JPH04168276A - ダイヤモンド被覆超硬合金工具 - Google Patents
ダイヤモンド被覆超硬合金工具Info
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- JPH04168276A JPH04168276A JP29488790A JP29488790A JPH04168276A JP H04168276 A JPH04168276 A JP H04168276A JP 29488790 A JP29488790 A JP 29488790A JP 29488790 A JP29488790 A JP 29488790A JP H04168276 A JPH04168276 A JP H04168276A
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Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、WC系やTiC系の超硬合金を母材とし、該
母材にダイヤモンドを被覆したダイヤモンド被覆超硬合
金工具に関するものである。尚本発明で用いる母材とし
ては、WC−Co系。
母材にダイヤモンドを被覆したダイヤモンド被覆超硬合
金工具に関するものである。尚本発明で用いる母材とし
ては、WC−Co系。
TiC−Ni−Mo系、TiC−WC−TaC−Ni−
Mo−Co系等、様々な超硬合金が挙げられるが、以下
の説明ではWC−Co系超硬合金を主体にして説明を進
める。
Mo−Co系等、様々な超硬合金が挙げられるが、以下
の説明ではWC−Co系超硬合金を主体にして説明を進
める。
[従来の技術]
超硬合金工具鋼は高速度工具鋼と並んで、切削工具や耐
摩工具等の素材として幅広く利用されており、特にW
C−Co系超硬合金が主流を占めている。
摩工具等の素材として幅広く利用されており、特にW
C−Co系超硬合金が主流を占めている。
近年、超硬合金の表面に、耐摩耗性のより優れた物質を
気相蒸着法等によって被覆形成して工具の切削性を改善
した被覆超硬合金工具が急速に普及している。こうした
被覆物質としてはTiCやTiNが代表的なものであり
、例えばTiC被覆超硬合金工具は、WC系超硬合金工
具やTiC系超硬合金工具よりも高温高圧時の強度に優
れたものとなり、被覆の施されていない従来の超硬合金
工具では切削困難であったものがTiC被覆超硬合金工
具を用いることによって切削可能となっている。
気相蒸着法等によって被覆形成して工具の切削性を改善
した被覆超硬合金工具が急速に普及している。こうした
被覆物質としてはTiCやTiNが代表的なものであり
、例えばTiC被覆超硬合金工具は、WC系超硬合金工
具やTiC系超硬合金工具よりも高温高圧時の強度に優
れたものとなり、被覆の施されていない従来の超硬合金
工具では切削困難であったものがTiC被覆超硬合金工
具を用いることによって切削可能となっている。
しかしながら上記被覆超硬合金工具は、被剛材が鋼や鋳
鉄等の場合には優れた耐摩耗性を示すが、例えば高S
i −A 1合金や、非常に硬質のガラス繊維を内蔵し
たFRP等を被剛材とした場合には耐摩耗不足を来たし
、工具寿命が短くなって長期使用に耐え得なくなる。
鉄等の場合には優れた耐摩耗性を示すが、例えば高S
i −A 1合金や、非常に硬質のガラス繊維を内蔵し
たFRP等を被剛材とした場合には耐摩耗不足を来たし
、工具寿命が短くなって長期使用に耐え得なくなる。
一方硬い材料を加工する為の専用切削工具としては、超
高圧・高温下で焼結して合成されたダイヤモンドを用い
たダイヤモンド焼結体工具も知られているが、高価であ
り、またプリント基板穴あけ用極細ミニドリル等に応用
する場合等においては、逆にダイヤモンドより高硬度の
ものが無いという理由によって却って加工が困難であり
、形状的にも制約を受けることになる。
高圧・高温下で焼結して合成されたダイヤモンドを用い
たダイヤモンド焼結体工具も知られているが、高価であ
り、またプリント基板穴あけ用極細ミニドリル等に応用
する場合等においては、逆にダイヤモンドより高硬度の
ものが無いという理由によって却って加工が困難であり
、形状的にも制約を受けることになる。
最近ではマイクロ波や熱フィラメント等によって生成し
た炭化水素−水素混合ガスプラズマを利用した化学気相
合成法によって、粒子状や膜状のダイヤモンドを合成す
ることが可能となっており、こうした技術を応用してダ
イヤモンド膜を被覆したダイヤモンド被覆超硬合金工具
の開発も進められている。
