JPH05257146A

JPH05257146A - 液晶表示素子の製造方法

Info

Publication number: JPH05257146A
Application number: JP8779392A
Authority: JP
Inventors: Yasunari Kawabata; 耕也川畑
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1992-03-11
Filing date: 1992-03-11
Publication date: 1993-10-08

Abstract

(57)【要約】【目的】補助電極付き透明電極を有する透明電極基板
に斜方蒸着により均一な配向膜の形成が可能な液晶表示
素子の製造方法を提供する。【構成】基板上に、複数の帯状の透明電極が並列に配
置されてなる透明電極層が形成され、さらに該複数の透
明電極の一方の側端部上で且つ該複数の透明電極におい
て全て同一側の側端部上に、補助電極が形成された透明
電極基板の上に、配向膜形成材料を該透明電極表面と該
補助電極の透明電極側の内壁とのなす角度内の方向から
斜方蒸着することにより配向膜を形成して配向膜付き透
明電極基板を二枚作成し、該配向膜付き透明電極基を配
向膜を内側にして配置し、その間に液晶を封入してなる
液晶表示素子の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は補助電極を有する液晶表
示素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、時計、コンピューター、ワー
ドプロセッサーなどに使用されている液晶表示素子は、
その基本構造として、透明電極上に配向膜を設けた二枚
の透明電極基板を配向膜を内側にして配置して、その間
に液晶が封入される構造をとっているものが普通であ
る。

【０００３】上記液晶表示素子は、軽量であること、消
費電力が小さいことからパーソナルコンピューターやワ
ードプロセッサーなどの液晶ディスプレーとしての用途
が急速に広がっている。この用途の広がりと共に、表示
画面のサイズの大型化、および表示の高精細化の要求が
大きくなってきている。

【０００４】液晶ディスプレーも前記液晶素子と基本的
には同じ構造で、一般に、それは二枚の透明基板上に、
帯状の透明電極が並列に配置された透明電極層および配
向膜がそれぞれこの順に積層された透明電極基板を二枚
用い、これらの透明電極基板をそれぞれの配向膜を向い
合せるように、且つ二枚の透明基板上の帯状の透明電極
が互いに交差してその交差部が表示用の画素を形成する
ように（すなわちマトリクス状に）配置して、その間に
液晶を封入することにより作成される。

【０００５】上記のように、液晶ディスプレーは、表示
画面のサイズの大型化、および表示の高精細化の要求が
高まってきているが、これらを達成するためにはその透
明電極の長さを長くし且つ電極本数を増やす必要があ
る。しかしながら、電極が細く、長くなれば、必然的に
その電極の抵抗は大きくなる。このような透明電極を用
いた場合、液晶素子の作動時に電圧降下が起こり、表示
特性が低下し、最悪の場合には表示が不能となる。

【０００６】上記問題を解決するために、透明電極上に
１０〜２０μｍの幅、０．１〜０．２μｍの層厚の低抵
抗の補助電極を形成する方法（特開平１−３３２１５０
号公報）が提案されている。図５にその構成例を示す。
図５の（ａ）は平面図、（ｂ）が断面図である。図５か
ら分かるように、ガラス基板５１に設けられた透明電極
５２の表面の一方の側端部に補助電極５３が設けられて
いる。これにより、電極の抵抗の上昇を抑えようとして
いる。同様な形状の透明電極が、特開昭６２−２８０７
２１号公報および特開平２−２０３３２２号公報等にも
記載されている。

