JPH05259523A - 超電導回路の製造方法 - Google Patents
超電導回路の製造方法Info
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- JPH05259523A JPH05259523A JP4088033A JP8803392A JPH05259523A JP H05259523 A JPH05259523 A JP H05259523A JP 4088033 A JP4088033 A JP 4088033A JP 8803392 A JP8803392 A JP 8803392A JP H05259523 A JPH05259523 A JP H05259523A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004380 ashing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N bromotrifluoromethane Chemical compound FC(F)(F)Br RJCQBQGAPKAMLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000009036 growth inhibition Effects 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910004247 CaCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電気特性を有する超電導回路を、簡単
かつ精密に製造しうる方法を提供すること。 【構成】 基板表面に異なる材料からなる複数の層を形
成し、この最表層に回路パターンを転写し、上記複数の
層を上層から順次エッチングして基板表面に回路パター
ンを形成した後、この回路パターン部に超電導膜を形成
することを特徴とする。 【効果】 超電導回路に加工損傷が生じず、また、水分
等による超電導膜の劣化を防止できる超電導回路基板が
簡単かつ精密に製造できる。
かつ精密に製造しうる方法を提供すること。 【構成】 基板表面に異なる材料からなる複数の層を形
成し、この最表層に回路パターンを転写し、上記複数の
層を上層から順次エッチングして基板表面に回路パター
ンを形成した後、この回路パターン部に超電導膜を形成
することを特徴とする。 【効果】 超電導回路に加工損傷が生じず、また、水分
等による超電導膜の劣化を防止できる超電導回路基板が
簡単かつ精密に製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導回路の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】超電導現象とは、或る温度以下で電気抵
抗が全く無くなる現象をいうが、この超電導現象が発現
する温度（臨界温度）は材料によって異なる。臨界温度
が高い材料ほど冷却コストが低くて済むため、現在でき
るだけ高い臨界温度を有する材料の開発が進められてい
る。超電導現象を起こす材料としては、合金系、化合物
系が周知であるが、最近では臨界温度の高い酸化物超電
導材料の開発が進められている。
抗が全く無くなる現象をいうが、この超電導現象が発現
する温度（臨界温度）は材料によって異なる。臨界温度
が高い材料ほど冷却コストが低くて済むため、現在でき
るだけ高い臨界温度を有する材料の開発が進められてい
る。超電導現象を起こす材料としては、合金系、化合物
系が周知であるが、最近では臨界温度の高い酸化物超電
導材料の開発が進められている。
【０００３】超電導材料を用いて電流回路を形成した基
板は、従来の回路基板にみられた発熱の問題なしに大電
流を流し得る優れた長所があるので、各種の電気装置あ
るいは電子装置のパワーモジュールの製造に適してい
る。
板は、従来の回路基板にみられた発熱の問題なしに大電
流を流し得る優れた長所があるので、各種の電気装置あ
るいは電子装置のパワーモジュールの製造に適してい
る。
【０００４】酸化物超電導体による超電導回路を製造す
る方法としては、例えば、ドライまたはウエットエッチ
ングによるパターン形成法が知られている。これは基板
