JPH05259080A - 大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成方法 - Google Patents
大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成方法Info
- Publication number
- JPH05259080A JPH05259080A JP4091587A JP9158792A JPH05259080A JP H05259080 A JPH05259080 A JP H05259080A JP 4091587 A JP4091587 A JP 4091587A JP 9158792 A JP9158792 A JP 9158792A JP H05259080 A JPH05259080 A JP H05259080A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- polysilicon thin
- laser
- target
- excimer laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温でしかも小さな真空チャンバーで形成で
きる大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成法を提
供する。 【構成】 本発明のポリシリコン薄膜は、水素化アモル
ファスシリコンのターゲット３を用いて、レーザアブレ
ーシュン法によりガラス基板または金属基板１上に形成
されてなるものである。また、本発明のポリシリコンの
薄膜の形成法は、水素化アモルファスシリコンターゲッ
ト３を用いて、レーザアブレーシュン法によりポリシリ
コン薄膜をガラス基板または金属基板１上に形成するも
のである。
きる大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成法を提
供する。 【構成】 本発明のポリシリコン薄膜は、水素化アモル
ファスシリコンのターゲット３を用いて、レーザアブレ
ーシュン法によりガラス基板または金属基板１上に形成
されてなるものである。また、本発明のポリシリコンの
薄膜の形成法は、水素化アモルファスシリコンターゲッ
ト３を用いて、レーザアブレーシュン法によりポリシリ
コン薄膜をガラス基板または金属基板１上に形成するも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスター、
薄膜太陽電池に応用可能な大面積ポリシリコン薄膜およ
びその低温形成法に関する。
薄膜太陽電池に応用可能な大面積ポリシリコン薄膜およ
びその低温形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術、特に蒸着法によりポリシリ
コン薄膜をガラス基板上に形成するためには、基板を６
００℃以上に加熱する必要があった。レーザを用いたシ
リコン薄膜の形成の報告はあるが、やはり基板温度とし
て５５０℃以上が必要である。
コン薄膜をガラス基板上に形成するためには、基板を６
００℃以上に加熱する必要があった。レーザを用いたシ
リコン薄膜の形成の報告はあるが、やはり基板温度とし
て５５０℃以上が必要である。
【０００３】また、大面積での成膜においては基板と蒸
着源を遠ざける必要があり、成膜速度の低下、および大
きな真空チャンバーを必要としコスト高となる欠点を有
している。
着源を遠ざける必要があり、成膜速度の低下、および大
きな真空チャンバーを必要としコスト高となる欠点を有
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる従来技
術の問題点に鑑みなされたものであって、低温でしかも
小さな真空チャンバーで形成できる大面積ポリシリコン
薄膜およびその低温形成法を提供することを目的とす
る。
術の問題点に鑑みなされたものであって、低温でしかも
小さな真空チャンバーで形成できる大面積ポリシリコン
薄膜およびその低温形成法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のポリシリコン薄
膜は、ガラス基板または金属基板上に形成されてなるポ
リシリコン薄膜であって、前記ポリシリコン薄膜が、水
素化アモルファスシリコンのターゲットを用いて、レー
ザアブレーション法により形成されてなることを特徴と
している。
膜は、ガラス基板または金属基板上に形成されてなるポ
リシリコン薄膜であって、前記ポリシリコン薄膜が、水
素化アモルファスシリコンのターゲットを用いて、レー
ザアブレーション法により形成されてなることを特徴と
している。
【０００６】本発明のポリシリコン薄膜においては、前
