JPH05241974A - Memory device - Google Patents

Memory device

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Publication number
JPH05241974A
JPH05241974A JP4019671A JP1967192A JPH05241974A JP H05241974 A JPH05241974 A JP H05241974A JP 4019671 A JP4019671 A JP 4019671A JP 1967192 A JP1967192 A JP 1967192A JP H05241974 A JPH05241974 A JP H05241974A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory array
check bit
error
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4019671A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Ono
敏昭 大野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4019671A priority Critical patent/JPH05241974A/en
Publication of JPH05241974A publication Critical patent/JPH05241974A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To shorten access time and cycle time in write by attaching a check bit by an error, detecting means without generating the check bit when a write request is accepted. CONSTITUTION:At an error detecting part 13, a correctable error can be corrected by data and the check bit 1 when no write display is performed on stain display information, and it is transferred to a controller 3 via an access control part 14 and a processor bus 4 as readout data. When the write display is performed, the content of a data memory array 111 is read out as it is without performing ordinary error detection, and is transferred to the access control part 14, the processor bus 4, and the controller 3 as the data. An error monitoring part 15 reads out stain display and a data check bit periodically from each address of a data storage part 11, and delivers them to the error detecting part 13. At the error detecting part 13, the data is delivered as it is when the write display is performed, and the data after correction when no such display is performed to the monitoring part 15 similarly as in the readout of the data.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は記憶装置に関し、特に情
報処理装置の記憶装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a storage device, and more particularly to a storage device for an information processing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図2は従来の記憶装置の一例を示すブロ
ック図である。
2. Description of the Related Art FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional storage device.

【0003】図2に示す従来例の記憶装置では、制御装
置3からプロセサバス4を通じて書込み要求があった場
合、記憶装置2内のアクセス制御部24で受付けられ、
書込みデータはチェックビット生成部22内で対応する
誤り訂正符号を付与され、データ記憶部21内のデータ
メモリアレイ213およびチェックビットメモリアレイ
212に書き込まれる。誤り監視部25は定期的にデー
タ記憶部21内の全番地のデータを誤り検出部23を通
して読み出し、訂正可能な誤りについては訂正しチェッ
クビット生成部22により再び正しい誤り訂正符号を付
与してデータ記憶部21内に書き込む動作を繰り返す。
In the conventional storage device shown in FIG. 2, when a write request is issued from the control device 3 through the processor bus 4, the access control unit 24 in the storage device 2 accepts the write request.
The write data is given a corresponding error correction code in the check bit generation unit 22 and written in the data memory array 213 and the check bit memory array 212 in the data storage unit 21. The error monitoring unit 25 periodically reads the data of all addresses in the data storage unit 21 through the error detection unit 23, corrects the correctable error, and again adds the correct error correction code by the check bit generation unit 22 to obtain the data. The operation of writing in the storage unit 21 is repeated.