上に超電導膜を形成した後、レジストなどで作られたパ
ターンを保護マスクとして用い、エッチングガスまたは
エッチング液により超電導膜にエッチングを行うもので
ある。ところが、この方法ではプロセスが複雑であって
手間がかかる上、エッチング剤による超電導膜の損傷が
生じやすく、このため超電導回路の電気特性が低下する
という欠点がある。
る方法としては、例えば、ドライまたはウエットエッチ
ングによるパターン形成法が知られている。これは基板
上に超電導膜を形成した後、レジストなどで作られたパ
ターンを保護マスクとして用い、エッチングガスまたは
エッチング液により超電導膜にエッチングを行うもので
ある。ところが、この方法ではプロセスが複雑であって
手間がかかる上、エッチング剤による超電導膜の損傷が
生じやすく、このため超電導回路の電気特性が低下する
という欠点がある。
【０００５】また、酸化物超電導体による超電導回路を
製造する別の方法として、超電導膜形成成分を含む有機
金属ガス雰囲気中、レーザー光で基板上を配線パターン
通りに走査することによって超電導膜を形成し、回路を
製造する方法も考えられるが、非常に微細なパターンで
あるため制御が困難であり、また時間もかかるという欠
点がある。
製造する別の方法として、超電導膜形成成分を含む有機
金属ガス雰囲気中、レーザー光で基板上を配線パターン
通りに走査することによって超電導膜を形成し、回路を
製造する方法も考えられるが、非常に微細なパターンで
あるため制御が困難であり、また時間もかかるという欠
点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記の如き欠点を解消し、優れた電気特性を有する
超電導回路を簡単な方法で製造しうる方法を提供するこ
とにある。
は、上記の如き欠点を解消し、優れた電気特性を有する
超電導回路を簡単な方法で製造しうる方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の超電導回
路の製造方法は、基板表面に異なる材料からなる複数の
層を形成し、この最表層に回路パターンを転写し、上記
複数の層を上層から順次エッチングして基板表面に回路
パターン部を形成した後、この回路パターン部に超電導
膜を形成することを特徴とする。
路の製造方法は、基板表面に異なる材料からなる複数の
層を形成し、この最表層に回路パターンを転写し、上記
複数の層を上層から順次エッチングして基板表面に回路
パターン部を形成した後、この回路パターン部に超電導
膜を形成することを特徴とする。
【０００８】上記方法によると、最表層に転写した回路
パターン通りに基材表面に回路パターン部が形成でき、
この回路パターン部に超電導膜を形成することで簡単か
つ精密に超電導回路が製造できる。
パターン通りに基材表面に回路パターン部が形成でき、
この回路パターン部に超電導膜を形成することで簡単か
つ精密に超電導回路が製造できる。
【０００９】以下、本発明を図面に基づき詳細に説明す
る。図１は、本発明を説明するための模式図で、１は基
板、２は成長阻止層、３はマスキング層、４はレジスト
層、５ａ，５ｂは超電導膜、Ｐは回路パターンで、矢印
方向へ順次処理がなされて超電導回路が形成されること
を示す。
る。図１は、本発明を説明するための模式図で、１は基
板、２は成長阻止層、３はマスキング層、４はレジスト
層、５ａ，５ｂは超電導膜、Ｐは回路パターンで、矢印
方向へ順次処理がなされて超電導回路が形成されること
を示す。
【００１０】本発明方法を順に説明すると、まず図１
（ａ）で示すように、基板１の表面に成長阻止層２を形
成する。
（ａ）で示すように、基板１の表面に成長阻止層２を形
成する。
【００１１】本発明で用いられる基板としては、Ｍｇ
Ｏ，ＳｒＴｉＯ3,Ｐｔ，Ａｇ，Ａｌ2Ｏ3,ＬａＧａＯ3,
ＬａＡｌＯ3,ＹＳＺ，Ｓｉ等が例示され、中でもＭｇ
Ｏ，ＳｒＴｉＯ3,Ａｌ2 Ｏ3,ＹＳＺ等が好ましく用いら
れる。
Ｏ，ＳｒＴｉＯ3,Ｐｔ，Ａｇ，Ａｌ2Ｏ3,ＬａＧａＯ3,
ＬａＡｌＯ3,ＹＳＺ，Ｓｉ等が例示され、中でもＭｇ
Ｏ，ＳｒＴｉＯ3,Ａｌ2 Ｏ3,ＹＳＺ等が好ましく用いら
れる。
【００１２】上記成長阻止層２は、本発明の超電導回路
を形成する際に、超電導膜を基板上の他の部分と分離さ
