JP2990935B2 - 複合硬質厚膜被覆切削工具 - Google Patents
複合硬質厚膜被覆切削工具Info
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- JP2990935B2 JP2990935B2 JP4085969A JP8596992A JP2990935B2 JP 2990935 B2 JP2990935 B2 JP 2990935B2 JP 4085969 A JP4085969 A JP 4085969A JP 8596992 A JP8596992 A JP 8596992A JP 2990935 B2 JP2990935 B2 JP 2990935B2
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- JP
- Japan
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- cbn
- layer
- cutting tool
- diamond
- film
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- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、普通鋼、ステンレス
鋼、鋳鋼などの鉄系合金を切削することができる最表面
に立方晶窒化ホウ素（以下、ｃＢＮと記す）膜を被覆し
てなる複合硬質厚膜被覆切削工具に関するものであり、
特に複合硬質厚膜をろう付けしてなる切削工具に関する
ものである。
鋼、鋳鋼などの鉄系合金を切削することができる最表面
に立方晶窒化ホウ素（以下、ｃＢＮと記す）膜を被覆し
てなる複合硬質厚膜被覆切削工具に関するものであり、
特に複合硬質厚膜をろう付けしてなる切削工具に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ｃＢＮは結晶構造がダイヤモン
ドに近似し、硬い物質であるところから焼結基体に被覆
するなどして切削工具として用いられている。このｃＢ
Ｎ被覆切削工具は、ｃＢＮ自体がダイヤモンドのように
高温で鉄と反応することがないので、鉄系合金の切削に
使用することができるなどの利点をもっている。
ドに近似し、硬い物質であるところから焼結基体に被覆
するなどして切削工具として用いられている。このｃＢ
Ｎ被覆切削工具は、ｃＢＮ自体がダイヤモンドのように
高温で鉄と反応することがないので、鉄系合金の切削に
使用することができるなどの利点をもっている。
【０００３】上記ｃＢＮ被覆切削工具としてはすでにい
ろいろなものが開示されており、特開昭５７−９５８８
１号公報には、超硬合金、アルミナ、窒化硅素などを基
体とし、その基体の表面にｃＢＮ膜を形成したｃＢＮ膜
被覆切削工具が記載されており、その中でも窒化硅素を
基体とするものが最も好ましいことが記載されている。
さらに、特開昭６１−４１７６８号公報には、超硬合金
基体の表面にｃＢＮを主体とし、これに六方晶窒化ホウ
素、非晶質窒化ホウ素、周期律表４ａ，５ａ，６ａ族金
属の炭化物、窒化物、ホウ化物およびＡｌ2 Ｏ3 の少な
くとも１種を混合してなるｃＢＮ混合膜を被覆した切削
工具が開示されている。
ろいろなものが開示されており、特開昭５７−９５８８
１号公報には、超硬合金、アルミナ、窒化硅素などを基
体とし、その基体の表面にｃＢＮ膜を形成したｃＢＮ膜
被覆切削工具が記載されており、その中でも窒化硅素を
基体とするものが最も好ましいことが記載されている。
さらに、特開昭６１−４１７６８号公報には、超硬合金
基体の表面にｃＢＮを主体とし、これに六方晶窒化ホウ
素、非晶質窒化ホウ素、周期律表４ａ，５ａ，６ａ族金
属の炭化物、窒化物、ホウ化物およびＡｌ2 Ｏ3 の少な
くとも１種を混合してなるｃＢＮ混合膜を被覆した切削
工具が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ｃＢＮ膜
は一般に超硬合金、アルミナ、窒化硅素などの基体に対
する密着性が低く、またｃＢＮ膜を基体表面に２０μｍ
程度の厚膜として被覆しようとすると、ｃＢＮ厚膜形成
後に炉から取出す際にｃＢＮ膜に亀裂が発生することが
多く、たとえｃＢＮ厚膜に亀裂が発生することなく炉か