【0004】また、書込み要求がデータ記憶部21のア
ドレス単位の一部分の場合、アクセス制御部24は対応
する番地のデータをデータ記憶部21内のデータメモリ
アレイ213およびチェックビットメモリアレイ212
から読み出し、誤り検出部23により訂正可能な誤りを
訂正し、書込み要求のある部分のみを置き換え、上述の
通常の書込み方法にしたがってチェックビット生成部2
2を介してデータ記憶部21に書き込む。
When the write request is a part of the address unit of the data storage unit 21, the access control unit 24 transfers the data of the corresponding address to the data memory array 213 and the check bit memory array 212 in the data storage unit 21.
From the check bit generator 2 according to the normal writing method described above.
The data is written in the data storage unit 21 via 2.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の記憶装
置においては、書込み時に必ずチェックビット生成手段
を通るため、書込み動作に時間を要する。また、部分書
込み時には、上述したように読出し,書込みの動作を行
なうためさらに長時間を要するという問題がある。
In the above-mentioned conventional memory device, since the check bit generating means is always passed at the time of writing, it takes time for the writing operation. Further, at the time of partial writing, there is a problem that a longer time is required because the reading and writing operations are performed as described above.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の記憶装置は、随
時読出し,書込み可能なデータメモリアレイ,このメモ
リアレイの各番地のデータに対して誤りの検出および訂
正を行なうための冗長情報を保持するチェックビットメ
モリアレイ,前記データメモリアレイの各番地に対して
書込みが行なわれたことを示す少なくとも1ビットの情
報を保持する汚れ表示メモリアレイから成るデータ記憶
部と、このデータ記憶部に接続されて書込みデータの内
容に対応する冗長情報を生成するチェックビット生成手
段と、前記データ記憶部に接続されて読出しデータおよ
び冗長データの内容により誤りの検出および訂正を行な
う誤り検出手段と、前記チェックビット生成手段および
誤り検出手段に接続されてアドレスバスおよびデータバ
スにより他の装置からの読出し,書込みのアクセスを受
付けて前記データ記憶部のメモリアレイのデータの読み
書きを行なうと共に書込み時に前記汚れ表示メモリアレ
イにデータの書込みが行なわれたことを示す情報を書き
込むアクセス制御手段と、前記チェックビット生成手段
および誤り検出手段に接続されて定期的に全番地を読み
出して前記チェックビットアレイの情報およびデータメ
モリアレイの情報により誤りを訂正する誤り監視手段と
から成る記憶装置であって、書込みアクセス時にはチェ
ックビットを生成せずに対応する前記汚れ表示メモリア
レイに書込みが行なわれた情報を付けて転送されたデー
タをそのまま前記データメモリアレイに書き込み前記誤
り監視手段によりチェックビットを後付けすることを特
徴とする。
A storage device of the present invention holds a data memory array that can be read from and written to at any time, and redundant information for detecting and correcting an error in data at each address of this memory array. A check bit memory array, a data storage unit including a dirty display memory array that holds at least 1 bit of information indicating that writing has been performed to each address of the data memory array, and is connected to the data storage unit. Check bit generation means for generating redundant information corresponding to the content of write data, error detection means connected to the data storage section for detecting and correcting an error based on the content of read data and redundant data, and the check bit. Another device connected to the generation means and the error detection means by an address bus and a data bus Access control means for accepting read / write access from the memory array to read / write data from / to the memory array of the data storage unit and writing information indicating that data has been written to the dirty display memory array during writing. A storage device comprising: an error monitoring unit connected to the check bit generating unit and the error detecting unit to periodically read all addresses and correct the error by the information of the check bit array and the information of the data memory array, At the time of a write access, the check bit is not generated and the transferred data with the information written in the corresponding dirty display memory array is directly written to the data memory array and the check bit is added later by the error monitoring means. Is characterized by.

【0007】[0007]

【実施例】次に本発明の実施例について図面を用いて説
明する。図1は本発明の記憶装置の一実施例を示すブロ
ック図である。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a storage device of the present invention.

【0008】本実施例の記憶装置1はデータメモリアレ
イ111,チェックビットメモリアレイ112および汚
れ表示メモリアレイ113からなるデータ記憶部11
と、チェックビット生成部12と、誤り検出部13と、
汚れ表示生成部141を含むアクセス制御部14と、誤
り監視部15とから構成される。この記憶装置1は一般
にプロセサバス4を通して制御装置3に接続され、制御
装置3からのデータの読出し,書込みの要求を受付け
る。
The storage device 1 of the present embodiment is a data storage unit 11 comprising a data memory array 111, a check bit memory array 112 and a dirty display memory array 113.
A check bit generator 12, an error detector 13,
The access control unit 14 includes the dirty display generation unit 141 and the error monitoring unit 15. The storage device 1 is generally connected to the control device 3 through a processor bus 4 and receives requests for reading and writing data from the control device 3.

【0009】制御装置3からの書込み要求はアクセス制
御部14によって受付けられ、書込みデータに汚れ表示
生成部141によって書込みの表示を行なう情報を付加
して、データ記憶部11の汚れ表示メモリアレイ113
およびデータメモリアレイ111に直接書き込む。読出
し時には、データ記憶部11内のデータメモリアレイ1
11内のデータおよび対応するチェックビット,汚れ表
示情報をそれぞれチェックビットメモリアレイ112,
汚れ表示メモリアレイ113から読み出して誤り検出部
13に引き渡す。
A write request from the control unit 3 is accepted by the access control unit 14, and the dirty display generation unit 141 adds information for displaying the write to the write data, and the dirty display memory array 113 of the data storage unit 11 is added.
And write directly to the data memory array 111. At the time of reading, the data memory array 1 in the data storage unit 11
The data in 11 and the corresponding check bit and stain display information are stored in the check bit memory array 112,
The data is read from the dirty display memory array 113 and delivered to the error detection unit 13.

【0010】誤り検出部13では、汚れ表示情報に書込
み表示がない場合は、データとチェックビット1により
訂正可能な誤りを訂正し、アクセス制御部14,プロセ
サバス4を通して制御装置3に読出しデータとして転送
する。もし、書込み表示がある場合は、通常の誤り検出
を行なわずデータメモリアレイ111の内容をそのまま
読み出し、データとしてアクセス制御部14,プロセサ
バス4,制御装置3へと転送する。
If there is no written display in the dirty display information, the error detection unit 13 corrects an error that can be corrected by the data and the check bit 1, and the read data is sent to the control device 3 through the access control unit 14 and the processor bus 4. Forward. If there is a write indication, the contents of the data memory array 111 are read out as they are without performing normal error detection and transferred as data to the access control unit 14, processor bus 4 and control device 3.

【0011】誤り監視部15は定期的にデータ記憶部1
1の各番地から汚れ表示,データ,チェックビットを読
み出して誤り検出部13に引き渡す。読出し時と同様、
誤り検出部13では、書込み表示のある場合にはデータ
をそのまま、ない場合は訂正後のデータを誤り監視部1
5に引き渡す。誤り監視部15は誤り検出部13から引
き取ったデータをチェックビット生成部12に引き渡
し、対応する誤り検出符号を付与してデータ記憶部11
内のデータメモリアレイ111,チェックビットメモリ
アレイ112に書き込む。この際、汚れ表示メモリアレ
イ113の対応する番地の書込み表示のないデータを書
き込む。
The error monitoring unit 15 periodically receives data from the data storage unit 1.
The dirty display, data, and check bit are read from each address of 1 and passed to the error detection unit 13. Similar to reading
In the error detection unit 13, if there is a writing display, the data remains as it is.
Hand over to 5. The error monitoring unit 15 passes the data received from the error detection unit 13 to the check bit generation unit 12, adds a corresponding error detection code, and adds the data to the data storage unit 11.
The data is written in the data memory array 111 and the check bit memory array 112 inside. At this time, the data having no writing display at the corresponding address of the dirty display memory array 113 is written.

【0012】このように本実施例では、書込み要求受付
時には、チェックビットを発生せず、誤り検出手段によ
ってチェックビットを付与する。
As described above, in this embodiment, when the write request is accepted, the check bit is not generated, and the check bit is added by the error detecting means.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、書込みア
クセス時にはチェックビットを発生しないため、書込み
のアクセスタイムおよびサイクルタイムが短くなる。ま
た、部分書込み時にも前述した従来の方法のように、読
出し,書込みの2ステップを行なう必要がないため、高
速化およびハードウェアの単純化が可能となるという効
果を有する。
As described above, according to the present invention, since the check bit is not generated at the time of write access, the write access time and cycle time are shortened. Further, even in partial writing, it is not necessary to perform the two steps of reading and writing as in the conventional method described above, so that there is an effect that speedup and hardware simplification are possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の記憶装置の一実施例を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a storage device of the present invention.

