JPH05260274A - 画像露光装置 - Google Patents
画像露光装置Info
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- JPH05260274A JPH05260274A JP4058041A JP5804192A JPH05260274A JP H05260274 A JPH05260274 A JP H05260274A JP 4058041 A JP4058041 A JP 4058041A JP 5804192 A JP5804192 A JP 5804192A JP H05260274 A JPH05260274 A JP H05260274A
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- photosensitive material
- exposure
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体レーザ等の所定の狭帯域波長の光を射出
する光源を少なくとも１つ用いて感光材料を露光する画
像露光装置において、光源の自己発熱による発光効率の
変化、すなわちドループによる発光量変動を低減し、こ
れによる発色濃度変動を視認させることのない画像露光
装置を提供する。 【構成】本発明の第１の態様の画像露光装置は、光源の
少なくとも１つに、前記感光材料の最低発色濃度の半分
以下の露光量に対応するバイアス電流を流すことによ
り、また、本発明の第２の態様の画像露光装置は、光源
の少なくとも１つとして、感光材料側の射出端面の反射
率が４５％以上の半導体レーザを用いることにより、前
記目的を達成する。
する光源を少なくとも１つ用いて感光材料を露光する画
像露光装置において、光源の自己発熱による発光効率の
変化、すなわちドループによる発光量変動を低減し、こ
れによる発色濃度変動を視認させることのない画像露光
装置を提供する。 【構成】本発明の第１の態様の画像露光装置は、光源の
少なくとも１つに、前記感光材料の最低発色濃度の半分
以下の露光量に対応するバイアス電流を流すことによ
り、また、本発明の第２の態様の画像露光装置は、光源
の少なくとも１つとして、感光材料側の射出端面の反射
率が４５％以上の半導体レーザを用いることにより、前
記目的を達成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザなどのよ
うな所定の狭帯域波長の光を射出する光源によってモノ
クロあるいはカラー感光材料を像様露光し画像記録を行
う画像露光装置に関し、詳しくは、自己発熱等の温度変
化による光源の出力変化、すなわちドループを低下さ
せ、ドループによる濃度変動を低減して、濃度差が視認
されない高画質な画像露光を行うことができる画像露光
装置に関する。
うな所定の狭帯域波長の光を射出する光源によってモノ
クロあるいはカラー感光材料を像様露光し画像記録を行
う画像露光装置に関し、詳しくは、自己発熱等の温度変
化による光源の出力変化、すなわちドループを低下さ
せ、ドループによる濃度変動を低減して、濃度差が視認
されない高画質な画像露光を行うことができる画像露光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント、印刷、複写等において
は、モノクロ画像やカラー画像を記録再生するためにモ
ノクロ感光材料やカラー感光材料を使用する画像形成装
置が用いられている。このような画像形成装置に用いら
れる感光材料を像様露光する画像露光装置では、露光用
光源として、半導体レーザ（以下、ＬＤという）あるい
は発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）などの発光素
子のような所定の狭帯域波長の光を射出する光源が多く
用いられるようになってきた。
は、モノクロ画像やカラー画像を記録再生するためにモ
ノクロ感光材料やカラー感光材料を使用する画像形成装
置が用いられている。このような画像形成装置に用いら
れる感光材料を像様露光する画像露光装置では、露光用
光源として、半導体レーザ（以下、ＬＤという）あるい
は発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）などの発光素
子のような所定の狭帯域波長の光を射出する光源が多く
用いられるようになってきた。
【０００３】このような光源として用いられる発光素子
は、温度変化によって発光量および発振波長が大きく変
動する。このため、ＬＤ等の発光素子のケースの温度を
保って変動を抑制している。しかし、ＬＤ等の発光素子
では、ケース温度を一定としても、ケースと発光部との
間に熱抵抗を有しているため、自己発熱によって発光部
の温度は変化し、これによって発光素子では発光効率が
変化する、いわゆるドループが発生するという問題があ
り、感光材料の露光量が安定せず記録画像が濃度変動を
有するものとなってしまう。
は、温度変化によって発光量および発振波長が大きく変
動する。このため、ＬＤ等の発光素子のケースの温度を
保って変動を抑制している。しかし、ＬＤ等の発光素子
では、ケース温度を一定としても、ケースと発光部との
間に熱抵抗を有しているため、自己発熱によって発光部
の温度は変化し、これによって発光素子では発光効率が
変化する、いわゆるドループが発生するという問題があ
り、感光材料の露光量が安定せず記録画像が濃度変動を
有するものとなってしまう。
【０００４】図５に、光源としてＬＤを用いた画像露光
において、ネガ感光材料に対する露光量を変化させた際
の設定濃度（点線）と実際の発色濃度（実線）との違い
を概念的に示す。図５に示されるように、点線で示され
る濃度設定での画像記録を行う場合に、低濃度の画像記
録を行っている際には、ＬＤの出力も低出力で温度も比
較的低く安定であるため、図５に実線で示されるよう
に、比較的安定した光出力で所定露光量での画像露光を
行うことができる。
において、ネガ感光材料に対する露光量を変化させた際
の設定濃度（点線）と実際の発色濃度（実線）との違い
を概念的に示す。図５に示されるように、点線で示され
る濃度設定での画像記録を行う場合に、低濃度の画像記
録を行っている際には、ＬＤの出力も低出力で温度も比
較的低く安定であるため、図５に実線で示されるよう
に、比較的安定した光出力で所定露光量での画像露光を
行うことができる。
【０００５】ここで、高濃度の画像記録を行うためにＬ
Ｄの出力を上げると（あるいはＬＤをｏｎすると）、最
初はＬＤの温度が低いので、瞬間的に設定出力よりも高
い出力で発光して本来の露光量よりも高い濃度での露光
が行われ、安定した後は発光素子の加熱と共に出力が低
下して露光量が低下し、発色濃度が低下する。再度低濃
度の露光を行うためにＬＤの出力を低下すると、今度は
ＬＤの温度が上がっているので必要以上に出力が低下し
て露光量が設定値よりも低くなってしまい、経時と共に
