JPH05259302A - 平形半導体装置のパッケージ構造 - Google Patents

平形半導体装置のパッケージ構造

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JPH05259302A
JPH05259302A JP5298192A JP5298192A JPH05259302A JP H05259302 A JPH05259302 A JP H05259302A JP 5298192 A JP5298192 A JP 5298192A JP 5298192 A JP5298192 A JP 5298192A JP H05259302 A JPH05259302 A JP H05259302A
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JP
Japan
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package structure
package
arc
semiconductor device
semiconductor chip
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Pending
Application number
JP5298192A
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English (en)
Inventor
Hirotoshi Kaneda
博利 兼田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップの故障に伴って発生したアークが
基でパッケージが破損にまで拡大するのを防止できる信
頼性の高い平形半導体装置のパッケージ構造を提供す
る。 【構成】半導体チップ1を挟持して上下に外部電極2,
3を配し、かつ外囲器7の上下端面と外部電極との間に
金属製フランジ8,9を接合して気密封止した平形半導
体装置のパッケージ構造において、外囲器の内部には、
上下のフランジの内側に並べて外部電極の外周面と外囲
器の内壁面との間にまたがるように、例えばポリ四ふっ
化エチレン,あるいはセラミックなどの耐アーク材料で
作られた二枚のリング状絶縁隔壁10,11を介装し、
半導体チップの故障時に生じたアークが金属性フランジ
を溶融してパッケージ外にアークが吹き出すのを防止す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サイリスタ,ダイオー
ドなどを対象とした加圧接触構造の平形半導体装置のパ
ッケージ構造に関する。
【0002】
【従来の技術】まず、頭記した平形半導体装置の従来の
パッケージ構造を図3に示す。図において、1はサイリ
スタ,ダイオードなどの半導体チップ、2,3は半導体
チップ1を挟んでその上下に配した外部電極、4は半導
体チップ1と外部電極2との間に介装した補強板を兼ね
たモリブデン,タングステンなどの補助電極板、5,6
は半導体チップ1に対し各電極2,3,4を定位置に保
持する位置決めピン、7はセラミック製の外囲器、8,
9は外部電極2,3と外囲器7の上下端面との間にまた
がってろう付け接合した金属製のフランジであり、これ
らで気密封止構造のパッケージを構成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記平形半
導体装置の使用中に半導体チップが故障して局部的に短
絡状態になると、該部にアークが発生してパッケージの
内圧が急激に高まるとともに、従来構造のままでは半導
体チップに発生したアークがチップの周縁から金属製の
フランジに移動し、フランジを溶融させてアーク,ガス
がパッケージ外に爆発的に吹き出すといった重大事故に
拡大することがある。
【0004】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、半導体チップの
故障に伴って発生したアークが基でパッケージが破損に
まで拡大するのを防止できる耐爆性の高い平形半導体装
置のパッケージ構造を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパッケージ構造においては、外囲器の内部
に、上下のフランジに並べて外部電極の外周面と外囲器
の内壁面との間にまたがる二枚のリング状絶縁隔壁を介
装して構成するものとする。ここで、前記の絶縁隔壁は
ポリ四ふっ化エチレン,あるいはセラミックなどの耐ア
ーク材料を採用するものし、またリング状絶縁隔壁の実
施態様として半導体素子の位置決め部材を兼ねた構成も
ある。
【0006】
【作用】前記の構成によれば、故障時に半導体チップに
生じたアークは外囲器と上下二枚の絶縁隔壁で囲まれた
空間内に封じ込められてフランジに移行するのが遮られ
る。これによりアークとの直接接触によるフランジの溶
融,パッケージ外へのアーク吹出しが確実に回避でき
る。
【0007】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。なお、各実施例の図中で図3と対応する同一部材に
は同じ符号が付してある。 実施例1:図1において、図3のパッケージ構造と比べ
て、本発明により外囲器1の内部には符号10,11で
示す二枚の絶縁隔壁が追加装備されている。この絶縁隔
壁はポリ四ふっ化エチレン,あるいはセラミックなどの
耐アーク材料で作られたリング状板であり、上下に並ぶ
フランジ8,9の内側に並置して外部電極2,3の外周
面と外囲器7の内壁面との間にまたがるように介装配備
されている。
【0008】かかる構成によれば、半導体チップ1の故
障時に生じたアークは、半導体チップ1の外周側に広が
った状態になっても絶縁隔壁10,11に遮られて直接
フランジ8,9の方に移行することがなく、外囲器7と
絶縁隔壁10,11とで囲まれた空間内に封じ込まれ
る。しかも、絶縁隔壁自身は十分な耐熱性,不燃性を有
する耐アーク材料で作られているので、アークに直接触
れても安全であり、これによりパッケージが破損してア
ークが外部に吹き出すといった爆発事故に拡大するのを
確実に回避できる。
【0009】実施例2:図2は実施例1の応用実施例を
示すものである。この実施例においては、図1に示した
位置決めピン5,6が無く、その代わりに絶縁隔壁1
0,11の内周端面の一部に半導体チップ1,補助電極
4の外周面を嵌め合わせてこれら部品を外囲器内の中心
位置に保持している。つまり、絶縁隔壁10,11は半
導体チップ1などの位置決め部材を兼ねており、これに
より図1に示した位置決めピンを省略してパッケージ構
造を簡素化できる。
【0010】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の平形半導体
装置のパッケージ構造によれば、外囲器の内部に、上下
のフランジに並べて外部電極の外周面と外囲器の内壁面
との間にまたがる二枚のリング状絶縁隔壁を介装したこ
とにより、半導体チップの故障時に発生したアークが絶
縁隔壁に遮られて外囲器の金属製フランジへ移行するこ
とがなく、これによりフランジが溶融してアークが外部
に吹き出すといった重大事故に拡大するのを防止して信
頼性の高いパッケージ構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例の構成断面図
【図2】図1の応用実施例の構成断面図
【図3】従来における平形半導体装置のパッケージ構造
の断面図
【符号の説明】
1 半導体チップ 2 外部電極 3 外部電極 7 外囲器 8 フランジ 9 フランジ 10 絶縁隔壁 11 絶縁隔壁