記水素化アモルファスシリコンの水素量が０．１ａｔｏ
ｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下であるのが好ましい。
記水素化アモルファスシリコンの水素量が０．１ａｔｏ
ｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下であるのが好ましい。
【０００７】また、本発明のポリシリコン薄膜において
は、前記レーザアブレーション法に用いるレーザが、Ｆ
2 ，ＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマーレーザであるのが好ま
しく、そして前記Ｆ2のエキシマレーザのエネルギーが
５００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であり、前記Ｋｒ
Ｆのエキシマレーザのエネルギーが８００ｍＪ／cm2以
上１０Ｊ／cm2以下であリ、前記ＡｒＦのエキシマレー
ザのエネルギーが６００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下
であるのが好ましい。
は、前記レーザアブレーション法に用いるレーザが、Ｆ
2 ，ＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマーレーザであるのが好ま
しく、そして前記Ｆ2のエキシマレーザのエネルギーが
５００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であり、前記Ｋｒ
Ｆのエキシマレーザのエネルギーが８００ｍＪ／cm2以
上１０Ｊ／cm2以下であリ、前記ＡｒＦのエキシマレー
ザのエネルギーが６００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下
であるのが好ましい。
【０００８】さらに、本発明のポリシリコン薄膜におい
ては、前記水素化アモルファスシリコンのターゲット
が、合成石英基板上に形成されてなるのが好ましい。
ては、前記水素化アモルファスシリコンのターゲット
が、合成石英基板上に形成されてなるのが好ましい。
【０００９】本発明のポリシリコン薄膜の形成法は、ガ
ラス基板または金属基板上におけるポリシリコン薄膜の
形成法であって、前記ポリシリコン薄膜が、水素化アモ
ルファスシリコンのターゲットを用いて、レーザアブレ
ーション法により形成することを特徴としている。
ラス基板または金属基板上におけるポリシリコン薄膜の
形成法であって、前記ポリシリコン薄膜が、水素化アモ
ルファスシリコンのターゲットを用いて、レーザアブレ
ーション法により形成することを特徴としている。
【００１０】本発明のポリシリコン薄膜の形成法におい
ては、前記水素化アモルファスシリコンの水素量が０．
１ａｔｏｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下であるのが好まし
い。
ては、前記水素化アモルファスシリコンの水素量が０．
１ａｔｏｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下であるのが好まし
い。
【００１１】また、本発明のポリシリコン薄膜の形成法
においては、前記レーザアブレーション法に用いるレー
ザが、Ｆ2 ，ＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマーレーザである
のが好ましく、そして、前記Ｆ2のエキシマレーザのエ
ネルギーが５００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であ
り、前記ＫｒＦのエキシマレーザのエネルギーが８００
ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であり、前記ＡｒＦのエ
キシマレーザのエネルギーが６００ｍＪ／cm2以上１０
Ｊ／cm2以下であるのが好ましい。
においては、前記レーザアブレーション法に用いるレー
ザが、Ｆ2 ，ＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマーレーザである
のが好ましく、そして、前記Ｆ2のエキシマレーザのエ
ネルギーが５００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であ
り、前記ＫｒＦのエキシマレーザのエネルギーが８００
ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であり、前記ＡｒＦのエ
キシマレーザのエネルギーが６００ｍＪ／cm2以上１０
