JPH05256616A - 非接触式すきま測定装置 - Google Patents
非接触式すきま測定装置Info
- Publication number
- JPH05256616A JPH05256616A JP5354792A JP5354792A JPH05256616A JP H05256616 A JPH05256616 A JP H05256616A JP 5354792 A JP5354792 A JP 5354792A JP 5354792 A JP5354792 A JP 5354792A JP H05256616 A JPH05256616 A JP H05256616A
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- JP
- Japan
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- clearance
- gap
- laser beam
- receiving element
- light receiving
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Abstract
(57)【要約】
【目的】非接触ですきまを測定する際に、測定対象物に
治具の取り付け、または、測定対象物の加工を行う必要
をなくすとともに、すきまを高精度に測定することを目
的とする。 【構成】レーザ光を測定対象物のすきまに向けて照射す
るレーザ光源１と、前記すきまを通過して回折したレー
ザ光を受光する受光素子２と、前記受光素子２で得られ
たレーザ光の回折パターンを前記すきまの中心からレー
ザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘと、その距離ｘ
における光の強さＬｅｖｅｌで表される複数の測定デー
タ（ＬｅｖK 、ｘK ）で記憶する記憶手段３と、記憶さ
れた複数の測定データ（Ｌｅｖ、ｘ）をＳ＝ΣK 〔Ｌｅ
ｖK −Ａ・ｓｉｎｃ2 ＢｘK 〕2 に代入し、Ｓが最小に
なるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった係数Ａ、Ｂとｔ
＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ＝レーザ波
長、ｚ＝すきまから受光素子までの距離）から前記すき
まを算出する演算手段４とを備えた。
治具の取り付け、または、測定対象物の加工を行う必要
をなくすとともに、すきまを高精度に測定することを目
的とする。 【構成】レーザ光を測定対象物のすきまに向けて照射す
るレーザ光源１と、前記すきまを通過して回折したレー
ザ光を受光する受光素子２と、前記受光素子２で得られ
たレーザ光の回折パターンを前記すきまの中心からレー
ザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘと、その距離ｘ
における光の強さＬｅｖｅｌで表される複数の測定デー
タ（ＬｅｖK 、ｘK ）で記憶する記憶手段３と、記憶さ
れた複数の測定データ（Ｌｅｖ、ｘ）をＳ＝ΣK 〔Ｌｅ
ｖK −Ａ・ｓｉｎｃ2 ＢｘK 〕2 に代入し、Ｓが最小に
なるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった係数Ａ、Ｂとｔ
＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ＝レーザ波
長、ｚ＝すきまから受光素子までの距離）から前記すき
まを算出する演算手段４とを備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、すきまを単色光源レー
ザなどの光を用いて非接触に測定する非接触式すきま測
定装置に関する。
ザなどの光を用いて非接触に測定する非接触式すきま測
定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、非接触ですきまを測定する方法と
しては、静電容量、うず電流等のセンサを使用して、図
６に示すように、測定対象物２１ａの一方にターゲット
２２を取付け、他方にセンサ２３ａを取付けて、すきま
ｔを測定するか、または、図７に示すように、測定対象
物２１ｂの一方にセンサ２３ｂを埋め込んで、すきまｔ
を測定していた。
しては、静電容量、うず電流等のセンサを使用して、図
６に示すように、測定対象物２１ａの一方にターゲット
２２を取付け、他方にセンサ２３ａを取付けて、すきま
ｔを測定するか、または、図７に示すように、測定対象
物２１ｂの一方にセンサ２３ｂを埋め込んで、すきまｔ
を測定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すような測定