【０００７】一方、前述したように、上記補助電極が形
成された多数の透明電極上にも、所望の表示特性を得る
ために液晶を配向させる配向膜を形成する必要がある。
配向膜としては、ポリイミド等の有機ポリマーの配向膜
と、金属酸化物等を斜方蒸着することにより形成される
配向膜があり、前者は塗布により簡単に形成できるがラ
ビング処理を行なう必要があること及び所望の表示特性
を得るために要求される配向特性（例、高いプレチルト
角（液晶分子長軸と基板表面とのなす角））を得ること
が困難であるとの問題がある。一方、後者は蒸着操作が
必要であるがラビング処理が不要で且つ所望の配向特性
が得られ易いとの利点がある。しかしながら、上記のよ
うに一方の側端部に且つ同一位置に補助電極が形成され
た多数の透明電極が設けられた透明電極基板を生産規模
で大量に、上記金属酸化物等の斜方蒸着により配向膜を
形成した場合、得られる液晶表示素子がその表示が表示
部全体で均一な素子だけでなく不均一な素子もかなり製
造されることが明らかになった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記の原
因について研究を重ねたところ、補助電極が設けられて
いない透明電極は、斜方蒸着により配向膜を形成しても
表示部全体で表示の均一な素子がほぼ得られるにもかか
わらず、上記のような透明電極の一方の側端部で且つ全
ての透明電極において同一位置に、補助電極が形成され
た多数の透明電極を有する透明電極基板に斜め蒸着する
場合、蒸着方向を透明電極の補助電極が形成された側端
部側から行なう場合と、反対の補助電極が形成されてい
ない側端部側から行なう場合とでは、得られる配向膜の
形成状態もその形成方法（蒸着方向）に応じて異なって
くることが判明した。すなわち、蒸着方向は透明電極の
補助電極が形成された側端部側から行なうと、蒸着源か
ら蒸発した蒸着物質が補助電極により遮られて、補助電
極の影になった透明電極上の領域にはほとんど配向膜が
形成されない。しかしながら、これと反対に、補助電極
が形成されていない透明電極の側端部側から行なうと、
補助電極の影となる部分は透明電極間の領域で表示と関
係のない領域であり、一方透明電極上の全域には均一な
配向膜が形成されることから、均一な表示特性を有する
素子が得られる。従って、このような蒸着方向を考慮し
ないで大量生産された透明電極基板は、蒸着配向膜が透
明電極表面に均一に形成されたものと、不均一に形成さ
れたものが得られるので、表示素子としても表示が均一
なものと不均一なものが製造されることになる。

【０００９】従って、本発明は、補助電極付き透明電極
を有する透明電極基板に斜方蒸着により均一な配向膜を
形成することが可能な液晶表示素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。また、本発明は、均一な表示の補
助電極付き透明電極を有する液晶表示素子を高い歩留ま
りで得られる液晶表示素子の製造方法を提供することを
目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的は、基板上に、
複数の帯状の透明電極が並列に配置されてなる透明電極
層が形成され、さらに該複数の透明電極の一方の側端部
上で且つ該複数の透明電極において全て同一側の側端部
上に、補助電極が形成された透明電極基板の上に、配向
膜形成材料を該透明電極表面と該補助電極の透明電極側
の内壁とのなす角度内の方向から斜方蒸着することによ
り配向膜を形成して配向膜付き透明電極基板を二枚作成
し、該配向膜付き透明電極基板を配向膜を内側にして配
置し、その間に液晶を封入することからなる液晶表示素
子の製造方法より達成することができる。

【００１１】本発明の液晶表示素子の製造方法の好まし
い態様は以下の通りである。１）上記配向膜の形成を、一度に複数の透明電極基板に
対して行なうことを特徴とする上記液晶表示素子の製造
方法。

【００１２】２）上記配向膜の形成を、複数の透明電極
基板に対して順次行なうことを特徴とする上記液晶表示
素子の製造方法。

【００１３】３）該透明電極は、幅が５０〜５００μｍ
の範囲、層厚（高さ）が０．１〜０．５μｍの範囲、そ
して電極間が５〜３０μｍの範囲にあることを特徴とす
る上記液晶表示素子の製造方法。

【００１４】４）該補助電極は、幅が５〜５０μｍの範
囲そして層厚（高さ）が０．０５〜０．５μｍの範囲に
あることを特徴とする上記液晶表示素子の製造方法。

【００１５】５）該斜方蒸着が、８０〜９０度の範囲の
蒸着角にて行なわれることを特徴とする上記液晶表示素
子の製造方法。

【００１６】６）該配向膜の膜厚が、１０〜５００ｎｍ
の範囲にあることを特徴とする上記液晶表示素子の製造
方法。

【００１７】７）該配向膜の材料が、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ
Ｏ、ＴｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ＣｅＯ、ＺｒＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅
およびＭｇＦ₂ のいずれかであることを特徴とする上記
液晶表示素子の製造方法。

【００１８】８）該斜方蒸着が、真空蒸着、スパッタリ
ングあるいはイオンプレーティングにより行なわれるこ
とを特徴とする上記液晶表示素子の製造方法。

【００１９】［発明の構成］添付図面を参照しながら本
発明の製造方法により得られる液晶表示素子の構成につ
いて説明する。

【００２０】図１は、本発明の製造方法により得られる
液晶表示素子の一例の断面図である。透明基板１１ａ、
１１ｂ上に、透明電極１２ａ、１２ｂ、補助電極１３
ａ、１３ｂおよび配向膜１４ａ、１４ｂが、それぞれこ
の順に積層され、二枚の透明電極基板を構成している。
二枚の透明電極基板はそれぞれ配向膜１４ａ、１４ｂを
向い合せるように配置し、その間に強誘電性液晶１５が
封入されている。透明電極１２ａ、１２ｂは、それぞれ
透明基板１１ａ上および１１ｂ上にストライプ状の表示
パターンの形で形成されてており、その際ストライプの
形が互いに直交するように形成されている。これにより
マトリックス表示が可能となる。補助電極１３ｂは、透
明電極１２ｂの一方の側端部上に形成されている。補助
電極の形成される位置は、全ての透明電極において同一
側となっている。透明電極１２ａと補助電極１３ａの関
係も同様になっている。配向膜１４ｂは、配向膜形成材
料を透明電極の補助電極が形成されていない側から斜方
蒸着することにより形成されている。このため、補助電
極１３ｂの背後の透明電極間の領域には、配向膜はほと
んど形成されない。配向膜１４ａも同様な形状になって
いる。

【００２１】本発明の製造方法により得られる上記液晶
表示素子は、上記配向膜１４ａ、１４ｂは配向膜形成材
料（好ましくは無機化合物）を透明電極の補助電極が形
成されていない側から（即ち、透明電極表面と補助電極
の透明電極側の内壁（垂直と考える）とのなす角度内の
方向から）斜方蒸着することにより形成された斜方蒸着
膜であり、斜方蒸着膜を構成しているそれぞれの蒸着物
は補助電極１３ａ、１３ｂを背にして形成されている。
このような斜方蒸着膜は、上記のように透明電極上に欠
損領域が無く均一に存在している。即ち、表示領域（電
極と電極が重なった部分）に斜方蒸着膜（配向膜）が均
一に形成されているので、全領域の液晶分子も均一な配
向状態を形成することから、得られる液晶表示素子は画
素欠陥の無い均一な表示が可能となる。

【００２２】本発明の液晶表示素子の製造方法は、例え
ば下記のようにして実施することができる。

【００２３】本発明の透明基板としては、例えば平滑性
の良好なフロートガラスなどガラスの他、ポリエチレン
テレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリ
エステル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルス
ルホン、ポリエーテルイミド、アセチルセルロース、ポ
リアミノ酸エステル、芳香族ポリアミド等の耐熱樹脂、
ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリ
ル酸エステル、ポリアクリルアミド、ポリエチレン、ポ
リプロピレン等のビニル系ポリマー、ポリフッ化ビニリ
デン等の含フッ素樹脂及びそれらの変性体等から形成さ
れたプラスチックフィルムを挙げることができる。

【００２４】上記基板上には、常法によりストライプ状
の透明電極が複数形成される。透明電極としては、例え
ば、酸化インジウム（Ｉｎ₂ Ｏ₃ ）、酸化スズ（ＳｎＯ
₂)およびＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）等を
挙げることができる。各透明電極は、幅が５０〜５００
μｍ、厚さ（高さ）０．１〜１．０μｍの形状を有する
ことが好ましく、幅が５０〜３００μｍ、厚さ（高さ）
０．１〜０．５μｍの形状を有することが好ましい。ま
た、電極間の距離は、５〜５０μｍの範囲が好ましく、
さらに５〜３０μｍの範囲が好ましい。

【００２５】なお、基板表面にカラーフィルターおよび
保護層をこの順に形成しても良い。基板表面とカラーフ
ィルターとの間にブラックマトリックスを設けても良
い。

【００２６】上記透明電極（及び基板）上には、補助電
極が形成される。本発明では、補助電極は、透明電極の
一方の側端部上に形成される。そして、その補助電極
は、全ての透明電極において同一側に形成される。

【００２７】補助電極の材料としては、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏなどの透明電極より低い抵
抗を有する金属を挙げることができる。これらは単独で
も、二種以上組み組合せて使用しても良い。

【００２８】上記透明電極基板の上に上記補助電極材料
である金属を真空蒸着等の蒸着を行なうことにより金属
膜を形成する。すなわち、上記金属膜の形成には、従来
の無機物の成膜方法である、抵抗加熱による真空蒸着
法、エレクトロンビーム（ＥＢ）加熱による真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を利
用することができる。金属膜の膜厚は、一般に０．０２
５〜０．５μｍの範囲であり、０．０５〜０．５の範囲
が好ましい。また、補助電極の幅は、一般に５〜５０μ
ｍの範囲であり、５〜３０μｍの範囲が好ましい。

【００２９】上記透明電極及び補助電極上には、斜方蒸
着膜からなる配向膜が形成されるが、配向膜を形成する
前に、必要に応じて絶縁膜を透明電極及び補助電極上に
設けても良い。液晶表示素子では上下基板上の透明電極
が対向して形成されているため上下基板間に異物が混入
するとそこでショートし易くなり、素子に所定の電圧を
印加できなくなる。絶縁膜を設ける目的は、これを防止
するためである。絶縁膜の材料としては、一般に金属酸
化物等の絶縁物質であり、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ 、
ＴｉＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 、Ｎｄ₂ Ｏ₃ およびＺｒＯ₂ を挙
げることができる。「焼き付き」防止の観点から誘電率
の高いＴｉＯ₂ 、Ｔａ₂ Ｏ₅ 及びＮｄ₂Ｏ₃ が好まし
い。その膜厚は、５０〜５００ｎｍが一般的である。

【００３０】上記透明電極及び補助電極上、又は絶縁膜
上には、斜方蒸着膜からなる配向膜が形成される。

【００３１】本発明の配向膜の配向膜形成材料は、Ｓｉ
Ｏ₂ 、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂ 、ＭｇＯ、ＣｅＯ、ＺｒＯ₂ お
よびＭｇＦ₂ などの無機化合物が好ましく、この材料を
真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなど
により斜方蒸着することにより形成される。蒸着に用い
る無機化合物は、単体でも、二種以上使用しても良い。

【００３２】上記の配向膜形成材料を斜方蒸着する方法
を図２を参照しながら説明する。表面に、一方の側端部
に補助電極２３を有する透明電極２２が形成された透明
基板２１上に、補助電極が設けられてない透明電極の側
端部側から（即ち、透明電極表面と補助電極の透明電極
側の内壁とのなす角度内の方向から）、蒸着角度θ（蒸
発源への方向２６と基板２７への垂線とのなす角）にて
蒸着を行なう。このため、無機化合物の蒸着源２８は、
補助電極が設けられてない透明電極の側端部側に配置さ
れている。こうして、透明電極２２および透明基板２１
の上に、斜方蒸着配向膜（図１では１４ａ、１４ｂ）が
形成される。蒸着角度θは一般に８０〜９０度の範囲
で、８２〜８５度の範囲が好ましい。蒸着角度θを適宜
設定することにより、液晶を所望のプレチルト角に配向
させることができる。

【００３３】本発明では、配向膜（斜方蒸着膜）は、配
向膜形成材料（好ましくは無機化合物）の蒸着源又は蒸
着物質の蒸気の進行方向を、透明電極の補助電極が形成
されていない側（即ち、透明電極表面と補助電極の透明
電極側の内壁（一般に垂直と考える）とのなす角度内の
方向から）に配置して斜方蒸着することにより形成され
る。このように、蒸着方向を透明電極の補助電極が形成
されていない側から行なうことにより、透明電極上及び
補助電極上に欠損領域が無く均一に配向膜が形成される
（従って、画素欠陥の無い表示が得られる）。一方、透
明電極及び補助電極によって蒸着源の蒸気が遮蔽される
透明基板上のａの領域には、全く又はほとんど配向膜は
形成されないが、この領域は表示部分では無く表示特性
に影響を与えることはない。しかしながら、蒸着方向を
上記と反対、即ち透明電極の補助電極が形成された側か
ら行なうと、上記ａの領域が透明電極上に現れることに
なり、表示特性に悪影響を与える。従来は、蒸着方向を
補助電極の位置と関係なく行なっていたため、透明電極
上に均一に配向膜が形成された透明電極基板と不均一に
形成された透明電極基板とが製造されていたことから、
結果として得られる液晶表示素子は優れた表示特性を有
するものと、そうでないものと両方得られ、歩留りの低
い製造方法であった。

【００３４】次に、上記配向膜の形成を、複数の透明電
極基板に対して一度に行なう方法を図３を参照しながら
説明する。図３は、複数の透明電極基板に対して（即ち
生産規模で）斜方蒸着を行なうための製造装置の一例の
断面図である。３０は蒸着装置であり、加熱手段を有す
る蒸着源３２、その上部には開閉シャッター３３、その
上には絞り窓３４が配置され、ここで蒸気流の吹き出し
領域や方向がある程度制御される。絞り窓３４の上部に
は、透明電極基板３１が配置された据え付け台３５が設
置されている。透明電極基板３１は、所定の蒸着角とな
るよう傾けて配置されている。この時全ての透明電極基
板は、図２に示したように、透明電極上の補助電極側が
上になるように配置されており、これにより、形成され
る蒸着膜は、全ての透明電極基板において透明電極上に
欠陥領域がなく均一に形成される。

【００３５】蒸着は、蒸気装置内が、真空にされ、蒸発
源が加熱されることにより行なわれる。据え付け台は、
蒸着中回転させても良い。勿論、上記装置を利用して真
空蒸着だけでなく、エレクトロンビーム（ＥＢ）加熱に
よる真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法で蒸着を行なっても良い。本発明で使用すること
ができる蒸着装置は、上記蒸着装置だけでなく、一度に
多数の基板に対して斜方蒸着することができる従来のバ
ッチ型の蒸着装置であれば、どれでも使用することがで
きる。

【００３６】次に、上記配向膜の形成を、複数個の透明
電極基板に対して順次行なう方法について、図４を参照
しながら説明する。図４は、透明電極基板に対して生産
規模で順次斜方蒸着を行なうための製造装置の一例の断
面図である。４０は蒸着装置であり、加熱手段を有する
蒸着源４２、その上部には開閉シャッター４３、その上
には絞り窓４４が配置され、ここで蒸気流の吹き出し領
域や方向がある程度制御され、更に基板搬送台４６に
は、蒸着される透明電極基板４１に有効に蒸着されるよ
うに蒸着限定窓４５が開口している。基板搬送台４６
は、透明電極基板４１ａを、４１の位置、そして４１ｂ
の位置に順次間欠的又は連続的に移動させる搬送手段を
有している。透明電極基板４１のある位置で、透明電極
基板は所定の蒸着角となるように傾けられる。搬送され
た透明電極基板は４１のある位置の前後で、蒸着限定窓
４５から放出される蒸着源の蒸気流により暴露されて斜
方蒸着膜の配向膜が形成される。そしてここに順次搬送
される全ての透明電極基板は、図２に示したように、透
明電極上の補助電極側が上になるように配置されてい
る。これにより、形成される蒸着膜は、全ての透明電極
基板において透明電極上に欠陥領域がなく均一に形成さ
れる。蒸着は、常法通り、蒸気装置内が、真空にされ、
蒸発源が加熱されることにより行なわれる。これと共
に、透明電極基板が基板搬送台により順次移動されて、
連続的に蒸着される。勿論、上記装置を利用して真空蒸
着だけでなく、エレクトロンビーム（ＥＢ）加熱による
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法で蒸着を行なっても良い。本発明で使用することがで
きる蒸着装置は、上記蒸着装置だけでなく、連続的に多
数の基板に対して蒸着することができる従来の搬送式蒸
着装置であれば、どれでも使用することができる。

【００３７】上記のようにして製造された、透明基板、
透明電極および配向膜からなる透明電極基板二枚をそれ
ぞれの配向膜が内側になるようにして、間隙をあけて相
対させ、セルとする。この間隙の大きさ、すなわちセル
・ギャップは０．５μｍ〜６μｍ程度が一般的である。

【００３８】次ぎに、このセル内に下記の液晶を注入、
封止した後に徐冷して液晶表示素子を作成する。

【００３９】本発明に用いられる上記液晶は従来より知
られているものが使用できる。

【００４０】また、本発明に用いられる液晶は強誘電性
液晶が好ましく、強誘電性液晶は従来より知られている
ものが使用できる。

【００４１】強誘電性を有する液晶は、具体的にはカイ
ラルスメクティクＣ相（ＳｍＣ^* ）、Ｈ相（ＳｍＨ
^* ）、Ｉ相（ＳｍＩ^* ）、Ｊ相（ＳｍＪ^* ）、Ｋ相（Ｓ
ｍＫ^* ）、Ｇ相（ＳｍＧ^* ）またはＦ相（ＳｍＦ^* ）を
有する液晶である。たとえば、『高速液晶技術』（シー
エムシー発行）p. 127〜161 に記載されているような公
知の強誘電性液晶がすべて、本発明に使用することがで
きる。

【００４２】また、具体的な液晶組成物としては、チッ
ソ（株）製のＣＳ−１０１８、ＣＳ−１０２３、ＣＳ−
１０２５、ＣＳ−１０２６、ロディック（株）製のＤＯ
Ｆ０００４、ＤＯＦ０００６、ＤＯＦ０００８、メルク
社製のＺＬＩ−４２３７−０００、ＺＬＩ−４２３７−
１００、ＺＬＩ−４６５４−１００などを挙げることが
できるが、これに限定されるものではない。これらの液
晶の中には液晶に溶解する二色性染料、減粘剤等を添加
しても何ら支障はない。

【００４３】上記のようにして製造された、液晶表示素
子は、使用目的に応じて、セルの両方の基板上に、偏光
板を設けても良い。透明電極と配向膜の間にはカラーフ
ィルター、保護層、絶縁層などが設けられても良い。さ
らに、本発明の液晶表示素子は、使用目的に応じて反射
板、位相差板など、従来の液晶表示素子に設けられる構
成を設けることができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明の液晶表示素子の製造方法は、一
方の側端部に補助電極を有する透明電極が設けられた透
明電極基板に配向膜（斜方蒸着膜）を形成する際、蒸着
膜形成材料を透明電極の補助電極が形成されていない側
に配置して斜方蒸着することにより形成することを特徴
としている。このように、蒸着方向を透明電極の補助電
極が形成されていない側から行なうことにより、透明電
極上及び補助電極上に欠損領域が無く均一配向膜が形成
される。従って、上下の透明電極が交差して形成される
画素は、全て配向膜の欠陥が無いため、優れた表示特性
を得ることができる。また、上記蒸着方法を、生産規模
で多数の基板に対して適用することにより、均一な表示
の補助電極付き透明電極を有する液晶表示素子を高い歩
留まりで得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示素子の構成例を模式的に示す
断面図である。

【図２】蒸着用材料を斜方蒸着する方法を説明するため
の断面図である。

【図３】複数の透明電極基板に対して生産規模で斜方蒸
着を行なうための製造装置の一例の断面図である。

【図４】複数の透明電極基板に対して生産規模で順次斜
方蒸着を行なうための製造装置の一例の断面図である。

【図５】透明電極上に補助電極が形成された従来の基板
の平面図（ａ）及び断面図（ｂ）である。

【符号の説明】

１１ａ、１１ｂ、２１透明基板１２ａ、１２ｂ、２２透明電極１３ａ、１３ｂ、２３補助電極１４ａ、１４ｂ配向膜１５液晶２８、３２、４２蒸発源３０、４０蒸着装置３１、４１透明電極基板３３、４３開閉シャッター３４、４４絞り窓３６据え付け台４５蒸着限定窓４６基板搬送台

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、複数の帯状の透明電極が並列
に配置されてなる透明電極層が形成され、さらに該複数
の透明電極の一方の側端部上で且つ該複数の透明電極に
おいて全て同一側の側端部上に、補助電極が形成された
透明電極基板の上に、配向膜形成材料を該透明電極表面
と該補助電極の透明電極側の内壁とのなす角度内の方向
から斜方蒸着することにより配向膜を形成して配向膜付
き透明電極基板を二枚作成し、該配向膜付き透明電極基
を配向膜を内側にして配置し、その間に液晶を封入する
ことからなる液晶表示素子の製造方法。
【請求項２】上記配向膜の形成を、一度に複数の透明
電極基板に対して行なう請求項１に記載の液晶表示素子
の製造方法。
【請求項３】上記配向膜の形成を、複数の透明電極基
板に対して順次行なう請求項１に記載の液晶表示素子の
製造方法。