JPH05245360A - 真空処理装置 - Google Patents

真空処理装置

Info

Publication number
JPH05245360A
JPH05245360A JP5036992A JP5036992A JPH05245360A JP H05245360 A JPH05245360 A JP H05245360A JP 5036992 A JP5036992 A JP 5036992A JP 5036992 A JP5036992 A JP 5036992A JP H05245360 A JPH05245360 A JP H05245360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
atmosphere
vacuum processing
sample
valve
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5036992A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Suekane
洋司 末兼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5036992A priority Critical patent/JPH05245360A/ja
Publication of JPH05245360A publication Critical patent/JPH05245360A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/006Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】反応性ガスを用いた真空処理装置の真空処理容
器11,12内に設けた試料台15に、配管17および
第1の弁19を介して試料台に配置された試料の裏面に
冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段を接続し、該配管
17に第2の弁21を介して不活性ガス供給手段を接続
して、真空処理容器の大気開放時に冷却ガス供給用の配
管内に残留する処理後の処理ガスを不活性ガスによって
排除する。 【効果】冷却ガス供給用の配管内の残留ガスがなくな
り、真空処理容器の大気開放時における残留ガスの悪影
響を防止することができるので、装置の信頼性を向上さ
せることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は真空処理装置に係り、特
に反応性ガスを用いて試料の処理を行なう真空処理装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の真空処理装置は、例えば、特開昭
60−115226号公報に記載のように、真空処理室
内に処理ガスを供給し該処理ガスのプラズマを発生させ
るとともに、基板裏面にHeガスを供給して基板の冷却
効率を高め、基板の処理を行なうようになっていた。
【0003】このような真空処理装置では、真空処理を
重ねていくに従い、真空処理室内に反応生成物等が付着
しゴミの発生原因となるため、定期的に真空処理室内を
大気開放して処理室内部のクリーニングを行なってい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、真空
処理室内の大気開放時における反応生成物の付着の点に
ついて配慮されていなかった。すなわち、クリーニング
等における大気開放時には、Heガスの供給が停止さ
れ、基板が配置される下部電極に接続されたHeガスの
供給用配管に、真空処理で使用された処理ガスおよび反
応ガスが回り込み配管内へ反応生成物が付着する恐れが
ある。また、大気開放時における残留ガスと大気中の水
分との反応によって生成物が付着し、さらに反応生成物
の付着を助長する恐れがある。
【0005】本発明の目的は、真空処理容器の大気開放
時における残留ガスの悪影響を防止して、信頼性の高い
真空処理装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、反応性ガスを用いた真空処理ならびに処理室内部を
大気開放可能な真空処理容器の内部に設けた試料台に、
配管および第1の弁を介して試料台に配置された試料の
裏面に冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段を接続する
とともに、該配管に第2の弁を介して不活性ガス供給手
段を接続したものである。
【0007】
【作用】真空処理室内を大気開放する前に、第1の弁を
閉じて第2の弁を開き、冷却ガスの供給を停止するとと
もに配管を介して試料台に不活性ガス供給手段から不活
性ガスを送る。これにより真空処理室内の残留ガスの配
管内への侵入および真空処理室内大気開放時の残留ガス
と大気中の水分との反応による生成物の付着を防止で
き、信頼性の高い装置にできる。
【0008】
【実施例】本発明の一実施例を図1により説明する。
【0009】図1は、本発明の真空処理装置の構成を示
す。真空処理室は、この場合、処理室11と蓋12とか
ら成り、蓋12は処理室11の上部開口部に取外し可能
に設けられている。蓋12の上部には真空処理室内へ処
理用の反応性ガスを供給するための供給口13が設けら
れ、処理室11の下方には真空処理室内を減圧排気する
ための排気口14が設けられている。処理室11内には
上面に試料を配置可能な試料台15が設けられている。
試料台15には、この場合、試料台15への試料の載置
および試料台15からの試料の取外しのための試料押し
上げロッド24が設けられており、該押し上げロッド2
4が設けられる空間を利用して冷却ガスの流路16が形
成されている。流路16には、配管17および第1の弁
である、この場合、エアオペレートバルブ19を介して
冷却ガス源が接続されている。また、配管17はエアオ
ペレートバルブ19の前部に分岐管18を設けて分岐さ
せ、第2の弁であるバルブ21およびフィルター22を
介して不活性ガスの供給源である、この場合、窒素ガス
源が接続してある。
【0010】次に、上記のように構成した装置の動作に
ついて以下説明する。通常動作、すなわち、供給口13
から反応性ガスを供給して試料を真空処理するときに
は、バルブ21は閉じて窒素ガスが配管17へ流れない
ようにし、冷却ガスをエアオペレートバルブ19をコン
トロールして試料台15へ送り、試料台15に配置され
た試料裏面に供給する。エアオペレートバルブ19は、
この場合、ノーマルクローズに設定されており、真空処
理室内を大気開放する際は閉となっている。これによ
り、大気開放前にバルブ21を開き、試料台15側へ窒
素ガスを送ることによって、配管17および流路16内
の残留ガスが排出される。
【0011】これによって、配管内の残留ガスがなくな
るとともに、真空処理室内の残留ガスが配管内へ侵入お
よび真空処理室内の大気開放時における残留ガスと大気
中の水分との反応による生成物の付着を防止することが
でき、真空処理装置の信頼性を向上させることができ
る。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、冷却ガス供給用の配管
内に残留する処理後の処理ガスを不活性ガスによって排
除し、真空処理容器の大気開放時における残留ガスの悪
影響を防止することができるので、装置の信頼性を向上
させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である真空処理装置を示す構
成図である。
【符号の説明】 11…処理室,12…蓋,13…供給口,14…排気
口,15…試料台,16…流路,17…配管,18…分
岐管,19…エアオペレートバルブ,20…冷却ガス,
21…バルブ,22…フィルター,23…不活性ガス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】反応性ガスを用いた真空処理ならびに内部
    を大気開放可能な真空処理容器と、前記真空処理容器内
    に試料を配置するための試料台と、前記試料台に配管お
    よび第1の弁を介して接続され前記試料台に配置される
    前記試料の裏面に冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段
    と、前記配管に第2の弁を介して接続した不活性ガス供
    給手段とを具備して成ることを特徴とする真空処理装
    置。
JP5036992A 1992-03-09 1992-03-09 真空処理装置 Pending JPH05245360A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5036992A JPH05245360A (ja) 1992-03-09 1992-03-09 真空処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5036992A JPH05245360A (ja) 1992-03-09 1992-03-09 真空処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05245360A true JPH05245360A (ja) 1993-09-24

