JPH05251537A - ウエハフォトルミネスセンスマッピング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、化合物半導体ウエハの面内フォト
ルミネスセンス特性を簡便、迅速かつ正確に測定評価す
ることを目的とする。 【構成】 レーザ光源３からの連続波レーザ光の一部を
所定周期で断続して断続波レーザ光とする断続手段６
と、断続波レーザ光の励起で生じるフォトルミネスセン
スを取込んでフォトルミネスセンス強度を検出する受光
手段１２，１３と、連続波レーザ光の励起で生じるフォ
トルミネスセンスを入力してフォトルミネスセンススペ
クトルを得る光スペクトルアナライザ１９と、化合物半
導体ウエハ内の測定位置を移動させる移動手段１０と、
フォトルミネスセンス特性分布をマッピング表示する表
示手段１ａとを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、主に光デバイスに用い
る化合物半導体ウエハの評価を行なうウエハフォトルミ
ネスセンスマッピング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、フォトルミネスセンスのマッピン
グを行なう装置は数種類のものが既に商用化されてい
る。しかし、その殆んどのものは励起光源の強度が小さ
く、また励起密度も低い。したがって結晶表面、或いは
結晶界面の物性の評価には適しているが、評価した結晶
から作製したデバイスの特性とフォトルミネスセンス特
性との相関は弱い。このためプロセス工程の中でのルー
ティン的な評価手段として用いられている例は少ない。
またフォトルミネスセンス特性のマッピングも主に強度
だけの場合が多く、多元結晶のような組成の分布が問題
になる場合の評価装置は非常に限られたものであり、ま
たかなりの測定時間を要するものであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来のフォトルミネス
センスのマッピングを行う装置は、励起光源の強度が小
さく、また励起密度も低かったため、評価した結晶から
作製したデバイスの特性とフォトルミネスセンス特性と
の相関は弱かった。また、フォトルミネスセンス特性の
マッピングも強度だけの場合が多く、多元結晶のような
組成の分布が問題になる場合の評価装置は非常に限られ
ており、またかなりの測定時間を要していた。

【０００４】ところで、光デバイス、例えば半導体レー
ザの発振特性はそれに用いる化合物半導体結晶の構造と
品質に依存するので、化合物半導体結晶の評価を適切に
行なうとそれより作製したデバイス特性の予知が可能と
なる。具体的には、半導体レーザの発振閾値は化合物半
導体結晶のフォトルミネスセンスの強度が大きいほど低
く、発振波長はフォトルミネスセンス波長から推測可能
である。したがって半導体レーザ等のデバイス作製にお
いて、化合物半導体結晶の段階でウエハの選別を行なう
ことにより、製作プロセスの軽減とデバイスの歩留り向
上を図れることが期待できる。

【０００５】そこで、本発明は、化合物半導体ウエハの
面内フォトルミネスセンス特性を簡便、迅速かつ正確に
測定評価し、光デバイス等の製作において、各工程段階
でウエハの選別を可能として製作プロセスの軽減とデバ
イスの歩留り向上を図ることのできるウエハフォトルミ
ネスセンスマッピング装置を提供することを目的とす
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、第１に、連続波レーザ光の一部を所定周
期で断続して断続波レーザ光を生成し、連続波レーザ光
はスペクトル測定用、断続波レーザ光は強度測定用の各
励起光として被測定試料である化合物半導体ウエハに照
射し、当該化合物半導体ウエハのフォトルミネスセンス
特性分布をマッピング表示するウエハフォトルミネスセ
ンスマッピング装置であって、前記連続波レーザ光を出
射するレーザ光源と、前記断続波レーザ光を生成する断
続手段と、前記断続波レーザ光の励起で周期的に生じる
フォトルミネスセンスを該フォトルミネスセンスの発生
周期に同期して取込み、フォトルミネスセンス強度を検
出する受光手段と、前記連続波レーザ光の励起で生じる
フォトルミネスセンスを入力してフォトルミネスセンス
スペクトルを得る光スペクトルアナライザと、前記化合
物半導体ウエハ内の測定位置を順次移動させる移動手段
と、前記受光手段及び光スペクトルアナライザの各出力
に基づいて前記フォトルミネスセンス特性分布をマッピ
ング表示する表示手段とを有することを要旨とする。