ＬＤの温度は降下し、露光量は徐々に向上して安定す
る。
Ｄの出力を上げると（あるいはＬＤをｏｎすると）、最
初はＬＤの温度が低いので、瞬間的に設定出力よりも高
い出力で発光して本来の露光量よりも高い濃度での露光
が行われ、安定した後は発光素子の加熱と共に出力が低
下して露光量が低下し、発色濃度が低下する。再度低濃
度の露光を行うためにＬＤの出力を低下すると、今度は
ＬＤの温度が上がっているので必要以上に出力が低下し
て露光量が設定値よりも低くなってしまい、経時と共に
ＬＤの温度は降下し、露光量は徐々に向上して安定す
る。
【０００６】従来のＬＤ等を光源として用いた画像露光
装置においては、このようなドループによる光源の出力
変動に起因する濃度変動を減少するため、発光素子の発
光効率の低下に応じて駆動電流を増加して発光量を一定
に保つ定光量制御（ＡＰＣ）が行われている。
装置においては、このようなドループによる光源の出力
変動に起因する濃度変動を減少するため、発光素子の発
光効率の低下に応じて駆動電流を増加して発光量を一定
に保つ定光量制御（ＡＰＣ）が行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＬＤ等の発光素子の定
光量制御（ＡＰＣ）は、発光素子を所要の駆動電流で駆
動し、その発光を受光素子によって受光し、この発光量
（光出力レベル）を予め設定された所定発光量（光出力
レベル）と比較し、不足していれば駆動電流の設定値を
アナログ的あるいはデジタル的に増加し、過大であれば
減少することにより前記設定発光量に保持するフィード
バック制御である。
光量制御（ＡＰＣ）は、発光素子を所要の駆動電流で駆
動し、その発光を受光素子によって受光し、この発光量
（光出力レベル）を予め設定された所定発光量（光出力
レベル）と比較し、不足していれば駆動電流の設定値を
アナログ的あるいはデジタル的に増加し、過大であれば
減少することにより前記設定発光量に保持するフィード
バック制御である。
【０００８】このため、感光材料に目的の画像を露光し
ている間は、画像信号の変化が高速（通常、数メガＨ
ｚ）であるのに対し、ＡＰＣ制御の遅れが大きいため、
安定なＡＰＣ制御を行うことができず、ページ毎に各ペ
ージの画像露光が開始される前、あるいは画像露光が開
始された後の複数行または１行毎に前記射出光が前記感
光材料上にない、もしくは前記感光材料の有効画像領域
外にある時、すなわち前行の画像記録が終了してから次
行の画像記録が開始されるまでの間（無効画像露光タイ
ミング）にＡＰＣ制御を行っている。
ている間は、画像信号の変化が高速（通常、数メガＨ
ｚ）であるのに対し、ＡＰＣ制御の遅れが大きいため、
安定なＡＰＣ制御を行うことができず、ページ毎に各ペ
ージの画像露光が開始される前、あるいは画像露光が開
始された後の複数行または１行毎に前記射出光が前記感
光材料上にない、もしくは前記感光材料の有効画像領域
外にある時、すなわち前行の画像記録が終了してから次
行の画像記録が開始されるまでの間（無効画像露光タイ
ミング）にＡＰＣ制御を行っている。
【０００９】従って、定光量制御（ＡＰＣ）ではドルー
プによる記録画像の濃度差の発生を高画質画像に要求さ
れるレベルまで無くすことはできず、ドループによる光
源の発光量変動をより低減し、発色濃度変動を視認させ
ることのない高画質画像の記録が可能な画像露光装置の
出現が望まれている。
プによる記録画像の濃度差の発生を高画質画像に要求さ
れるレベルまで無くすことはできず、ドループによる光
源の発光量変動をより低減し、発色濃度変動を視認させ
ることのない高画質画像の記録が可能な画像露光装置の
出現が望まれている。
【００１０】本発明の目的は、前記従来技術の問題点を
解決することにあり、半導体レーザ等の所定の狭帯域波
長の光を射出する光源を少なくとも１つ用いて感光材料
を露光する画像露光装置において、前記光源の自己発熱
による発光効率の変化、すなわちドループによる発光量
変動を低減し、発色濃度変動を視認させることのない高
画質画像の露光が可能な画像露光装置を提供することに
ある。
解決することにあり、半導体レーザ等の所定の狭帯域波
長の光を射出する光源を少なくとも１つ用いて感光材料
を露光する画像露光装置において、前記光源の自己発熱
による発光効率の変化、すなわちドループによる発光量
変動を低減し、発色濃度変動を視認させることのない高
画質画像の露光が可能な画像露光装置を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様は、所定の狭帯域波長の光を射
出する光源を少なくとも１つ用いて、この光源から射出
され、画像の濃度情報に応じて変調された光によって感
光材料を露光する画像露光装置であって、前記光源の少
なくとも１つに、前記感光材料の最低発色濃度に対応す
る露光量の半分以下の露光量に対応するバイアス電流
を、露光中に前記画像の濃度情報に関わらず流し続ける
ことを特徴とする画像露光装置を提供する。
に、本発明の第１の態様は、所定の狭帯域波長の光を射
出する光源を少なくとも１つ用いて、この光源から射出
され、画像の濃度情報に応じて変調された光によって感
光材料を露光する画像露光装置であって、前記光源の少
なくとも１つに、前記感光材料の最低発色濃度に対応す
る露光量の半分以下の露光量に対応するバイアス電流
を、露光中に前記画像の濃度情報に関わらず流し続ける
ことを特徴とする画像露光装置を提供する。
【００１２】また、本発明の第２の態様は、所定の狭帯
域波長の光を射出する光源を少なくとも１つ用いて、こ
の光源から射出され、画像の濃度情報に応じて変調され
た光によって感光材料を露光する画像露光装置であっ
て、少なくとも１つの前記光源の前記感光材料側の端面
の反射率を４５％以上にしたことを特徴とする画像露光
装置を提供する。
域波長の光を射出する光源を少なくとも１つ用いて、こ
の光源から射出され、画像の濃度情報に応じて変調され
た光によって感光材料を露光する画像露光装置であっ
て、少なくとも１つの前記光源の前記感光材料側の端面
の反射率を４５％以上にしたことを特徴とする画像露光
装置を提供する。
【００１３】
【発明の作用】前述のように、ＬＤ等の少なくとも１つ
の所定の狭帯域波長の光を射出する光源を用いて感光材
料に像様露光する画像露光装置においては、光源となる
発光素子の温度変動による出力効率の変動、すなわちド
ループの発生があるため、露光量変動が発生して所定の
露光量での安定した画像露光を行うことができず、記録
画像が濃度変動の視認されるものとなってしまう。
の所定の狭帯域波長の光を射出する光源を用いて感光材
料に像様露光する画像露光装置においては、光源となる
発光素子の温度変動による出力効率の変動、すなわちド
ループの発生があるため、露光量変動が発生して所定の
露光量での安定した画像露光を行うことができず、記録
画像が濃度変動の視認されるものとなってしまう。
【００１４】これに対し、本発明の第１の態様の画像記
録装置においては、半導体レーザ等の光源の少なくとも
一つに、感光材料の最低発色濃度に対応する露光量の半
分以下の露光量に対応するバイアス電流を少なくとも露
光中に流し続けることにより、光源をプレヒートした状
態としておく。そのため光源をｏｎ／ｏｆｆ、あるいは
光源の出力を急激に変化した際の温度変動（温度差）を
小さくすることができ、発光素子のドループを低減する
ことができる。しかも、光源に流すバイアス電流は、感
光材料の最低発色濃度に対応する露光量の半分以下に発
光素子が発光する量であるので、これにより感光材料が
不要に露光されることがなく、かぶりの無い高画質画像
の記録が可能である。
録装置においては、半導体レーザ等の光源の少なくとも
一つに、感光材料の最低発色濃度に対応する露光量の半
分以下の露光量に対応するバイアス電流を少なくとも露
光中に流し続けることにより、光源をプレヒートした状
態としておく。そのため光源をｏｎ／ｏｆｆ、あるいは
光源の出力を急激に変化した際の温度変動（温度差）を
小さくすることができ、発光素子のドループを低減する
ことができる。しかも、光源に流すバイアス電流は、感
光材料の最低発色濃度に対応する露光量の半分以下に発
光素子が発光する量であるので、これにより感光材料が
不要に露光されることがなく、かぶりの無い高画質画像
の記録が可能である。
【００１５】また、本発明の第２の態様は、光源として
感光材料側の端面反射率が４５％以上のものを用いる。
周知のように、半導体レーザは前後の結晶へき開端面を
反射面とし、この間で光ビーム共振させる光共振器構造
を有するが、通常の半導体レーザは、結晶へき開端面の
反射率３２％をそのまま反射面として用いている。これ
に対し、本発明の画像露光装置は、光共振器を構成する
反射面のうち、感光材料側の反射面、すなわち感光材料
に入射する光ビームを射出する側の反射面として、４５
％以上の反射率を有するものを用いる。これにより半導
体レーザに流れる電流値の変化に対する光出力の変動を
小さく（光出力のスロープ効率を低く）することがで
き、半導体レーザの温度変化による光出力の変動、つま
りドループを低減することができる。
感光材料側の端面反射率が４５％以上のものを用いる。
周知のように、半導体レーザは前後の結晶へき開端面を
反射面とし、この間で光ビーム共振させる光共振器構造
を有するが、通常の半導体レーザは、結晶へき開端面の
反射率３２％をそのまま反射面として用いている。これ
に対し、本発明の画像露光装置は、光共振器を構成する
反射面のうち、感光材料側の反射面、すなわち感光材料
に入射する光ビームを射出する側の反射面として、４５
％以上の反射率を有するものを用いる。これにより半導
体レーザに流れる電流値の変化に対する光出力の変動を
小さく（光出力のスロープ効率を低く）することがで
き、半導体レーザの温度変化による光出力の変動、つま
りドループを低減することができる。
【００１６】従って、本発明の第１および第２の態様の
画像露光装置によれば、ドループによる光源の発光量の
変動を低減し、発光量の変動による感光材料の発色濃度
の変動を視認限界以下まで低減することができ、安定的
な発色濃度を有する高画質な画像記録を行うことができ
る。
画像露光装置によれば、ドループによる光源の発光量の
変動を低減し、発光量の変動による感光材料の発色濃度
の変動を視認限界以下まで低減することができ、安定的
な発色濃度を有する高画質な画像記録を行うことができ
る。
【００１７】
【実施態様】以下に、本発明の画像露光装置を添付の図
面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。
面に示す好適実施例に基づいて詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明の画像露光装置の一実施例
を示す模式的斜視図である。
を示す模式的斜視図である。
【００１９】同図に示すように、本発明の画像露光装置
１０は、それぞれＣ（シアン）、Ｙ（イエロー）、Ｍ
（マゼンタ）を発色させるための波長および光出力を有
する光を射出する半導体レーザ（ＬＤ）１２Ｃ，１２
Ｙ，１２Ｍと、これらのＬＤ１２（１２Ｃ，１２Ｙ，１
２Ｍ）から射出されたレーザ光１６（１６Ｃ，１６Ｙ，
１６Ｍ）の進行方向に沿って、コリメータレンズ１４
（１４Ｃ，１４Ｙ，１４Ｍ）と、シリンドリカルレンズ
１８（１８Ｃ，１８Ｙ，１８Ｍ）と、反射ミラー２０
と、ポリゴンミラー２２と、ｆθレンズ２４と、シリン
ドリカルミラー２６とを有する３ＬＤ光異角入射光学
系、および図示しないが、感光材料Ａを副走査搬送する
副走査搬送手段、ならびに画像情報源２８から画像情報
信号を受け、露光量を決定する露光制御手段３０と、各
ＬＤ１２の変調回路３２（３２Ｃ，３２Ｙ，３２Ｍ）
と、各ＬＤ１２の駆動回路３４（３４Ｃ，３４Ｙ，３４
Ｍ）と、制御手段３６とを有する電気制御系からなる。
１０は、それぞれＣ（シアン）、Ｙ（イエロー）、Ｍ
（マゼンタ）を発色させるための波長および光出力を有
する光を射出する半導体レーザ（ＬＤ）１２Ｃ，１２
Ｙ，１２Ｍと、これらのＬＤ１２（１２Ｃ，１２Ｙ，１
２Ｍ）から射出されたレーザ光１６（１６Ｃ，１６Ｙ，
１６Ｍ）の進行方向に沿って、コリメータレンズ１４
（１４Ｃ，１４Ｙ，１４Ｍ）と、シリンドリカルレンズ
１８（１８Ｃ，１８Ｙ，１８Ｍ）と、反射ミラー２０
と、ポリゴンミラー２２と、ｆθレンズ２４と、シリン
ドリカルミラー２６とを有する３ＬＤ光異角入射光学
系、および図示しないが、感光材料Ａを副走査搬送する
副走査搬送手段、ならびに画像情報源２８から画像情報
信号を受け、露光量を決定する露光制御手段３０と、各
ＬＤ１２の変調回路３２（３２Ｃ，３２Ｙ，３２Ｍ）
と、各ＬＤ１２の駆動回路３４（３４Ｃ，３４Ｙ，３４
Ｍ）と、制御手段３６とを有する電気制御系からなる。
【００２０】３ＬＤ光異角入射光学系は所定の狭帯域波
長の光を射出する光源として少しずつ異なる角度でポリ
ゴンミラー２２の反射面２２ａに入射する３つの半導体
レーザ（ＬＤ）１２Ｃ，１２Ｙ，１２Ｍを有している
が、例えば、感光材料Ａ上の色素のシアンを発色させる
ためのＬＤ１２Ｃは波長８１０ｎｍのビーム光を射出す
るものを、感光材料Ａのイエロー色素を発色させるため
のＬＤ１２Ｙは波長７５０ｎｍの光ビームを射出するも
のを、感光材料Ａのマゼンタ色素を発色させるためのＬ
Ｄ１２Ｍは波長６７０ｎｍの光ビームを射出するものを
用いることができる。これらのＬＤ１２は、後述する電
気制御系によって制御される。
長の光を射出する光源として少しずつ異なる角度でポリ
ゴンミラー２２の反射面２２ａに入射する３つの半導体
レーザ（ＬＤ）１２Ｃ，１２Ｙ，１２Ｍを有している
が、例えば、感光材料Ａ上の色素のシアンを発色させる
ためのＬＤ１２Ｃは波長８１０ｎｍのビーム光を射出す
るものを、感光材料Ａのイエロー色素を発色させるため
のＬＤ１２Ｙは波長７５０ｎｍの光ビームを射出するも
のを、感光材料Ａのマゼンタ色素を発色させるためのＬ
Ｄ１２Ｍは波長６７０ｎｍの光ビームを射出するものを
用いることができる。これらのＬＤ１２は、後述する電
気制御系によって制御される。
【００２１】また、図示例の画像露光装置１０において
は、これらのＬＤ１２には、感光材料Ａを露光する最低
露光量の半分以下に発光するバイアス電流が流されてプ
レヒートされており、また、ＬＤ１２は、それぞれを構
成する光共振器の感光材料Ａへの射出側の反射面とし
て、反射率４５％以上の反射面が用いられている。これ
らの点については後に詳述する。
は、これらのＬＤ１２には、感光材料Ａを露光する最低
露光量の半分以下に発光するバイアス電流が流されてプ
レヒートされており、また、ＬＤ１２は、それぞれを構
成する光共振器の感光材料Ａへの射出側の反射面とし
て、反射率４５％以上の反射面が用いられている。これ
らの点については後に詳述する。
【００２２】コリメータレンズ１４（１４Ｃ，１４Ｍ，
１４Ｙ）は、ＬＤ１２から射出されたレーザ光１６をそ
れぞれ整形して平行光とするものである。シリンドリカ
ルレンズ１８（１８Ｃ，１８Ｍ，１８Ｙ）とｆθレンズ
２４とシリンドリカルミラー２６とは面倒れ補正光学系
を構成し、ポリゴンミラー２２の面倒れを補正する。
１４Ｙ）は、ＬＤ１２から射出されたレーザ光１６をそ
れぞれ整形して平行光とするものである。シリンドリカ
ルレンズ１８（１８Ｃ，１８Ｍ，１８Ｙ）とｆθレンズ
２４とシリンドリカルミラー２６とは面倒れ補正光学系
を構成し、ポリゴンミラー２２の面倒れを補正する。
【００２３】ここで、ＬＤ１２から射出されたレーザ光
１６がポリゴンミラー２２の反射面２２ａに少しずつ異
なる角度で入射し、この反射面２２ａで反射されて感光
材料Ａ上の同一の主走査線ＳＬ上に異なる角度で結像
し、時間的に間隔をあけて同一主走査線ＳＬ上を走査す
るように各ＬＤ１２は配置される。従って、反射ミラー
２０はレーザ光１６の光路を変えて、これらをいずれも
ポリゴンミラー２２の反射面２２ａの同一線上の近接し
た位置に若しくは同一点上に入射させるものである。
１６がポリゴンミラー２２の反射面２２ａに少しずつ異
なる角度で入射し、この反射面２２ａで反射されて感光
材料Ａ上の同一の主走査線ＳＬ上に異なる角度で結像
し、時間的に間隔をあけて同一主走査線ＳＬ上を走査す
るように各ＬＤ１２は配置される。従って、反射ミラー
２０はレーザ光１６の光路を変えて、これらをいずれも
ポリゴンミラー２２の反射面２２ａの同一線上の近接し
た位置に若しくは同一点上に入射させるものである。
【００２４】ｆθレンズ２４は、各レーザ光１６を主走
査線ＳＬのいずれの位置においても正しく結像させるた
めのものである。なお、ｆθレンズ２４は、波長が６７
０，７５０，８１０ｎｍの光に対して色収差が許容範囲
内に収まるように補正されている。シリンドリカルミラ
ー２６は、前述のシリンドリカルレンズ１８とｆθレン
ズ２４ともに面倒れ補正光学系を構成する他、各レーザ
光１６をいずれも立下げて、副走査搬送される感光材料
Ａ上の副走査方向と略直交する主走査線ＳＬに向けるも
のである。
査線ＳＬのいずれの位置においても正しく結像させるた
めのものである。なお、ｆθレンズ２４は、波長が６７
０，７５０，８１０ｎｍの光に対して色収差が許容範囲
内に収まるように補正されている。シリンドリカルミラ
ー２６は、前述のシリンドリカルレンズ１８とｆθレン
ズ２４ともに面倒れ補正光学系を構成する他、各レーザ
光１６をいずれも立下げて、副走査搬送される感光材料
Ａ上の副走査方向と略直交する主走査線ＳＬに向けるも
のである。
【００２５】露光制御手段３０は、画像信号源２８から
画像情報信号を受け取り、画像情報信号に応じて、様々
な露光量補正や信号処理を行って、各色について１ライ
ン分の各画素の露光量の演算を行い、各ＬＤ１２につい
て１ライン分の各画素の露光量を決定する。ここで画像
信号源２８は、画像読取装置、コンピュータ、ビデオ機
器、光ディスク機器等の画像処理装置などのいずれであ
ってもよい。
画像情報信号を受け取り、画像情報信号に応じて、様々
な露光量補正や信号処理を行って、各色について１ライ
ン分の各画素の露光量の演算を行い、各ＬＤ１２につい
て１ライン分の各画素の露光量を決定する。ここで画像
信号源２８は、画像読取装置、コンピュータ、ビデオ機
器、光ディスク機器等の画像処理装置などのいずれであ
ってもよい。
【００２６】変調回路３２（３２Ｃ，３２Ｙ，３２Ｍ）
は、露光制御手段３０によって決定された１ラインの各
画素の露光量に応じて、予め設定された所定繰り返し周
期、例えば、１回当りの露光時間や画素周期においてＬ
Ｄ１２の発光をパルス幅変調するものである。この画像
露光方式におけるパルス幅変調では、光源であるＬＤ１
２の光出力を一定に設定しておき、各画素毎に１画素周
期内においてＬＤ１２を連続発光させる時間すなわち１
回（１画素）の連続露光時間をそれぞれ駆動回路３４に
出力する。ここで、ある色の露光量をＥ、当該色のＬＤ
の光出力をＰ、ＬＤの発光時間すなわち露光時間をｔと
すると、Ｅ＝Ｐ×ｔと表わすことができ、光出力Ｐが一
定のパルス幅変調の場合、連続露光時間をｔ＝Ｅ／Ｐと
表わすことができる。従って、変調回路３２は、それぞ
れこの連続露光時間ｔC ，ｔY ，ｔM を信号として駆動
回路３４に出力する。
は、露光制御手段３０によって決定された１ラインの各
画素の露光量に応じて、予め設定された所定繰り返し周
期、例えば、１回当りの露光時間や画素周期においてＬ
Ｄ１２の発光をパルス幅変調するものである。この画像
露光方式におけるパルス幅変調では、光源であるＬＤ１
２の光出力を一定に設定しておき、各画素毎に１画素周
期内においてＬＤ１２を連続発光させる時間すなわち１
回（１画素）の連続露光時間をそれぞれ駆動回路３４に
出力する。ここで、ある色の露光量をＥ、当該色のＬＤ
の光出力をＰ、ＬＤの発光時間すなわち露光時間をｔと
すると、Ｅ＝Ｐ×ｔと表わすことができ、光出力Ｐが一
定のパルス幅変調の場合、連続露光時間をｔ＝Ｅ／Ｐと
表わすことができる。従って、変調回路３２は、それぞ
れこの連続露光時間ｔC ，ｔY ，ｔM を信号として駆動
回路３４に出力する。
【００２７】変調回路３２の一構成例のブロック図を図
２に示す。図２に示す変調回路３２は、クロック発生回
路３２１、分圧器３２２、積分器３２３、比較器３２４
およびＤ／Ａ変換器３２５から構成される。この変調回
路３２においては、画素周期と同期したクロック発生回
路３２１の出力（図３の参照）は分圧器３２２で電圧
振幅を伸縮調整された後、積分器３２３へ入力され、図
３のに示すように三角波を発生する。この三角波は比
較器３２４に入力される。一方、ディジタル画像信号は
Ｄ／Ａ変換器３２５により、画像濃度に応じた電圧（図
３の参照）に変換された後、比較器３２４の他の入力
信号となる。比較器３２４において、前記三角波と前記
画像濃度に応じた電圧とが比較され、図３のに示すよ
うに前記画像濃度に応じたＬＤの発光時間（ｔ）がＬＤ
１２の駆動回路３４に出力される。こうして、変調回路
３２は前記デジタル画像信号をパルス幅変調する。
２に示す。図２に示す変調回路３２は、クロック発生回
路３２１、分圧器３２２、積分器３２３、比較器３２４
およびＤ／Ａ変換器３２５から構成される。この変調回
路３２においては、画素周期と同期したクロック発生回
路３２１の出力（図３の参照）は分圧器３２２で電圧
振幅を伸縮調整された後、積分器３２３へ入力され、図
３のに示すように三角波を発生する。この三角波は比
較器３２４に入力される。一方、ディジタル画像信号は
Ｄ／Ａ変換器３２５により、画像濃度に応じた電圧（図
３の参照）に変換された後、比較器３２４の他の入力
信号となる。比較器３２４において、前記三角波と前記
画像濃度に応じた電圧とが比較され、図３のに示すよ
うに前記画像濃度に応じたＬＤの発光時間（ｔ）がＬＤ
１２の駆動回路３４に出力される。こうして、変調回路
３２は前記デジタル画像信号をパルス幅変調する。
【００２８】駆動回路３４（３４Ｃ，３４Ｙ，３４Ｍ）
は、ＬＤ１２を駆動するための駆動回路であって、パル
ス幅変調の場合、各画素に対し変調回路３２によって決
定された時間ｔC ，ｔY ，ｔM だけ、各ＬＤ毎に予め設
定された光出力ＰC ，ＰY ，ＰM に対する駆動電流Ｉ
C ，ＩY ，ＩM をＬＤ１２に流す。この結果ＬＤ１２
は、それぞれ各ＬＤ毎に予め設定された光出力で各ＬＤ
についてｉ画素に応じて決定された時間ｔC ，ｔY ，ｔ
M だけ発光する。これが１ラインに渡って行われてＬＤ
１２は１ラインの露光を行う。ここで、本発明の第１の
態様にかかる画像露光装置１０においては、駆動回路３
４は少なくとも露光時には感光材料Ａの最低発色濃度の
半分以下の露光量に対応するバイアス電流を、露光画像
の発色濃度に関わらずＬＤ１２に流し続け、ＬＤ１２を
プレヒートした状態としておく。
は、ＬＤ１２を駆動するための駆動回路であって、パル
ス幅変調の場合、各画素に対し変調回路３２によって決
定された時間ｔC ，ｔY ，ｔM だけ、各ＬＤ毎に予め設
定された光出力ＰC ，ＰY ，ＰM に対する駆動電流Ｉ
C ，ＩY ，ＩM をＬＤ１２に流す。この結果ＬＤ１２
は、それぞれ各ＬＤ毎に予め設定された光出力で各ＬＤ
についてｉ画素に応じて決定された時間ｔC ，ｔY ，ｔ
M だけ発光する。これが１ラインに渡って行われてＬＤ
１２は１ラインの露光を行う。ここで、本発明の第１の
態様にかかる画像露光装置１０においては、駆動回路３
４は少なくとも露光時には感光材料Ａの最低発色濃度の
半分以下の露光量に対応するバイアス電流を、露光画像
の発色濃度に関わらずＬＤ１２に流し続け、ＬＤ１２を
プレヒートした状態としておく。
【００２９】前述のように、ＬＤ１２等の発光素子にお
いては、自己発熱等によって発光部の温度が変化し、こ
れによって発光効率が変化する、いわゆるドループが発
生するという問題があり、感光材料Ａの露光量が安定せ
ず、記録画像が濃度変動を有するものとなってしまう。
これに対し、本発明の画像露光装置１０においては、Ｌ
Ｄ１２の少なくとも一つに、感光材料の最低発色濃度の
露光量の半分以下に対応するバイアス電流を、少なくと
も露光中に流し続けることにより、ＬＤ１２をプレヒー
トした状態としておく。
いては、自己発熱等によって発光部の温度が変化し、こ
れによって発光効率が変化する、いわゆるドループが発
生するという問題があり、感光材料Ａの露光量が安定せ
ず、記録画像が濃度変動を有するものとなってしまう。
これに対し、本発明の画像露光装置１０においては、Ｌ
Ｄ１２の少なくとも一つに、感光材料の最低発色濃度の
露光量の半分以下に対応するバイアス電流を、少なくと
も露光中に流し続けることにより、ＬＤ１２をプレヒー
トした状態としておく。
【００３０】そのため、パルス幅変調によってＬＤ１２
をｏｎ／ｏｆｆした際の温度変動を小さくしてＬＤ１２
のドループを低減することができるので、ＬＤ１２をｏ
ｎした際のＬＤ１２の必要以上の光量での発光、ＬＤ１
２の連続発光による発光光量の低下、光量を低下させた
際の発光光量の過剰な落ち込み等を低減して、設定光量
での画像露光を行うことができ、濃度差（濃度変動）の
ない高画質な画像露光を行うことができる。
をｏｎ／ｏｆｆした際の温度変動を小さくしてＬＤ１２
のドループを低減することができるので、ＬＤ１２をｏ
ｎした際のＬＤ１２の必要以上の光量での発光、ＬＤ１
２の連続発光による発光光量の低下、光量を低下させた
際の発光光量の過剰な落ち込み等を低減して、設定光量
での画像露光を行うことができ、濃度差（濃度変動）の
ない高画質な画像露光を行うことができる。
【００３１】本発明の第１の態様の画像露光装置１０に
おいて、バイアス電流は全部のＬＤ１２に流すのには限
定はされず、少なくとも１つにバイアス電流を流せばよ
い。この場合、少なくともバイアス電流は、視認性の高
いシアン発色および／またはマゼンタ発色に対応するＬ
Ｄ１２Ｃおよび／または１２Ｍに流すことにより、ドル
ープによるグレイバランスの崩れが視認されにくくなる
等の点で好ましいが、より高画質な画像露光をおこなう
ためには、全部のＬＤ１２にバイアス電流を流すのがよ
り好ましい。
おいて、バイアス電流は全部のＬＤ１２に流すのには限
定はされず、少なくとも１つにバイアス電流を流せばよ
い。この場合、少なくともバイアス電流は、視認性の高
いシアン発色および／またはマゼンタ発色に対応するＬ
Ｄ１２Ｃおよび／または１２Ｍに流すことにより、ドル
ープによるグレイバランスの崩れが視認されにくくなる
等の点で好ましいが、より高画質な画像露光をおこなう
ためには、全部のＬＤ１２にバイアス電流を流すのがよ
り好ましい。
【００３２】また、本発明の第１の態様の画像露光装置
１０において、ＬＤ１２に流すバイアス電流は、感光材
料Ａ上におけるレーザ光１６の露光量が、感光材料Ａの
最低発色濃度の半分以下の露光量に対応するような量で
ある。そのため、バイアス電流をＬＤ１２に流し発光さ
せることにより感光材料Ａが不要に露光されることがな
く、かぶりの無い高画質画像の記録が可能である。な
お、バイアス電流の量は、かぶりの無い高画質画像の記
録を可能とした上で、ドループをより好適に低減させる
ことができるという点で、最低発色濃度の半分以下が好
ましいが、低光量では自然発光成分（ＬＥＤ成分）が多
く結像ビーム径が大きくなるため、感光材料Ａ上の１点
に露光される回数が多くなる。このような多重露光によ
るカブリ濃度の上昇が大きい感光材料に対しては、更に
バイアス電流の量を低減するのが好ましい。
１０において、ＬＤ１２に流すバイアス電流は、感光材
料Ａ上におけるレーザ光１６の露光量が、感光材料Ａの
最低発色濃度の半分以下の露光量に対応するような量で
ある。そのため、バイアス電流をＬＤ１２に流し発光さ
せることにより感光材料Ａが不要に露光されることがな
く、かぶりの無い高画質画像の記録が可能である。な
お、バイアス電流の量は、かぶりの無い高画質画像の記
録を可能とした上で、ドループをより好適に低減させる
ことができるという点で、最低発色濃度の半分以下が好