ら取出すことができたとしても、上記ｃＢＮ厚膜被覆切
削工具を用いて切削すると短時間のうちに大部分のｃＢ
Ｎ厚膜被覆切削工具が欠損し、実用に供することができ
なかった。
は一般に超硬合金、アルミナ、窒化硅素などの基体に対
する密着性が低く、またｃＢＮ膜を基体表面に２０μｍ
程度の厚膜として被覆しようとすると、ｃＢＮ厚膜形成
後に炉から取出す際にｃＢＮ膜に亀裂が発生することが
多く、たとえｃＢＮ厚膜に亀裂が発生することなく炉か
ら取出すことができたとしても、上記ｃＢＮ厚膜被覆切
削工具を用いて切削すると短時間のうちに大部分のｃＢ
Ｎ厚膜被覆切削工具が欠損し、実用に供することができ
なかった。
【０００５】そのために、一般にｃＢＮ膜は厚さ：１０
μｍ以下の薄膜となるように被覆して上記欠点を希釈し
ようとしているが、１０μｍ以下の膜厚では長時間の切
削に対する耐摩耗性が不足するなどの課題があった。
μｍ以下の薄膜となるように被覆して上記欠点を希釈し
ようとしているが、１０μｍ以下の膜厚では長時間の切
削に対する耐摩耗性が不足するなどの課題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、従
来よりも厚いｃＢＮ膜を被覆しても優れた特性を有する
切削工具を得るべく研究を行った結果、 （１） 気相合成ダイヤモンド膜の上にｃＢＮ膜を被覆
すると、ｃＢＮ膜の膜厚が１０μｍを越えてもｃＢＮ厚
膜形成後に炉から取出す際にｃＢＮ厚膜に亀裂を生ずる
ことはない、 （２） 気相合成ダイヤモンド膜に対するｃＢＮ膜の密
着性は優れており、上記気相合成ダイヤモンド膜とｃＢ
Ｎ膜の間にダイヤモンドおよびｃＢＮの混合膜を介在さ
せると、上記気相合成ダイヤモンド膜とｃＢＮ膜の密着
性は一層向上する。
来よりも厚いｃＢＮ膜を被覆しても優れた特性を有する
切削工具を得るべく研究を行った結果、 （１） 気相合成ダイヤモンド膜の上にｃＢＮ膜を被覆
すると、ｃＢＮ膜の膜厚が１０μｍを越えてもｃＢＮ厚
膜形成後に炉から取出す際にｃＢＮ厚膜に亀裂を生ずる
ことはない、 （２） 気相合成ダイヤモンド膜に対するｃＢＮ膜の密
着性は優れており、上記気相合成ダイヤモンド膜とｃＢ
Ｎ膜の間にダイヤモンドおよびｃＢＮの混合膜を介在さ
せると、上記気相合成ダイヤモンド膜とｃＢＮ膜の密着
性は一層向上する。
【０００７】（３） ｃＢＮ膜と気相合成ダイヤモンド
膜とのろう付け性を比較すると気相合成ダイヤモンド膜
の方がろう付け性は優れている、などの知見を得たので
ある。
膜とのろう付け性を比較すると気相合成ダイヤモンド膜
の方がろう付け性は優れている、などの知見を得たので
ある。
【０００８】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、ダイヤモンド層およびｃＢＮ層から
なる複合硬質厚膜、またはダイヤモンド層、ダイヤモン
ドとｃＢＮの混合層およびｃＢＮ層からなる複合硬質厚
膜をｃＢＮ層が最外面となるようにダイヤモンド層側を
切削工具基体にろう付けしてなる複合硬質厚膜被覆切削
工具に特徴を有するものである。
れたものであって、ダイヤモンド層およびｃＢＮ層から
なる複合硬質厚膜、またはダイヤモンド層、ダイヤモン
ドとｃＢＮの混合層およびｃＢＮ層からなる複合硬質厚
膜をｃＢＮ層が最外面となるようにダイヤモンド層側を
切削工具基体にろう付けしてなる複合硬質厚膜被覆切削
工具に特徴を有するものである。
【０００９】上記ｃＢＮおよびダイヤモンドの混合層
は、ｃＢＮとダイヤモンドの濃度分布が均一であっても
よいが、ダイヤモンド層方向に向ってダイヤモンド濃度
が増加し、ｃＢＮ層方向に向ってｃＢＮ濃度が増加して
いる傾斜濃度を有する混合層である方が一層好ましい。
は、ｃＢＮとダイヤモンドの濃度分布が均一であっても
よいが、ダイヤモンド層方向に向ってダイヤモンド濃度
が増加し、ｃＢＮ層方向に向ってｃＢＮ濃度が増加して
いる傾斜濃度を有する混合層である方が一層好ましい。
【００１０】次に、この発明の複合硬質厚膜被覆切削工
具の製造法を図面にもとづいて具体的に説明する。
具の製造法を図面にもとづいて具体的に説明する。
【００１１】図１は、複合硬質厚膜を製造するための装
置の概略図であり、図１において、１はＳｉ基板、２は
基板支持台、３は石英管、４はタングステンフィラメン
ト、５はＲＦプラズマコイル、６はホウ素イミドＢ