Ｊ／cm2以下であるのが好ましい。
【００１２】さらに、本発明のポリシリコン薄膜の形成
法においては、前記水素化アモルファスシリコンのター
ゲットが、合成石英基板上に形成されてなるのが好まし
い。
法においては、前記水素化アモルファスシリコンのター
ゲットが、合成石英基板上に形成されてなるのが好まし
い。
【００１３】
【作用】本発明のポリシリコン薄膜は、水素化アモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈという）のターゲッ
トを用いて、レーザアブレーション法により形成されて
いるので、大面積に形成することができる。
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈという）のターゲッ
トを用いて、レーザアブレーション法により形成されて
いるので、大面積に形成することができる。
【００１４】また、本発明の形成法においては、シリコ
ンターゲットを用いる代わりにａ−Ｓｉ：Ｈのターゲッ
トを用いてレーザアブレーション法により形成している
ので、低温（５００℃以下）にて大面積にポリシリコン
薄膜を、ターゲットと基板の間隔を短くして形成するこ
とができる。したがって、小さなチャンバーにより高速
で形成することができる。
ンターゲットを用いる代わりにａ−Ｓｉ：Ｈのターゲッ
トを用いてレーザアブレーション法により形成している
ので、低温（５００℃以下）にて大面積にポリシリコン
薄膜を、ターゲットと基板の間隔を短くして形成するこ
とができる。したがって、小さなチャンバーにより高速
で形成することができる。
【００１５】
【実施例】以下、添付図面を参照しながら本発明を実施
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
例に基づいて説明するが、本発明はかかる実施例のみに
限定されるものではない。
【００１６】図１は本発明の形成法に用いる装置の概略
図である。図において、１は基板、２はヒータ、３はａ
−Ｓｉ：Ｈターゲット、４は真空チャンバー、５は排気
系、６はエキシマレーザ光学系、７はエキシマレーザ源
を示す。
図である。図において、１は基板、２はヒータ、３はａ
−Ｓｉ：Ｈターゲット、４は真空チャンバー、５は排気
系、６はエキシマレーザ光学系、７はエキシマレーザ源
を示す。
【００１７】本発明においてはポリシリコン薄膜を低温
で形成するために水素原子の効果を利用している。すな
わち、レーザアブレーション用のターゲットとしてシリ
コンを用いる代わりにａ−Ｓｉ：Ｈを用いている。この
ａ−Ｓｉ：Ｈがエキシマーレーザにてアブレーションさ
れるとシリコン原子のみならず水素原子も生成され、こ
の生成された水素原子が基板１表面での結晶化を促進す
る。
で形成するために水素原子の効果を利用している。すな
わち、レーザアブレーション用のターゲットとしてシリ
コンを用いる代わりにａ−Ｓｉ：Ｈを用いている。この
ａ−Ｓｉ：Ｈがエキシマーレーザにてアブレーションさ
れるとシリコン原子のみならず水素原子も生成され、こ
の生成された水素原子が基板１表面での結晶化を促進す
る。
【００１８】また、ａ−Ｓｉ：Ｈを用いるとレーザでア
ブレートされるしきい値、つまりエネルギーが減少し、
より大面積でのアブレーション領域が得られる。
ブレートされるしきい値、つまりエネルギーが減少し、
より大面積でのアブレーション領域が得られる。
【００１９】さらに、レーザ光をスキャンすることで、
Ｘ，Ｙ方向にスキャンされるので、大面積にわたり成膜
可能となる。
Ｘ，Ｙ方向にスキャンされるので、大面積にわたり成膜
可能となる。
【００２０】したがって、ターゲット３と基板１との距
離を、蒸着法と比較して大幅に短かくすることが可能と
なり堆積速度が増大する。
離を、蒸着法と比較して大幅に短かくすることが可能と
なり堆積速度が増大する。
【００２１】そして、ターゲット３と基板１との間の距
離を縮めることができることから、水素ガス導入により
反応室圧力の増加による気相中でのスパッタリングの効
果が少なくなる。したがって、レーザアブレーションの
際に水素ガス、水素にて希釈化したＨ2Ｏガス等を導入
することができ、水素原子を成膜に積極的に利用でき
る。
離を縮めることができることから、水素ガス導入により
反応室圧力の増加による気相中でのスパッタリングの効
果が少なくなる。したがって、レーザアブレーションの
際に水素ガス、水素にて希釈化したＨ2Ｏガス等を導入
することができ、水素原子を成膜に積極的に利用でき
る。
【００２２】ここで、ターゲット３に用いるａ−Ｓｉ：
Ｈの水素量は、結晶化を促がす水素原子の存在が必要性
なことから、０．１ａｔｏｍ％以上とされ、またターゲ
ット３の強度等から４０ａｔｏｍ％以下とされるのが好