方法では、測定対象物２１ａがターゲット２２に比べ、
小さな物の場合、測定が困難となり、また、図７に示す
ような測定方法では、測定対象物２１ｂを加工しなけれ
ばならない等の問題があった。
方法では、測定対象物２１ａがターゲット２２に比べ、
小さな物の場合、測定が困難となり、また、図７に示す
ような測定方法では、測定対象物２１ｂを加工しなけれ
ばならない等の問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の非接触式すきま
測定装置は、上述した問題を解決するためになされたも
ので、図１のクレーム対応図に示すように、レーザ光を
測定対象物のすきまに向けて照射するレーザ光源１と、
前記すきまを通過して回折したレーザ光を受光する受光
素子２と、前記受光素子２で得られたレーザ光の回折パ
ターンを前記すきまの中心からレーザ光の照射方向と直
交する方向の距離ｘとその距離ｘにおける光強度Ｌｅｖ
ｅｌで表される複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）で
記憶する記憶手段３と、記憶された複数の測定データ
（ＬｅｖK 、ｘK ）をＳ＝ΣK 〔ＬｅｖK −Ａ・ｓｉｎ
ｃ2 ＢｘK 〕2 に代入し、Ｓが最小になるような係数
Ａ、Ｂを求め、求まった係数Ａ、Ｂとｔ＝（Ｂ・π）／
（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ＝レーザ波長、ｚ＝すきま
から受光素子までの距離）から前記すきまを算出する演
算手段４とを備えたことを特徴とする。
測定装置は、上述した問題を解決するためになされたも
ので、図１のクレーム対応図に示すように、レーザ光を
測定対象物のすきまに向けて照射するレーザ光源１と、
前記すきまを通過して回折したレーザ光を受光する受光
素子２と、前記受光素子２で得られたレーザ光の回折パ
ターンを前記すきまの中心からレーザ光の照射方向と直
交する方向の距離ｘとその距離ｘにおける光強度Ｌｅｖ
ｅｌで表される複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）で
記憶する記憶手段３と、記憶された複数の測定データ
（ＬｅｖK 、ｘK ）をＳ＝ΣK 〔ＬｅｖK −Ａ・ｓｉｎ
ｃ2 ＢｘK 〕2 に代入し、Ｓが最小になるような係数
Ａ、Ｂを求め、求まった係数Ａ、Ｂとｔ＝（Ｂ・π）／
（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ＝レーザ波長、ｚ＝すきま
から受光素子までの距離）から前記すきまを算出する演
算手段４とを備えたことを特徴とする。
【０００５】
【作用】レーザ光源１からレーザ光が、測定対象物のす
きまに向けて照射されると、レーザ光が前記すきまを回
折しながら通過する。そして、前記すきまを通過したレ
ーザ光が出射する位置に対向して配置された受光素子２
にレーザ光が受光される。ここで、受光素子２によりレ
ーザ光の回折パターンが前記すきまの中心からレーザ光
の照射方向と直交する方向の距離ｘとその距離ｘにおけ
る光強度Ｌｅｖｅｌで検出され、そして、検出された複
数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）を記憶手段３によっ
て記憶する。次いで、演算手段４によって、記憶された
複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）を取り出して、Ｓ
＝ΣK 〔Ｌｅｖk −Ａ・ｓｉｎｃ2ＢｘK 〕2 に代入
し、Ｓが最小になるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった
係数Ａ、Ｂとｔ＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すき
ま、λ＝レーザ波長、ｚ＝すきまから受光素子までの距
離）から前記すきまを算出する。
きまに向けて照射されると、レーザ光が前記すきまを回
折しながら通過する。そして、前記すきまを通過したレ
ーザ光が出射する位置に対向して配置された受光素子２
にレーザ光が受光される。ここで、受光素子２によりレ
ーザ光の回折パターンが前記すきまの中心からレーザ光
の照射方向と直交する方向の距離ｘとその距離ｘにおけ
る光強度Ｌｅｖｅｌで検出され、そして、検出された複
数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）を記憶手段３によっ
て記憶する。次いで、演算手段４によって、記憶された
複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）を取り出して、Ｓ
＝ΣK 〔Ｌｅｖk −Ａ・ｓｉｎｃ2ＢｘK 〕2 に代入
