JPH05253428A - 燻化排ガスの処理方法 - Google Patents
燻化排ガスの処理方法Info
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- JPH05253428A JPH05253428A JP4051701A JP5170192A JPH05253428A JP H05253428 A JPH05253428 A JP H05253428A JP 4051701 A JP4051701 A JP 4051701A JP 5170192 A JP5170192 A JP 5170192A JP H05253428 A JPH05253428 A JP H05253428A
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- exhaust gas
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Links
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Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 セラミック製品を燻化して生じた燻化排ガ
ス、或は屋根材としてのカワラを燻化して生じた燻化排
ガスなどの処理方法を提供することを目的とする。 【構成】 燻化排ガスの流路内に気孔径0.5μm〜3
0μm、気孔率が1〜70%の多孔質SiCハニカム構
造体を、約400〜1400℃の温度範囲内に保持して
架設し、該SiCハニカム構造体中を燻化排ガスを通過
せしめて、排ガス中のパティキュレートと共に未分解ガ
スを完全に燃焼分解させる燻化排ガスの処理方法であ
る。
ス、或は屋根材としてのカワラを燻化して生じた燻化排
ガスなどの処理方法を提供することを目的とする。 【構成】 燻化排ガスの流路内に気孔径0.5μm〜3
0μm、気孔率が1〜70%の多孔質SiCハニカム構
造体を、約400〜1400℃の温度範囲内に保持して
架設し、該SiCハニカム構造体中を燻化排ガスを通過
せしめて、排ガス中のパティキュレートと共に未分解ガ
スを完全に燃焼分解させる燻化排ガスの処理方法であ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は燻化排ガスの処理方法に
関し、例えばセラミック製品を燻化して生じた燻化排ガ
ス、或は屋根材としてのカワラを燻化して生じた燻化排
ガスなどの処理方法に関する。
関し、例えばセラミック製品を燻化して生じた燻化排ガ
ス、或は屋根材としてのカワラを燻化して生じた燻化排
ガスなどの処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、セラミック製品を燻化して炭
素被膜を設けたり、或は屋根材のカワラを燻化して炭素
被膜を設けることは行なわれている。例えば、カワラの
燻化はLPG又は灯油等の気体又は液体の炭化水素を7
00℃〜1150℃、好ましくは850℃〜1000℃
に加熱されたカワラ素地に接触させてカワラ素地表面に
銀色の炭素皮膜を形成させることによりカワラの美観及
び耐候性並びに吸水性を向上させている。
素被膜を設けたり、或は屋根材のカワラを燻化して炭素
被膜を設けることは行なわれている。例えば、カワラの
燻化はLPG又は灯油等の気体又は液体の炭化水素を7
00℃〜1150℃、好ましくは850℃〜1000℃
に加熱されたカワラ素地に接触させてカワラ素地表面に
銀色の炭素皮膜を形成させることによりカワラの美観及
び耐候性並びに吸水性を向上させている。
【0003】しかし、LPG等の炭化水素を高温度の炉
内に挿入すると、その一部は前述のようにカワラ素地又
はセラミック製品に接触して分解し炭素がカワラ素地表
面又はセラミック表面に被着して被膜を形成すると共
に、その他の分解ガス及び未分解の原料はパティキュレ
ートと共に排ガスとして炉外に排出される。排ガスは分
解ガス及び未分解の原料の炭化水素を含んだ有毒ガスの
ため、そのまま炉外に排出することは好ましくない。
内に挿入すると、その一部は前述のようにカワラ素地又
はセラミック製品に接触して分解し炭素がカワラ素地表
面又はセラミック表面に被着して被膜を形成すると共
に、その他の分解ガス及び未分解の原料はパティキュレ
ートと共に排ガスとして炉外に排出される。排ガスは分
解ガス及び未分解の原料の炭化水素を含んだ有毒ガスの
ため、そのまま炉外に排出することは好ましくない。
【0004】そこで、この排ガスの二次燃焼装置を設け
て、燃焼除去している。しかしながら、LPG等の炭化
水素の前記の如き分解排ガス中に高濃度(例えば15g
r/Nm3)のスス等のパティキュレートが含有されて
いる為に簡単に二次燃焼できず、特殊なバーナーを使用
して大きな燃焼室を設けて燃焼除去している。したがっ
て、燻化排ガスの処理のため設備が大規模となるだけで
なく、燃焼用のバーナー燃料も必要になる等の欠点があ
った。
て、燃焼除去している。しかしながら、LPG等の炭化
水素の前記の如き分解排ガス中に高濃度(例えば15g
r/Nm3)のスス等のパティキュレートが含有されて
いる為に簡単に二次燃焼できず、特殊なバーナーを使用
して大きな燃焼室を設けて燃焼除去している。したがっ
て、燻化排ガスの処理のため設備が大規模となるだけで
なく、燃焼用のバーナー燃料も必要になる等の欠点があ