ましい。そして、より結晶性の高いポリシリコン薄膜を
形成する観点からは、１ａｔｏｍ％以上とされ、好まし
くは７ａｔｏｍ％以上とされ、さらに好ましは１０ａｔ
ｏｍ％以下とされる。
Ｈの水素量は、結晶化を促がす水素原子の存在が必要性
なことから、０．１ａｔｏｍ％以上とされ、またターゲ
ット３の強度等から４０ａｔｏｍ％以下とされるのが好
ましい。そして、より結晶性の高いポリシリコン薄膜を
形成する観点からは、１ａｔｏｍ％以上とされ、好まし
くは７ａｔｏｍ％以上とされ、さらに好ましは１０ａｔ
ｏｍ％以下とされる。
【００２３】ａ−Ｓｉ：Ｈターゲット３は、一般的に
は、シランガス、ジシランガス、ジクロロシランガス、
またはこれらと水素、ヘリウム等の不活性ガス等との混
合物を用いて、プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ：Ｈを
合成石英の基板上に１００μｍから５００μｍ堆積させ
たものを用いるのがよい。合成石英を用いるのはａ−Ｓ
ｉ：Ｈがアブレートされた後でもレーザ光を吸収しない
ので、合成石英がアブレートされないからである。また
熱伝導率もシリコンと異なり極端に悪く、照射されたエ
ネルギーが逃げるのを防ぐことができる。その上、大面
積のターゲットも容易にできることから、レーザビーム
をスキャンすることにより大面積のターゲットに照射可
能となる。
は、シランガス、ジシランガス、ジクロロシランガス、
またはこれらと水素、ヘリウム等の不活性ガス等との混
合物を用いて、プラズマＣＶＤ法によりａ−Ｓｉ：Ｈを
合成石英の基板上に１００μｍから５００μｍ堆積させ
たものを用いるのがよい。合成石英を用いるのはａ−Ｓ
ｉ：Ｈがアブレートされた後でもレーザ光を吸収しない
ので、合成石英がアブレートされないからである。また
熱伝導率もシリコンと異なり極端に悪く、照射されたエ
ネルギーが逃げるのを防ぐことができる。その上、大面
積のターゲットも容易にできることから、レーザビーム
をスキャンすることにより大面積のターゲットに照射可
能となる。
【００２４】また合成石英基板上に形成されたものをタ
ーゲットとして用いることなく、プラズマ又ＣＶＤ法に
てａ−Ｓｉ：Ｈのパウダーを形成し、このパウダーを高
圧プレスしてペレット状にすることにより、ターゲット
として用いることも可能である。この場合、ａ−Ｓｉ：
Ｈターゲット３中の水素量は４０ａｔｏｍ％〜６０ａｔ
ｏｍ％とすることもできるので、水素量の大きなターゲ
ットも形成できる。もちろん、ＣＶＤの条件により水素
量の低いものも形成可能である。また、水素雰囲気下で
Ｓｉをスパッターすることによっても形成できる。
ーゲットとして用いることなく、プラズマ又ＣＶＤ法に
てａ−Ｓｉ：Ｈのパウダーを形成し、このパウダーを高
圧プレスしてペレット状にすることにより、ターゲット
として用いることも可能である。この場合、ａ−Ｓｉ：
Ｈターゲット３中の水素量は４０ａｔｏｍ％〜６０ａｔ
ｏｍ％とすることもできるので、水素量の大きなターゲ
ットも形成できる。もちろん、ＣＶＤの条件により水素
量の低いものも形成可能である。また、水素雰囲気下で
Ｓｉをスパッターすることによっても形成できる。
【００２５】用いるレーザとしては、ＹＡＧレーザの第
二高調波（５３２ｎｍ）、Ａｒレーザ（４８８ｎｍ）、
エキシマーレーザ（Ｆ2（１５７ｎｍ）、ＡｒＦ（１９
３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＦ（３５１ｎ
ｍ）、Ｘ2 Ｃｌ（３０８ｎｍ））がその代表格である
が、ａ−Ｓｉ：Ｈの吸収係数およびターゲット３が合成
石英上のａ−Ｓｉ：Ｈであることを考慮するとエキシマ
ーレーザが好ましい。特に、波長の短かいＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆ，Ｆ2レーザが好ましい。
二高調波（５３２ｎｍ）、Ａｒレーザ（４８８ｎｍ）、
エキシマーレーザ（Ｆ2（１５７ｎｍ）、ＡｒＦ（１９
３ｎｍ）、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＸｅＦ（３５１ｎ
ｍ）、Ｘ2 Ｃｌ（３０８ｎｍ））がその代表格である
が、ａ−Ｓｉ：Ｈの吸収係数およびターゲット３が合成
石英上のａ−Ｓｉ：Ｈであることを考慮するとエキシマ
ーレーザが好ましい。特に、波長の短かいＡｒＦ，Ｋｒ
Ｆ，Ｆ2レーザが好ましい。
【００２６】必要なエネルギーとしては、ａ−Ｓｉ：Ｈ
の水素量にも依存するが、ＫｒＦでは８０ｍＪ／ｃｍ2
以上３Ｊ／ｃｍ2以下、ＡｒＦでは６００ｍＪ／ｃｍ2以
上２Ｊ／ｃｍ2以下、Ｆ2では５００ｍＪ／ｃｍ2以上１
０Ｊ／ｃｍ2以下であるのが好ましい。
の水素量にも依存するが、ＫｒＦでは８０ｍＪ／ｃｍ2