【０００７】第２に、上記第１の構成において、前記断
続手段を、連続波レーザ光の入射側が鏡面となったチョ
ッパで構成し、該鏡面で周期的に生じる反射光ないしは
散乱光を当該反射光ないしは散乱光の周期に同期してモ
ニタ手段で検出し、前記受光手段の出力値を当該モニタ
手段の出力値で除した値をフォトルミネスセンス強度と
するように構成してなることを要旨とする。

【０００８】第３に、上記第１又は第２の構成におい
て、前記化合物半導体ウエハの温度を可変する温度調整
手段を有することを要旨とする。

【０００９】第４に、上記第１、第２又は第３の構成に
おいて、前記レーザ光源の駆動電力を制御して前記連続
波レーザ光及び断続波レーザ光による励起強度を調整す
る励起強度調整手段と、前記化合物半導体ウエハ上の前
記連続波レーザ光及び断続波レーザ光の照射スポット径
を可変して前記連続波レーザ光及び断続波レーザ光によ
る励起密度を調整する励起密度調整手段とを有すること
を要旨とする。

【００１０】第５に、上記第１、第２、第３又は第４の
構成において、前記レーザ光源、断続手段、受光手段、
光スペクトルアナライザ、移動手段及び表示手段を含む
各機器及び手段を自動的に駆動制御する制御手段を有す
ることを要旨とする。

【００１１】

【作用】上記構成において、第１に、レーザ光源からの
連続波レーザ光の一部が所定周期で断続されて断続波レ
ーザ光とされ、連続波レーザ光はスペクトル測定用、断
続波レーザ光は強度測定用の各励起光として被測定試料
である化合物半導体ウエハに照射される。断続波レーザ
光の励起で周期的に生じるフォトルミネスセンスが受光
手段で検出されてフォトルミネスセンス強度が測定さ
れ、また連続波レーザ光の励起で生じるフォトルミネス
センスが光スペクトルアナライザに入力されてフォトル
ミネスセンススペクトルが得られる。化合物半導体ウエ
ハ内の測定位置が移動手段で順次移動されつつ上記測定
が繰り返され、フォトルミネスセンスの強度、波長及び
半値幅等のフォトルミネスセンス特性の分布が表示手段
にマッピング表示される。このとき、例えば、フォトル
ミネスセンススペクトルの測定はフォトルミネスセンス
強度が一定レベル以上の場合にのみ実施されてスペクト
ル観測不能時の測定ロスが省かれる。これにより、化合
物半導体ウエハの面内フォトルミネスセンス特性が簡
便、迅速かつ正確に測定評価され、光デバイス等の製作
において各工程段階でのウエハ選別が可能となる。

【００１２】第２に、断続手段を、連続波レーザ光の入
射側が鏡面となったチョッパで構成し、その鏡面で周期
的に生じる反射光ないしは散乱光をモニタ手段で検出
し、前記受光手段の出力値を当該モニタ手段の出力値で
除した値をフォトルミネスセンス強度とすることによ
り、励起光のゆらぎに起因するフォトルミネスセンス強
度のゆらぎが抑制されて一層安定した精度のよいフォト
ルミネスセンス強度の測定評価が実現される。

【００１３】第３に、化合物半導体ウエハの温度を可変
しながら測定を実行することにより、フォトルミネスセ
ンス特性の温度依存性を評価することが可能となり、よ
り一層正確にその化合物半導体ウエハから作製するデバ
イス特性を予知すること等が可能となる。

【００１４】第４に、フォトルミネスセンス特性の励起
強度依存性及び励起密度依存性を測定することが可能と
なって化合物半導体ウエハ内の励起キャリヤの再結合過
程の解析や発光効率の評価等、より幅広い化合物半導体
ウエハの評価解析が可能となる。