た炭化水素−水素混合ガスプラズマを利用した化学気相
合成法によって、粒子状や膜状のダイヤモンドを合成す
ることが可能となっており、こうした技術を応用してダ
イヤモンド膜を被覆したダイヤモンド被覆超硬合金工具
の開発も進められている。
しかしながら母材となる超硬合金は、例えばWC−Co
系の様に結合剤として5〜20%程度のCoを含んでお
り、この様な超硬合金の表面にダイヤモンド膜を形成し
てもCOの作用によってダイヤモンドがグラファイトに
変態してそれが介在されることになり、硬度および密着
性の良好な均一なダイヤモンド膜を形成することはでき
ない。この様な事態は結合剤としてNiを含んでいる場
合にも同様に生じる。
系の様に結合剤として5〜20%程度のCoを含んでお
り、この様な超硬合金の表面にダイヤモンド膜を形成し
てもCOの作用によってダイヤモンドがグラファイトに
変態してそれが介在されることになり、硬度および密着
性の良好な均一なダイヤモンド膜を形成することはでき
ない。この様な事態は結合剤としてNiを含んでいる場
合にも同様に生じる。
[発明が解決しようとする課題]
超硬合金表面にダイヤモンド膜を直接形成するには、上
述の様な不都合が生じるが、こうした不都合を解消する
技術も種々提案されている。
述の様な不都合が生じるが、こうした不都合を解消する
技術も種々提案されている。
例えば特開平1−201475号には、WC−Co系焼
結チップ表面層のCOを酸処理によってエツチングした
後に、ダイヤモンド膜を形成する技術が提案されている
。しかしながらこの技術は、WC−Co系超硬合金母材
の結合剤であるCoを酸によって溶出するものであるの
で、母材自体の劣化を招くという問題がある。
結チップ表面層のCOを酸処理によってエツチングした
後に、ダイヤモンド膜を形成する技術が提案されている
。しかしながらこの技術は、WC−Co系超硬合金母材
の結合剤であるCoを酸によって溶出するものであるの
で、母材自体の劣化を招くという問題がある。
一方、特公昭62−7267号には、超硬合金母材とダ
イヤモンド膜の間の中間層としてセラミックス層を設け
ることによフて、上記の様な不都合を解消しようとする
技術が提案されている。
イヤモンド膜の間の中間層としてセラミックス層を設け
ることによフて、上記の様な不都合を解消しようとする
技術が提案されている。
しかしながらセラミックスは元来熱伝導の悪いものであ
り、ダイヤモンドにおける高熱伝導性がセラミックス層
によって相殺されてしまい、切削時の発生熱を放出する
ことができなくなるので、ダイヤモンドの硬度低下を招
き、その結果として工具の耐摩耗性の劣化や、被剛材の
熱変形等を招く。
り、ダイヤモンドにおける高熱伝導性がセラミックス層
によって相殺されてしまい、切削時の発生熱を放出する
ことができなくなるので、ダイヤモンドの硬度低下を招
き、その結果として工具の耐摩耗性の劣化や、被剛材の
熱変形等を招く。
本発明はこうした事情に着目してなされたものであって
、超硬合金母材に対して密着性が良く且つ均一にダイヤ
モンド膜を形成でき、しかもダイヤモンドが有する高熱
伝導性をも損なうことなく、優れた切削性および耐摩耗
性を有するダイヤモンド被覆超硬合金工具を提供するこ
とを目的とするものである。
、超硬合金母材に対して密着性が良く且つ均一にダイヤ
モンド膜を形成でき、しかもダイヤモンドが有する高熱
伝導性をも損なうことなく、優れた切削性および耐摩耗
性を有するダイヤモンド被覆超硬合金工具を提供するこ
とを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成し得た本発明とは、超硬合金を母材とし
下地層上にダイヤモンド被覆が形成された超硬合金工具
において、前記下地層のうち前記母材に接する第1層と
してB膜が形成されると共に、該下地表面層として、非
晶質窒化硼素、立方晶窒化硼素およびBに富んだ窒化硼
素から選ばれる化合物の1種または2種以上からなる化
合物膜が形成され、且つ第1層および下地表面層の間の
中間層として、第1層側から下地表面層側になるにつれ
てB/Nが低く好打する様な濃度勾配を有する傾斜組成
窒化硼素膜が形成されたものであり、上記下地層の厚み
が0.05〜2μ■である点に要旨を有するダイヤモン
ド被覆超硬合金工具である。
下地層上にダイヤモンド被覆が形成された超硬合金工具
において、前記下地層のうち前記母材に接する第1層と
してB膜が形成されると共に、該下地表面層として、非
晶質窒化硼素、立方晶窒化硼素およびBに富んだ窒化硼