せて回路パターン部に形成する重要な役割を発揮するも
のである。この成長阻止層２は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮ，
Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の材料を電子ビーム蒸着、ス
パッタリング、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ等の方法で形
成される。
を形成する際に、超電導膜を基板上の他の部分と分離さ
せて回路パターン部に形成する重要な役割を発揮するも
のである。この成長阻止層２は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＯＮ，
Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の材料を電子ビーム蒸着、ス
パッタリング、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ等の方法で形
成される。
【００１３】この成長阻止層２は、通常５〜２０μｍ、
好ましくは８〜１５μｍ、さらに好ましくは約１０μｍ
の膜厚に形成される。この成長阻止層２の膜厚が、５μ
ｍ未満であると、成長阻止層２をエッチングして形成し
た回路パターン部に超電導膜を形成する時に、超電導膜
が成長して、回路パターン部および成長阻止層表面に連
なって形成され易く、回路パターンを形成する意味がな
くなり、超電導回路の機能が発揮されない。一方、２０
μｍを越えると、成長阻止層２のエッチングに時間がか
かり、また回路パターン通りのシャープなパターニング
がなされ難い。
好ましくは８〜１５μｍ、さらに好ましくは約１０μｍ
の膜厚に形成される。この成長阻止層２の膜厚が、５μ
ｍ未満であると、成長阻止層２をエッチングして形成し
た回路パターン部に超電導膜を形成する時に、超電導膜
が成長して、回路パターン部および成長阻止層表面に連
なって形成され易く、回路パターンを形成する意味がな
くなり、超電導回路の機能が発揮されない。一方、２０
μｍを越えると、成長阻止層２のエッチングに時間がか
かり、また回路パターン通りのシャープなパターニング
がなされ難い。
【００１４】ついで、図１（ｂ）に示すように、上記成
長阻止層２の表面に、上記と同様の方法でマスキング層
３を形成する。このマスキング層３は、上記成長阻止層
２をエッチングして回路パターンを形成する際、非パタ
ーン部をマスキングする役割を発揮するものである。
長阻止層２の表面に、上記と同様の方法でマスキング層
３を形成する。このマスキング層３は、上記成長阻止層
２をエッチングして回路パターンを形成する際、非パタ
ーン部をマスキングする役割を発揮するものである。
【００１５】このマスキング層３を形成する材料として
は、アモルファスＳｉ，ＴｉＯ，ＴｉＯ2 または高融点
金属等が使用できる。このマスキング層３は、通常１〜
１０μｍ程度、好ましくは約２μｍの膜厚に形成され、
後工程でＳｉＯ2 膜２をドライエッチングする時にマス
キングとして作用する。このマスキング層３の膜厚が、
１μｍ未満であるとマスキング作用が十分に発揮され
ず、２０μｍを越えるとこのマスキング層のエッチング
に時間がかかり、回路パターン通りのシャープなパター
ニングがなされ難い。
は、アモルファスＳｉ，ＴｉＯ，ＴｉＯ2 または高融点
金属等が使用できる。このマスキング層３は、通常１〜
１０μｍ程度、好ましくは約２μｍの膜厚に形成され、
後工程でＳｉＯ2 膜２をドライエッチングする時にマス
キングとして作用する。このマスキング層３の膜厚が、
１μｍ未満であるとマスキング作用が十分に発揮され
ず、２０μｍを越えるとこのマスキング層のエッチング
に時間がかかり、回路パターン通りのシャープなパター
ニングがなされ難い。
【００１６】つぎに、図１（ｃ）に示すように、上記マ
スキング層３の表面にレジスト層４を形成する。このレ
ジスト層４を形成する材料としては、たとえばポジ型も
しくはネガ型のフォトレジストや電子線レジストのよう
な被覆材が用いられる。本発明では、上記被覆材をスピ
ンコート等の方法で通常約０．５〜１０μｍ程度、好ま
