようにカム
６３を回転させ、ターンテーブル１１を下げる。その
後、液体加熱専用照射口３１のみから照射されたマイク
ロ波は、照射口３１と整合しているターンテーブル支え
６１の開口部６９からターンテーブル１１を透過してと
っくり３２の底部に吸収される。このとき、液体加熱専
用照射口３１上に常にターンテーブル支え６１の開口部
６９があるため、マイクロ波がターンテーブル支え６１
によって反射されることはない。

【００３４】図１４〜図１６はこの発明の第５の実施例
を示す。この実施例は、前記第４の実施例に対し、ター
ンテーブル１１を下げる操作なしに、液体加熱専用照射
口３１からのマイクロ波を効率的にとっくり３２底部に
照射させるようにしたものである。この実施例は図１５
に示すように、ターンテーブル支え６１の１つの開口部
６９の下部に円筒形状の金属７９を取り付け、この円筒
金属７９を設けた開口部６９に対応してＲＴモータ軸３
５の周囲に１つの突起６７を形成してある。また、導波
管２９の照射口３１上には金属７９と同径の円筒管８１
を形成してある。突起６７を検出するセンサ７３の検出
信号は、モータの制御回路７５に入力され、モータの制
御回路７５はセンサ７３が突起６７を検出した時点で、
液体加熱専用照射口３１上に常にターンテーブル支え６
１中の円筒状金属７９が位置するようにＲＴモータ３３
の回転を制御する。

【００３５】このような構成の高周波加熱装置によれ
ば、投光器７７から照射されたスポット光により指示さ
れた負荷設置領域に図示しないとっくりを設置した後、
図示しない表示パネル上の液体負荷専用加熱キーを押す
と、導波管２９を経て液体加熱専用照射口３１から円筒
状をした金属７９内をマイクロ波が伝播して図示しない
とっくりの底部に吸収されるマイクロ波の吸収が促進さ
れる。この場合、金属７９内をマイクロ波が閉じ込めら
れるので、とっくり底部でのマイクロ波の吸収が効率的
になされる。また、ターンテーブル１１を上下させる機
構がないので第４の実施例に比べて機構が簡素化され
る。

【００３６】図１７〜図２５はこの発明の第６の実施例
を示す。この実施例は、前記図６に示した第４の実施例
と同様に、ターンテーブル１１を取り外すことなく、と
っくり３２内の液体に対して均一加熱が可能で、しかも
とっくり３２をターンテーブル１１上における照射口３
１上にあえて載置しなくても、とっくり３２を検出して
照射口３１まで移動させるべくターンテーブル１１を回
転させるようにしたものである。ここでのターンテーブ
ル１１およびターンテーブル支え６１は、マイクロ波を
透過可能な材料で構成してある。

【００３７】この場合の下部のマグネトロン２１は、側
壁１７における電子レンジ本体の前面近傍に配置され、
これとともに下部側の導波管２９も前面側に沿って設け
られ、その照射口３１はターンテーブル１１の回転中心
となる軸３５近傍からターンテーブル１１の外周縁部付
近まで半径方向に沿って延長される長方形状を呈してい
る。

【００３８】図１８は、図１７の照射口３１近傍におけ
るＡ−Ａ線に沿う拡大された断面及び制御回路構成を示
す説明図である。ターンテーブル１１がターンテーブル
支え６１とともに取付けられる軸３５は、ＲＴモータ３
３によって回転駆動され、ＲＴモータ３３は制御手段と
してのモータ制御回路８１によって回転制御される。モ
ータ制御回路８１は、図示しない表示パネル上の固体あ
るいは半固体の被加熱物用の加熱キーが押されること
で、上部側の照射口２５からのマイクロ波照射による加
熱中にＲＴモータ３３を回転させる制御を行うほか、
「酒のかん」や「牛乳のあたため」などの液体負荷加熱
キーが押されることで、ターンテーブル１１上に載置さ
れた液体負荷となるとっくり３２の載置位置を検出する
被加熱物検出手段としての光学センサ８５の検出信号の
入力を受けて、とっくり３２を照射口３１上まで移動さ
せるべくＲＴモータ３３を回転させる制御を行う。照射
口３１からの加熱室１５内へのマイクロ波の照射は、と
っくり３２が照射口３１上まで移動し停止した状態で行
われる。