ましいが、低光量では自然発光成分（ＬＥＤ成分）が多
く結像ビーム径が大きくなるため、感光材料Ａ上の１点
に露光される回数が多くなる。このような多重露光によ
るカブリ濃度の上昇が大きい感光材料に対しては、更に
バイアス電流の量を低減するのが好ましい。
【００３３】制御手段３６は、画像露光装置１０の動作
制御をするものであって、ポリゴンミラー２２の回転速
度、主走査速度、感光材料Ａを副走査搬送する図示しな
い副走査搬送手段の副走査搬送速度、および画像信号源
２８から露光制御手段３０への１ライン分の画像情報信
号の入力タイミング、各ＬＤ１２の発光タイミング（画
素クロックタイミング）等を制御し、あるいは様々な信
号を受けて、画像露光装置に必要な種々の制御を行うも
のである。
制御をするものであって、ポリゴンミラー２２の回転速
度、主走査速度、感光材料Ａを副走査搬送する図示しな
い副走査搬送手段の副走査搬送速度、および画像信号源
２８から露光制御手段３０への１ライン分の画像情報信
号の入力タイミング、各ＬＤ１２の発光タイミング（画
素クロックタイミング）等を制御し、あるいは様々な信
号を受けて、画像露光装置に必要な種々の制御を行うも
のである。
【００３４】図１に示される画像露光装置１０は、前述
の本発明の第１の態様と共に、本発明の第２の態様も実
施するので、ＬＤ１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙは、それぞれ
を構成する光共振器の感光材料Ａへの射出側（以下、前
方側とする）の反射面が、反射率４５％以上とされてい
る。
の本発明の第１の態様と共に、本発明の第２の態様も実
施するので、ＬＤ１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙは、それぞれ
を構成する光共振器の感光材料Ａへの射出側（以下、前
方側とする）の反射面が、反射率４５％以上とされてい
る。
【００３５】図４にＬＤ１２の発光部の概略図が示され
る。周知のように、ＬＤ１２の発光部はレーザ光１６を
射出する活性層５０の上下にクラッド層５２および５４
を配した積層体の、積層方向と垂直方向の端面を反射面
５６および５８とする構成を有する。また、クラッド層
５２には電極６０が、クラッド層５４には電極６２が接
続されている。このようなＬＤ１２は、反射面５６およ
び５８の間で光を共振する光共振器であり、図示例にお
いては、前方側の反射面５６を透過した光がレーザ光１
６として感光材料Ａに入射する。
る。周知のように、ＬＤ１２の発光部はレーザ光１６を
射出する活性層５０の上下にクラッド層５２および５４
を配した積層体の、積層方向と垂直方向の端面を反射面
５６および５８とする構成を有する。また、クラッド層
５２には電極６０が、クラッド層５４には電極６２が接
続されている。このようなＬＤ１２は、反射面５６およ
び５８の間で光を共振する光共振器であり、図示例にお
いては、前方側の反射面５６を透過した光がレーザ光１
６として感光材料Ａに入射する。
【００３６】ＬＤ（半導体レーザ）はスロープ効率が低
い方が、すなわち電流値の増大に対する光出力向上の割
合の低いものの方が、温度変化に対する光出力の変動が
小さい。従って、スロープ効率の低いＬＤを用いること
により、ドループを低減して高画質な画像露光が可能と
なる。通常のＬＤにおいては、共振器を構成するための
反射面は安定性等の点で３２％の反射率を有するものが
用いられているが、本発明の第２の態様にかかる画像露
光装置１０においては、前方側の反射面５６の反射率を
通常よりも高く４５％以上にすることにより、ＬＤ１２
のスロープ効率を低いものとして、ドループを低減し、
ドループによる濃度差が視認されない高画質な画像露光
を可能としたものである。
い方が、すなわち電流値の増大に対する光出力向上の割
合の低いものの方が、温度変化に対する光出力の変動が
小さい。従って、スロープ効率の低いＬＤを用いること
により、ドループを低減して高画質な画像露光が可能と
なる。通常のＬＤにおいては、共振器を構成するための
反射面は安定性等の点で３２％の反射率を有するものが
用いられているが、本発明の第２の態様にかかる画像露
光装置１０においては、前方側の反射面５６の反射率を
通常よりも高く４５％以上にすることにより、ＬＤ１２
のスロープ効率を低いものとして、ドループを低減し、
ドループによる濃度差が視認されない高画質な画像露光
を可能としたものである。
【００３７】本発明の画像露光装置１０において、ＬＤ
１２の前方側の反射面５６の反射率は４５％以上であ
る。前方側の反射面５６の反射率は通常の３２％よりも
高ければ、スロープ効率を低くしてドループ特性を良好
にすることができるが、本発明者らの実験によれば、反
射率を４５％以上、好ましくは５０％以上とすることに
より、ドループを好適に低減して、濃度差の視認されな
い高画質画像の記録が可能となる。特に、前方側の反射
面５６の反射率を７２％、あるいは９０％とすることに
より、ドループを低減した上で、反射面５６の反射率の
ばらつきを低減し、安定した出力（光量）のレーザ光１
６を得ることができ、より高画質な画像記録が可能とな
り、より好ましい。
１２の前方側の反射面５６の反射率は４５％以上であ
る。前方側の反射面５６の反射率は通常の３２％よりも
高ければ、スロープ効率を低くしてドループ特性を良好
にすることができるが、本発明者らの実験によれば、反
射率を４５％以上、好ましくは５０％以上とすることに
より、ドループを好適に低減して、濃度差の視認されな
い高画質画像の記録が可能となる。特に、前方側の反射
面５６の反射率を７２％、あるいは９０％とすることに
より、ドループを低減した上で、反射面５６の反射率の
ばらつきを低減し、安定した出力（光量）のレーザ光１
６を得ることができ、より高画質な画像記録が可能とな
り、より好ましい。
【００３８】前方側の反射面５６の反射率を４５％以上
に調整する方法には特に限定はなく、反射面を形成する
コーティング層の層厚や層数を調整する方法、コーティ
ング層の材料を選択する方法等、公知の各種の蒸着によ
るミラー（ハーフミラー）の作製方法と同様でよい。
に調整する方法には特に限定はなく、反射面を形成する
コーティング層の層厚や層数を調整する方法、コーティ
ング層の材料を選択する方法等、公知の各種の蒸着によ
るミラー（ハーフミラー）の作製方法と同様でよい。
【００３９】本発明の画像露光装置１０において、この
ような前方側の反射率が４５％以上の反射面を用いるＬ
Ｄ１２は、ＬＤ１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙの内の少なくと
も一つであればよい。ここで、ドループは波長の短いレ
ーザ光を射出するＬＤほど大きい傾向にあり、また、グ
レイバランスの崩れ等が視認されにくい等の点で、視認
性が高く、かつ短波長のレーザ光の発色に対応するＬＤ
のドループを優先的に低減するのが好ましい。従って、
図示例の画像露光装置１０においては、少なくともマゼ