し、Ｓが最小になるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった
係数Ａ、Ｂとｔ＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すき
ま、λ＝レーザ波長、ｚ＝すきまから受光素子までの距
離）から前記すきまを算出する。
【０００６】以上のようにすきまを測定するので、従来
のように、測定の際測定対象物に治具の取り付け、また
は、測定対象物の加工を行う必要が全くなくなるととも
に、非接触で高精度にすきまを測定することができる。
のように、測定の際測定対象物に治具の取り付け、また
は、測定対象物の加工を行う必要が全くなくなるととも
に、非接触で高精度にすきまを測定することができる。
【０００７】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
本発明の実施例である非接触式すきま測定装置は、図２
に示すように測定対象物のすきま１０に向けてレーザ光
を出射するレーザ光源１１と、すきま１０を通過したレ
ーザ光が出射する位置に対向して配置された受光素子１
２と、受光素子１２によって検出されるレーザ光の回折
パターンをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄコンバータ１３と、Ａ
／Ｄコンバータ１３によってＡ／Ｄ変換された測定デー
タをメモリ１５に記憶させるとともに、メモリ１５に記
憶されたすきま演算プログラムと測定データを取り出
し、演算を実行する機能を持つＣＰＵ（中央処理装置）
１４とから構成され、受光素子１２は、Ａ／Ｄコンバー
タ１３を介してＣＰＵ１４と接続し、また、ＣＰＵ１４
はメモリ１５と接続している。
本発明の実施例である非接触式すきま測定装置は、図２
に示すように測定対象物のすきま１０に向けてレーザ光
を出射するレーザ光源１１と、すきま１０を通過したレ
ーザ光が出射する位置に対向して配置された受光素子１
２と、受光素子１２によって検出されるレーザ光の回折
パターンをＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄコンバータ１３と、Ａ
／Ｄコンバータ１３によってＡ／Ｄ変換された測定デー
タをメモリ１５に記憶させるとともに、メモリ１５に記
憶されたすきま演算プログラムと測定データを取り出
し、演算を実行する機能を持つＣＰＵ（中央処理装置）
１４とから構成され、受光素子１２は、Ａ／Ｄコンバー
タ１３を介してＣＰＵ１４と接続し、また、ＣＰＵ１４
はメモリ１５と接続している。
【０００８】ここで、受光素子１２は、図３に示すよう
にレーザ光を受光することによって、その光強度を検出
する画素幅ｗP の画素１２ａがレーザ光の照射方向と直
交する水平方向に複数配列された構成であり、画素１２
ａの画素番号が左端から順番にＫ＝０、１、２、・・・・と
つけられている。また、図３において、受光素子１２の
上方に示すグラフは、受光素子１２の各画素１２ａで検
出された光強度Ｌｅｖｅｌを縦軸にとり、ｘ方向の距離
を横軸にとり、距離ｘK を画素番号Ｋに対応づけて、縦
軸の中心を画素番号Ｋ＝０として描いた光の回折パター
ンの波形を示している。
にレーザ光を受光することによって、その光強度を検出
する画素幅ｗP の画素１２ａがレーザ光の照射方向と直
交する水平方向に複数配列された構成であり、画素１２
ａの画素番号が左端から順番にＫ＝０、１、２、・・・・と
つけられている。また、図３において、受光素子１２の
上方に示すグラフは、受光素子１２の各画素１２ａで検
出された光強度Ｌｅｖｅｌを縦軸にとり、ｘ方向の距離
を横軸にとり、距離ｘK を画素番号Ｋに対応づけて、縦
軸の中心を画素番号Ｋ＝０として描いた光の回折パター
ンの波形を示している。
【０００９】次に、上記のように構成された本発明の実
施例について作動を説明する。レーザ光源１１からレー
ザ光が測定対象物のすきま１０に向けて照射されると、
レーザ光がすきま１０を回折しながら通過する。そし
て、すきま１０を通過したレーザ光は、受光素子１２に
よって受光される。次いで、受光素子１２によりレーザ
光の回折パターンが検出され、Ａ／Ｄコンバータ１３に
よってＡ／Ｄ変換され、ＣＰＵ１４を介して図４に示す
ような測定データがメモリ１５に記憶される。ここで、
距離ｘK は、画素番号Ｋと画素幅ｗP とから、ｘK ＝Ｋ
・ｗP で算出される。
施例について作動を説明する。レーザ光源１１からレー
ザ光が測定対象物のすきま１０に向けて照射されると、
レーザ光がすきま１０を回折しながら通過する。そし
て、すきま１０を通過したレーザ光は、受光素子１２に
よって受光される。次いで、受光素子１２によりレーザ
光の回折パターンが検出され、Ａ／Ｄコンバータ１３に