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体チップを挟持して上下に外部電極を
    配し、かつ外囲器の上下端面と外部電極との間にフラン
    ジを接合して気密封止した平形半導体装置のパッケージ
    構造において、外囲器の内部に、上下のフランジに並べ
    て外部電極の外周面と外囲器の内壁面との間にまたがる
    二枚のリング状絶縁隔壁を介装したことを特徴とする平
    形半導体装置のパッケージ構造。
  2. 【請求項2】請求項1記載のパッケージ構造において、
    絶縁隔壁がポリ四ふっ化エチレン,セラミックなどの耐
    アーク材料よりなることを特徴とする平形半導体装置の
    パッケージ構造。
  3. 【請求項3】請求項1記載のパッケージ構造において、
    リング状絶縁隔壁が半導体素子の位置決め部材を兼ねて
    いることを特徴とする平形半導体装置のパッケージ構
    造。
JP5298192A 1992-03-12 1992-03-12 平形半導体装置のパッケージ構造 Pending JPH05259302A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1906443A2 (en) 2006-09-26 2008-04-02 Mitsubishi Electric Corporation Pressure-contact semiconductor device
CN101877332A (zh) * 2010-06-13 2010-11-03 江阴市赛英电子有限公司 新型平板压接式多芯片封装陶瓷外壳
CN102554561A (zh) * 2011-02-01 2012-07-11 郑维舟 一种电力半导体管壳的制作方法

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US8456001B2 (en) 2006-09-26 2013-06-04 Mitsubishi Electric Corporation Pressure-contact semiconductor device
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