JPH05255247A - フッ素置換飽和複素環化合物およびその製造法 - Google Patents
フッ素置換飽和複素環化合物およびその製造法Info
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- JPH05255247A JPH05255247A JP4051498A JP5149892A JPH05255247A JP H05255247 A JPH05255247 A JP H05255247A JP 4051498 A JP4051498 A JP 4051498A JP 5149892 A JP5149892 A JP 5149892A JP H05255247 A JPH05255247 A JP H05255247A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】式
【化１】
〔ＸはＲ6−Ｎ＜（Ｒ6はアシル）又はＯ、ｎは０〜３、
Ｒ1はアルキル，アリール又はアラルキル、Ｒ2，Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ5はＨ又はアルキルを示す。〕で表わされるフッ
素置換飽和複素環化合物およびその製造法。 【効果】中枢神経系医薬品の有用な合成中間体
Ｒ1はアルキル，アリール又はアラルキル、Ｒ2，Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ5はＨ又はアルキルを示す。〕で表わされるフッ
素置換飽和複素環化合物およびその製造法。 【効果】中枢神経系医薬品の有用な合成中間体
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、医薬品、とりわけ中枢
神経系医薬品の中間体として有用な新規フッ素置換飽和
複素環化合物およびその製造法に関する。
神経系医薬品の中間体として有用な新規フッ素置換飽和
複素環化合物およびその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、生理活性を有する種々のフッ素置
換複素環系化合物群が見い出されると共にその合成方法
が種々提案されている〔有機合成化学協会誌，第４８
巻，第１号，ｐ１６−２８(１９９０)等〕。一方、第３
８回 日本有機金属化学シンポジウム（３８th Symposi
um or Organometallic Chemistry, Japan）要旨集ｐ３
２２−３２４(１９９１)には、アルコキシメチルスズ化
合物をアルコール等の求核剤の存在下、電解酸化反応に
付すアルコキシメチルエーテル等の合成法が記載されて
いる。具体的には、式
換複素環系化合物群が見い出されると共にその合成方法
が種々提案されている〔有機合成化学協会誌，第４８
巻，第１号，ｐ１６−２８(１９９０)等〕。一方、第３
８回 日本有機金属化学シンポジウム（３８th Symposi
um or Organometallic Chemistry, Japan）要旨集ｐ３
２２−３２４(１９９１)には、アルコキシメチルスズ化
合物をアルコール等の求核剤の存在下、電解酸化反応に
付すアルコキシメチルエーテル等の合成法が記載されて
いる。具体的には、式
【化３】 〔式中、Ｂuはブチル基を、Ｍeはメチル基を意味す
る。〕で示される反応例が記載されている。
る。〕で示される反応例が記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、公知のフッ素置
換複素環化合物は、複素環がピリジン，ピリミジン等の
芳香族含窒素複素環である化合物、あるいはピペリジン
等の飽和複素環であってフッ素原子が飽和複素環に直接
置換していない化合物に限られている。また、電解反応
を用いた上記フッ素置換複素環化合物の製造法は知られ