しくは約２〜３μｍのレジスト膜４を形成する。このレ
ジスト層４の膜厚が５μｍ未満であると、マスキング作
用が十分に発揮されず、２０μｍを越えると、回路パタ
ーンの転写性能が悪くなり好ましくない。
スキング層３の表面にレジスト層４を形成する。このレ
ジスト層４を形成する材料としては、たとえばポジ型も
しくはネガ型のフォトレジストや電子線レジストのよう
な被覆材が用いられる。本発明では、上記被覆材をスピ
ンコート等の方法で通常約０．５〜１０μｍ程度、好ま
しくは約２〜３μｍのレジスト膜４を形成する。このレ
ジスト層４の膜厚が５μｍ未満であると、マスキング作
用が十分に発揮されず、２０μｍを越えると、回路パタ
ーンの転写性能が悪くなり好ましくない。
【００１７】上記レジスト層４の上方に回路パターンＰ
を形成したフォトマスクをセットし、マスクアライナ
ー，ステッパー，電子線描画装置等の手段で紫外線，電
子線，等を照射して、回路パターンＰ部以外のレジスト
層４を感光させる。この後、未感光レジスト層４を現像
液，純水等で除去して、図１（ｄ）に示すように、レジ
スト層４に回路パターンＰが転写される。
を形成したフォトマスクをセットし、マスクアライナ
ー，ステッパー，電子線描画装置等の手段で紫外線，電
子線，等を照射して、回路パターンＰ部以外のレジスト
層４を感光させる。この後、未感光レジスト層４を現像
液，純水等で除去して、図１（ｄ）に示すように、レジ
スト層４に回路パターンＰが転写される。
【００１８】ついで、上記感光レジスト層４をマスキン
グとして、マスキング層３の回路パターンＰ部を選択的
にエッチングする。このエッチングには、ＲＩＥ（リア
クティブイオンエッチング）法、ＲＩＢＥ（リアクティ
ブイオンビームエッチング）法、イオンミリング法等の
方法が使用できる。このとき使用されるエッチングガス
としては、Ｃ2 ＢｒＦ3 が適当である。上記エッチング
によって、上記マスキング層３の回路パターンＰ部が選
択的にエッチングされ、図１（ｅ）に示すように、マス
キング層３に回路パターンＰが形成される。この後、さ
らにＯ2 プラズマ，剥離剤，有機溶剤等で感光レジスト
膜４をすべて除去する。
グとして、マスキング層３の回路パターンＰ部を選択的
にエッチングする。このエッチングには、ＲＩＥ（リア
クティブイオンエッチング）法、ＲＩＢＥ（リアクティ
ブイオンビームエッチング）法、イオンミリング法等の
方法が使用できる。このとき使用されるエッチングガス
としては、Ｃ2 ＢｒＦ3 が適当である。上記エッチング
によって、上記マスキング層３の回路パターンＰ部が選
択的にエッチングされ、図１（ｅ）に示すように、マス
キング層３に回路パターンＰが形成される。この後、さ
らにＯ2 プラズマ，剥離剤，有機溶剤等で感光レジスト
膜４をすべて除去する。
【００１９】つぎに、残存するマスキング層３をマスキ
ングとして、上記と同様のエッチング法で成長阻止層２
をエッチングして、図１（ｆ）に示すように、成長阻止
層２に回路パターンＰを形成する。このときエッチング
ガスとしては、Ｃ2 Ｆ6,Ｃ2Ｈ4 等が使用できる。
ングとして、上記と同様のエッチング法で成長阻止層２
をエッチングして、図１（ｆ）に示すように、成長阻止
層２に回路パターンＰを形成する。このときエッチング
ガスとしては、Ｃ2 Ｆ6,Ｃ2Ｈ4 等が使用できる。
【００２０】最後に、上記回路パターンＰ部に超電導物
質で超電導膜を形成する。本発明では、上記超電導膜の
形成に種々の酸化物超電導物質が使用できる。この酸化
物超電導物質としては、例えばYBa2Cu3Oy やYBa2Cu4Oy
の如きＹ系酸化物超電導体、Ba1-x K x BiO3の如きBa系
酸化物超電導体、Nd2-x Cex CuO y の如きNd系酸化物超
電導体、Bi2Sr2CaCu2Oy 、Bi2-x Pbx Sr2Ca2Cu3Oy の如
きBi系酸化物超電導体、その他La系酸化物超電導体、Tl
系酸化物超電導体、Pb系酸化物超電導体などが挙げられ
る。また、前記のＹ等の成分を他の希土類元素で置換し
たものやBa等の成分を他のアルカリ土類金属で置換した
ものなども挙げられる。
質で超電導膜を形成する。本発明では、上記超電導膜の
形成に種々の酸化物超電導物質が使用できる。この酸化