素から選ばれる化合物の1種または2種以上からなる化
合物膜が形成され、且つ第1層および下地表面層の間の
中間層として、第1層側から下地表面層側になるにつれ
てB/Nが低く好打する様な濃度勾配を有する傾斜組成
窒化硼素膜が形成されたものであり、上記下地層の厚み
が0.05〜2μ■である点に要旨を有するダイヤモン
ド被覆超硬合金工具である。
[作用]
本発明者らは、超硬合金母材にダイヤモンド膜を形成す
る為の下地層として最適な物質について、様々な角度か
ら検討した。その結果、(I)母材に接する′tS1層
としてのBWA、(II )非晶質窒化硼素(以下aB
Nと記す)、立方晶窒化硼素(以下cBNと記す)およ
びBに富んだ窒化硼素(BN)から選ばれる化合物の1
種または2種以上からなる、下地表面層としての化合物
膜、および(III )上記第1層側から下地表面層に
なるにつれてB/Nが低く移行する濃度勾配を有する、
中間層としての傾斜組成りN膜、の3層構造からなる下
地層が最適であることを見出した。即ち、上記の様な構
造の下地層は、熱伝導率も良好であり、且つ超硬合金母
材中のCoやNiによるダイヤモンドへの影響を回避し
つつ、密着性の良好な均一なダイヤモンド膜が形成でき
たのである。
る為の下地層として最適な物質について、様々な角度か
ら検討した。その結果、(I)母材に接する′tS1層
としてのBWA、(II )非晶質窒化硼素(以下aB
Nと記す)、立方晶窒化硼素(以下cBNと記す)およ
びBに富んだ窒化硼素(BN)から選ばれる化合物の1
種または2種以上からなる、下地表面層としての化合物
膜、および(III )上記第1層側から下地表面層に
なるにつれてB/Nが低く移行する濃度勾配を有する、
中間層としての傾斜組成りN膜、の3層構造からなる下
地層が最適であることを見出した。即ち、上記の様な構
造の下地層は、熱伝導率も良好であり、且つ超硬合金母
材中のCoやNiによるダイヤモンドへの影響を回避し
つつ、密着性の良好な均一なダイヤモンド膜が形成でき
たのである。
本発明における下地層は、上述の如く第1層、下地表面
層および中間層の3層構造からなるものであるが、これ
ら各層における作用効果は下記の通りである。
層および中間層の3層構造からなるものであるが、これ
ら各層における作用効果は下記の通りである。
まず第1層としてのB@は、下地層と超硬合金母材との
密着性を確保する為に形成される。即ち、BN膜は超硬
合金母材との密着性が良くないので、母材と接する下地
第1層として母材との密着性の良好なり膜を選んだ。
密着性を確保する為に形成される。即ち、BN膜は超硬
合金母材との密着性が良くないので、母材と接する下地
第1層として母材との密着性の良好なり膜を選んだ。
次に下地表面層としての各種BN膜は、BNがダイヤモ
ンドと格子定数が近接しておりダイヤモンド膜との密着
性を確保することができる。
ンドと格子定数が近接しておりダイヤモンド膜との密着
性を確保することができる。
中間層は、上記′tS1層と下地表面層間の密着性を確
保する為のものである。即ち、中間層については、第1
層に接する側をB/Nの高い組成として下地表面層側に
なるにつれてB/Nが低下する様な、濃度勾配を有する
傾斜組成りN膜とすることによって、it層と下地表面
層の夫々との密着性を確保するものである。こうした観
点からすれば、中間層の第1層側組成をBとほぼ同等の
組成となる様にし、且つ中間層の下地表面層側組成を下
地表面層組成とほぼ同等になる様に濃度勾配をつけて構
成するのが最適であるが、中間層と他の各層が濃度的に
多少不連続な状態で積層されても中間層としての機能を
達成することができる。また中間層中のB/N比の調整
は、例えば、予めN2分圧一定の条件下で電子ビーム出
力を変化させてBの蒸発量を変え、これによって膜組成
がどのように変化するかを求めておき、その結果に基づ
いて電子ビーム出力を制御して行なわれる。
保する為のものである。即ち、中間層については、第1
層に接する側をB/Nの高い組成として下地表面層側に
なるにつれてB/Nが低下する様な、濃度勾配を有する
傾斜組成りN膜とすることによって、it層と下地表面
層の夫々との密着性を確保するものである。こうした観
点からすれば、中間層の第1層側組成をBとほぼ同等の
組成となる様にし、且つ中間層の下地表面層側組成を下
地表面層組成とほぼ同等になる様に濃度勾配をつけて構
成するのが最適であるが、中間層と他の各層が濃度的に
多少不連続な状態で積層されても中間層としての機能を
達成することができる。また中間層中のB/N比の調整