ンタ発色に対応する波長６７０ｎｍのレーザ光１６Ｍを
射出するＬＤ１２Ｍ、さらに好ましくは、波長７５０ｎ
ｍのレーザ光１６Ｙを射出するＬＤ１２Ｙは、前方側の
反射面を高反射率のものとするのが好ましい。しかしな
がら、より高画質な画像記録を行うことができる等の点
で、３つのＬＤ１２すべてを前記構成とするのがより好
ましいのはもちろんである。
ような前方側の反射率が４５％以上の反射面を用いるＬ
Ｄ１２は、ＬＤ１２Ｃ，１２Ｍ，１２Ｙの内の少なくと
も一つであればよい。ここで、ドループは波長の短いレ
ーザ光を射出するＬＤほど大きい傾向にあり、また、グ
レイバランスの崩れ等が視認されにくい等の点で、視認
性が高く、かつ短波長のレーザ光の発色に対応するＬＤ
のドループを優先的に低減するのが好ましい。従って、
図示例の画像露光装置１０においては、少なくともマゼ
ンタ発色に対応する波長６７０ｎｍのレーザ光１６Ｍを
射出するＬＤ１２Ｍ、さらに好ましくは、波長７５０ｎ
ｍのレーザ光１６Ｙを射出するＬＤ１２Ｙは、前方側の
反射面を高反射率のものとするのが好ましい。しかしな
がら、より高画質な画像記録を行うことができる等の点
で、３つのＬＤ１２すべてを前記構成とするのがより好
ましいのはもちろんである。
【００４０】図示例の画像露光装置１０は、本発明の第
１の態様と第２の態様との両方を実施するものである
が、本発明の第１および第２の態様の画像露光装置は、
常に組み合わされて実施されるものには限定はされず、
個々に実施されても良いのはもちろんである。しかしな
がら、ドループによる濃度差のない、高画質な画像を得
るためには、本発明の第１および第２の態様の画像露光
装置を組み合わせて実施するのが好ましのはもちろんで
ある。
１の態様と第２の態様との両方を実施するものである
が、本発明の第１および第２の態様の画像露光装置は、
常に組み合わされて実施されるものには限定はされず、
個々に実施されても良いのはもちろんである。しかしな
がら、ドループによる濃度差のない、高画質な画像を得
るためには、本発明の第１および第２の態様の画像露光
装置を組み合わせて実施するのが好ましのはもちろんで
ある。
【００４１】また、本発明の画像露光装置は、図示例の
ように３色フルカラー画像露光装置に限定されず、４色
以上に対応する４種のＬＤを有する画像露光装置であっ
てもよいし、２色以下の２種のＬＤを有する画像露光装
置でもよい。あるいはモノクロ感光材料露光用の１種の
ＬＤを有する画像露光装置であってもよい。
ように３色フルカラー画像露光装置に限定されず、４色
以上に対応する４種のＬＤを有する画像露光装置であっ
てもよいし、２色以下の２種のＬＤを有する画像露光装
置でもよい。あるいはモノクロ感光材料露光用の１種の
ＬＤを有する画像露光装置であってもよい。
【００４２】以上、本発明の画像露光装置について詳細
に説明したが、本発明は前記実施例に限定はされず、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良およ
び変更を行ってもよいのはもちろんである。
に説明したが、本発明は前記実施例に限定はされず、本
発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良およ
び変更を行ってもよいのはもちろんである。
【００４３】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
第１および第２の態様の画像露光装置によれば、ドルー
プによる光源の発光量の変動を低減し、発光量の変動に
よる感光材料の発色濃度の変動（濃度差）を視認限界以
下まで低減することができ、安定的な発色濃度を有し、
グレイバランスの崩れ等のない高画質な画像記録を行う
ことができる。
第１および第２の態様の画像露光装置によれば、ドルー
プによる光源の発光量の変動を低減し、発光量の変動に
よる感光材料の発色濃度の変動（濃度差）を視認限界以
下まで低減することができ、安定的な発色濃度を有し、
グレイバランスの崩れ等のない高画質な画像記録を行う
ことができる。
【図１】 本発明に係る画像露光装置の一実施例の模式
図である。
図である。
【図２】 図１に示す画像露光装置に用いられる半導体
レーザの変調回路の一構成例のブロック図である。
レーザの変調回路の一構成例のブロック図である。
【図３】 図２に示す変調回路の各部におけるタイミン
グチャートの一例である。
グチャートの一例である。
【図４】 本発明に用いられる光源（半導体レーザ）の
発光部を概念的に示す斜視図である。
発光部を概念的に示す斜視図である。
【図５】 光源（半導体レーザ）のドループを説明する
ための感光材料の発色濃度の変化を示すグラフである。
ための感光材料の発色濃度の変化を示すグラフである。
１０ 画像露光装置 １２（１２Ｃ，１２Ｙ，１２Ｍ） 半導体レーザ １４（１４Ｃ，１４Ｙ，１４Ｍ） コリメータレンズ １６（１６Ｃ，１６Ｙ，１６Ｍ） レーザ光 １８（１８Ｃ，１８Ｙ，１８Ｍ） シリンドリカルレ
ンズ ２０ ミラー ２２ ポリゴンミラー ２４ ｆθレンズ ２６ シリンドリカルミラー ２８ 画像信号源 ３０ 露光制御手段 ３２（３２Ｃ，３２Ｙ，３２Ｍ） 変調回路 ３４（３２Ｃ，３４Ｙ，３４Ｍ） 駆動回路 ３６ 制御手段 ５０ 活性層 ５２，５４ クラッド層 ５６，５８ 反射面 ６０，６２ 電極
ンズ ２０ ミラー ２２ ポリゴンミラー ２４ ｆθレンズ ２６ シリンドリカルミラー ２８ 画像信号源 ３０ 露光制御手段 ３２（３２Ｃ，３２Ｙ，３２Ｍ） 変調回路 ３４（３２Ｃ，３４Ｙ，３４Ｍ） 駆動回路 ３６ 制御手段 ５０ 活性層 ５２，５４ クラッド層 ５６，５８ 反射面 ６０，６２ 電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年５月１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様は、所定の狭帯域波長の光を射
出する光源を少なくとも１つ用いて、この光源から射出
され、画像の濃度情報に応じて変調された光によって感
光材料を露光する画像露光装置であって、前記光源の少
なくとも１つに、前記感光材料の基紙濃度から０．１の
濃度変化に対応する露光量の半分以下の露光量に対応す
るバイアス電流を、露光中に前記画像の濃度情報に関わ
らず流し続けることを特徴とする画像露光装置を提供す
る。
に、本発明の第１の態様は、所定の狭帯域波長の光を射
出する光源を少なくとも１つ用いて、この光源から射出
され、画像の濃度情報に応じて変調された光によって感
光材料を露光する画像露光装置であって、前記光源の少
なくとも１つに、前記感光材料の基紙濃度から０．１の
濃度変化に対応する露光量の半分以下の露光量に対応す
るバイアス電流を、露光中に前記画像の濃度情報に関わ
らず流し続けることを特徴とする画像露光装置を提供す
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】これに対し、本発明の第１の態様の画像記
録装置においては、半導体レーザ等の光源の少なくとも
一つに、感光材料の基紙濃度から０．１の濃度変化（以
下、最低発色濃度とする）に対応する露光量の半分以下
の露光量に対応するバイアス電流を少なくとも露光中に
流し続けることにより、光源をプレヒートした状態とし
ておく。そのため光源をｏｎ／ｏｆｆ、あるいは光源の
出力を急激に変化した際の温度変動（温度差）を小さく
することができ、発光素子のドループを低減することが
できる。しかも、光源に流すバイアス電流は、感光材料
の最低発色濃度に対応する露光量の半分以下に発光素子
が発光する量であるので、これにより感光材料が不要に
露光されることがなく、かぶりの無い高画質画像の記録
が可能である。
録装置においては、半導体レーザ等の光源の少なくとも
一つに、感光材料の基紙濃度から０．１の濃度変化（以
下、最低発色濃度とする）に対応する露光量の半分以下
の露光量に対応するバイアス電流を少なくとも露光中に
流し続けることにより、光源をプレヒートした状態とし
ておく。そのため光源をｏｎ／ｏｆｆ、あるいは光源の
出力を急激に変化した際の温度変動（温度差）を小さく
することができ、発光素子のドループを低減することが
できる。しかも、光源に流すバイアス電流は、感光材料
の最低発色濃度に対応する露光量の半分以下に発光素子
が発光する量であるので、これにより感光材料が不要に
露光されることがなく、かぶりの無い高画質画像の記録
が可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 7818−2Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｓ 3/18
Claims (2)
- 【請求項１】所定の狭帯域波長の光を射出する光源を少
なくとも１つ用いて、この光源から射出され、画像の濃
度情報に応じて変調された光によって感光材料を露光す
る画像露光装置であって、 前記光源の少なくとも１つに、前記感光材料の最低発色
濃度に対応する露光量の半分以下の露光量に対応するバ
イアス電流を、露光中に前記画像の濃度情報に関わらず
流し続けることを特徴とする画像露光装置。 - 【請求項２】所定の狭帯域波長の光を射出する光源を少
なくとも１つ用いて、この光源から射出され、画像の濃
度情報に応じて変調された光によって感光材料を露光す
る画像露光装置であって、 少なくとも１つの前記光源の前記感光材料側の端面の反
射率を４５％以上にしたことを特徴とする画像露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04058041A JP3110134B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 画像露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04058041A JP3110134B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 画像露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05260274A true JPH05260274A (ja) | 1993-10-08 |
| JP3110134B2 JP3110134B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=13072854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04058041A Expired - Fee Related JP3110134B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 画像露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3110134B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345295A1 (en) * | 2002-03-16 | 2003-09-17 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A method and system for turning on an optical radiation source |
| JP2008193122A (ja) * | 2003-07-31 | 2008-08-21 | Asml Holding Nv | 対象上にグレースケールを形成する方法およびマスクレスリソグラフィシステム |
| WO2018150996A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社ニコン | パターン描画装置、及びパターン描画方法 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP04058041A patent/JP3110134B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1345295A1 (en) * | 2002-03-16 | 2003-09-17 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | A method and system for turning on an optical radiation source |
| JP2008193122A (ja) * | 2003-07-31 | 2008-08-21 | Asml Holding Nv | 対象上にグレースケールを形成する方法およびマスクレスリソグラフィシステム |
| US7463402B2 (en) | 2003-07-31 | 2008-12-09 | Asml Holding N.V. | Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scale in optical maskless lithography |
| WO2018150996A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | 株式会社ニコン | パターン描画装置、及びパターン描画方法 |
| JPWO2018150996A1 (ja) * | 2017-02-20 | 2019-12-12 | 株式会社ニコン | パターン描画装置、及びパターン描画方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3110134B2 (ja) | 2000-11-20 |
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