以上３Ｊ／ｃｍ2以下、ＡｒＦでは６００ｍＪ／ｃｍ2以
上２Ｊ／ｃｍ2以下、Ｆ2では５００ｍＪ／ｃｍ2以上１
０Ｊ／ｃｍ2以下であるのが好ましい。
【００２７】照射面積としては、大面積高速成膜という
観点からは大きければ大きいほどよい。なお、アブレー
ションのため前記エネルギーが必要なことから５ｍｍ×
５ｍｍ以上とするのが好ましい。
観点からは大きければ大きいほどよい。なお、アブレー
ションのため前記エネルギーが必要なことから５ｍｍ×
５ｍｍ以上とするのが好ましい。
【００２８】真空チャンバー４の圧力は、背圧を１μＴ
ｏｒｒとして、１０Ｔｏｒｒ以下、望ましくは、１００
ｍＴｏｒｒから１０μＴｏｒｒ〜１μＴｏｒｒの超真空
にするのがよい。
ｏｒｒとして、１０Ｔｏｒｒ以下、望ましくは、１００
ｍＴｏｒｒから１０μＴｏｒｒ〜１μＴｏｒｒの超真空
にするのがよい。
【００２９】また、基板１の温度は、１００℃〜５００
℃とされている。
℃とされている。
【００３０】このようにして生成した膜は従来のシリコ
ンをターゲットにして生成した膜に比し、低温にて結晶
化が可能になる。また結晶性が向上し、かつ粒径が大き
くなり、移動度の大きな薄膜であるという優れた特性を
有する。
ンをターゲットにして生成した膜に比し、低温にて結晶
化が可能になる。また結晶性が向上し、かつ粒径が大き
くなり、移動度の大きな薄膜であるという優れた特性を
有する。
【００３１】以下、より具体的な実施例に基づいて説明
する。
する。
【００３２】実施例 １００ｍｍφの合成石英上に、プラズマＣＶＤ法により
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１００μｍ堆積した。この時の成膜条
件は、ＲＦパワー：１０Ｗ／ｃｍ2、ＳｉＨ4ガス：２０
０ＳＣＣＭ、基板温度：３００℃、圧力：１Ｔｏｒｒと
した。また、堆積速度は、１００Å／秒であった。
ａ−Ｓｉ：Ｈ膜を１００μｍ堆積した。この時の成膜条
件は、ＲＦパワー：１０Ｗ／ｃｍ2、ＳｉＨ4ガス：２０
０ＳＣＣＭ、基板温度：３００℃、圧力：１Ｔｏｒｒと
した。また、堆積速度は、１００Å／秒であった。
【００３３】作成された膜の膜中の水素量をＦＴＩＲに
より求めたところ、１５ａｔｏｍｉｃ％であった。
より求めたところ、１５ａｔｏｍｉｃ％であった。
【００３４】このターゲットを用いて図１に示す装置
で、エキシマーレーザアブレーション法によりポリシリ
コン薄膜を形成した。
で、エキシマーレーザアブレーション法によりポリシリ
コン薄膜を形成した。
【００３５】形成条件を、基板温度４００℃、Ｈ2 ：１
００ＳＣＣＭ、反応室圧力：５ｍＴｏｒｒにてターゲッ
ト３と基板１の間隔：１５０ｎｍとして、エキシマーレ
ーザアブレーションを行なった。エキシマーレーザとし
てはＡｒＦ、ＫｒＦの２種類を用いた。パルスエネルギ
ーは、ＡｒＦで５Ｊ／ｃｍ2、ＫｒＦで７Ｊ／ｃｍ2とし
て行なった。繰り返しは２Ｈｚで行い、ビームは２Ｈｚ
ごとにスキャンしてアブレーションを行なった。
００ＳＣＣＭ、反応室圧力：５ｍＴｏｒｒにてターゲッ
ト３と基板１の間隔：１５０ｎｍとして、エキシマーレ
ーザアブレーションを行なった。エキシマーレーザとし
てはＡｒＦ、ＫｒＦの２種類を用いた。パルスエネルギ
ーは、ＡｒＦで５Ｊ／ｃｍ2、ＫｒＦで７Ｊ／ｃｍ2とし
て行なった。繰り返しは２Ｈｚで行い、ビームは２Ｈｚ
ごとにスキャンしてアブレーションを行なった。
【００３６】作成された膜はＸ線回折、ラマンスペクト
ルより結晶化していることが確認された。また、ＳＥＭ
観察から粒形は２００Å〜１μｍであることがわかっ
た。
ルより結晶化していることが確認された。また、ＳＥＭ
観察から粒形は２００Å〜１μｍであることがわかっ
た。
【００３７】比較例 ターゲットを水素を含まない高純度シリコンターゲット
（８Ｎ）とした他は、て実施例と同様の条件および方法
により、エキマーレーザアブレーション法によってポリ
シリコン薄膜を作成した。
（８Ｎ）とした他は、て実施例と同様の条件および方法
により、エキマーレーザアブレーション法によってポリ
シリコン薄膜を作成した。
【００３８】得られたポリシリコン薄膜はＸ線回折、ラ
マン測定の結果からアモルファスであることが確認され
た。
マン測定の結果からアモルファスであることが確認され
た。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のポリシリ
コン薄膜は、低温にて形成されより大きなサイズの粒径
の結晶であるという優れた特性を有している。
コン薄膜は、低温にて形成されより大きなサイズの粒径
の結晶であるという優れた特性を有している。
【００４０】また、本発明の形成法によれば、低温に
て、しかも小さな真空チャンバーにより高速で本発明の