【００３９】図１９は、光学センサ８５の配置例を示す
平面図で、光学センサ８５を透過型としたものである。
この透過型の光学センサ８５は、近赤外線領域に放射強
度のピークを有するＬＥＤ８７と、可視光線領域から近
赤外線領域に波長感度のピークを有するフォトトランジ
スタ８９とから構成され、これらは照射口３１の長手方
向に対して光軸がほぼ直角となるよう加熱室１５の左右
両側壁９０の外部に相互に対向するよう配置されてい
る。左右両側壁９０には、ＬＥＤ８７からの光が通過す
る孔９０ａが形成されている。

【００４０】透過型光学センサ８５の回路図を図２０に
示す。同図（ａ）は発光側で、駆動電流が供給されるト
ランジスタ９１および抵抗９２を有する。同図（ｂ）は
受光側で、フォトトランジスタ８９により発生する電流
による信号を反転して出力するノット回路９３および抵
抗９５，９７，コンデンサ９９を有する。この場合、Ｌ
ＥＤ８７から発せられた光がフォトトランジスタ８９に
到達する前に、被加熱物により遮られた場合と、遮られ
ない場合とで、増幅器９９からの出力が異なることを利
用して、ＬＥＤ８７とフォトトランジスタ８９とを結ぶ
光軸上に被加熱物が有るか無いかを検出できる。ＬＥＤ
８７に対しては、数１０〜数１００μsec の期間（ここ
では１５０μsec ）だけ電流を流し発光させ、発光する
周期は数１００Ｈｚ以下の遅い周期で用いるのがよい。
ＬＥＤ８７に流す電流量は、加熱室１５の大きさによる
が、数１００ｍＡが適当である。

【００４１】図２１は、ＬＥＤ８７とフォトトランジス
タ８９とを結ぶ光軸が、照射口３１の長手方向に対して
傾斜するように設けた例である。

【００４２】図２２は、光学センサ８５を反射型とした
場合の光学センサ８５の配置例を示す平面図である。こ
の反射型の光学センサ８５は、透過型のものと同様に、
近赤外線領域に放射強度のピークを有するＬＥＤ１０１
と、可視光線領域から近赤外線領域に波長感度のピーク
を有するフォトトランジスタ１０３とから構成され、こ
れらは発光面と受光面とが同じ向きとなるよう同一の樹
脂ケース１０５に相互に並列配置され収納された状態
で、加熱室１５の後面側の壁１０７の外部に設置されて
いる。

【００４３】図２３は、反射型光学センサ８５の設置例
の詳細を示している。樹脂ケース１０５に収納されたＬ
ＥＤ１０１およびフォトトランジスタ１０３は、回路基
板１０９に実装されており、加熱室１５の壁１０７に設
けた孔１０７ａとＬＥＤ１０１の光軸とが整合し、かつ
加熱室１５の壁１０７に設けた孔１０７ｂとフォトトラ
ンジスタ１０３の光軸とが整合するよう設置されてい
る。

【００４４】反射型光学センサ８５の回路図を図２４に
示す。同図（ａ）は発光側で、電流が供給されるトラン
ジスタ１１１および抵抗１１３を有する。同図（ｂ）は
受光側で、抵抗１１５，１１７およびコンデンサ１１
９，１２１を有する。この場合、ＬＥＤ１０１から発せ
られた光が、被加熱物の表面で反射してフォトトランジ
スタ１０３に到達した場合と、到達しなかった場合とで
図２４（ｂ）の回路の出力が異なることを利用して、Ｌ
ＥＤ１０１の光軸とフォトトランジスタ１０３の光軸と
に挟まれた領域の近傍に被加熱物が有るか無いかを検出
できる。ＬＥＤ１０１に流す電流の期間（ここでは３０
０μsec ），電流量及び発光周期は、透過型とほぼ同様
である。

