JPH05260645A - 半導体交流スイッチ破損検出装置 - Google Patents
半導体交流スイッチ破損検出装置Info
- Publication number
- JPH05260645A JPH05260645A JP5109192A JP5109192A JPH05260645A JP H05260645 A JPH05260645 A JP H05260645A JP 5109192 A JP5109192 A JP 5109192A JP 5109192 A JP5109192 A JP 5109192A JP H05260645 A JPH05260645 A JP H05260645A
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- adder
- semiconductor switch
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低耐圧の簡単な検出装置をもって、サイリス
タ,GTO等の半導体素子を用いた半導体交流スイッチ
における半導体スイッチ素子の導通方向の破損を高精度
で検出することができる半導体交流スイッチの破損検出
装置を得る。 【構成】半導体スイッチ素子に流れる直流分電流を直流
変流器(DCCT)によって検出し、その直流分電流の
有無と各半導体スイッチ素子へのゲート信号の有無との
論理関係から各半導体スイッチ素子の破損を判別する。
タ,GTO等の半導体素子を用いた半導体交流スイッチ
における半導体スイッチ素子の導通方向の破損を高精度
で検出することができる半導体交流スイッチの破損検出
装置を得る。 【構成】半導体スイッチ素子に流れる直流分電流を直流
変流器(DCCT)によって検出し、その直流分電流の
有無と各半導体スイッチ素子へのゲート信号の有無との
論理関係から各半導体スイッチ素子の破損を判別する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サイリスタ,GTO等
の半導体スイッチ素子を並列接続した半導体交流スイッ
チに係るものであり、特に、半導体スイッチ素子の導通
方向の破損を検出する半導体交流スイッチ破損検出装置
に関するものである。
の半導体スイッチ素子を並列接続した半導体交流スイッ
チに係るものであり、特に、半導体スイッチ素子の導通
方向の破損を検出する半導体交流スイッチ破損検出装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、サイリスタ,GTO等の半導体ス
イッチ素子を逆並列接続した半導体交流スイッチにおい
ては、各半導体スイッチ素子の導通方向の破損を検出す
る方法として図2に示すように半導体スイッチ素子のア
ノード・カソードの端子間電圧を検出して行なうものが
あつた。
イッチ素子を逆並列接続した半導体交流スイッチにおい
ては、各半導体スイッチ素子の導通方向の破損を検出す
る方法として図2に示すように半導体スイッチ素子のア
ノード・カソードの端子間電圧を検出して行なうものが
あつた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、サイリス
タ,GTO等の半導体スイッチ素子においては、そのア
ノード・カソード端子間電圧は、オン時は数ボルトであ
るのに対し、オフ時は数百〜数キロボルトであり、ま
た、導通方向における破損時は略零ボルトとなる。この
ように、半導体スイッチ素子の端子間電圧は、そのオン
時とオフ時の電圧差が非常に大きい反面、正常時と破損
時の電圧差は非常に小さい。
タ,GTO等の半導体スイッチ素子においては、そのア
ノード・カソード端子間電圧は、オン時は数ボルトであ
るのに対し、オフ時は数百〜数キロボルトであり、ま
た、導通方向における破損時は略零ボルトとなる。この
ように、半導体スイッチ素子の端子間電圧は、そのオン
時とオフ時の電圧差が非常に大きい反面、正常時と破損
時の電圧差は非常に小さい。
【0004】このため、従来における破損の検出は、オ
フ時の電圧が高いため高耐圧の検出装置が必要となると
共に、正常時と異常時の電圧差が小さいために高精度の
検出装置を必要とするなど高価となる欠点があった。
フ時の電圧が高いため高耐圧の検出装置が必要となると
共に、正常時と異常時の電圧差が小さいために高精度の
検出装置を必要とするなど高価となる欠点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来の検出装
置の欠点を除去し、高精度の半導体交流スイッチの破損
検出装置を得るためなされたものである。
置の欠点を除去し、高精度の半導体交流スイッチの破損
検出装置を得るためなされたものである。
【0006】本発明は、逆並列接続された半導体スイッ
チ素子に流れる電流を、直流分電流が測定できる直流変
流器(DCCT)によって検出して、その直流分電流の
有無と各半導体スイッチ素子へのゲート信号の有無との
論理関係から各半導体スイッチ素子の破損を判別検出す
るものである。
チ素子に流れる電流を、直流分電流が測定できる直流変
流器(DCCT)によって検出して、その直流分電流の
有無と各半導体スイッチ素子へのゲート信号の有無との
論理関係から各半導体スイッチ素子の破損を判別検出す
るものである。
【0007】
【実施例】本発明を図1の検出回路をもって説明する。
【0008】図1の検出回路のおいて、1は入力・出力
間に接続された半導体スイッチ素子2,2’からなる半
導体交流スイッチである。3,3’は各半導体スイッチ
素子2,2’に流れる直流分電流を検出するためのホー
ル変流器、4はホール変流器3’3が検出した直流分電
流を加算する加算器、5,5’は半導体スイッチ素子
2,2’へのゲート信号を発生するゲート回路であって
制御信号6によって制御されるものである。7は各半導
体位スイッチ素子2,2’流れる直流分電流の有無と半
導体位スイッチ素子2,2’へのゲート信号の有無との
論理をとり、各半導体スイッチ素子2,2’の破損を検
出する異常検出回路である。