は、例えば、予めN2分圧一定の条件下で電子ビーム出
力を変化させてBの蒸発量を変え、これによって膜組成
がどのように変化するかを求めておき、その結果に基づ
いて電子ビーム出力を制御して行なわれる。
尚本発明に係るダイヤモンド被覆超硬合金工具における
下地層の厚さは、0.05〜2 umの範囲とするのが
良い。即ち、下地層の厚さが0.05μm未満であると
、下地層を形成した後ダイヤモンド膜を合成する際に水
素プラズマによってエツチングされてしまい、下地層が
ほとんどなくなフて期待する効果が得られなくなる。一
方、下地層の厚さが2μmを超えると、靭性が低下し膜
に割れが生じることがある。
下地層の厚さは、0.05〜2 umの範囲とするのが
良い。即ち、下地層の厚さが0.05μm未満であると
、下地層を形成した後ダイヤモンド膜を合成する際に水
素プラズマによってエツチングされてしまい、下地層が
ほとんどなくなフて期待する効果が得られなくなる。一
方、下地層の厚さが2μmを超えると、靭性が低下し膜
に割れが生じることがある。
以下本発明を実施例によって更に詳細に説明するが、本
発明は下記実施例によって限定されるものではなく、前
・後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発
明の技術的範囲に含まれるものである。例えば、下記実
施例では母材としてWC−Co系超硬合金を用いる場合
について示したが、本発明はこの様な場合に限らず、T
iC−N i−Mo系やTiC−WC−TaC−Ni
−Mo−Co系等の超硬合金を母材として用いる場合も
その技術的範囲とするものである。
発明は下記実施例によって限定されるものではなく、前
・後記の趣旨に徴して設計変更することはいずれも本発
明の技術的範囲に含まれるものである。例えば、下記実
施例では母材としてWC−Co系超硬合金を用いる場合
について示したが、本発明はこの様な場合に限らず、T
iC−N i−Mo系やTiC−WC−TaC−Ni
−Mo−Co系等の超硬合金を母材として用いる場合も
その技術的範囲とするものである。
[実施例]
実施例1
下記に示す手順に従って、ダイヤモンド被覆超硬合金チ
ップを作製した。
ップを作製した。
超硬合金母材として、WC−5%Co、WC−8% C
oおよびWC−10%Co(7)3種類+7)150規
格5PGN422形のチップを準備した。上記チップを
イオンブレーティング装置に装入し、まずBのエレクト
ロンビーム蒸発によって母材表面にB膜を形成し、次い
でN2ガスを徐々に導入しつつ高周波グローとアーク放
電を重畳することによって前記B膜上に傾斜組成りN膜
を形成し、更にその上にcBNli[、aBN膜、 B
(rich) −B N膜の1種または2種を形成し
て下地層とした。下地層のIRスペクトルの一例を第1
図に示す。
oおよびWC−10%Co(7)3種類+7)150規
格5PGN422形のチップを準備した。上記チップを
イオンブレーティング装置に装入し、まずBのエレクト
ロンビーム蒸発によって母材表面にB膜を形成し、次い
でN2ガスを徐々に導入しつつ高周波グローとアーク放
電を重畳することによって前記B膜上に傾斜組成りN膜
を形成し、更にその上にcBNli[、aBN膜、 B
(rich) −B N膜の1種または2種を形成し
て下地層とした。下地層のIRスペクトルの一例を第1
図に示す。
この様にして下地処理を施したチップをマイクロ波プラ
ズマ装置に装入し、c H4/ H2−1/200 、
圧力40 Torr、マイクロ波出力I KW。
ズマ装置に装入し、c H4/ H2−1/200 、
圧力40 Torr、マイクロ波出力I KW。
母材温度800℃の条件にて、反応ガスを供給しながら
4〜8時間の気相合成を行ない、下地層上にダイヤモン
ド膜を形成した。
4〜8時間の気相合成を行ない、下地層上にダイヤモン
ド膜を形成した。
得られたダイヤモンド被覆超硬合金チップについて、下
記の切削条件で連続切削試験を行ない、試験後のチップ
における逃げ面摩耗幅を測定した。
記の切削条件で連続切削試験を行ない、試験後のチップ
における逃げ面摩耗幅を測定した。
(切削条件)
被削材 :A1−18%Si合金
送り : O,lt+i / rev切込み :
0.2mm /rev 切削速度: 500II/win 切削時間=30分 その結果を、ダイヤモンド被覆超硬合金チップの構成と
共に第1表に示す。尚第1表には、従来例として(t)
wc−s%CO系超硬合金母材にTiCl1ll!をコ
ーティングした後ダイヤモンド膜を形成したチップを用