2 （ＮＨ）3 を充填したボンベ、７はメタンＣＨ4 を充
填したボンベ、８は水素Ｈ2 を充填したボンベを示す。
置の概略図であり、図１において、１はＳｉ基板、２は
基板支持台、３は石英管、４はタングステンフィラメン
ト、５はＲＦプラズマコイル、６はホウ素イミドＢ
2 （ＮＨ）3 を充填したボンベ、７はメタンＣＨ4 を充
填したボンベ、８は水素Ｈ2 を充填したボンベを示す。
【００１２】図１に示される装置の基板支持台２の上に
Ｓｉ基板１を載せ、タングステンフィラメント４を加熱
しておくとともに基板支持台２を加熱することにより基
板支持台２上のＳｉ基体１を加熱しておき、さらにＲＦ
プラズマコイル５によりＳｉ基板１に高周波プラズマが
印加される状態にしておく。かかる状態においてボンベ
７および８を開放し、ＣＨ4 およびＨ2 を石英管３内に
導入すると、ＣＨ4 は励起されてＳｉ基体１の表面にダ
イヤモンド層が形成される。
Ｓｉ基板１を載せ、タングステンフィラメント４を加熱
しておくとともに基板支持台２を加熱することにより基
板支持台２上のＳｉ基体１を加熱しておき、さらにＲＦ
プラズマコイル５によりＳｉ基板１に高周波プラズマが
印加される状態にしておく。かかる状態においてボンベ
７および８を開放し、ＣＨ4 およびＨ2 を石英管３内に
導入すると、ＣＨ4 は励起されてＳｉ基体１の表面にダ
イヤモンド層が形成される。
【００１３】ついで、ボンベ７のバルブ７′を締め、ボ
ンベ６が開放されるようにバルブ６′を操作すると、ホ
ウ素イミドＢ2 （ＮＨ）3 は、石英管３内にて、 Ｂ2 （ＮＨ）3 →２ＢＮ＋ＮＨ3 の如く分解され、上記ダイヤモンド層の上にｃＢＮ層が
形成される。
ンベ６が開放されるようにバルブ６′を操作すると、ホ
ウ素イミドＢ2 （ＮＨ）3 は、石英管３内にて、 Ｂ2 （ＮＨ）3 →２ＢＮ＋ＮＨ3 の如く分解され、上記ダイヤモンド層の上にｃＢＮ層が
形成される。
【００１４】また、ボンベ６，７および８の各バルブ
６′，７′および８′を同時に開放するとダイヤモンド
およびｃＢＮの混合層が形成される。上記混合層が傾斜
濃度をもつようにするにはバルブ６′および７′を調整
し、ＣＨ4 とＢ2 （ＮＨ）3 の流量を任意に変えるよう
にすればよい。
６′，７′および８′を同時に開放するとダイヤモンド
およびｃＢＮの混合層が形成される。上記混合層が傾斜
濃度をもつようにするにはバルブ６′および７′を調整
し、ＣＨ4 とＢ2 （ＮＨ）3 の流量を任意に変えるよう
にすればよい。
【００１５】上記ｃＢＮ膜の生成は赤外線吸収スペクト
ルの吸収ピークを測定することにより判定することがで
きる。
ルの吸収ピークを測定することにより判定することがで
きる。
【００１６】
実施例１ 図１の基板支持台２の上に、たて：４０mm、横：４０m
m、高さ：１mmのＳｉ基板１を載置し、上記Ｓｉ基板１
を温度：８００℃に加熱し、タングステンフィラメント
４を温度：２０００℃に加熱しながらＲＦプラズマコイ
ル５に３００Ｗの電力を供給した。
m、高さ：１mmのＳｉ基板１を載置し、上記Ｓｉ基板１
を温度：８００℃に加熱し、タングステンフィラメント
４を温度：２０００℃に加熱しながらＲＦプラズマコイ
ル５に３００Ｗの電力を供給した。
【００１７】ついで、石英管５内にメタンガスおよび水
素ガスを、 ＣＨ4 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように流し、Ｓｉ基板表面に厚さ：０．０２mmの
ダイヤモンド層を形成し、続いて上記メタンガスの供給
を停止し、ホウ素イミドガスおよび水素ガスを、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように供給することにより上記ダイヤモンド層の
上に厚さ：０．０８mmのｃＢＮ層を形成し、全体の膜厚
が０．１mmの複合硬質厚膜を形成した。上記複合硬質厚
膜が形成されたＳｉ基板を石英管５内から取出したとこ
ろ上記複合硬質厚膜に亀裂の発生は見られなかった。
素ガスを、 ＣＨ4 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように流し、Ｓｉ基板表面に厚さ：０．０２mmの
ダイヤモンド層を形成し、続いて上記メタンガスの供給