【００４５】以上のような構成の高周波加熱装置におい
て、とっくり３２を、例えば図２５（ａ）のように、照
射口３１に対しターンテーブル１１の回転方向（矢印Ｂ
方向）後方側に４５度ずれた位置に載置し、液体加熱を
行う場合には、載置後、図示しない表示パネル上の液体
負荷加熱キーを押す。このキー操作により光学センサ８
５が作動するとともに、モータ制御回路８３はこの光学
センサ８５の検出出力に基づいてＲＴモータ３３を動作
させ、ターンテーブル１１を矢印Ｂ方向に回転させる。
ターンテーブル１１の回転により、とっくり３２が図２
５（ｂ）のように照射口３１上に位置すると、光学セン
サ８５の出力が増大する。更に、回転を続行し、とっく
り３２が図２５（ｃ）のように光学センサ８５に対して
最も近い位置になると、光学センサ８５の出力が最も大
きくなる。このようにターンテーブル１１を１周回すこ
とにより、図２５（ｄ）に示す光学センサ８５の出力パ
ターンが得られる。したがって、２個の極大値と回転角
との関係が分かるので、引き続きターンテーブル１１を
回転させ、光学センサ８５で小さい分の極大値付近の出
力が得られる位置に制御回路８３はＲＴモータ３３を停
止させる。この状態でマグネトロン２１からマイクロ波
が発振される。このとき、上部側のマグネトロン１９か
らはマイクロ波の発振は行われない。

【００４６】マグネトロン２１から発振されたマイクロ
波は、導波管２９を経て照射口３１から、とっくり３２
の底部に向けて照射される。これにより、とっくり３２
底部でのマイクロ波の吸収が促進され、とっくり３２の
内部では底部からの熱対流が発生し、液体負荷全体が均
一に加熱される。この結果、図２８に示すとっくりの各
測定点での温度分布は、前記図１１と同様の結果が得ら
れ、ほぼ均一化する。とっくり３２を載置する位置は、
ターンテーブル１１の回転軌跡上に照射口３１が存在す
る位置であればどこであっても、光学センサ８５の検出
出力によってとっくり３２を照射口３１上に移動させる
ことができる。これにより、使用者はとっくり３２をタ
ーンテーブル１１上の特定位置に載置する必要がなく、
操作性が向上する。

【００４７】図２６は、この発明の第７の実施例を示し
ている。この実施例は、図１７の第６の実施例に対し、
図５の第３の実施例のように、固体及び半固体用のマグ
ネトロンと液体用のマグネトロンとを一つのマグネトロ
ン４５で兼用する構成を付加したものである。

【００４８】尚、この実施例及び前記図５の第３の実施
例に示したマグネトロンを一つにする技術は、前記図
４，図６及び図１４に示した第２，第４及び第５の各実
施例にも適用可能である。

【００４９】

【発明の効果】以上説明してきたようにこの発明によれ
ば、加熱室の底部付近に設けた照射口からマイクロ波を
加熱室に設けて照射するようにしたため、照射口付近の
加熱室内に収容した液体の被加熱物は、底部付近からの
熱対流によって均一に加熱することができる。

【００５０】また、マイクロ波の伝播方向を切換える切
換手段を設けることで、液体負荷、非液体負荷のいずれ
を加熱する場合にも、一つのマグネトロンで対応できる
ので、液体、非液体についてそれぞれマグネトロンを設
ける場合に比べてマグネトロン駆動電源、マグネトロン
冷却装置等を収容する機械室の省容積化が可能となり、
小型・軽量化が図れる。