物超電導物質としては、例えばYBa2Cu3Oy やYBa2Cu4Oy
の如きＹ系酸化物超電導体、Ba1-x K x BiO3の如きBa系
酸化物超電導体、Nd2-x Cex CuO y の如きNd系酸化物超
電導体、Bi2Sr2CaCu2Oy 、Bi2-x Pbx Sr2Ca2Cu3Oy の如
きBi系酸化物超電導体、その他La系酸化物超電導体、Tl
系酸化物超電導体、Pb系酸化物超電導体などが挙げられ
る。また、前記のＹ等の成分を他の希土類元素で置換し
たものやBa等の成分を他のアルカリ土類金属で置換した
ものなども挙げられる。
【００２１】上記超電導膜の形成には、スパッタリン
グ、ＭＯＣＶＤ法、真空蒸着法、レーザーアブレーショ
ン法、、レーザーアシストＣＶＤ法、イオンクラスター
ビーム蒸着法、熱プラズマフラッシュ蒸着法、プラズマ
アシストＭＯＣＶＤ法、ハライドＣＶＤ法等の公知の方
法が用いられる。このとき、超電導膜は高温で成長させ
ても良く、また低温で形成した後に熱処理を行っても良
い。
グ、ＭＯＣＶＤ法、真空蒸着法、レーザーアブレーショ
ン法、、レーザーアシストＣＶＤ法、イオンクラスター
ビーム蒸着法、熱プラズマフラッシュ蒸着法、プラズマ
アシストＭＯＣＶＤ法、ハライドＣＶＤ法等の公知の方
法が用いられる。このとき、超電導膜は高温で成長させ
ても良く、また低温で形成した後に熱処理を行っても良
い。
【００２２】上記超電導膜は、通常１０2 〜１０4 ｎｍ
程度、好ましくは５×１０2 〜５×１０3 ｎｍの膜厚で
形成される。この超電導膜の膜厚が、１０2 ｎｍ未満で
あると、膜の抵抗値が陽極に大きくなり、１０4 ｎｍを
越えると、超電導膜と基板との界面での内部応力が増
し、超電導膜にクラック等が生じ易く好ましくない。こ
の結果、図１（ｇ）に示すように、基板１上の回路パタ
ーンＰ部には超電導膜５ａが、成長阻止層２上には超電
導膜５ｂが分離して形成され、基板１上への超電導回路
の形成が完了する。
程度、好ましくは５×１０2 〜５×１０3 ｎｍの膜厚で
形成される。この超電導膜の膜厚が、１０2 ｎｍ未満で
あると、膜の抵抗値が陽極に大きくなり、１０4 ｎｍを
越えると、超電導膜と基板との界面での内部応力が増
し、超電導膜にクラック等が生じ易く好ましくない。こ
の結果、図１（ｇ）に示すように、基板１上の回路パタ
ーンＰ部には超電導膜５ａが、成長阻止層２上には超電
導膜５ｂが分離して形成され、基板１上への超電導回路
の形成が完了する。
【００２３】この超電導回路は、その超電導膜５ａより
電圧、電流リードを取り出すことによってデバイス化で
き、磁気センサー、赤外光センサー、高周波フィルタ
ー、遅延回路等の用途に使用される。
電圧、電流リードを取り出すことによってデバイス化で
き、磁気センサー、赤外光センサー、高周波フィルタ
ー、遅延回路等の用途に使用される。
【００２４】
【作用】本発明によれば、基板上の回路パターン部には
超電導膜が精密に形成される。また、基板上に超電導膜
を成膜した後、何ら加工する必要がない。したがって、
超電導回路に加工損傷が生じず、また、水分等による超
電導膜の劣化を防止できる。また、回路をパターニング
する工程に至るまで、水や溶剤等が使用できる。したが
って、種々のレジスト材料が使用でき、レジスト材料の
選択範囲を拡大できる。
超電導膜が精密に形成される。また、基板上に超電導膜
を成膜した後、何ら加工する必要がない。したがって、
超電導回路に加工損傷が生じず、また、水分等による超
電導膜の劣化を防止できる。また、回路をパターニング
する工程に至るまで、水や溶剤等が使用できる。したが
って、種々のレジスト材料が使用でき、レジスト材料の
選択範囲を拡大できる。
【００２５】
【実施例】以下、実施例を示し本発明をより具体的に説
明する。なお、本発明がこれに限定されるものでないこ
とは言うまでもない。図１は本発明の一実施例を示す模
式図であって、１はＳｒＴｉＯ3 製基板、２はＳｉＯ2
層、３はアモルファスＳｉ層、４は紫外線感光型レジス
ト層、５は超電導膜で、矢印方向へ順次処理がなされて
超電導回路が製造される。
明する。なお、本発明がこれに限定されるものでないこ
とは言うまでもない。図１は本発明の一実施例を示す模
式図であって、１はＳｒＴｉＯ3 製基板、２はＳｉＯ2
層、３はアモルファスＳｉ層、４は紫外線感光型レジス