を停止し、ホウ素イミドガスおよび水素ガスを、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように供給することにより上記ダイヤモンド層の
上に厚さ：０．０８mmのｃＢＮ層を形成し、全体の膜厚
が０．１mmの複合硬質厚膜を形成した。上記複合硬質厚
膜が形成されたＳｉ基板を石英管５内から取出したとこ
ろ上記複合硬質厚膜に亀裂の発生は見られなかった。
【００１８】上記複合硬質厚膜が形成されたＳｉ基板１
を熱王水に１時間浸漬することにより完全に溶解除去
し、取出された複合硬質厚膜のダイヤモンド層側をＪＩ
ＳＺ３２６１の銀ろうを用いて切削工具基体にろう付け
し、表面がｃＢＮ層からなる本発明複合硬質厚膜被覆切
削工具（以下、本発明切削工具という）１を作製した。
を熱王水に１時間浸漬することにより完全に溶解除去
し、取出された複合硬質厚膜のダイヤモンド層側をＪＩ
ＳＺ３２６１の銀ろうを用いて切削工具基体にろう付け
し、表面がｃＢＮ層からなる本発明複合硬質厚膜被覆切
削工具（以下、本発明切削工具という）１を作製した。
【００１９】上記本発明切削工具１を用い、 被削材：ＦＣ２５、 切削速度：７００ｍ／min.、 送り：０．１mm／rev.、 切込み：０．１mm、 切削時間：２０分、 なる条件で連続切削試験し、逃げ面摩耗幅を測定したと
ころ、０．０２mmであった。
ころ、０．０２mmであった。
【００２０】実施例２ 実施例１で用意したＳｉ基板表面に、実施例１と同一条
件でメタンガスおよび水素ガスを、 ＣＨ4 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように流し、Ｓｉ基板表面に厚さ：０．０２mmの
ダイヤモンド層を形成し、続いて上記メタンガス、ホウ
素イミドガスおよび水素ガスを、 ＣＨ4 ：５cc／min.、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：５cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように供給し、厚さ：０．０３mmのダイヤモンド
とｃＢＮの混合比が１：１の混合層を形成した。
件でメタンガスおよび水素ガスを、 ＣＨ4 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように流し、Ｓｉ基板表面に厚さ：０．０２mmの
ダイヤモンド層を形成し、続いて上記メタンガス、ホウ
素イミドガスおよび水素ガスを、 ＣＨ4 ：５cc／min.、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：５cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように供給し、厚さ：０．０３mmのダイヤモンド
とｃＢＮの混合比が１：１の混合層を形成した。
【００２１】上記ダイヤモンドとｃＢＮの混合層を形成
したのち、メタンガスの供給を停止し、さらに、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように流すことにより厚さ：０．０５mmのｃＢＮ
層を形成し、全体の膜厚が０．１mmの複合硬質厚膜を形
成した。
したのち、メタンガスの供給を停止し、さらに、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように流すことにより厚さ：０．０５mmのｃＢＮ
層を形成し、全体の膜厚が０．１mmの複合硬質厚膜を形
成した。
【００２２】上記複合硬質厚膜が形成されたＳｉ基板を
石英管５内から取出したところ、得られた複合硬質厚膜
に亀裂の発生は見られなかった。
石英管５内から取出したところ、得られた複合硬質厚膜
に亀裂の発生は見られなかった。
【００２３】上記複合硬質厚膜が形成されたＳｉ基板１
を実施例１と同様に熱王水で溶解除去し、取出された複
合硬質厚膜のダイヤモンド層側をＪＩＳＺ３２６１の銀
ろうを用いて切削工具基体にろう付けし、表面がｃＢＮ
層からなる本発明切削工具２を作製した。得られた本発
明切削工具２についても実施例１と同一条件の連続切削
試験を行ない、逃げ面摩耗幅を測定したところ０．０１
mmであった。
を実施例１と同様に熱王水で溶解除去し、取出された複
合硬質厚膜のダイヤモンド層側をＪＩＳＺ３２６１の銀
ろうを用いて切削工具基体にろう付けし、表面がｃＢＮ