【００１５】第５に、装置を構成する各機器及び手段を
制御手段で自動的に駆動制御することにより、一層迅速
な測定評価が可能となってデバイス作製時のプロセス進
行状況把握用等として極めて適切な装置となる。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１７】本実施例のウエハフォトルミネスセンスマ
ッピング装置は、結晶成長後の化合物半導体ウエハの面
内フォトルミネスセンス特性を簡便、迅速かつ正確に測
定評価し、結晶成長時の成長条件を出し、或いはデバイ
ス作製時のプロセス進行状況を把握するための評価装置
として供することを主な目的としている。例えばＡ_xＢ
_1-x Ｃ_y Ｄ_1-y （Ａ，ＢはＧａ，Ｉｎ，Ａｌのような I
II族元素、Ｃ，ＤはＡｓ，Ｐ，ＳｂのようなＶ族元素、
０≦ｘ，ｙ≦１）で表される III−Ｖ化合物半導体の結
晶成長膜並びに多層膜は現在の成長技術ではいかなる成
長方法を用いても完全に均一な結晶膜を作製することは
難しい。したがって成長した結晶膜の正確な評価は、結
晶成長技術の向上及びそのデバイスへの応用の際に非常
に重要である。本実施例は結晶の非破壊評価法の一つで
あるフォトルミネスセンス法を用いて、成長膜全体の特
性をビジュアル化することにより、より高品質な結晶、
ひいてはより高性能なデバイスを開発する手段として供
し得るものである。

【００１８】本実施例は、上記目的を達成するため、次
のような趣旨のもとに構成がなされている。即ち、 強い励起光源の採用 数ワットの出力が可能な光源（例えばＹＡＧレーザ）を
用いることにより、励起キャリヤの密度を１０¹⁸cm^-3以
上にし、デバイス動作時と同様の環境を結晶内に作り、
結晶からの発光特性の解析を行なう。

【００１９】高速な測定 フォトルミネスセンス強度の測定とフォトルミネスセン
ススペクトルの測定を別々の方法で行なう。特にスペク
トルの測定は一般的に時間がかかるので原理的に高速化
が可能な干渉型の光スペクトルアナライザを採用する。
また強度測定を行なってから、スペクトルの測定を行な
うかどうかを判断することにより、スペクトル観測不能
時の測定ロスを省く。ウエハの形状を記憶し、不必要な
部分の測定を行なわない。

【００２０】安定な結晶の取得 励起光の散乱光を受光手段としてのフォトセルでモニタ
し強度補正を加えることによって、励起光のゆらぎに起
因するフォトルミネスセンス強度のゆらぎを抑制する。
フォトルミネスセンス光だけを測定するために受光系に
は励起光を遮断するためのフィルタを導入する。ウエハ
間の特性を比較するために安定なリファレンスサンプル
の特性を常に測定し、相対強度を測定する。

【００２１】図１は、上述の趣旨のもとになされたウエ
ハフォトルミネスセンスマッピング装置の構成を示して
いる。

【００２２】同図において１は制御手段としてのパーソ
ナルコンピュータ（以下ＰＣと略す）であり、その表示
部１ａが表示手段として機能する。装置を構成する各機
器の制御とデータの解析は、このＰＣ１で行なわれる。
制御に関してはＩＥＥＥ４８８ボード（ＧＰ−ＩＢボー
ド）、ＲＳ−２３２Ｃインターフェイス、及び専用制御
ボードが用いられている。ＰＣ１で励起強度調整手段と
してのプログラマブル電源２の駆動電圧と駆動電流を設
定することにより、励起用レーザ光源３からの連続波
（ＣＷ）レーザ光のオン／オフ並びに制御が行なわれる
ようになっている。サンプル（被測定試料）４である化
合物半導体ウエハへの励起光の照射はミラー５、断続手
段としてのチョッパ６を経由した後、励起密度調整手段
としての集光レンズ７で集光して行なわれる。このと
き、チョッパ６ではＣＷレーザ光の一部（〜１％）のみ
が遮断されて断続波レーザ光とされる。チョッパ６は、
ＣＷレーザ光の入射光である上面が鏡面仕様になってお
り、この鏡面で周期的に生じる反射光ないしは散乱光が
フォトセル１５とロックインアンプ１６でモニタされる
ようになっている。このフォトセル１５とロックインア
ンプ１６でＣＷレーザ光のモニタ手段が構成されてい
る。即ち、チョッパ６でシンクロナイズされた信号とし
て励起光強度とフォトルミネスセンス強度とがモニタさ
れ、大部分のＣＷレーザ光はスペクトルをモニタするた
めにサンプル４に照射される。１２はフォトルミネスセ
ンス強度をモニタするための受光器、１３は受光器１２
の検出出力を取込むロックインアンプであり、この受光
器１２とロックインアンプ１３で受光手段が構成されて
いる。受光器１２の前には励起光を遮断するためのフィ
ルタ１４が置かれている。１７はＣＷレーザ光の励起で
生じるフォトルミネスセンスを取込む光ファイバであ
り、その先端はサンプル４にできるだけ近づけられ、他
端側は励起光を遮断するためのフィルタ１８を通じた
後、光スペクトルアナライザ１９に導かれている。フィ
ルタ１８は光スペクトルアナライザ１９に内蔵すること
も可能である。サンプル４側の光ファイバ１７の先端は
球状にするかセルフォック型のものとすることによりフ
ァイバ入射光量の増大が図られている。

【００２３】集光レンズ７はレーザビームと平行に移動
できる一軸のパルスステージ８に固定され、パルスステ
ージコントローラ９によりＰＣ１からの設定に応じてサ
ンプル４上のスポット径を可変するようになっている。
これにより励起密度を０〜１０¹⁹cm^-3程度まで変化でき
る。サンプル４は移動手段としてのＸ−Ｙ−Ｔステージ
１０上に置かれ、Ｘ−Ｙ−Ｔステージコントローラ１１
によりＰＣ１で入力された任意の位置に移動できる。ま
た、Ｘ−Ｙ−Ｔステージ１０には、温度調整手段として
のペルチェ素子２０が内蔵されている。ペルチェ素子２
０により、常温以下に温度調整するときは、その発熱側
がポンプ２１を用いて空気或いは水を循環させることに
より冷却されるようになっている。常温以上に温度調整
するときは、ペルチェ素子２０に流す電流を逆向きにす
ることにより行なわれる。これにより、温度の設定は５
〜１００℃の範囲で任意に行なうことが可能である。図
１中、２２は制御用パスライン、２３は信号転送ライン
である。

【００２４】次に、上述のように構成されたウエハフォ
トルミネスセンスマッピング装置による化合物半導体ウ
エハの測定評価法を述べる。

【００２５】分布測定法 測定サンプル４の固有値（ウエハ名ないしは番号、形
状、サイズ等）と測定条件（測定ポイント数、測定波長
領域、温度範囲等）をＰＣ１に入力した後、測定開始に
すると各測定点では以下の手順でデータの取り込みが行
なわれる。まずフォトルミネスセンス強度を受光器１２
でモニタし、ロックインアンプ１３からの出力をＰＣ１
で読み取る。これと同時に、上面が鏡面仕様になってい
るチョッパ６からの反射光ないしは散乱光をフォトセル
１５とロックインアンプ１６でモニタし、ロックインア
ンプ１３からの出力値をロックインアンプ１６からの出
力値で除した値をフォトルミネスセンス強度とする。こ
れによりレーザ光源３のゆらぎが緩和された精度のよい
測定結果が得られる。強度分布だけ測定する場合はＸ−
Ｙ−Ｔステージ１０を駆動して次の測定位置へ移動さ
せ、上記測定を繰り返す。フォトルミネスセンススペク
トルの測定はフォトルミネスセンス強度がグランドレベ
ル以上観測された場合にのみ、実施される。すなわち不
要な測定は行なわれない。フォトルミネスセンススペク
トルの測定が行なわれる場合は、ＣＷレーザ光励起によ
るフォトルミネスセンスが光ファイバ１７を通して光ス
ペクトルアナライザ１９に取り込まれる。光スペクトル
アナライザ１９からのデータはＰＣ１に高速で転送さ
れ、スペクトルはＰＣ１内で加工され、波長と半値幅及
びスペクトル全体のデータがメモリに入れられる。スペ
クトルまで測定しても１ポイントの測定時間は数秒で終
え、ウエハサイズと空間分解能によるが、１つのサンプ
ル４の測定時間は１０分以内で終了する。

【００２６】温度特性の測定法 測定位置を指定した後、測定温度範囲、温度ステップを
入力すると、ＰＣ１からＸ−Ｙ−Ｔステージコントロー
ラ１１を通してＸ−Ｙ−Ｔステージ１０の温度を変化さ
せながら、分布測定法と同様のプロセスで各温度でのフ
ォトルミネスセンス特性が測定される。温度制御はＸ−
Ｙ−Ｔステージ１０に内蔵されたペルチェ素子２０で行
われる。また温度を変化させながらフォトルミネスセン
ス特性の分布測定を行なうことにより、特性温度（後
述）等のマッピングも行なう。