ト層、５は超電導膜で、矢印方向へ順次処理がなされて
超電導回路が製造される。
【００２６】まず、大きさが１０mm×１０mmで厚さ０．
５mmのＳｒＴｉＯ3 製基板１上に高周波マグネトロンス
パッタリングにより、図１（ａ）で示すように、基板１
の表面に約１０μm のＳｉＯ2 層２を形成した。つい
で、この基板１をＳｉＯ2 層２と同一バッチの高周波マ
グネトロンスパッタリングにより、図１（ｂ）で示すよ
うに、ＳｉＯ2 層２の表面に約２μm のアモルファスＳ
ｉ層３を形成した。
５mmのＳｒＴｉＯ3 製基板１上に高周波マグネトロンス
パッタリングにより、図１（ａ）で示すように、基板１
の表面に約１０μm のＳｉＯ2 層２を形成した。つい
で、この基板１をＳｉＯ2 層２と同一バッチの高周波マ
グネトロンスパッタリングにより、図１（ｂ）で示すよ
うに、ＳｉＯ2 層２の表面に約２μm のアモルファスＳ
ｉ層３を形成した。
【００２７】つぎに、この基板１のアモルファスＳｉ層
３表面にスピンコート法で約１μmのレジスト層４を形
成した。この後、この未感光レジスト層４上にガラス上
にＣｒで形成した回路パターン（図示せず）を載置し、
マスクアライナーを用いて上方から紫外線ランプによる
光を約７秒照射した。この結果、レジスト層４は、上記
回路パターン部以外の部分が感光した。ついで、これを
現像し、さらに純水でリンスして、回路パターン部の未
感光レジスト層４を除去した。このようにして、図１
（ｃ）で示すように、基板１のレジスト層４上に回路パ
ターンＰを転写した。
３表面にスピンコート法で約１μmのレジスト層４を形
成した。この後、この未感光レジスト層４上にガラス上
にＣｒで形成した回路パターン（図示せず）を載置し、
マスクアライナーを用いて上方から紫外線ランプによる
光を約７秒照射した。この結果、レジスト層４は、上記
回路パターン部以外の部分が感光した。ついで、これを
現像し、さらに純水でリンスして、回路パターン部の未
感光レジスト層４を除去した。このようにして、図１
（ｃ）で示すように、基板１のレジスト層４上に回路パ
ターンＰを転写した。
【００２８】ついで、上記回路パターンＰを転写した基
板１を、ＣＢｒＦ3 をエッチングガスとして０．０３Ｔ
ｏｒｒの圧力下、高周波電力１００Ｗで１時間ＲＩＥし
たところ、図１（ｄ）で示すように、アモルファスＳｉ
層３が回路パターン通りにエッチングされた。このと
き、上記光感光させたレジスト層４はマスキングとして
作用し、しかる後、このレジスト層４をＯ2 アッシング
で除去した。
板１を、ＣＢｒＦ3 をエッチングガスとして０．０３Ｔ
ｏｒｒの圧力下、高周波電力１００Ｗで１時間ＲＩＥし
たところ、図１（ｄ）で示すように、アモルファスＳｉ
層３が回路パターン通りにエッチングされた。このと
き、上記光感光させたレジスト層４はマスキングとして
作用し、しかる後、このレジスト層４をＯ2 アッシング
で除去した。
【００２９】つぎに、基板１を、Ｃ2 Ｆ6 ，Ｃ2 Ｈ4 を
エッチングガスとして、０．０２４Ｔｏｒｒの圧力下、
高周波電力３００Ｗで２時間ＲＩＥしたところ、図１
（ｅ）で示すように、アモルファスＳｉ層３がマスキン
グとして作用し、ＳｉＯ2 層２が回路パターンＰ通りに
エッチングされ、上記基板１上に回路パターンＰが形成
された。
エッチングガスとして、０．０２４Ｔｏｒｒの圧力下、
高周波電力３００Ｗで２時間ＲＩＥしたところ、図１
（ｅ）で示すように、アモルファスＳｉ層３がマスキン
グとして作用し、ＳｉＯ2 層２が回路パターンＰ通りに
エッチングされ、上記基板１上に回路パターンＰが形成
された。
【００３０】このようにして回路パターンＰを形成した
基板１を、スパッタリング装置を用いて高周波２元マグ
ネトロンスパッタリングして、上記基板１の表面に超電
導膜を形成した。この結果、回路パターンＰ部および成
長阻止層上に超電導膜５ａ，５ｂが形成され、超電導回
路が製造された。
基板１を、スパッタリング装置を用いて高周波２元マグ
ネトロンスパッタリングして、上記基板１の表面に超電
導膜を形成した。この結果、回路パターンＰ部および成
長阻止層上に超電導膜５ａ，５ｂが形成され、超電導回
路が製造された。
【００３１】この超電導回路を形成した基板１の超電導