いた場合(No、8 ) 、(2)母材に直接的にダイ
ヤモンド膜を形成したチップを用いた場合(No、9.
10)、(3) WC−Co系超硬合金母材自体を切
削材として用いた場合(NO,11)等についての結果
も示した。
0.2mm /rev 切削速度: 500II/win 切削時間=30分 その結果を、ダイヤモンド被覆超硬合金チップの構成と
共に第1表に示す。尚第1表には、従来例として(t)
wc−s%CO系超硬合金母材にTiCl1ll!をコ
ーティングした後ダイヤモンド膜を形成したチップを用
いた場合(No、8 ) 、(2)母材に直接的にダイ
ヤモンド膜を形成したチップを用いた場合(No、9.
10)、(3) WC−Co系超硬合金母材自体を切
削材として用いた場合(NO,11)等についての結果
も示した。
第1表から明らかな様に、本発明に係るダイヤモンド被
覆超硬合金チップは、いずれも優れた切削性および耐摩
耗性を示し、従来材に比べて優れた性能を発揮している
ことがよく分かる。
覆超硬合金チップは、いずれも優れた切削性および耐摩
耗性を示し、従来材に比べて優れた性能を発揮している
ことがよく分かる。
実施例2
下記に示す手順に従って、ダイヤモンド被覆超硬合金ミ
ニチュアドリルを作製した。
ニチュアドリルを作製した。
超硬合金母材として、WC−13%CoのIC基板穴あ
け用小径ドリル(ドリル径: 1.Ovn )を準備し
、これをイオンブレーティング装置に装入し、実施例1
と同様にして母材表面に下地層を形成した。
け用小径ドリル(ドリル径: 1.Ovn )を準備し
、これをイオンブレーティング装置に装入し、実施例1
と同様にして母材表面に下地層を形成した。
下地処理を施したドリルを、マイクロ波プラズマ装置に
装入し、実施例1と同様にしてダイヤモンド膜を形成し
た。
装入し、実施例1と同様にしてダイヤモンド膜を形成し
た。
得られたダイヤモンド被覆超硬合金ドリルについて、下
記の穴あけ条件で穴あけ試験を行ない、その使用寿命に
至るまでの穴あけ個数を測定した。
記の穴あけ条件で穴あけ試験を行ない、その使用寿命に
至るまでの穴あけ個数を測定した。
(穴あけ条件)
被剛材・Si5重量%含有エポキシ板(厚さ0.6mm
) 5枚と、銅薄板5枚の交互積層板からなるIC基
板 ドリル回転速度+ 8QOOOr、p、m送りスピード
: 0.08mm/ revその結果を、ダイヤモン
ド被覆超硬合金ドリルの構成と共に、第2表に示す。尚
第2表には、実施例1で示したのと同様の従来材を用い
て作成したドリルによる結果についても示した。
) 5枚と、銅薄板5枚の交互積層板からなるIC基
板 ドリル回転速度+ 8QOOOr、p、m送りスピード
: 0.08mm/ revその結果を、ダイヤモン
ド被覆超硬合金ドリルの構成と共に、第2表に示す。尚
第2表には、実施例1で示したのと同様の従来材を用い
て作成したドリルによる結果についても示した。
第2表から明らかな様に、本発明に係るダイヤモンド被
覆超硬合金ドリルは、いずれも優れた耐切削性および耐
摩耗性を示し、従来材に比べて優れた性能を発揮してい
ることがよく分かる。
覆超硬合金ドリルは、いずれも優れた耐切削性および耐
摩耗性を示し、従来材に比べて優れた性能を発揮してい
ることがよく分かる。
[発明の効果]
本発明は以上の様に構成されており、超硬合金母材に対
して密着性良く且つ均一にダイヤモンド膜を形成でき、
しかもダイヤモンドが有する高熱伝導性をも損なうこと
なく、優れた切削性および耐摩耗性を示すダイヤモンド
被覆超硬合金工具が実現できた。
して密着性良く且つ均一にダイヤモンド膜を形成でき、
しかもダイヤモンドが有する高熱伝導性をも損なうこと
なく、優れた切削性および耐摩耗性を示すダイヤモンド
被覆超硬合金工具が実現できた。
′!J1図は下地層のIRスペクトルの一例を示すグラ
フである。
フである。
Claims (1)
- 超硬合金を母材とし下地層上にダイヤモンド被覆が形成
された超硬合金工具において、前記下地層のうち前記母
材に接する第1層としてB膜が形成されると共に、該下
地の表面層として、非晶質窒化硼素、立方晶窒化硼素お
よびBに富んだ窒化硼素から選ばれる化合物の1種また
は2種以上からなる化合物膜が形成され、且つ第1層お
よび下地表面層間の中間層として、第1層側から下地表
面層側になるにつれてB/Nが低く移行する様な濃度勾
配を有する傾斜組成窒化硼素膜が形成されたものであり
、上記下地層の厚みが0.05〜2μmであることを特