【００２７】励起強度依存性及び励起密度依存性の測定
法 測定位置を指定した後、プログラマブル電源２の駆動電
圧、駆動電流の設定を変えながら、分布測定法の容量で
フォトルミネスセンス特性を測定することにより励起強
度依存性が得られる。また集光レンズ７の位置をパルス
ステージコントローラ９で変えながら、同様に測定する
と励起密度依存性が得られる。励起光量に対するフォト
ルミネスセンス光量から発光効率が得られる。また励起
強度或いは励起密度を変化させながらフォトルミネスセ
ンス特性の分布測定を行なうことにより、発光効率など
のマッピングも行う。

【００２８】測定結果の表示例 一連の測定が終了したら、各特性のマッピング表示ある
いは解析結果の出力を行なう。直径２インチのウエハを
測定した場合の結果を図２ないし図５に示す。フォトル
ミネスセンスの強度分布（図２）、波長分布（図３）、
半値幅分布（図４）は２次元分布としてそれぞれ各図
（ｂ）のヒストグラムに分類された濃淡（カラーの場合
は色）で表す。３次元表示も容易に行なえる。温度特性
の結果（図５）は温度Ｔにおけるフォトルミネスセンス
強度Ｉの温度変化を式（１）を用いて解析し、 Ｉ＝Ａ・ｅｘｐ（Ｔ／Ｔ₀ ） …（１） 温度特性；Ｔ₀ を求める。式（１）のＡは定数である。
また波長の温度変化の値、結晶の絶対零度でのバンドギ
ャップの解析結果も表示する。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１に、連続波レーザ光を出射するレーザ光源と、その
連続波レーザ光の一部を所定周期で断続して断続波レー
ザ光を生成する断続手段と、断続波レーザ光の励起で周
期的に生じるフォトルミネスセンスを取込んでフォトル
ミネスセンス強度を検出する受光手段と、連続波レーザ
光の励起で生じるフォトルミネスセンスを入力してフォ
トルミネスセンススペクトルを得る光スペクトルアナラ
イザと、化合物半導体ウエハ内の測定位置を順次移動さ
せる移動手段と、受光手段及び光スペクトルアナライザ
の各出力に基づいてフォトルミネスセンス特性分布をマ
ッピング表示する表示手段とを具備させたため、例えば
フォトルミネスセンススペクトルの測定はフォトルミネ
スセンス強度が一定レベル以上の場合に実施してスペク
トル観測不能時の測定ロスを省くことが可能となるな
ど、化合物半導体ウエハの面内フォトルミネスセンス特
性を簡便、迅速かつ正確に測定評価することができる。
したがって光デバイス等の製作において各工程段階での
ウエハ選別が可能となって製作プロセスの軽減とデバイ
スの歩留り向上を図ることができる。

【００３０】第２に、断続手段を、連続波レーザ光の入
射側が鏡面となったチョッパで構成し、その鏡面で周期
的に生じる反射光ないしは散乱光をモニタ手段で検出
し、前記受光手段の出力値を当該モニタ手段の出力値で
除した値をフォトルミネスセンス強度とするようにした
ため、励起光のゆらぎに起因するフォトルミネスセンス
強度のゆらぎが抑制されて一層安定した精度のよいフォ
トルミネスセンス強度の測定評価を行なうことができ
る。

【００３１】第３に、化合物半導体ウエハの温度を可変
する温度調整手段を具備させたため、フォトルミネスセ
ンス特性の温度依存性を評価することができて、より一
層正確に、その化合物半導体ウエハから作製するデバイ
ス特性を予知すること等が可能となる。

【００３２】第４に、レーザ光の励起強度を調整する励
起強度調整手段と、励起密度を調整する励起密度調整手
段とを具備させたため、フォトルミネスセンス特性の励
起強度依存性及び励起密度依存性を測定することができ
て化合物半導体ウエハ内の励起キャリヤの再結合過程の
解析や発光効率の評価等、より幅広い化合物半導体ウエ
ハの評価解析を行なうことができる。

【００３３】第５に、装置を構成する各機器及び手段を
制御手段で自動的に駆動制御するようにしたため、一層
迅速な測定評価が可能となってデバイス作製時のプロセ
ス進行情況把握用等として極めて適切なウエハフォトル
ミネスセンスマッピング装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るウエハフォトルミネスセンスマッ
ピング装置の実施例を示す構成図である。

【図２】本実施例で得たフォトルミネスセンス強度のマ
ッピング表示例等を示す図である。

【図３】本実施例で得たフォトルミネスセンス波長のマ
ッピング表示例等を示す図である。

【図４】本実施例で得たフォトルミネスセンス半値幅の
マッピング表示例等を示す図である。

【図５】本実施例で得たフォトルミネスセンス特性の温
度依存性を示す特性図である。

【符号の説明】

１ パーソナルコンピュータ（制御手段） １ａ 表示部（表示手段） ２ プログラマブル電源（励起強度調整手段） ３ 励起用レーザ光源 ４ サンプル（化合物半導体ウエハ） ６ チョッパ（断続手段） ７ 集光レンズ（励起密度調整手段） ８ パルスステージ １０ Ｘ−Ｙ−Ｔステージ（移動手段） １２ 受光器 １３ 受光器とともに受光手段を構成するロックインア
ンプ １５ フォトセル １６ フォトセルとともにモニタ手段を構成するロック
インアンプ １９ 光スペクトルアナライザ ２０ ペルチェ素子（温度調整手段）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 連続波レーザ光の一部を所定周期で断続
   して断続波レーザ光を生成し、連続波レーザ光はスペク
   トル測定用、断続波レーザ光は強度測定用の各励起光と
   して被測定試料である化合物半導体ウエハに照射し、当
   該化合物半導体ウエハのフォトルミネスセンス特性分布
   をマッピング表示するウエハフォトルミネスセンスマッ
   ピング装置であって、 前記連続波レーザ光を出射するレーザ光源と、前記断続
   波レーザ光を生成する断続手段と、前記断続波レーザ光
   の励起で周期的に生じるフォトルミネスセンスを該フォ
   トルミネスセンスの発生周期に同期して取込み、フォト
   ルミネスセンス強度を検出する受光手段と、前記連続波
   レーザ光の励起で生じるフォトルミネスセンスを入力し
   てフォトルミネスセンススペクトルを得る光スペクトル
   アナライザと、前記化合物半導体ウエハ内の測定位置を
   順次移動させる移動手段と、前記受光手段及び光スペク
   トルアナライザの各出力に基づいて前記フォトルミネス
   センス特性分布をマッピング表示する表示手段とを有す
   ることを特徴とするウエハフォトルミネスセンスマッピ
   ング装置。
2. 【請求項２】 前記断続手段を、連続波レーザ光の入射
   側が鏡面となったチョッパで構成し、該鏡面で周期的に
   生じる反射光ないしは散乱光を当該反射光ないしは散乱
   光の周期に同期してモニタ手段で検出し、前記受光手段
   の出力値を当該モニタ手段の出力値で除した値をフォト
   ルミネスセンス強度とするように構成してなることを特
   徴とする請求項１記載のウエハフォトルミネスセンスマ
   ッピング装置。
3. 【請求項３】 前記化合物半導体ウエハの温度を可変す
   る温度調整手段を有することを特徴とする請求項１又は
   ２記載のウエハフォトルミネスセンスマッピング装置。
4. 【請求項４】 前記レーザ光源の駆動電力を制御して前
   記連続波レーザ光及び断続波レーザ光による励起強度を
   調整する励起強度調整手段と、前記化合物半導体ウエハ
   上の前記連続波レーザ光及び断続波レーザ光の照射スポ
   ット径を可変して前記連続波レーザ光及び断続波レーザ
   光による励起密度を調整する励起密度調整手段とを有す
   ることを特徴とする請求項１，２又は３記載のウエハフ
   ォトルミネスセンスマッピング装置。
5. 【請求項５】 前記レーザ光源、断続手段、受光手段、
   光スペクトルアナライザ、移動手段及び表示手段を含む
   各機器及び手段を自動的に駆動制御する制御手段を有す
   ることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載のウエ
   ハフォトルミネスセンスマッピング装置。