膜５ａから電圧および電流リードを取り出しデバイス化
し、これを磁気センサー用として使用したところ、臨界
温度は８７Ｋで、７７Ｋの液体窒素中で１ガウスの印加
磁界に対して２Ωの抵抗変化を示す高感度のセンサーが
得られた。
膜５ａから電圧および電流リードを取り出しデバイス化
し、これを磁気センサー用として使用したところ、臨界
温度は８７Ｋで、７７Ｋの液体窒素中で１ガウスの印加
磁界に対して２Ωの抵抗変化を示す高感度のセンサーが
得られた。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、基板表面に積層した複
数の材料からなる積層の最表層に回路パターンを転写
し、積層を上層から順次エッチングしてこの回路パター
ンを基板に形成し、この回路パターン部に超電導膜を形
成するので、簡単かつ精密に超電導回路が製造できる。
また、基板上に超電導膜を成膜した後、何ら加工する必
要がないので、作製した超電導回路に加工損傷が生じ
ず、また、水分等による超電導膜の劣化を防止できる。
したがって、優れた電気特性を有する超電導回路が得ら
れる。
数の材料からなる積層の最表層に回路パターンを転写
し、積層を上層から順次エッチングしてこの回路パター
ンを基板に形成し、この回路パターン部に超電導膜を形
成するので、簡単かつ精密に超電導回路が製造できる。
また、基板上に超電導膜を成膜した後、何ら加工する必
要がないので、作製した超電導回路に加工損傷が生じ
ず、また、水分等による超電導膜の劣化を防止できる。
したがって、優れた電気特性を有する超電導回路が得ら
れる。
【図１】この発明の超電導回路の製造方法を説明する模
式図である。
式図である。
１ 基板 ２ 成長阻止層 ３ マスキング層 ４ レジスト層 ５ａ，５ｂ 超電導膜 Ｐ 回路パターン
Claims (3)
- 【請求項１】 基板表面に異なる材料からなる複数の層
を形成し、この最表層に回路パターンを転写し、上記複
数の層を上層から順次エッチングして基板表面に回路パ
ターン部を形成した後、この回路パターン部に超電導膜
を形成することを特徴とする超電導回路の製造方法。 - 【請求項２】 複数の層が、超電導膜の成長阻止層と、
この成長阻止層のエッチング時にマスキングとなるマス
キング層と、回路パターンを転写するレジスト層とを順
次積層したものである請求項１記載の超電導回路の製造
方法。 - 【請求項３】 複数の層が、ＳｉＯ2 層、アモルファス
Ｓｉ層および感光性レジスト層を順次積層したものであ
る請求項１記載の超電導回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088033A JPH05259523A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 超電導回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4088033A JPH05259523A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 超電導回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259523A true JPH05259523A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13931516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4088033A Pending JPH05259523A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | 超電導回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259523A (ja) |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP4088033A patent/JPH05259523A/ja active Pending
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