ていない。従って、電解反応を用いるフッ素が直接置換
した飽和複素環化合物の製造法は未だ見出されていな
い。
換複素環化合物は、複素環がピリジン，ピリミジン等の
芳香族含窒素複素環である化合物、あるいはピペリジン
等の飽和複素環であってフッ素原子が飽和複素環に直接
置換していない化合物に限られている。また、電解反応
を用いた上記フッ素置換複素環化合物の製造法は知られ
ていない。従って、電解反応を用いるフッ素が直接置換
した飽和複素環化合物の製造法は未だ見出されていな
い。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々検討
した結果、下記の電解酸化反応により、ヘテロ原子（窒
素または酸素）含有複素環が飽和環であることおよびフ
ッ素原子が複素環上の炭素原子に直接結合していること
に化学構造上の特徴を有する式
した結果、下記の電解酸化反応により、ヘテロ原子（窒
素または酸素）含有複素環が飽和環であることおよびフ
ッ素原子が複素環上の炭素原子に直接結合していること
に化学構造上の特徴を有する式
【化４】 〔式中、ＸはＲ6−Ｎ＜（Ｒ6は置換基を有していてもよ
いアシル基を示す）または酸素原子を、ｎは０ないし３
の整数を、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル
基，アリール基またはアラルキル基を、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4
およびＲ5は同一または異って水素原子または置換基を
有していてもよいアルキル基を示し、Ｒ2はｎの繰り返
しにおいて異っていてもよい。〕で表わされる新規なフ
ッ素置換飽和複素環化合物が得られること、さらにこの
化合物(Ｉ)が中枢神経系医薬品の工業的生産における合
成中間体として極めて有用であることを見出し、これら
に基づいて本発明を完成した。
いアシル基を示す）または酸素原子を、ｎは０ないし３
の整数を、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル
基，アリール基またはアラルキル基を、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4
およびＲ5は同一または異って水素原子または置換基を
有していてもよいアルキル基を示し、Ｒ2はｎの繰り返
しにおいて異っていてもよい。〕で表わされる新規なフ
ッ素置換飽和複素環化合物が得られること、さらにこの
化合物(Ｉ)が中枢神経系医薬品の工業的生産における合
成中間体として極めて有用であることを見出し、これら
に基づいて本発明を完成した。
【０００５】この本発明化合物(Ｉ)は、下記の反応式で
示される様に、化合物(II)を含フッ素支持電解質塩の存
在下に電解酸化反応に付すことより製造することができ
る。
示される様に、化合物(II)を含フッ素支持電解質塩の存
在下に電解酸化反応に付すことより製造することができ
る。
【化５】 〔式中、Ｙは低級アルキル基を、その他の記号は前記と
同意義を示す。〕 また、この発明化合物(Ｉ)には、不斉炭素原子の存在に
基づく立体異性体が含まれる。そのような立体異性体も
またこの発明の範囲内に包含される。以下に、この明細
書で用いられる各記号の定義および好ましい例について
説明する。前記式(Ｉ)、(II)において、ＸはＲ6−Ｎ＜
（Ｒ6は置換基を有していてもよいアシル基を示す）ま
たは酸素原子を示す。ｎは０ないし３の整数を示す。
同意義を示す。〕 また、この発明化合物(Ｉ)には、不斉炭素原子の存在に
基づく立体異性体が含まれる。そのような立体異性体も
またこの発明の範囲内に包含される。以下に、この明細
書で用いられる各記号の定義および好ましい例について
説明する。前記式(Ｉ)、(II)において、ＸはＲ6−Ｎ＜
（Ｒ6は置換基を有していてもよいアシル基を示す）ま
たは酸素原子を示す。ｎは０ないし３の整数を示す。
【０００６】Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル
基，アリール基またはアラルキル基を示す。Ｒ2，Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ5は同一または異って水素原子または置換基を有
していてもよいアルキル基を示し、Ｒ2はｎの繰り返し
においてそれぞれ異っていてもよい。Ｙは低級アルキル
基（例えば、メチル，エチル，プロピル，ブチル等のＣ
1-4アルキル等）を示す。上記Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4およ
びＲ5で表わされるアルキル基としては、例えば、直鎖
状もしくは分枝状のＣ1-11アルキル基（例えば、メチ
ル，エチル，ｎ−プロピル，ｉ−プロピル，ｎ−ブチ
ル，tert−ブチル，ｎ−ペンチル，ｎ−ヘキシル，ｎ−
ヘプチル，ｎ−オクチルなど）やＣ3-7単環シクロアル
キル基（例えば、 シクロプロピル，シクロブチル，シ
クロペンチル，シクロヘキシルなど）等が用いられる。
Ｒ1で表わされるアリール基としては、例えばＣ6-10ア
リール基（例えば、フェニル基，ナフチル基など）など
が用いられる。Ｒ1で表わされるアラルキル基として
は、例えばＣ7-15アラルキル基（例えば、フェニルメチ
ル，フェニルエチル，フェニルプロピルなど）などが用
いられる。
基，アリール基またはアラルキル基を示す。Ｒ2，Ｒ3，
Ｒ4，Ｒ5は同一または異って水素原子または置換基を有
していてもよいアルキル基を示し、Ｒ2はｎの繰り返し
においてそれぞれ異っていてもよい。Ｙは低級アルキル
基（例えば、メチル，エチル，プロピル，ブチル等のＣ
1-4アルキル等）を示す。上記Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4およ
びＲ5で表わされるアルキル基としては、例えば、直鎖
状もしくは分枝状のＣ1-11アルキル基（例えば、メチ
ル，エチル，ｎ−プロピル，ｉ−プロピル，ｎ−ブチ
ル，tert−ブチル，ｎ−ペンチル，ｎ−ヘキシル，ｎ−
ヘプチル，ｎ−オクチルなど）やＣ3-7単環シクロアル
キル基（例えば、 シクロプロピル，シクロブチル，シ
クロペンチル，シクロヘキシルなど）等が用いられる。
Ｒ1で表わされるアリール基としては、例えばＣ6-10ア
リール基（例えば、フェニル基，ナフチル基など）など
が用いられる。Ｒ1で表わされるアラルキル基として
は、例えばＣ7-15アラルキル基（例えば、フェニルメチ
ル，フェニルエチル，フェニルプロピルなど）などが用
いられる。
【０００７】Ｒ6で表わされるアシル基としては、例え
ばカルボン酸アシル基（例えば、アセチル，プロピオニ
ルなどのＣ1-8アルキル−カルボニル）、置換オキシカ
ルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル，エチル
オキシカルボニル，ｔ−ブチルオキシカルボニルなどの
Ｃ1-6アルキル−オキシカルボニル，ベンジルオキシカ
ルボニル，フルオレニルメトキシカルボニルなど）など
が用いられる。
ばカルボン酸アシル基（例えば、アセチル，プロピオニ
ルなどのＣ1-8アルキル−カルボニル）、置換オキシカ
ルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル，エチル
オキシカルボニル，ｔ−ブチルオキシカルボニルなどの
Ｃ1-6アルキル−オキシカルボニル，ベンジルオキシカ
ルボニル，フルオレニルメトキシカルボニルなど）など
が用いられる。
【０００８】Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5で表わされるア
ルキル基およびＲ6で表わされるアシル基は置換基を有
していてもよく、このような置換基としては、例えばハ
ロゲン原子（例えば、フルオロ，クロル，ブロム，ヨー
ドなど）、Ｃ1-4アルコキシ基（例えば、メトキシ，エ
トキシ，ｎ−プロピルオキシ，ｉ−プロピルオキシな
ど）、Ｃ1-4アルキル−カルボニルアミノ基（例えば、
アセチルアミノ，プロピオニルアミノなど）、Ｃ1-4ア
ルコキシ−カルボニルアミノ基（例えば、メトキシカル
ボニルアミノ，エトキシカルボニルアミノ，tert−ブト
キシカルボニルアミノなど）、ベンゾイルアミノ基，フ
タルイミド基などから選ばれた１ないし５個が用いられ
る。Ｒ1で表わされるアリール基またはアラルキル基が
有していてもよい置換基としては、例えばＣ1-4アルキ
ル基（例えば、メチル，エチル，ｎ−プロピル，ｉ−プ
ロピル，ｎ−ブチル，tert−ブチルなど）、ハロゲン原
子（例えば、フルオロ，クロル，ブロム，ヨードな
ど）、Ｃ1-4アルコキシ基（例えば、メトキシ，エトキ
シ，ｎ−プロピルオキシ，ｉ−プロピルオキシなど）、
Ｃ1-4アルキル−カルボニルアミノ基（例えば、アセチ
ルアミノ，プロピオニルアミノなど）、Ｃ1-4アルコキ
シ−カルボニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニル
アミノ，エトキシカルボニルアミノ，tert−ブトキシカ
ルボニルアミノなど）、ベンゾイルアミノ基，フタルイ
ミド基などから選ばれた１ないし５個が用いられる。よ
り具体的には、式(Ｉ)で表わされる化合物としては、例
えば下記の化合物などがある。
ルキル基およびＲ6で表わされるアシル基は置換基を有
していてもよく、このような置換基としては、例えばハ
ロゲン原子（例えば、フルオロ，クロル，ブロム，ヨー
ドなど）、Ｃ1-4アルコキシ基（例えば、メトキシ，エ
トキシ，ｎ−プロピルオキシ，ｉ−プロピルオキシな
ど）、Ｃ1-4アルキル−カルボニルアミノ基（例えば、
アセチルアミノ，プロピオニルアミノなど）、Ｃ1-4ア
ルコキシ−カルボニルアミノ基（例えば、メトキシカル
ボニルアミノ，エトキシカルボニルアミノ，tert−ブト
キシカルボニルアミノなど）、ベンゾイルアミノ基，フ
タルイミド基などから選ばれた１ないし５個が用いられ
る。Ｒ1で表わされるアリール基またはアラルキル基が
有していてもよい置換基としては、例えばＣ1-4アルキ
ル基（例えば、メチル，エチル，ｎ−プロピル，ｉ−プ
ロピル，ｎ−ブチル，tert−ブチルなど）、ハロゲン原
子（例えば、フルオロ，クロル，ブロム，ヨードな
ど）、Ｃ1-4アルコキシ基（例えば、メトキシ，エトキ
シ，ｎ−プロピルオキシ，ｉ−プロピルオキシなど）、
Ｃ1-4アルキル−カルボニルアミノ基（例えば、アセチ
ルアミノ，プロピオニルアミノなど）、Ｃ1-4アルコキ
シ−カルボニルアミノ基（例えば、メトキシカルボニル
アミノ，エトキシカルボニルアミノ，tert−ブトキシカ
ルボニルアミノなど）、ベンゾイルアミノ基，フタルイ
ミド基などから選ばれた１ないし５個が用いられる。よ
り具体的には、式(Ｉ)で表わされる化合物としては、例
えば下記の化合物などがある。
【０００９】
【化６】
【００１０】次に、本発明の化合物(Ｉ)の製造法を、以
下に詳細に説明する。化合物(Ｉ)は化合物(II)を含フッ
素支持電解質塩の存在下に、電解酸化反応に付すことに
より製造することができる。電解酸化反応に用いられる
装置としては、一般に電解反応に用いられる装置ならい
かなるものでも良く、具体的には、例えば新実験化学講
座１ 基本操作(II)丸善，１９７５，ｐ６３５−６３８
などに記載された装置またはそれに準じた装置が用いら
れる。隔膜は使用しても使用しなくてもよく、通常使用
しない方が好ましい。また、電極としては一般に電解反
応に使用される電極が用いられるが、特に陽極として炭
素電極が、陰極として白金電極が好ましい。
下に詳細に説明する。化合物(Ｉ)は化合物(II)を含フッ
素支持電解質塩の存在下に、電解酸化反応に付すことに
より製造することができる。電解酸化反応に用いられる
装置としては、一般に電解反応に用いられる装置ならい
かなるものでも良く、具体的には、例えば新実験化学講
座１ 基本操作(II)丸善，１９７５，ｐ６３５−６３８
などに記載された装置またはそれに準じた装置が用いら
れる。隔膜は使用しても使用しなくてもよく、通常使用
しない方が好ましい。また、電極としては一般に電解反
応に使用される電極が用いられるが、特に陽極として炭
素電極が、陰極として白金電極が好ましい。
【００１１】反応溶媒としては本反応を妨げない限り一
般に電解反応に用いられる溶媒ならいかなるものでも使
用することができる。特に例えば塩化メチレンなどのハ
ロゲン化炭化水素などが好ましい。電解反応としては例
えば定電圧法，定電位法、または定電流法などを用いる
ことができるが、定電流法が収率等の反応効率の点で最
も好ましい。電流値としては通常１〜１０mＡが用いら
れ、３〜７mＡが好ましい。反応温度は通常−１０〜５
０℃、好ましくは０〜３０℃である。反応の終了は通常
ガスクロマトグラフィーなどにより原料化合物（II）の
消失により確認することができる。
般に電解反応に用いられる溶媒ならいかなるものでも使
用することができる。特に例えば塩化メチレンなどのハ
ロゲン化炭化水素などが好ましい。電解反応としては例
えば定電圧法，定電位法、または定電流法などを用いる
ことができるが、定電流法が収率等の反応効率の点で最
も好ましい。電流値としては通常１〜１０mＡが用いら
れ、３〜７mＡが好ましい。反応温度は通常−１０〜５
０℃、好ましくは０〜３０℃である。反応の終了は通常
ガスクロマトグラフィーなどにより原料化合物（II）の
消失により確認することができる。
【００１２】反応に用いられる含フッ素支持電解質塩と
しては、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレ
ート（Ｂu4ＮＢＦ4）やテトラブチルアンモニウム ヘキ
サフルオロホスフェート（Ｂu4ＮＰＦ6）などのテトラ
アルキルアンモニウム型含フッ素支持塩が一般に使用さ
れる。そのうち特に、テトラブチルアンモニウム テト
ラフルオロボレート（Ｂu4ＮＢＦ4）などが好ましく使
用される。また反応は、窒素、アルゴン等の不活性ガス
雰囲気下に行うことが好ましいが、特に制約を受けるも
のではない。上記反応の原料化合物(II)は自体公知の方
法またはこれに準じて製造することができる。
しては、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレ
ート（Ｂu4ＮＢＦ4）やテトラブチルアンモニウム ヘキ
サフルオロホスフェート（Ｂu4ＮＰＦ6）などのテトラ
アルキルアンモニウム型含フッ素支持塩が一般に使用さ
れる。そのうち特に、テトラブチルアンモニウム テト
ラフルオロボレート（Ｂu4ＮＢＦ4）などが好ましく使
用される。また反応は、窒素、アルゴン等の不活性ガス
雰囲気下に行うことが好ましいが、特に制約を受けるも
のではない。上記反応の原料化合物(II)は自体公知の方
法またはこれに準じて製造することができる。
【００１３】かくして得られる化合物(Ｉ)は、公知の手
段、例えば濃縮，液性変換，抽出，蒸留，分留，結晶
化，再結晶，クロマトグラフィーなどにより単離、精製
することができる。また、化合物(Ｉ)には不斉炭素原子
の存在に基づく立体異性体が含まれるが、これらもまた
上記したような公知の手段あるいは分別再結晶、光学活
性カラムによるクロマトグラフィーなどの手段により単
離、精製することができる。上記反応によって得られた
化合物(Ｉ)は、中枢神経系医薬品たとえばパーキンソン
ニズムなどの治療に用いられる塩酸トリヘキシフェニジ
ルなどが有するピペリジン環をフッ素で置換した誘導体
を合成するための合成中間体として極めて有用であり、
例えば化合物(Ｉ)（Ｘ＝ＮＣＯＯＣＨ3）を常法により
加水分解して得られる化合物（Ｉ）（Ｘ＝ＮＨ）を、ア
セトフェノンおよびホルムアルデヒドとマンニッヒ反応
に付した後、シクロヘキシルマグネシウムとグリニャー
ル反応を行い、次いで塩酸を加えることにより該誘導体
の目的物を効率よく製造することができる。また、化合
物（Ｉ）はたとえば抗不安作用を有することが知られて
いる縮合ピロリノン誘導体などを合成するための中間体
として極めて有用であり、化合物（Ｉ）より該誘導体を
製造する方法は、たとえばＥＰ−Ｂ−９１２４１，ＥＰ
−Ｂ−１７４８５８などに記載されており、例えば化合
物（Ｉ）（Ｘ＝ＮＯＣ2ＣＨ3）を常法により加水分解し
て得られる化合物（Ｉ）（Ｘ＝ＮＨ）を、式
段、例えば濃縮，液性変換，抽出，蒸留，分留，結晶
化，再結晶，クロマトグラフィーなどにより単離、精製
することができる。また、化合物(Ｉ)には不斉炭素原子
の存在に基づく立体異性体が含まれるが、これらもまた
上記したような公知の手段あるいは分別再結晶、光学活
性カラムによるクロマトグラフィーなどの手段により単
離、精製することができる。上記反応によって得られた
化合物(Ｉ)は、中枢神経系医薬品たとえばパーキンソン
ニズムなどの治療に用いられる塩酸トリヘキシフェニジ
ルなどが有するピペリジン環をフッ素で置換した誘導体
を合成するための合成中間体として極めて有用であり、
例えば化合物(Ｉ)（Ｘ＝ＮＣＯＯＣＨ3）を常法により
加水分解して得られる化合物（Ｉ）（Ｘ＝ＮＨ）を、ア
セトフェノンおよびホルムアルデヒドとマンニッヒ反応
に付した後、シクロヘキシルマグネシウムとグリニャー
ル反応を行い、次いで塩酸を加えることにより該誘導体
の目的物を効率よく製造することができる。また、化合
物（Ｉ）はたとえば抗不安作用を有することが知られて
いる縮合ピロリノン誘導体などを合成するための中間体
として極めて有用であり、化合物（Ｉ）より該誘導体を
製造する方法は、たとえばＥＰ−Ｂ−９１２４１，ＥＰ
−Ｂ−１７４８５８などに記載されており、例えば化合
物（Ｉ）（Ｘ＝ＮＯＣ2ＣＨ3）を常法により加水分解し
て得られる化合物（Ｉ）（Ｘ＝ＮＨ）を、式
【化７】 の２−（７−クロロ−１，８−ナフチリジン−２−イ
ル）−３−オキソイソインドリン−１−酢酸とシアノリ
ン酸ジエチルなどの縮合剤を用いてアミド化反応に付す
ことにより該誘導体目的物を効率よく製造することがで
きる。
ル）−３−オキソイソインドリン−１−酢酸とシアノリ
ン酸ジエチルなどの縮合剤を用いてアミド化反応に付す
ことにより該誘導体目的物を効率よく製造することがで
きる。
【００１４】
【実施例】以下において、実施例によりこの発明をより
具体的に説明するが、この発明はこれらに限定されるも
のではない。 実施例１ cis−４−フルオロ−１−メトキシカルボニル−２−ヘ
プチルピペリジン(Ａ)および trans−４−フルオロ−１
−メトキシカルボニル−２−ヘプチルピペリジン(Ｂ)
具体的に説明するが、この発明はこれらに限定されるも
のではない。 実施例１ cis−４−フルオロ−１−メトキシカルボニル−２−ヘ
プチルピペリジン(Ａ)および trans−４−フルオロ−１
−メトキシカルボニル−２−ヘプチルピペリジン(Ｂ)
【化８】 電極反応装置にシーラムセプタム、アルゴンガスを入れ
た風船、マグネチックスターラーバー，炭素及び白金電
極を備え、４Ａモレキュラーシーブスを入れて、減圧し
ながらドライヤーで乾燥した後、そのなかにテトラブチ
ルアンモニウムテトラフルオロボレート（２００mg，
０.６１mmol）を入れ、再びアルゴンで置換した。次に
Ｎ−（メトキシカルボニル）−（１−ウンデセン−４−
イル）アミノ〕メチルトリブチルスズ（２４９mg，０.
２４９mmol）と塩化メチレン（２.５ml）を入れて、陽
極を炭素電極、陰極を白金電極にして直流電源と接続し
た。マグネチックスターラーでよく撹拌しながら５mＡ
の定電流を通じると反応は２.３ファラデー／モル（Ｆ
／mol）で完了した。反応混合物を炭酸水素ナトリウム
飽和水溶液で終夜撹拌し、スズの残渣を取り除いた。次
いでエチルエーテルで抽出し、その有機層を無水硫酸マ
グネシウムを用いて乾燥した後、減圧下で溶媒を除去し
た。その残渣を分取し、薄層クロマトグラフィー（ＴＬ
Ｃ）で精製して表題化合物４５mg（収率７０％）をシス
体(Ａ)とトランス体(Ｂ)の１.５対１の混合物として得
た。
た風船、マグネチックスターラーバー，炭素及び白金電
極を備え、４Ａモレキュラーシーブスを入れて、減圧し
ながらドライヤーで乾燥した後、そのなかにテトラブチ
ルアンモニウムテトラフルオロボレート（２００mg，
０.６１mmol）を入れ、再びアルゴンで置換した。次に
Ｎ−（メトキシカルボニル）−（１−ウンデセン−４−
イル）アミノ〕メチルトリブチルスズ（２４９mg，０.
２４９mmol）と塩化メチレン（２.５ml）を入れて、陽
極を炭素電極、陰極を白金電極にして直流電源と接続し
た。マグネチックスターラーでよく撹拌しながら５mＡ
の定電流を通じると反応は２.３ファラデー／モル（Ｆ
／mol）で完了した。反応混合物を炭酸水素ナトリウム
飽和水溶液で終夜撹拌し、スズの残渣を取り除いた。次
いでエチルエーテルで抽出し、その有機層を無水硫酸マ
グネシウムを用いて乾燥した後、減圧下で溶媒を除去し
た。その残渣を分取し、薄層クロマトグラフィー（ＴＬ
Ｃ）で精製して表題化合物４５mg（収率７０％）をシス
体(Ａ)とトランス体(Ｂ)の１.５対１の混合物として得
た。
【００１５】実施例２ cis−４−フルオロ−２−ヘプチルピラン（Ａ）および
trans−４−フルオロ−２−ヘプチルピラン（Ｂ）
trans−４−フルオロ−２−ヘプチルピラン（Ｂ）
【化９】 電極反応装置にシーラムセブタム、アルゴンガスを入れ
た風船、マグネチックスターラーバー、炭素及び白金電
極を備え、４Ａモレキュラーシーブスを入れて、減圧し
ながらドライヤーで乾燥した後、その中にテトラブチル
アンモニウムテトラフルオロボレート（２０１ｍｇ，
０．６１ｍｍｏｌ）を入れ、再びアルゴンガスで置換し
た。次に（１−ウンデセン−４−イル）オキシメチルト
リブチルスズ（１１９ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）と塩化
メチレン（２．５ｍｌ）を入れて、陽極を炭素電極、陰
極を白金電極にして直流電源と接続した。マグネチック
スターラーでよく攪拌しながら５ｍＡの定電流を通じる
と反応は３．１Ｆ／ｍｏｌで完了した。反応混合物をエ
チルエーテルで抽出し、その有機層を無水硫酸マグネシ
ウムを用いて乾燥した後、減圧下で溶媒を除去した。そ
の残渣を分取し、ＴＬＣで精製して表記化合物４２ｍｇ
（収率８３％）をシス体（Ａ）とトランス体（Ｂ）の
２．８：１の混合物として得た。
た風船、マグネチックスターラーバー、炭素及び白金電
極を備え、４Ａモレキュラーシーブスを入れて、減圧し
ながらドライヤーで乾燥した後、その中にテトラブチル
アンモニウムテトラフルオロボレート（２０１ｍｇ，
０．６１ｍｍｏｌ）を入れ、再びアルゴンガスで置換し
た。次に（１−ウンデセン−４−イル）オキシメチルト
リブチルスズ（１１９ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）と塩化
メチレン（２．５ｍｌ）を入れて、陽極を炭素電極、陰
極を白金電極にして直流電源と接続した。マグネチック
スターラーでよく攪拌しながら５ｍＡの定電流を通じる
と反応は３．１Ｆ／ｍｏｌで完了した。反応混合物をエ
チルエーテルで抽出し、その有機層を無水硫酸マグネシ
ウムを用いて乾燥した後、減圧下で溶媒を除去した。そ
の残渣を分取し、ＴＬＣで精製して表記化合物４２ｍｇ
（収率８３％）をシス体（Ａ）とトランス体（Ｂ）の
２．８：１の混合物として得た。
【００１６】実施例３ cis−４−フルオロ−２−シクロヘキシルピラン（Ａ）
および trans−４−フルオロ−２−シクロヘキシルピラ
ン（Ｂ）
および trans−４−フルオロ−２−シクロヘキシルピラ
ン（Ｂ）
【化１０】 （４−シクロヘキシル−１−ブテン−４−イル）オキシ
メチルトリブチルスズ（２００ｍｇ，０．６１ｍｍｏ
ｌ）を用いて実施例２と同様の操作を行なうことによ
り、表題化合物４４ｍｇ（収率９５％）をシス体（Ａ）
とトランス体（Ｂ）の３．０：１の混合物として得た。
メチルトリブチルスズ（２００ｍｇ，０．６１ｍｍｏ
ｌ）を用いて実施例２と同様の操作を行なうことによ
り、表題化合物４４ｍｇ（収率９５％）をシス体（Ａ）
とトランス体（Ｂ）の３．０：１の混合物として得た。
【００１７】実施例４ cis−５−フルオロ−２−ヘプチルオキセパン（Ａ）お
よび trans−５−フルオロ−２−ヘプチルオキセパン
（Ｂ）
よび trans−５−フルオロ−２−ヘプチルオキセパン
（Ｂ）
【化１１】 （１−ドデセン−５−イル）オキシメチルトリブチルス
ズ（２００ｍｇ，０．６１ｍｍｏｌ）を用いて実施例２
と同様の操作を行なうことにより、表題化合物３３ｍｇ
（収率６２％）をシス体（Ａ）とトランス体（Ｂ）の混
合物として得た。
ズ（２００ｍｇ，０．６１ｍｍｏｌ）を用いて実施例２
と同様の操作を行なうことにより、表題化合物３３ｍｇ
（収率６２％）をシス体（Ａ）とトランス体（Ｂ）の混
合物として得た。
【発明の効果】中枢神経系医薬品の工業的多量生産の有
用な新規合成中間体を提供する。
用な新規合成中間体を提供する。
Claims (2)
- 【請求項１】式 【化１】 〔式中、ＸはＲ6−Ｎ＜（Ｒ6は置換基を有していてもよ
いアシル基を示す）または酸素原子を、ｎは０ないし３
の整数を、Ｒ1は置換基を有していてもよいアルキル
基，アリール基またはアラルキル基を、Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4
およびＲ5は同一または異って水素原子または置換基を
有していてもよいアルキル基を示し、Ｒ2はｎの繰り返
しにおいて異っていてもよい。〕で表わされるフッ素置
換飽和複素環化合物。 - 【請求項２】式 【化２】 〔式中、Ｙは低級アルキル基を、その他の記号は請求項
１記載と同意義を示す。〕で表わされる化合物を、含フ
ッ素支持電解質塩の存在下に電解酸化反応に付すことを
特徴とする請求項１記載の化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051498A JPH05255247A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | フッ素置換飽和複素環化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4051498A JPH05255247A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | フッ素置換飽和複素環化合物およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05255247A true JPH05255247A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=12888643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4051498A Withdrawn JPH05255247A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | フッ素置換飽和複素環化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05255247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008545668A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-12-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | テトラヒドロピラン誘導体類の調製方法 |
| CN106048648A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-10-26 | 北京工业大学 | 3‑磺酸基取代的氧代吲哚类化合物的电化学催化合成方法 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP4051498A patent/JPH05255247A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008545668A (ja) * | 2005-05-25 | 2008-12-18 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | テトラヒドロピラン誘導体類の調製方法 |
| CN106048648A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-10-26 | 北京工业大学 | 3‑磺酸基取代的氧代吲哚类化合物的电化学催化合成方法 |
| CN106048648B (zh) * | 2016-07-13 | 2018-05-25 | 北京工业大学 | 3-磺酸基取代的氧代吲哚类化合物的电化学催化合成方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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