徴とするダイヤモンド被覆超硬合金工具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29488790A JPH04168276A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29488790A JPH04168276A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04168276A true JPH04168276A (ja) | 1992-06-16 |
Family
ID=17813539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29488790A Pending JPH04168276A (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | ダイヤモンド被覆超硬合金工具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04168276A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5782975A (en) * | 1994-02-03 | 1998-07-21 | Linn; Jack H. | Method for providing a silicon and diamond substrate having a carbon to silicon transition layer and apparatus thereof |
JP2014051740A (ja) * | 2008-10-22 | 2014-03-20 | Rohm Co Ltd | 積層構造体 |
WO2018074418A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 国立大学法人名古屋大学 | cBN形成体およびcBN膜の製造方法 |
WO2018198136A1 (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-01 | INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT Madras) | Highly adhesive boron doped graded diamond layer on wc-co cutting tool |
-
1990
- 1990-10-30 JP JP29488790A patent/JPH04168276A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5782975A (en) * | 1994-02-03 | 1998-07-21 | Linn; Jack H. | Method for providing a silicon and diamond substrate having a carbon to silicon transition layer and apparatus thereof |
JP2014051740A (ja) * | 2008-10-22 | 2014-03-20 | Rohm Co Ltd | 積層構造体 |
WO2018074418A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 国立大学法人名古屋大学 | cBN形成体およびcBN膜の製造方法 |
WO2018198136A1 (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-01 | INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT Madras) | Highly adhesive boron doped graded diamond layer on wc-co cutting tool |
US11739419B2 (en) | 2017-04-27 | 2023-08-29 | INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT Madras) | Highly adhesive CVD grown boron doped diamond graded layer on WC-Co |
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