った。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者らは
上記の欠点を除去し、燻化排ガスを従来の場合に比して
より簡単に二次燃焼させるべく種々検討した結果、本発
明を完成したもので、本発明の目的は燻化排ガスをコン
パクトで且つ完全に二次燃焼できるようにした燻化排ガ
スの処理方法を提供するにある。
上記の欠点を除去し、燻化排ガスを従来の場合に比して
より簡単に二次燃焼させるべく種々検討した結果、本発
明を完成したもので、本発明の目的は燻化排ガスをコン
パクトで且つ完全に二次燃焼できるようにした燻化排ガ
スの処理方法を提供するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、素材を
燻化して炭素燻化排ガスを処理するに当り、燻化排ガス
の流路内に気孔径0.5μm〜30μm、気孔率が1〜
70%の多孔質SiCハニカム構造体を、約400〜1
400℃の温度範囲内に保持して架設し、該SiCハニ
カム構造体中を燻化排ガスを通過せしめることを特徴と
する燻化排ガスの処理方法である。
燻化して炭素燻化排ガスを処理するに当り、燻化排ガス
の流路内に気孔径0.5μm〜30μm、気孔率が1〜
70%の多孔質SiCハニカム構造体を、約400〜1
400℃の温度範囲内に保持して架設し、該SiCハニ
カム構造体中を燻化排ガスを通過せしめることを特徴と
する燻化排ガスの処理方法である。
【0007】すなわち、本発明は燻化排ガスを約400
〜1400℃に保持されている多孔質SiCハニカム構
造体を通過させることによって、排ガス中のパティキュ
レートと共に未分解ガスを完全に燃焼分解させ、これに
よって従来のような大規模の二次燃焼装置を必要としな
いのである。
〜1400℃に保持されている多孔質SiCハニカム構
造体を通過させることによって、排ガス中のパティキュ
レートと共に未分解ガスを完全に燃焼分解させ、これに
よって従来のような大規模の二次燃焼装置を必要としな
いのである。
【0008】本発明について、詳細に説明する。炭素皮
膜を有するセラミック製品としては、電気抵抗体用に用
いられる製品であるシャモット質に炭素皮膜を被覆した
もの、アルミナ質に炭素皮膜を被覆したものなどがあ
り、また屋根材としてのカワラ用としては、粘土製品に
炭素皮膜を被覆したものがある。これらは全て700℃
〜1150℃で燻化が行なわれる。燻化後排ガスとして
排出する際、その排ガス通路の煙道内又は煙突内に多孔
質SiCハニカム構造体を設置する。このハニカム構造
体は気孔率1〜70%、気孔径0.5μm〜30μmを
有する。気孔率1%以下のものでは高価であり、70%
以上では強度が小さい欠点を有する。また、気孔径が
0.5μm以下のもの、または、30μm以上のものは
製造コストが高くなり、好ましくない。
膜を有するセラミック製品としては、電気抵抗体用に用
いられる製品であるシャモット質に炭素皮膜を被覆した
もの、アルミナ質に炭素皮膜を被覆したものなどがあ
り、また屋根材としてのカワラ用としては、粘土製品に
炭素皮膜を被覆したものがある。これらは全て700℃
〜1150℃で燻化が行なわれる。燻化後排ガスとして
排出する際、その排ガス通路の煙道内又は煙突内に多孔
質SiCハニカム構造体を設置する。このハニカム構造
体は気孔率1〜70%、気孔径0.5μm〜30μmを
有する。気孔率1%以下のものでは高価であり、70%
以上では強度が小さい欠点を有する。また、気孔径が
0.5μm以下のもの、または、30μm以上のものは
製造コストが高くなり、好ましくない。
【0009】このような要件を有するSiCハニカム構
造体はSiC質の円筒体に軸方向に平行な多数の孔を有
する構造体である。しかして、SiCハニカム体は40
0℃〜1400℃に保持されているのでこのSiCハニ
カム構造体を通過するとき排ガス中の固形分と共に排ガ
ス中の未原料ガスは完全に燃焼分解される。
造体はSiC質の円筒体に軸方向に平行な多数の孔を有
する構造体である。しかして、SiCハニカム体は40
0℃〜1400℃に保持されているのでこのSiCハニ
カム構造体を通過するとき排ガス中の固形分と共に排ガ
ス中の未原料ガスは完全に燃焼分解される。
【0010】本発明を図面をもって更に具体的に説明す
る。図1は本発明にかかる処理方法を示す説明図であ
る。図1において炭化皮膜を有するセラミック製品を製
造するためのバッチ式の燻化装置1は耐火断熱材2をも
って囲まれており、その装置の室内3には被燻化物4を
入れる。室内3の底部には被燻化物4をセットするため
のベッド5があり、ベッド5の下部は煙道6及び煙突7
に連っている。また、煙道の途中に排ガスを燃焼させる
ために空気供給口9を設けてある。このような装置にお
いて、燻化の排ガスは室内3より底部のベッド5を通っ
て煙道6を経て煙突7より排出される。しかして、本発
明においては、煙道6もしくは煙突7内に多孔質SiC
ハニカム構造体を架設するのである。多孔質SiCハニ
カム構造体の架設位置としては多孔質SiCハニカム構
造体が400℃〜1400℃程度以下に保持できる位置
で通常排ガス温度が400℃〜900℃程度になる場所
で好ましくは500℃〜700℃程度になる場所がよ
い。燻化の排ガスはその流路に設けた多孔質SiCハニ
カム構造体によってパティキュレート及び未燃焼炭化水
素は煙突のドラフト効果により空気供給口9より導入さ
れた空気によって燃焼除去される。
