JPH05245664A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

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Publication number
JPH05245664A
JPH05245664A JP4051256A JP5125692A JPH05245664A JP H05245664 A JPH05245664 A JP H05245664A JP 4051256 A JP4051256 A JP 4051256A JP 5125692 A JP5125692 A JP 5125692A JP H05245664 A JPH05245664 A JP H05245664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
laser beam
optical system
pattern
pattern mask
Prior art date
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Pending
Application number
JP4051256A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Fujiwara
重徳 藤原
Kiyoyuki Amemori
清行 雨森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba FA Systems Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba FA Systems Engineering Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba FA Systems Engineering Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP4051256A priority Critical patent/JPH05245664A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明のレーザ加工装置は、レーザ光を発振
するレーザ装置と、このレーザ装置からのレーザ光を伝
送する伝送光学系と、この伝送光学系により送られたレ
ーザ光を集光する集光光学系と、前記レーザ光により被
加工物にマーキングするパターンを形成すると共に、そ
の表面が前記レーザ光を吸収、散乱或いは散乱するよう
に加工されたパターンマスクとを有する。 【効果】 本発明によれば、パターンマスクの表面での
レーザ光の直接反射が防止できるので、伝送光学系やレ
ーザ装置の共振器等の光学部品や周辺機器の損傷や人体
への危険を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光を基に被加工
物にパターンを形成するマーキング加工を行なうレーザ
加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、マーキング加工を行なうレーザ
加工装置は、マスクイメージ法や直接マスク法により被
加工物上にレーザ光を照射し、その表面にレーザ光のエ
ネルギーによる変質或いは一部除去加工を行ない、パタ
ーンマスクに形成されたマスクと同じ形を描こうとする
ものである。
【0003】図2は、従来この種のレーザ加工装置を示
すもので、レーザ光を発振するレーザ装置1と、このレ
ーザ装置1より出力されたレーザ光2を加工領域まで導
く反射鏡3a,3b,3cを有する伝送光学系4と、パ
ターンを形成したパターンマスク5と、このパターンマ
スク5を介して送られたレーザ光2を集光するイメージ
ングレンズ6と、安全上レーザ光2の光路を覆う光路カ
バー(図示せず)から構成されている。
【0004】このように構成されたレーザ加工装置は、
イメージングレンズ6により、パターンマスク5に形成
されたパターンはスライド映写と同様の原理で被加工物
7上に結像される。そして、レーザ光のエネルギーによ
り、被加工物7上の表面は加工され、変質或いは一部除
去が行なわれ、これにより光の反射が異なり、被加工物
7上に形成されたマークが読取れる。
【0005】なお、ここではマスクイメージ法によるマ
ーキング加工について述べたが。パターンマスクを直接
被加工物上に設置し、レーザ光を照射する直接マスク法
によるマーキング加工も行なうことができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のレ
ーザ加工装置においては、パターンマスクは通常金属薄
膜に所望のパターン形状を穴明加工により形成したもの
か、或いは、ガラス等の透過材にクロム(Cr)等の金
属の反射材を蒸着により塗布したものである。そして、
このパターンマスクは、板状に形成されている。
【0007】このようなパターンマスクでは、図2に示
すように、その表面でレーザ光の反射光Hは、伝送光学
系を伝わり、レーザ装置まで戻ることになり、伝送光学
系の反射鏡やレーザ装置内の共振器鏡等の損傷を発生さ
せる。
【0008】また、パターンマスクを反射光が伝送光学
系を伝わらないように配置すると、その反射光Hはレー
ザ加工装置の周辺機器の損傷や人体への危険を発生させ
る。そこで、本発明は、上記問題点を鑑み、パターンマ
スク表面でのレーザ光の直接反射を発生させず、反射光
による機器の損傷や人体への危険をなくしたレーザ加工
装置を提供することを目的とする。 [発明の構成]
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、レーザ光を発振するレーザ装置と、この
レーザ装置からのレーザ光を伝送する伝送光学系と、こ
の伝送光学系により送られたレーザ光を集光する集光光
学系と、前記レーザ光により被加工物にマーキングする
パターンを形成すると共に、その表面が前記レーザ光を
吸収、散乱或いは散乱するように加工されたパターンマ
スクとを備えたレーザ加工装置を提供する。
【0010】
【作用】このように構成された本発明のレーザ加工装置
においては、パターンマスクの表面にレーザ光を吸収散
乱するように、或いは散乱するように加工したので、レ
ーザ光のパターンマスク表面での直接反射を防止するこ
とができ、機器の損傷や人体への危険を発生させない。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。
【0012】図1に示すように、本実施例のレーザ加工
装置は、パルスレーザ光Lを発振するTEA−CO2
ーザ10と、このTEA−CO2 レーザ10から出力さ
れたパルスレーザ光Lを所定位置まで伝送する反射鏡1
1a,11b,11cを有する伝送光学系12と、反射
鏡11b,11c間に設けられ、この伝送光学系12か
ら送られるレーザ光Lを介して、パターンを形成し、表
面にカーボン塗装を施されたパターンマスク13と、こ
のパターンマスク13を透過したレーザ光を被加工物1