よってＡ／Ｄ変換され、ＣＰＵ１４を介して図４に示す
ような測定データがメモリ１５に記憶される。ここで、
距離ｘK は、画素番号Ｋと画素幅ｗP とから、ｘK ＝Ｋ
・ｗP で算出される。
【００１０】次に、ＣＰＵ１４において、メモリ１５か
ら測定データ及び演算プログラムが取り出され、すきま
を算出するための演算が実行される。ここで、回折光の
強度分布において、光強度Ｌｅｖｅｌとすきま１０の中
心からレーザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘとの
関係には、
ら測定データ及び演算プログラムが取り出され、すきま
を算出するための演算が実行される。ここで、回折光の
強度分布において、光強度Ｌｅｖｅｌとすきま１０の中
心からレーザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘとの
関係には、
【００１１】
【数１】
【００１２】という理論式がある。なお、ここで、Ａと
Ｂは係数を示す。この式に最小２乗法を用いると、
Ｂは係数を示す。この式に最小２乗法を用いると、
【００１３】
【数２】
【００１４】
【数３】
【００１５】
【数４】
【００１６】（Ｋ＝０、１、２、３、・・・・）となり、式
、、で求めた係数Ｂを用いて、すきまｔが
、、で求めた係数Ｂを用いて、すきまｔが
【００１７】
【数５】
【００１８】（ｔ＝すきま、λ＝レーザ波長、Ｚ＝すき
まから受光素子までの距離）と表せることとから、上記
の式〜を用いることによって、すきまｔを算出する
ことができる。この演算を行うために、まず、最大光強
度ＬｅｖMAX を検出した画素１２ａの位置を検索し、そ
の位置まで、縦軸の中心をシフトさせるが、実際には、
最大光強度ＬｅｖMAX を検出する画素１２ａの位置が、
真のすきまの中心であるという信頼性がないため、さら
に、その位置から左右に数画素、縦軸の中心をシフトさ
せて、演算を行う必要がある。
まから受光素子までの距離）と表せることとから、上記
の式〜を用いることによって、すきまｔを算出する
ことができる。この演算を行うために、まず、最大光強
度ＬｅｖMAX を検出した画素１２ａの位置を検索し、そ
の位置まで、縦軸の中心をシフトさせるが、実際には、
最大光強度ＬｅｖMAX を検出する画素１２ａの位置が、
真のすきまの中心であるという信頼性がないため、さら
に、その位置から左右に数画素、縦軸の中心をシフトさ
せて、演算を行う必要がある。
【００１９】ここでは、最大光強度ＬｅｖMAX ＝Ｌｅｖ
N を検出した画素番号Ｋ＝Ｎの画素１２ａの左右に３画
素、縦軸の中心をシフトさせて演算を行うことにする。
次にすきまｔを算出する過程を図５に示す演算プログラ
ムのフローチャートを用いて説明する。まず、ステップ
１００において、測定データから最大光強度ＬｅｖMAX
を検出した画素番号Ｋ＝Ｎを検索する。
N を検出した画素番号Ｋ＝Ｎの画素１２ａの左右に３画
素、縦軸の中心をシフトさせて演算を行うことにする。
次にすきまｔを算出する過程を図５に示す演算プログラ
ムのフローチャートを用いて説明する。まず、ステップ
１００において、測定データから最大光強度ＬｅｖMAX
を検出した画素番号Ｋ＝Ｎを検索する。
【００２０】次に、ステップ１０１において、第２デー
タシフト番数が、ｉS ＝０に設定される。次に、ステッ
プ１０２において、第１データシフト番号が、ｉ＝Ｎ−
３＋ｉSで算出される。次に、ステップ１０３におい
て、メモリ１５から座標ｘにおける光強度Ｌｅｖｅｌを
表した回折パターンの測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）を
複数個取り出し、この測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）の
ｘK を−ｉだけシフトさせる。
タシフト番数が、ｉS ＝０に設定される。次に、ステッ
プ１０２において、第１データシフト番号が、ｉ＝Ｎ−
３＋ｉSで算出される。次に、ステップ１０３におい
て、メモリ１５から座標ｘにおける光強度Ｌｅｖｅｌを
表した回折パターンの測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）を
複数個取り出し、この測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）の
ｘK を−ｉだけシフトさせる。
【００２１】次に、ステップ１０４で、シフトされた測
定データ（ＬｅｖK 、ｘK-i ）（Ｋ＝ｉ、ｉ＋１、ｉ＋
２、・・・・）が式に代入される。すなわち、ｉS ＝０の
時は、（ＬｅｖN-3 、ｘ0 ）、（ＬｅｖN-2 、ｘ1 ）、
・・・・が、式に代入される。次に、ステップ１０５にお
いて、式にニュートンラプソン法を適用して係数Ａの
解が求められる。
定データ（ＬｅｖK 、ｘK-i ）（Ｋ＝ｉ、ｉ＋１、ｉ＋
２、・・・・）が式に代入される。すなわち、ｉS ＝０の
時は、（ＬｅｖN-3 、ｘ0 ）、（ＬｅｖN-2 、ｘ1 ）、
・・・・が、式に代入される。次に、ステップ１０５にお
いて、式にニュートンラプソン法を適用して係数Ａの
解が求められる。
【００２２】次に、ステップ１０６において、式にス
テップ１０５で求まった係数Ａを代入し、２変数２分法
を適用して係数Ｂが求められる。次に、ステップ１０７
において、求まった係数Ａ、Ｂの解と測定データを用い
て、式よりＳis（ｉS ＝０の時はＳ0 ）が求められ
る。次に、ステップ１０８において、求まったＳisが記
憶される。
テップ１０５で求まった係数Ａを代入し、２変数２分法
を適用して係数Ｂが求められる。次に、ステップ１０７
において、求まった係数Ａ、Ｂの解と測定データを用い
て、式よりＳis（ｉS ＝０の時はＳ0 ）が求められ
る。次に、ステップ１０８において、求まったＳisが記
憶される。
【００２３】次に、ステップ１０９において、第２デー
タシフト番号ｉS が１だけ加算される。次に、ステップ
１１０において、第２データシフト番号ｉS が所定のデ
ータシフト回数６より大きいか否かが判断される。ｉS
が６より小さい場合には、ステップ１０２へ戻り、ステ
ップ１０３でｉS ＝１の時は、（ＬｅｖN-2 、ｘ0 ）、
（ＬｅｖN-1 、ｘ1 ）、・・・・が式に代入され、Ｓ1 が
演算される。以下同様に、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ
6 が演算される。前記ステップ１１０で、ｉS が６より
大きい場合には、ステップ１１１に移行して、記憶され
たＳiS（ｉS ＝０〜６）からＳiSが最小となる係数Ｂを
決定する。
タシフト番号ｉS が１だけ加算される。次に、ステップ
１１０において、第２データシフト番号ｉS が所定のデ
ータシフト回数６より大きいか否かが判断される。ｉS
が６より小さい場合には、ステップ１０２へ戻り、ステ
ップ１０３でｉS ＝１の時は、（ＬｅｖN-2 、ｘ0 ）、
（ＬｅｖN-1 、ｘ1 ）、・・・・が式に代入され、Ｓ1 が
演算される。以下同様に、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ
6 が演算される。前記ステップ１１０で、ｉS が６より
大きい場合には、ステップ１１１に移行して、記憶され
たＳiS（ｉS ＝０〜６）からＳiSが最小となる係数Ｂを
決定する。
【００２４】次に、ステップ１１２において、式にス
テップ１１１で決定した係数Ｂ及び既知の係数を代入す
ることにより、すきまｔが求まる。以上のように、すき
まを測定するので、従来のように測定の際、測定対象物
に治具の取り付け、または、測定対象物の加工を行う必
要が全くなくなるとともに非接触で高精度にすきまを測
定することができる。
テップ１１１で決定した係数Ｂ及び既知の係数を代入す
ることにより、すきまｔが求まる。以上のように、すき
まを測定するので、従来のように測定の際、測定対象物
に治具の取り付け、または、測定対象物の加工を行う必
要が全くなくなるとともに非接触で高精度にすきまを測
定することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の非接触式
すきま測定装置は、レーザ光を測定対象物のすきまに向
けて照射するレーザ光源と、前記すきまを通過して回折
したレーザ光を受光する受光素子と、前記受光素子で得
られたレーザ光の回折パターンを前記すきまの中心から
レーザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘと、その距
離ｘにおける光強度Ｌｅｖｅｌで表される複数の測定デ
ータ（ＬｅｖK 、ｘK ）で記憶する記憶手段と、記憶さ
れた複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）をＳ＝Σ
K 〔Ｌｅｖk −Ａ・ｓｉｎｃ2 Ｂｘk 〕2 に代入し、Ｓ
が最小になるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった係数
Ａ、Ｂとｔ＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ
＝レーザ波長、ｚ＝すきまから受光素子までの距離）か
ら前記すきまを算出する演算手段とを備えた構成なの
で、従来のように測定の際測定対象物に治具の取付け、
または、測定対象物の加工を行う必要が全くなくなると
ともに非接触で高精度にすきまを測定することができ
る。
すきま測定装置は、レーザ光を測定対象物のすきまに向
けて照射するレーザ光源と、前記すきまを通過して回折
したレーザ光を受光する受光素子と、前記受光素子で得
られたレーザ光の回折パターンを前記すきまの中心から
レーザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘと、その距
離ｘにおける光強度Ｌｅｖｅｌで表される複数の測定デ
ータ（ＬｅｖK 、ｘK ）で記憶する記憶手段と、記憶さ
れた複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）をＳ＝Σ
K 〔Ｌｅｖk −Ａ・ｓｉｎｃ2 Ｂｘk 〕2 に代入し、Ｓ
が最小になるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった係数
Ａ、Ｂとｔ＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ
＝レーザ波長、ｚ＝すきまから受光素子までの距離）か
ら前記すきまを算出する演算手段とを備えた構成なの
で、従来のように測定の際測定対象物に治具の取付け、
または、測定対象物の加工を行う必要が全くなくなると
ともに非接触で高精度にすきまを測定することができ
る。
【図１】本発明の非接触式すきま測定装置のクレーム対
応図である。
応図である。
【図２】本発明の実施例の全体構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図３】受光素子の構成を示すとともに、受光素子の各
画素と光の回折パターンの波形との関係を表す図であ
る。
画素と光の回折パターンの波形との関係を表す図であ
る。
【図４】光の回折パターンの測定データ表である。
【図５】すきま演算プログラムのフローチャートであ
る。
る。
【図６】従来のすきま測定方法を示す図である。
【図７】従来の埋め込み式すきま測定方法を示す図であ
る。
る。
１０ すきま １１ レーザ光源 １２ 受光素子 １２ａ 画素 １３ Ａ／Ｄコンバータ １４ ＣＰＵ（中央処理装置） １５ メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 博英 愛知県刈谷市朝日町１丁目１番地 豊田工 機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ光を測定対象物のすきまに向けて
照射するレーザ光源と、前記すきまを通過して回折した
レーザ光を受光する受光素子と、前記受光素子で得られ
たレーザ光の回折パターンを前記すきまの中心からレー
ザ光の照射方向と直交する方向の距離ｘとその距離ｘに
おける光強度Ｌｅｖｅｌで表される複数の測定データ
（ＬｅｖK 、ｘK ）で記憶する記憶手段と、記憶された
複数の測定データ（ＬｅｖK 、ｘK ）をＳ＝ΣK 〔Ｌｅ
ｖK −Ａ・ｓｉｎｃ2 Ｂｘk 〕2に代入し、Ｓが最小に
なるような係数Ａ、Ｂを求め、求まった係数Ａ、Ｂとｔ
＝（Ｂ・π）／（λ・ｚ）（ｔ＝すきま、λ＝レーザ波
長、ｚ＝すきまから受光素子までの距離）から前記すき
まを算出する演算手段とを備えたことを特徴とする非接
触式すきま測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354792A JPH05256616A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 非接触式すきま測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5354792A JPH05256616A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 非接触式すきま測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05256616A true JPH05256616A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=12945826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5354792A Pending JPH05256616A (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 非接触式すきま測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05256616A (ja) |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP5354792A patent/JPH05256616A/ja active Pending
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