【００５１】さらに、ターンテーブル上に載置した被加
熱物を検出する被加熱物検出手段の検出信号に基づき、
ターンテーブルを回転させて被加熱物を照射口上に移動
させるようにしたため、液体の被加熱物をターンテーブ
ル上の特定位置に載置することなく、加熱室底部の照射
口からのマイクロ波により、底部付近からの熱対流によ
って均一に加熱することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。

【図２】図１の要部の拡大された断面図である。

【図３】図１の高周波加熱装置によるとっくり内各部の
温度特性図である。

【図４】この発明の第２の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。

【図５】この発明の第３の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。

【図６】この発明の第４の実施例を示す高周波加熱装置
の内部構造図である。

【図７】図６の要部の拡大された断面図である。

【図８】図６の装置に使用されるターンテーブル支えの
斜視図である。

【図９】図７の装置に使用されるモータの上面図であ
る。

【図１０】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が９ｍｍとした場合の被加熱物の各部の温度特性図であ
る。

【図１１】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が１８ｍｍとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。

【図１２】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が２４ｍｍとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。

【図１３】マイクロ波照射口とターンテーブルとの距離
が３０ｍｍとした場合の被加熱物の各部の温度特性図で
ある。

【図１４】この発明の第５の実施例を示す高周波加熱装
置の内部構造図である。

【図１５】図１４の要部の拡大された断面図である。

【図１６】図１４の装置に使用されるターンテーブル支
えの斜視図である。

【図１７】この発明の第６の実施例を示す高周波加熱装
置の内部構造図である。

【図１８】図１７の要部の拡大された断面図である。

【図１９】図１７の高周波加熱装置における透過型光学
センサの設置例を示す平面図である。

【図２０】図１７の高周波加熱装置における透過型光学
センサの回路図である。

【図２１】図１７の高周波加熱装置における光学センサ
の他の設置例を示す平面図である。

【図２２】図１７の高周波加熱装置における反射型光学
センサの設置例を示す平面図である。

【図２３】反射型光学センサの設置例を示す詳細図であ
る。

【図２４】図１７の高周波加熱装置における反射型光学
センサの回路図である。

【図２５】図１７の高周波加熱装置における動作説明図
である。

【図２６】この発明の第７の実施例を示す高周波加熱装
置の内部構造図である。

【図２７】従来の高周波加熱装置を示す内部構造図であ
る。

【図２８】とっくり内液体の温度測定部を示す説明図で
ある。

【図２９】従来の高周波加熱装置によるとっくり内各部
の温度特性図である。

【符号の説明】

１１ターンテーブル１５加熱室３１，４３，５９照射口３２とっくり（被加熱物）４５マグネトロン４９，５１導波管５３切り換え装置（切換手段）８３モータ制御回路（制御手段）８５光学センサ（被加熱物検出手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中川達也東京都港区新橋３丁目３番９号東芝エー・ブイ・イー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近に設けたことを特
徴とする高周波加熱装置。
【請求項２】加熱室内にマイクロ波を照射して加熱室
内に収容された被加熱物を加熱する高周波加熱装置にお
いて、前記マイクロ波を加熱室に照射するための加熱室
に開口する照射口を加熱室の底部付近と、加熱室上部と
にそれぞれ設け、これらの各照射口に導波管の一端をそ
れぞれ接続し、この各導波管の他端は相互に合流してマ
グネトロンに接続し、前記各導波管相互の合流部にマグ
ネトロンから発生するマイクロ波を前記２つの照射口い
ずれか一方に伝播させる切換手段を設けたことを特徴と
する高周波加熱装置。
【請求項３】マイクロ波を加熱室内に照射するための
加熱室の底部に設けた照射口と、この照射口上に設けら
れ前記マイクロ波を透過可能なターンテーブルと、この
ターンテーブル上に載置した被加熱物を検出する被加熱
物検出手段と、この被加熱物検出手段の検出信号に基づ
き、前記ターンテーブルを回転させて被加熱物を前記照
射口上に移動させる制御手段とを有することを特徴とす
る高周波加熱装置。