Family

ID=12856978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5036992A Pending JPH05245360A (ja) 1992-03-09 1992-03-09 真空処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05245360A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020065079A (ja) * 2017-09-14 2020-04-23 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置および大気開放方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020065079A (ja) * 2017-09-14 2020-04-23 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置および大気開放方法
US10886106B2 (en) 2017-09-14 2021-01-05 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and method for venting a processing chamber to atmosphere
TWI750669B (zh) * 2017-09-14 2021-12-21 日商日立全球先端科技股份有限公司 電漿處理裝置及大氣開放方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11053584B2 (en) System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process
JP5007869B2 (ja) ワークピースを移送するための装置および方法
WO1996004999A3 (en) Wafer rinsing system and filter bank
CA2483995A1 (en) A pre-sterilisation chamber for a processing enclosure
TWI415205B (zh) A vacuum processing apparatus and a vacuum treatment method using the vacuum processing apparatus
EP0385709A3 (en) Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination
US7909933B2 (en) Plasma processing method
JPH05245360A (ja) 真空処理装置
US5711821A (en) Cleansing process for wafer handling implements
JP2772835B2 (ja) 基板処理装置及び真空処理方法
JPS6353943A (ja) 半導体製造装置
JPH0476492B2 (ja)
JPH04272643A (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JPH02184333A (ja) ロードロック装置を備えた処理装置
JP2002246374A (ja) プラズマ処理装置とそのメンテナンス方法
JPH08274029A (ja) ガス供給装置
JPH10125652A (ja) 半導体製造装置
JPS6027114A (ja) 真空成膜装置に於ける除塵方法
JPH1050670A (ja) 有機物除去方法
JPH0212914A (ja) エッチング装置
JPS6411684A (en) Method and device for cleaning sample carrying-in chamber
JP2002052073A (ja) ガス滅菌器の運転方法
JPH1064873A (ja) ワーク処理容器への気体導入装置
KR960002603A (ko) 처리장치, 처리방법 및 처리장치의 크리닝 방법
JP2002118067A (ja) 真空処理方法及び真空処理装置