る。図1は本発明にかかる処理方法を示す説明図であ
る。図1において炭化皮膜を有するセラミック製品を製
造するためのバッチ式の燻化装置1は耐火断熱材2をも
って囲まれており、その装置の室内3には被燻化物4を
入れる。室内3の底部には被燻化物4をセットするため
のベッド5があり、ベッド5の下部は煙道6及び煙突7
に連っている。また、煙道の途中に排ガスを燃焼させる
ために空気供給口9を設けてある。このような装置にお
いて、燻化の排ガスは室内3より底部のベッド5を通っ
て煙道6を経て煙突7より排出される。しかして、本発
明においては、煙道6もしくは煙突7内に多孔質SiC
ハニカム構造体を架設するのである。多孔質SiCハニ
カム構造体の架設位置としては多孔質SiCハニカム構
造体が400℃〜1400℃程度以下に保持できる位置
で通常排ガス温度が400℃〜900℃程度になる場所
で好ましくは500℃〜700℃程度になる場所がよ
い。燻化の排ガスはその流路に設けた多孔質SiCハニ
カム構造体によってパティキュレート及び未燃焼炭化水
素は煙突のドラフト効果により空気供給口9より導入さ
れた空気によって燃焼除去される。
【0011】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は排ガスの流
路内に多孔質SiCハニカム構造体を400〜1400
℃の温度範囲に保持して架設し、これに排ガスを通過せ
しめることにより排ガス中のパティキュレートと共に未
燃焼の炭化水素を完全燃焼分解させることができ、その
結果、従来方法のような二次燃焼装置や特殊なバーナー
を必要とすることなく、排ガスを排出させることができ
る。
路内に多孔質SiCハニカム構造体を400〜1400
℃の温度範囲に保持して架設し、これに排ガスを通過せ
しめることにより排ガス中のパティキュレートと共に未
燃焼の炭化水素を完全燃焼分解させることができ、その
結果、従来方法のような二次燃焼装置や特殊なバーナー
を必要とすることなく、排ガスを排出させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の排ガスの処理方法を示す説明図
1.燻化装置 2.耐火断熱材 3.装置室内 4.被燻化物 5.ベッド 6.煙道 7.煙突 8.多孔質SiCハニカム構造体 9.空気供給口
Claims (1)
- 【請求項1】 燻化排ガスを処理するに当り、燻化排ガ
スの流路内に気孔径が0.5μm〜30μm、気孔率が
1〜70%の多孔質SiCハニカム構造体を約400〜
1400℃の温度範囲に保持して架設し、該SiCハニ
カム構造体を燻化排ガスを通過せしめることを特徴とす
る燻化排ガスの処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4051701A JPH05253428A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 燻化排ガスの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4051701A JPH05253428A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 燻化排ガスの処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05253428A true JPH05253428A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=12894206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4051701A Pending JPH05253428A (ja) | 1992-03-10 | 1992-03-10 | 燻化排ガスの処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05253428A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008070105A (ja) * | 2007-08-24 | 2008-03-27 | Takasago Ind Co Ltd | 単独型焼成燻化炉の煤除去方法 |
KR20170127027A (ko) * | 2015-03-16 | 2017-11-20 | 에이브이케이 홀딩 에이/에스 | 밸브 |
-
1992
- 1992-03-10 JP JP4051701A patent/JPH05253428A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008070105A (ja) * | 2007-08-24 | 2008-03-27 | Takasago Ind Co Ltd | 単独型焼成燻化炉の煤除去方法 |
JP4621717B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2011-01-26 | 高砂工業株式会社 | 単独型焼成燻化炉の煤除去方法 |
KR20170127027A (ko) * | 2015-03-16 | 2017-11-20 | 에이브이케이 홀딩 에이/에스 | 밸브 |
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