ポシリコン薄膜を形成することができる。
て、しかも小さな真空チャンバーにより高速で本発明の
ポシリコン薄膜を形成することができる。
【図１】本発明の形成法に用いる装置の概略図である。
１ 基板 ２ ヒータ ３ ａ−Ｓｉ：Ｈターゲット ４ 真空チャンバー ５ 排気系 ６ エキシマレーザ光学系 ７ エキシマレーザ源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 29/784
Claims (14)
- 【請求項１】 ガラス基板または金属基板上に形成され
てなるポリシリコン薄膜であって、前記ポリシリコン薄
膜が、水素化アモルファスシリコンのターゲットを用い
て、レーザアブレーション法により形成されてなること
を特徴とするポリシリコン薄膜。 - 【請求項２】 前記水素化アモルファスシリコンの水素
量が、０．１ａｔｏｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下である
ことを特徴とする請求項１記載のポリシリコン薄膜。 - 【請求項３】 前記レーザアブレーション法に用いるレ
ーザが、Ｆ2 ，ＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマーレーザであ
ることを特徴とする請求項１または２記載のポリシリコ
ン薄膜。 - 【請求項４】 前記Ｆ2のエキシマレーザのエネルギー
が５００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であることを特
徴とする請求項３記載のポリシリコン薄膜。 - 【請求項５】 前記ＫｒＦのエキシマレーザのエネルギ
ーが、８００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であること
を特徴とする請求項３記載のポリシリコン薄膜。 - 【請求項６】 前記ＡｒＦのエキシマレーザのエネルギ
ーが、６００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であること
を特徴とする請求項３記載のポリシリコン薄膜。 - 【請求項７】 前記水素化アモルファスシリコンのター
ゲットが、合成石英基板上に形成されてなることを特徴
とする請求項１、２、３、４、５または６記載のポリシ
リコン薄膜。 - 【請求項８】 ガラス基板または金属基板上におけるポ
リシリコン薄膜の形成法であって、前記ポリシリコン薄
膜が、水素化アモルファスシリコンのターゲットを用い
て、レーザアブレーション法により形成することを特徴
とするポリシリコン薄膜の形成法。 - 【請求項９】 前記水素化アモルファスシリコンの水素
量が、０．１ａｔｏｍ％以上４０ａｔｏｍ％以下である
ことを特徴とする請求項８記載のポリシリコン薄膜の形
成法。 - 【請求項１０】 前記レーザアブレーション法に用いる
レーザが、Ｆ2 ，ＫｒＦ，ＡｒＦのエキシマーレーザで
あることを特徴とする請求項８または９記載のポリシリ
コン薄膜の形成法。 - 【請求項１１】 前記Ｆ2のエキシマレーザのエネルギ
ーが５００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であることを
特徴とする請求項１０記載のポリシリコン薄膜の形成
法。 - 【請求項１２】 前記ＫｒＦのエキシマレーザのエネル
ギーが、８００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であるこ
とを特徴とする請求項１０記載のポリシリコン薄膜の形
成法。 - 【請求項１３】 前記ＡｒＦのエキシマレーザのエネル
ギーが、６００ｍＪ／cm2以上１０Ｊ／cm2以下であるこ
とを特徴とする請求項１０記載のポリシリコン薄膜の形
成法。 - 【請求項１４】 前記水素化アモルファスシリコンのタ
ーゲットが、合成石英基板上に形成されてなることを特
徴とする請求項８、９、１０、１１、１２または１３記
載のポリシリコン薄膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091587A JPH05259080A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4091587A JPH05259080A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259080A true JPH05259080A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=14030686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4091587A