間に接続された半導体スイッチ素子2,2’からなる半
導体交流スイッチである。3,3’は各半導体スイッチ
素子2,2’に流れる直流分電流を検出するためのホー
ル変流器、4はホール変流器3’3が検出した直流分電
流を加算する加算器、5,5’は半導体スイッチ素子
2,2’へのゲート信号を発生するゲート回路であって
制御信号6によって制御されるものである。7は各半導
体位スイッチ素子2,2’流れる直流分電流の有無と半
導体位スイッチ素子2,2’へのゲート信号の有無との
論理をとり、各半導体スイッチ素子2,2’の破損を検
出する異常検出回路である。
【0009】以下、図1の検出回路の動作を説明する。
【0010】制御信号6によりゲート回路5,5’から
半導体スイッチ素子2,2’へゲート信号が供給される
と、半導体スイッチ素子2,2’は入力・出力間の電圧
極性に応じて導通状態となり各素子2,2’に電流が流
れる。各素子2,2’に流れる直流分電流がホール変流
器3,3’によって検出され加算器4を介して異常検出
回路7に供給される。このとき、加算器4は、半導体ス
イッチ素子2,2’に流れる直流分電流を検出するホー
ル変流器3,3’の電流を加算するものであり、一方の
ホール変流器3’の出力電流をその極性を反転させて加
算することは、半導体スイッチ素子2,2’の正常時に
おいては該素子2,2’に流れる直流分電流の極性が互
いに逆方向であるからである。
半導体スイッチ素子2,2’へゲート信号が供給される
と、半導体スイッチ素子2,2’は入力・出力間の電圧
極性に応じて導通状態となり各素子2,2’に電流が流
れる。各素子2,2’に流れる直流分電流がホール変流
器3,3’によって検出され加算器4を介して異常検出
回路7に供給される。このとき、加算器4は、半導体ス
イッチ素子2,2’に流れる直流分電流を検出するホー
ル変流器3,3’の電流を加算するものであり、一方の
ホール変流器3’の出力電流をその極性を反転させて加
算することは、半導体スイッチ素子2,2’の正常時に
おいては該素子2,2’に流れる直流分電流の極性が互
いに逆方向であるからである。
【0011】したがって、半導体スイッチ素子2,2’
に流れる電流の有無は、加算器4の出力信号の有無に相
当することになり、また、半導体スイッチ2,2’への
ゲート信号の有無は制御信号6の有無となるから、加算
器4の出力信号の有無と制御信号6の有無との論理関係
を異常検出回路7において判別すれば、半導体スイッチ
2,2’の破損を含む異常状態の検出ができる。
に流れる電流の有無は、加算器4の出力信号の有無に相
当することになり、また、半導体スイッチ2,2’への
ゲート信号の有無は制御信号6の有無となるから、加算
器4の出力信号の有無と制御信号6の有無との論理関係
を異常検出回路7において判別すれば、半導体スイッチ
2,2’の破損を含む異常状態の検出ができる。
【0012】異常検出回路7における判別は次のとおり
行なわれる。
行なわれる。
【0013】A.導通(制御信号「有」)時の検出 a.正常な場合 制御信号6が「有」の状態において、加算器4の出力信
号が「有」であるとき。
号が「有」であるとき。
【0014】このときは、各半導体スイッチ素子2,
2’がゲート信号により導通して半導体交流スイッチ1
に双方向の電流が流れているときであるから、正常状態
である。
2’がゲート信号により導通して半導体交流スイッチ1
に双方向の電流が流れているときであるから、正常状態
である。
【0015】b.異常な場合 制御信号6が「有」の状態において、加算器4の出力信
号が「無」であるとき。
号が「無」であるとき。
【0016】[破損故障]このときは、逆並列接続され
た半導体スイッチ素子2,2’の少なくとも一方が逆阻
止能力を失い、双方向の交流分電流が流れているときで
あるから加算器4の出力信号は「無」となる。
た半導体スイッチ素子2,2’の少なくとも一方が逆阻
止能力を失い、双方向の交流分電流が流れているときで
あるから加算器4の出力信号は「無」となる。
【0017】なお、このとき、他方の半導体スイッチ素
子(2'あるいは 2)は、一方の半導体スイッチ素子
(2あるいは2')が破損し逆阻止能力を失い、双方向の
交流分電流を流しているので、その導通方向においても
導通しない。
子(2'あるいは 2)は、一方の半導体スイッチ素子
(2あるいは2')が破損し逆阻止能力を失い、双方向の
交流分電流を流しているので、その導通方向においても
導通しない。
【0018】[開放故障]このときは、並列接続された
半導体スイッチ素子2,2’の少なくとも一方のスイッ
チ素子(2あるいは2')が開放故障を起こしゲート信号
を供給しても導通状態にならないときであるから、加算
器4の出力信号に「無」の状態が現われる。この場合
も、通常異常状態として捉える。
半導体スイッチ素子2,2’の少なくとも一方のスイッ
チ素子(2あるいは2')が開放故障を起こしゲート信号
を供給しても導通状態にならないときであるから、加算
器4の出力信号に「無」の状態が現われる。この場合
も、通常異常状態として捉える。
【0019】B.非導通(制御信号「無」)時の検出 制御信号6が「無」状態において、加算器4の出力信号
が「有」であるとき。
が「有」であるとき。
【0020】このときは、逆並列接続された半導体スイ
ッチ素子2,2’の少なくとも一方が順阻止能力あるい
は逆阻止能力を失って直流分電流を流しているときであ
るから、非導通時の異常状態である。
ッチ素子2,2’の少なくとも一方が順阻止能力あるい
は逆阻止能力を失って直流分電流を流しているときであ
るから、非導通時の異常状態である。
【0021】ところで、上記検出回路7においては、半
導体スイッチ素子2,2’の電流の直流分電流を検出す
るために ホール変流器を用いているが、他の直流変流
器(DCCT)を用いることができることはいうまでも
ない。
導体スイッチ素子2,2’の電流の直流分電流を検出す
るために ホール変流器を用いているが、他の直流変流
器(DCCT)を用いることができることはいうまでも
ない。
【0022】
【発明の効果】以上のように、本発明は、半導体スイッ
チ素子のアノード・カソード端子間電圧を検出すること
なく、半導体スイッチ素子へのゲート信号と、逆並列接
続された半導体スイッチ素子の直流分電流を直流変流器
で検出した検出信号とを用いるだけで、半導体交流スイ
ッチの導通状態(ゲート信号「有」の状態)と非導通状
態(ゲート信号「無」の状態)の2モードを簡単な検出
回路をもって正確に故障検出ができるものである。
チ素子のアノード・カソード端子間電圧を検出すること
なく、半導体スイッチ素子へのゲート信号と、逆並列接
続された半導体スイッチ素子の直流分電流を直流変流器
で検出した検出信号とを用いるだけで、半導体交流スイ
ッチの導通状態(ゲート信号「有」の状態)と非導通状
態(ゲート信号「無」の状態)の2モードを簡単な検出
回路をもって正確に故障検出ができるものである。
【図1】本発明の実施例である半導体スイッチ破損検出
装置
装置
【図2】従来の半導体スイッチ破損検出装置
1…半導体交流スイッチ 2,2'…半導体スイッチ素子 3…直流変流器(DC.CT) 4…加算器 5…異常検出回路
Claims (2)
- 【請求項1】逆並列接続された半導体スイッチ素子から
なる半導体交流スイッチの破損検出装置において、 逆並列接続された半導体スイッチ素子のそれぞれに流れ
る直流分電流を検出する直流変流器と、 一方の直流変流器の出力電流をその極性を反転させて他
方の直流変流器の出力電流と加算する加算器と、 前記半導体スイッチ素子へゲート信号を供給するゲート
回路と、 前記加算器の出力信号と前記各半導体スイッチ素子への
ゲート信号との論理結果に基づいて前記各半導体スイッ
チ素子の故障を検出する異常検出回路と、 を備えたことを特徴とする半導体交流スイッチ破損検出
装置。 - 【請求項2】直流変流器が、ホール変流器からなること
を特徴とする請求項1記載の半導体交流スイッチ破損検
出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5109192A JPH05260645A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体交流スイッチ破損検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5109192A JPH05260645A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体交流スイッチ破損検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05260645A true JPH05260645A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12877148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5109192A Pending JPH05260645A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 半導体交流スイッチ破損検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05260645A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6486647B1 (en) * | 1997-11-25 | 2002-11-26 | Siemens Building Technologies Ag | Circuit for monitoring an alternative current power switch |
JP2016025424A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 富士電機株式会社 | 半導体交流スイッチ |
WO2019038830A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電源装置 |
US10256804B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-04-09 | Lsis Co., Ltd. | Fault detector for anti-parallel thyristor |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP5109192A patent/JPH05260645A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6486647B1 (en) * | 1997-11-25 | 2002-11-26 | Siemens Building Technologies Ag | Circuit for monitoring an alternative current power switch |
JP2016025424A (ja) * | 2014-07-17 | 2016-02-08 | 富士電機株式会社 | 半導体交流スイッチ |
US10256804B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-04-09 | Lsis Co., Ltd. | Fault detector for anti-parallel thyristor |
WO2019038830A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電源装置 |
JPWO2019038830A1 (ja) * | 2017-08-22 | 2020-01-09 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電源装置 |
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