層からなる本発明切削工具２を作製した。得られた本発
明切削工具２についても実施例１と同一条件の連続切削
試験を行ない、逃げ面摩耗幅を測定したところ０．０１
mmであった。
【００２４】実施例３ 実施例２において、混合層を形成するに際し、ホウ素イ
ミドガスおよびメタンガスの流量を、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：０cc／min.→１０cc／min. ＣＨ4 ：１０cc／min.→０cc／min. となるように変化させながら供給し、同時に水素ガス
を、 Ｈ2 ：１０００cc／min.（一定） となるように供給することによりダイヤモンドとｃＢＮ
の混合割合が層厚方向に変化する厚さ：０．０３mmの混
合層を形成する以外は実施例２と同一条件でダイヤモン
ド層（厚さ：０．０２mm）およびｃＢＮ層（厚さ：０．
０５mm）を形成し、全体の膜厚が０．１mmの複合硬質厚
膜を形成した。
ミドガスおよびメタンガスの流量を、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：０cc／min.→１０cc／min. ＣＨ4 ：１０cc／min.→０cc／min. となるように変化させながら供給し、同時に水素ガス
を、 Ｈ2 ：１０００cc／min.（一定） となるように供給することによりダイヤモンドとｃＢＮ
の混合割合が層厚方向に変化する厚さ：０．０３mmの混
合層を形成する以外は実施例２と同一条件でダイヤモン
ド層（厚さ：０．０２mm）およびｃＢＮ層（厚さ：０．
０５mm）を形成し、全体の膜厚が０．１mmの複合硬質厚
膜を形成した。
【００２５】上記複合硬質厚膜が形成されたＳｉ基板を
石英管５から取出したところ、複合硬質厚膜に亀裂は見
られなかった。
石英管５から取出したところ、複合硬質厚膜に亀裂は見
られなかった。
【００２６】上記Ｓｉ基板を熱王水で溶解除去すること
により取出された複合硬質厚膜を切削工具基体に銀ろう
付けして表面がｃＢＮ層からなる本発明切削工具３を作
製し、実施例１と同一条件の連続切削試験を行ない、逃
げ面摩耗幅を測定したところ０．００５mmであった。
により取出された複合硬質厚膜を切削工具基体に銀ろう
付けして表面がｃＢＮ層からなる本発明切削工具３を作
製し、実施例１と同一条件の連続切削試験を行ない、逃
げ面摩耗幅を測定したところ０．００５mmであった。
【００２７】従来例１ 実施例１で用意したＳｉ基板１の上に、ホウ素イミドガ
スおよび水素ガスを、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように供給し、厚さ：０．１mmのｃＢＮ単層膜を
形成した。
スおよび水素ガスを、 Ｂ2 （ＮＨ）3 ：１０cc／min.、 Ｈ2 ：１０００cc／min.、 となるように供給し、厚さ：０．１mmのｃＢＮ単層膜を
形成した。
【００２８】上記ｃＢＮ単層膜を形成したＳｉ基板１を
石英管３から取出し、観察した結果、ｃＢＮ単層膜に亀
裂が見られた。
石英管３から取出し、観察した結果、ｃＢＮ単層膜に亀
裂が見られた。
【００２９】上記Ｓｉ基板１を実施例１と同様にして熱
王水により溶解除去し、ｃＢＮ単層膜を取出したとこ
ろ、上記ｃＢＮ単層膜は上記亀裂に沿って割れ、切削工
具基体にろう付けするｃＢＮ単層膜として使用すること
ができなかった。
王水により溶解除去し、ｃＢＮ単層膜を取出したとこ
ろ、上記ｃＢＮ単層膜は上記亀裂に沿って割れ、切削工
具基体にろう付けするｃＢＮ単層膜として使用すること
ができなかった。
【００３０】たまたま割れることなく取出されたｃＢＮ
単層膜を切削工具基体にろう付けし、従来切削工具１を
作製し、実施例１と同一条件の連続切削試験を行ったと
ころ、５分で亀裂部分に沿って界面剥離が生じ、またろ
う付け強度が不足していることがわかった。
単層膜を切削工具基体にろう付けし、従来切削工具１を
作製し、実施例１と同一条件の連続切削試験を行ったと
ころ、５分で亀裂部分に沿って界面剥離が生じ、またろ
う付け強度が不足していることがわかった。
【００３１】
【発明の効果】実施例１〜３および従来例から明らかな
ように、従来はｃＢＮ単層厚膜を亀裂を生ずることなく
生成させることは困難であり、またｃＢＮ単層厚膜を亀
裂を生ずることなく得られたとしてもろう付け性が悪い