Withdrawn JPH05259080A (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101824593A (zh) * | 2010-05-25 | 2010-09-08 | 杭州电子科技大学 | 一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4091587A patent/JPH05259080A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101824593A (zh) * | 2010-05-25 | 2010-09-08 | 杭州电子科技大学 | 一种耐腐蚀抗静电的硅薄膜的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5313076A (en) | Thin film transistor and semiconductor device including a laser crystallized semiconductor | |
| US7435635B2 (en) | Method for crystallizing semiconductor material | |
| US4379020A (en) | Polycrystalline semiconductor processing | |
| US5962869A (en) | Semiconductor material and method for forming the same and thin film transistor | |
| JPH076960A (ja) | 多結晶半導体薄膜の生成方法 | |
| JP2001035806A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH01187814A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| EP0708479B1 (en) | Method of forming polycrystalline semiconductor thin film | |
| US4762803A (en) | Process for forming crystalline films by glow discharge | |
| JPH0433327A (ja) | 半導体結晶化膜の形成方法 | |
| JPS60202931A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05259080A (ja) | 大面積ポリシリコン薄膜およびその低温形成方法 | |
| JPH0692280B2 (ja) | 結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH0324717A (ja) | 単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH07326769A (ja) | 平面ディスプレイ用薄膜トランジスタ | |
| JP3203706B2 (ja) | 半導体層のアニール処理方法および薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2006261182A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPH0574704A (ja) | 半導体層の形成方法 | |
| JP3881715B2 (ja) | 結晶性半導体膜の形成方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、及び電子装置の製造方法 | |
| JP2706770B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS63207121A (ja) | 光ｃｖｄによる薄膜の製造方法及びそれに使用される装置 | |
| JP2550998B2 (ja) | 単結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JPH1167663A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0485923A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JP2565684B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |