JPH05253708A - 複合硬質膜被覆切削工具 - Google Patents

複合硬質膜被覆切削工具

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JPH05253708A
JPH05253708A JP8597092A JP8597092A JPH05253708A JP H05253708 A JPH05253708 A JP H05253708A JP 8597092 A JP8597092 A JP 8597092A JP 8597092 A JP8597092 A JP 8597092A JP H05253708 A JPH05253708 A JP H05253708A
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JP
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film
cbn
diamond
cutting tool
coated cutting
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Toshihiko Okamura
寿彦 岡村
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Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ダイヤモンド膜を下地層とすることによりc
BN膜の基体に対する密着性を向上させる。 【構成】 WC基超硬合金基体表面に、cBN膜が最外
面となるように、cBN膜およびダイヤモンド膜からな
る複合膜またはcBN膜とダイヤモンド膜の間にcBN
とダイヤモンドの混合膜を介在させてなる複合膜を被覆
してなるcBNおよびダイヤモンドからなる複合硬質膜
被覆切削工具。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、普通鋼、ステンレス
鋼、鋳鋼などの鉄系合金を切削することができる最表面
に立方晶窒化ホウ素(以下、cBNと記す)膜を被覆し
てなる複合硬質膜被覆切削工具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、cBNは結晶構造がダイヤモン
ドに近似し、硬い物質であるところから焼結基体に被覆
するなどして切削工具として用いられている。このcB
N被覆切削工具は、cBN自体がダイヤモンドのように
高温で鉄と反応することがないので、鉄系合金の切削に
使用することができるなどの利点をもっている。
【0003】上記cBN被覆切削工具としてはすでにい
ろいろなものが開示されており、特開昭57−9588
1号公報には超硬合金基体表面にcBN膜を被覆したc
BN被覆切削工具が記載されており、さらに特開昭61
−41768号公報には、超硬合金基体の表面にcBN
を主体とし、これに六方晶窒化ホウ素、非晶質窒化ホウ
素、周期律表4a,5a,6a族金属の炭化物、窒化
物、ホウ化物およびAl2 3 の少なくとも1種を混合
してなるcBN混合膜を被覆した切削工具が開示されて
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、cBNは一般
に超硬合金に対する密着性が低いところから、上記公知
のcBN膜またはcBNを主体とする混合膜を被覆した
切削工具は切削中に膜の剥離を起しやすく長期の使用に
耐えることができないために実用に供することができな
かった。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、従
来よりも長期間使用することのできるcBN膜被覆切削
工具を得るべく研究を行った結果、(1) cBN膜は
ダイヤモンドに対する密着性が優れており、基体となる
超硬合金に対してはcBN膜よりもダイヤモンド膜の方
が密着性が優れているところから、超硬合金基体表面に
気相合成法によりダイヤモンド膜を被覆し、ついで上記
ダイヤモンド膜の上にcBN膜を被覆してなる複合硬質
膜被覆切削工具は、ダイヤモンド膜を下地層とすること
によりcBN膜の基体に対する密着性が大幅に向上し、
耐剥離性および耐摩耗性が大幅に向上する、(2) こ
の場合、cBN膜とダイヤモンド膜の間にcBNとダイ
ヤモンドの混合膜を介在させることによりダイヤモンド
膜とcBN膜の強度が向上するとともに耐剥離性および
耐摩耗性が一層向上する、などの知見を得たのである。
【0006】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、通常のWC基超硬合金基体表面に、
cBN膜が最外面となるように、cBN膜およびダイヤ
モンド膜からなる複合膜またはcBN膜とダイヤモンド
膜の間にcBNとダイヤモンドの混合膜を介在させてな
る複合膜を被覆してなるcBNおよびダイヤモンドから
なる複合硬質膜被覆切削工具に特徴を有するものであ
る。
【0007】上記cBNとダイヤモンドの混合膜は、c
BNとダイヤモンドの濃度分布が均一であってもよい
が、濃度傾斜がある方が一層好ましい。
【0008】次に、この発明のcBNおよびダイヤモン
ドからなる複合硬質膜被覆切削工具の製造法を図1にも
とづいて具体的に説明する。
【0009】図1において、1は超硬合金基体、2は基
体支持台、3は石英管、4はタングステンフィラメン
ト、5はRFプラズマコイル、6はホウ素イミドB
2 (NH)3 を充填したボンベ、7はメタンを、8はH
2 はそれぞれ充填したボンベを示す。
【0010】図1に示された装置において、タングステ
ンフィラメント4を加熱しておくと共に基体支持台2を
加熱することにより支持台2上の基体1を加熱してお
き、さらにRFプラズマコイル5により基体1に高周波
プラズマが印加される状態にしておく。かかる状態にお
いてボンベ7および8を開放し、CH4 およびH2 を石
英管3内に導入するとCH4 ガスは励起され、基体1の
表面にダイヤモンド膜を形成する。
【0011】ついでボンベ7のバルブ7′を締め、ボン
ベ6が開放されるように切換えると、ホウ素イミドは石
英管3内にてB2 (NH)3 →2BN+NH3 の如く分
解され、上記ダイヤモンド膜の上にcBN膜が形成され
る。
【0012】また、ボンベ6,7および8のバルブ
6′,7′および8′を同時に開放すると、ダイヤモン
ドとcBNの混合膜が形成される。
【0013】上記cBN膜の生成は赤外線吸収スペクト
ルの吸収ピークを測定することにより判定される。
【0014】
【実施例】 実施例1 図1の支持台2にISO規格TNGN160408の形
状を有するWC基超硬合金製チップを基体1として載置
し、上記チップを温度:800℃に加熱し、タングステ
ンフィラメント4を温度:2000℃に加熱しながらR
Fプラズマコイル5に300Wの電力を供給した。
【0015】ついで、石英管5内にメタンガスおよび水
素ガスを CH4 :10cc/min.、 H2 :1000cc/min.、 となるように流し、チップ表面に厚さ:3μmのダイヤ
モンド膜を形成し、さらに、上記メタンガスの供給を停
止し、ホウ素イミドガスおよび水素ガスを石英管5に、 B2 (NH)3 :10cc/min.、 H2 :1000cc/min.、 となるように供給することにより上記ダイヤモンド膜の
上に厚さ:2μmのcBN膜を形成し、全体の膜厚が5
μmの複合硬質膜を形成し、本発明複合硬質膜被覆チッ
プ(以下、本発明チップ)1を作製した。
【0016】上記本発明チップ1を用い、 被削材:SUS304の丸棒、 切削速度:100m/min.、 送り:0.1mm/rev.、 切込み:0.05mm、 切削時間:20分、 なる条件で連続切削試験し、チップの逃げ面摩耗幅を測
定したところ0.05mmであった。
【0017】実施例2 実施例1で用意したISO規格TNGN160408の
形状を有するWC基超硬合金製チップの表面に実施例1
と同一条件で厚さ:5μmのダイヤモンド膜を形成し、
さらにホウ素イミドガス、メタンガスおよび水素ガスを B2 (NH)3 :5cc/min.、 CH4 :5cc/min.、 H2 :1000cc/min.、 となるように供給し、それにより厚さ:3μmのダイヤ
モンドとcBNの混合比が1:1の混合膜を形成した。
【0018】上記ダイヤモンドとcBNの混合膜を形成
したのち、メタンガスの供給を停止し、 B2 (NH)3 :10cc/min.、 H2 :1000cc/min.、 となるように流すことにより厚さ:2μmのcBN膜を
形成し、全体の膜厚が10μmの複合硬質膜を形成し、
本発明チップ2を作製した。このようにして作製された
本発明チップ2についても実施例1と同一条件の連続切
削試験を行ない、チップの逃げ面摩耗幅を測定したとこ
ろ、0.03mmであった。 実施例3 実施例2において、混合膜を形成するに際し、ホウ素イ
ミドおよびメタンの流量を、 B2 (NH)3 :0cc/min.→10cc/min.、 CH4 :10cc/min.→0cc/min.、 となるように変化させながら供給し、同時に水素ガスを H2 :1000cc/min.(一定)、 となるように供給することにより、ダイヤモンドとcB
Nの混合割合が膜厚方向に変化する厚さ:8μmの混合
膜を形成し、それ以外は実施例2と同一条件でダイヤモ
ンド膜およびcBN膜を形成し、全体の膜厚が15μm
となる複合硬質膜を有する本発明チップ3を作製した。
【0019】この本発明チップ3についても実施例1に
示した条件と同一条件の連続切削試験を行ない、逃げ面
摩耗幅を測定したところ、0.03mmであった。
【0020】従来例1 実施例1で用意したISO規格TNGN160408の
形状を有するWC基超硬合金製チップを基体とし、ホウ
素イミドガスおよび水素ガスを石英管に、 B2 (NH)3 :10cc/min.、 H2 :1000cc/min.、 となるように供給し、厚さ:10μmのcBN単層膜を
形成することにより従来チップ1を作製した。
【0021】この従来チップ1についても実施例1で行
った連続切削試験と同一の条件で切削試験したところ、
10分でチッピングが発生し、それ以降は切削すること
ができなかった。
【0022】以上の実施例1〜3および従来例1で得ら
れた本発明チップ1〜3および従来チップ1の硬質膜お
よび連続切削試験結果をまとめると表1の如くなる。
【0023】
【表1】
【0024】
【発明の効果】表1に示される結果から、本発明チップ
1〜3は、従来チップ1と比較して耐摩耗性に優れてい
ると共に長期間の使用に耐えることができ、この発明の
切削工具を用いることにより、従来よりもチップの交換
回数を減らすことができ、産業上すぐれた効果をもたら
すものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明で使用する装置の概略図である。
【符号の説明】
1 基体 2 基体支持台 3 石英管 4 タングステンフィラメント 5 RFプラズマコイル 6 B2 (NH)3 ボンベ 7 CH4 ボンベ 8 H2 ボンベ 6′ バルブ 7′ バルブ 8′ バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C30B 25/02 9040−4G 29/04 7821−4G

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 通常の超硬合金基体の表面に、ダイヤモ
    ンド膜および立方晶窒化ホウ素(以下、cBNと記す)
    膜からなる複合硬質膜を上記cBN膜が最外面となるよ
    うに被覆してなることを特徴とする複合硬質膜被覆切削
    工具。
  2. 【請求項2】 上記複合硬質膜は、ダイヤモンド膜、ダ
    イヤモンドとcBNの混合膜およびcBN膜からなり、
    上記混合膜はダイヤモンド膜とcBN膜の間に介在して
    いることを特徴とする請求項1記載の複合硬質膜被覆切
    削工具。
  3. 【請求項3】 上記混合膜は、ダイヤモンド膜方向に向
    ってダイヤモンド濃度が増加し、cBN膜方向に向って
    cBN濃度が増加している傾斜濃度を有することを特徴
    とする請求項2記載の複合硬質膜被覆切削工具。
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