4上に結像させるイメージングレンズ15とから構成さ
れる。
【0013】このように構成された本実施例のレーザ加
工装置においては、表面にカーボン塗装を施されたパタ
ーンマスク13により、照射されたレーザ光Lのうち透
過する光以外の大部分は吸収され、ごく一部のみが散乱
光Mとして周囲に反射されることになるので、反射光が
直接伝送光学系12を伝わって、TEA−CO2 レーザ
10へ逆戻りすることはなくなる。また、パターンマス
ク13上のパターンと照射されたマーキング結像とは反
転した倒像になっている。
【0014】なお、本実施例においてレーザ装置として
TEA−CO2 レーザを用いたが、パルスYAGレー
ザ、エキシマレーザ、金属蒸気レーザ等のパルスレーザ
であれば適用できる。また、パターンマスクの表面加工
としてカーボン塗装を施したが、これ以外にも黒アルマ
イト処理やセラミック溶射等の加工を施しても良い。次
に、本発明の他の実施例について述べる。なお、ここで
は先の実施例と異なる点についてのみ説明する。
【0015】本実施例のレーザ加工装置に用いられるパ
ターンマスクの表面は、サンドブラスト処理を施されて
おり、このパターンマスクに照射されたレーザ光のうち
パターンマスクに形成されたパターンを透過する光以外
は、サンドブラスト処理を施された表面で散乱され、反
射光が直接伝送光学系を伝わってTEA−CO2 レーザ
へ逆戻りしない。
【0016】なお、本実施例においても、先の実施例と
同様、レーザ装置としてTEA−CO2 レーザを用いた
が、これ以外にもパルスYAGレーザ、エキシマレー
ザ、金属蒸気レーザ等のパルスレーザが適用できる。ま
た、本実施例においてはパターンマスク表面にサンドブ
ラスト処理を行なったが、これ以外にエッチング処理等
レーザ光が散乱する加工であれば、適用可能であること
は言うまでもない。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、パ
ターンマスクの表面でのレーザ光の直接反射が防止でき
るので、伝送光学系やレーザ装置の共振器等の光学部品
や周辺機器の損傷や人体への危険を防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す概要構成図。
【図2】従来のレーザ加工装置を示す概要構成図。
【符号の説明】
10……TEA−CO2 レーザ 11a,11b,1
1c……反射鏡 12……伝送光学系 13……パターンマ
スク 14……被加工物 15……イメージン
グレンズ
フロントページの続き (72)発明者 雨森 清行 東京都府中市晴見町2丁目24番の1 東芝 エフエーシステムエンジニアリング株式会 社内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光を発振するレーザ装置と、この
    レーザ装置からのレーザ光を伝送する伝送光学系と、こ
    の伝送光学系により送られたレーザ光を集光する集光光
    学系と、前記レーザ光により被加工物にマーキングする
    パターンを形成し、その表面が前記レーザ光を吸収、散
    乱するよう加工されたパターンマスクとを具備したこと
    を特徴とするレーザ加工装置。
  2. 【請求項2】 前記パターンマスクの基板材料が金属薄
    膜で形成され、この表面に黒アルマイト処理、グラファ
    イトカーボン処理、セラミック溶射処理のいずれかを施
    したことを特徴とする請求項1記載のレーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 レーザ光を発振するレーザ装置と、この
    レーザ装置からのレーザ光を伝送する伝送光学系と、こ
    の伝送光学系により送られたレーザ光を集光する集光光
    学系と、前記レーザ光により被加工物にマーキングする
    パターンを形成すると共に、その表面が前記レーザ光を
    散乱するように加工されたパターンマスクとを具備した
    ことを特徴とするレーザ加工装置。
  4. 【請求項4】 前記パターンマスクは、その基板材料が
    透明体で、かつその基板材料中にレーザ光散乱体を含ん
    でいることを特徴とする請求項3記載のレーザ加工装
    置。
  5. 【請求項5】 前記パターンマスクは、その基板材料が
    透明体で、かつその表面の一部を不透明処理加工を行っ
    たことを特徴とする請求項3記載のレーザ加工装置。
JP4051256A 1992-03-10 1992-03-10 レーザ加工装置 Pending JPH05245664A (ja)

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JP4051256A JPH05245664A (ja) 1992-03-10 1992-03-10 レーザ加工装置

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JP4051256A JPH05245664A (ja) 1992-03-10 1992-03-10 レーザ加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05245664A true JPH05245664A (ja) 1993-09-24

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ID=12881873

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JP4051256A Pending JPH05245664A (ja) 1992-03-10 1992-03-10 レーザ加工装置

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JP (1) JPH05245664A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165647A (ja) * 2010-02-11 2011-08-25 Samsung Mobile Display Co Ltd レーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011165647A (ja) * 2010-02-11 2011-08-25 Samsung Mobile Display Co Ltd レーザ熱転写用マスク、及びこれを利用した有機電界発光表示装置の製造方法
US8785081B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Samsung Display Co., Ltd. Mask for laser induced thermal imaging and method of fabricating organic electro-luminescence display device using the same

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