ために界面剥離が生じやすく、実用に耐えることのでき
る切削工具を得ることができなかったが、この発明によ
るとダイヤモンド層の上に亀裂を生じせしめることなく
ｃＢＮ厚膜を生成させることができ、さらにｃＢＮのろ
う付け性不良の欠点をダイヤモンド膜を介してろう付け
することにより改善し、強固にろう付けされたｃＢＮ厚
膜被覆切削工具を得ることができ、産業上大いに貢献す
ることができる。
ように、従来はｃＢＮ単層厚膜を亀裂を生ずることなく
生成させることは困難であり、またｃＢＮ単層厚膜を亀
裂を生ずることなく得られたとしてもろう付け性が悪い
ために界面剥離が生じやすく、実用に耐えることのでき
る切削工具を得ることができなかったが、この発明によ
るとダイヤモンド層の上に亀裂を生じせしめることなく
ｃＢＮ厚膜を生成させることができ、さらにｃＢＮのろ
う付け性不良の欠点をダイヤモンド膜を介してろう付け
することにより改善し、強固にろう付けされたｃＢＮ厚
膜被覆切削工具を得ることができ、産業上大いに貢献す
ることができる。
【図１】この発明で使用する装置の概略図である。
１ Ｓｉ基板 ２ 基板支持台 ３ 石英管 ４ タングステンフィラメント ５ ＲＦプラズマコイル ６ Ｂ2 （ＮＨ）3 ボンベ ７ ＣＨ4 ボンベ ８ Ｈ2 ボンベ ６′ バルブ ７′ バルブ ８′ バルブ
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｃ３０Ｂ 25/02 Ｐ 29/04 29/04 Ｘ
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイヤモンド層および立方晶窒化ホウ素
（以下、ｃＢＮと記す）層からなる複合硬質厚膜を上記
ｃＢＮ層が最外面となるようにダイヤモンド層側を切削
工具基体にろう付けしてなることを特徴とする複合硬質
厚膜被覆切削工具。 - 【請求項２】 ダイヤモンド層およびｃＢＮ層の間にダ
イヤモンドとｃＢＮの混合層が介在した複合硬質厚膜
を、上記ｃＢＮ層が最外面となるようにダイヤモンド層
側を切削工具基体にろう付けしてなることを特徴とする
複合硬質厚膜被覆切削工具。 - 【請求項３】 上記混合層は、ダイヤモンド層方向に向
ってダイヤモンド濃度が増加し、ｃＢＮ層方向に向って
ｃＢＮ濃度が増加している傾斜濃度を有することを特徴
とする請求項２記載の複合硬質膜被覆切削工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085969A JP2990935B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 複合硬質厚膜被覆切削工具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085969A JP2990935B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 複合硬質厚膜被覆切削工具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05253707A JPH05253707A (ja) | 1993-10-05 |
| JP2990935B2 true JP2990935B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=13873561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085969A Expired - Fee Related JP2990935B2 (ja) | 1992-03-09 | 1992-03-09 | 複合硬質厚膜被覆切削工具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2990935B2 (ja) |
-
1992
- 1992-03-09 JP JP4085969A patent/JP2990935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05253707A (ja) | 1993-10-05 |
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