【図2】従来の記憶装置の一例を示すブロック図であ
る。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional storage device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 記憶装置 3 制御装置 4 プロセサバス 11,21 データ記憶部 12,22 チェックビット生成手段 13,23 誤り検出手段 14,24 アクセス制御手段 15,25 誤り監視手段 111,213 データメモリアレイ 112,212 チェックビットメモリアレイ 113 汚れ表示メモリアレイ 141 汚れ表示生成手段 1, 2 Storage device 3 Control device 4 Processor bus 11, 21 Data storage unit 12, 22 Check bit generation means 13, 23 Error detection means 14, 24 Access control means 15, 25 Error monitoring means 111, 213 Data memory array 112, 212 Check Bit Memory Array 113 Dirty Display Memory Array 141 Dirty Display Generating Means

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 随時読出し,書込み可能なデータメモリ
アレイ,このメモリアレイの各番地のデータに対して誤
りの検出および訂正を行なうための冗長情報を保持する
チェックビットメモリアレイ,前記データメモリアレイ
の各番地に対して書込みが行なわれたことを示す少なく
とも1ビットの情報を保持する汚れ表示メモリアレイか
ら成るデータ記憶部と、このデータ記憶部に接続されて
書込みデータの内容に対応する冗長情報を生成するチェ
ックビット生成手段と、前記データ記憶部に接続されて
読出しデータおよび冗長データの内容により誤りの検出
および訂正を行なう誤り検出手段と、前記チェックビッ
ト生成手段および誤り検出手段に接続されてアドレスバ
スおよびデータバスにより他の装置からの読出し,書込
みのアクセスを受付けて前記データ記憶部のメモリアレ
イのデータの読み書きを行なうと共に書込み時に前記汚
れ表示メモリアレイにデータの書込みが行なわれたこと
を示す情報を書き込むアクセス制御手段と、前記チェッ
クビット生成手段および誤り検出手段に接続されて定期
的に全番地を読み出して前記チェックビットアレイの情
報およびデータメモリアレイの情報により誤りを訂正す
る誤り監視手段とから成る記憶装置であって、書込みア
クセス時にはチェックビットを生成せずに対応する前記
汚れ表示メモリアレイに書込みが行なわれた情報を付け
て転送されたデータをそのまま前記データメモリアレイ
に書き込み前記誤り監視手段によりチェックビットを後
付けすることを特徴とする記憶装置。
1. A data memory array that can be read and written at any time, a check bit memory array that holds redundant information for detecting and correcting an error in data at each address of the memory array, and a data memory array of the data memory array. A data storage unit including a dirty display memory array that holds at least 1-bit information indicating that writing has been performed for each address, and redundant information corresponding to the contents of write data connected to the data storage unit Check bit generation means for generating, error detection means connected to the data storage section for detecting and correcting an error based on the contents of read data and redundant data, and an address connected to the check bit generation means and error detection means. Accepts read and write access from other devices via bus and data bus Access control means for writing / reading data to / from the memory array of the data storage unit and writing information indicating that data has been written to the dirty display memory array at the time of writing, the check bit generating means and error detection. A memory device connected to the means for periodically reading all addresses and correcting an error based on the information of the check bit array and the information of the data memory array, and generating a check bit at the time of write access. The storage device is characterized in that the data transferred with the information written in the corresponding dirty display memory array is directly written in the data memory array as it is, and a check bit is added later by the error monitoring means.
JP4019671A 1992-02-05 1992-02-05 Memory device Pending JPH05241974A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4019671A JPH05241974A (en) 1992-02-05 1992-02-05 Memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4019671A JPH05241974A (en) 1992-02-05 1992-02-05 Memory device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05241974A true JPH05241974A (en) 1993-09-21

Family

ID=12005708

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4019671A Pending JPH05241974A (en) 1992-02-05 1992-02-05 Memory device

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JP (1) JPH05241974A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007133986A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Nec Electronics Corp Semiconductor memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007133986A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Nec Electronics Corp Semiconductor memory

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980916