JPH05241216A - 第２高調波発生素子 - Google Patents
第２高調波発生素子Info
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- JPH05241216A JPH05241216A JP7848292A JP7848292A JPH05241216A JP H05241216 A JPH05241216 A JP H05241216A JP 7848292 A JP7848292 A JP 7848292A JP 7848292 A JP7848292 A JP 7848292A JP H05241216 A JPH05241216 A JP H05241216A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 周期的な面状スパイク分極反転格子を用いた
基板を内部共振器に用いることで青色ＳＨＧを高効率の
ＳＨＧ素子を実現する。 【構成】 ＬｉＴａＯ3基板上表面に面状スパイク分極
反転格子を形成するために、基板表面に格子パタ−ンの
プロトン交換層を形成し、パタ−ン形成後、温度２００
℃以上で保持時間１０分以内で熱処理を行う。前記熱処
理温度までの温度勾配を５０℃／分以上、熱処理温度か
らの降温速度を５０℃／分以上で行い面状スパイク分極
反転格子が作製できた。作製した基板を共振器内に挿入
する事で高効率の青色ＳＨＧ素子が実現できる。
基板を内部共振器に用いることで青色ＳＨＧを高効率の
ＳＨＧ素子を実現する。 【構成】 ＬｉＴａＯ3基板上表面に面状スパイク分極
反転格子を形成するために、基板表面に格子パタ−ンの
プロトン交換層を形成し、パタ−ン形成後、温度２００
℃以上で保持時間１０分以内で熱処理を行う。前記熱処
理温度までの温度勾配を５０℃／分以上、熱処理温度か
らの降温速度を５０℃／分以上で行い面状スパイク分極
反転格子が作製できた。作製した基板を共振器内に挿入
する事で高効率の青色ＳＨＧ素子が実現できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非線形強誘電体光学材料
であるＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3基板を用いた第２高調
波発生素子（以下ＳＨＧ素子）におけるＳＨＧ素子の高
効率化に関するものである。
であるＬｉＴａＯ3やＬｉＮｂＯ3基板を用いた第２高調
波発生素子（以下ＳＨＧ素子）におけるＳＨＧ素子の高
効率化に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型軽量の青色光源として、波長
８３０ｎｍの半導体レーザを導波路型のＳＨＧ素子で半
分の波長４１５ｎｍの青色の光に変換することが注目さ
れている。例えば特開昭６１−１８９３４公報に記載さ
れているようにＬｉＮｂＯ3基板上にプロトン交換法
（ＬｉＮｂＯ3のＬｉイオンとプロトンを一部置換して
光導波路を形成する方法）により光導波路を形成し、上
記光導波路の一端に基本波を入射し、チェレンコフ放射
によりＳＨＧ光を発生させることが提案させている。こ
れを図２に示す。さらに最近では例えばElectronics Le
tters,25,11（１９８９年）の第７３１〜７３２頁で論
じられているように、分極反転を用いて位相整合を行う
方法が提案された。すなわち図３に示すようにＬｉＮｂ
Ｏ3基板上にＴｉ拡散によって周期格子を作製し、約１
１００℃に加熱して周期格子層だけの分極を反転させ、
その後プロトン交換法によって光導波路を作製し、基本
波を入射しＳＨＧ光を取り出すものである。ＬｉＴａＯ
3基板を用いる場合には例えばAppl.Phys.Lett.58(24)
（１９９１年）第２７３２〜２７３４頁で論じられてい
る様にＴｉ拡散の替わりにプロトン交換法によって周期
格子を作製し、約６００℃に加熱し周期格子層だけ分極
を反転させ、さらにプロトン交換法によって光導波路を
作製する方法も試みられている。これを図４に示す。ま
た図６に示すように共振器内にＬｉＮｂＯ3基板などの
非線形結晶を挿入し、角度および温度整合によりＳＨＧ
光を得る方法も試みられている。
８３０ｎｍの半導体レーザを導波路型のＳＨＧ素子で半
分の波長４１５ｎｍの青色の光に変換することが注目さ
れている。例えば特開昭６１−１８９３４公報に記載さ
れているようにＬｉＮｂＯ3基板上にプロトン交換法
（ＬｉＮｂＯ3のＬｉイオンとプロトンを一部置換して
光導波路を形成する方法）により光導波路を形成し、上
記光導波路の一端に基本波を入射し、チェレンコフ放射
によりＳＨＧ光を発生させることが提案させている。こ
れを図２に示す。さらに最近では例えばElectronics Le
tters,25,11（１９８９年）の第７３１〜７３２頁で論
じられているように、分極反転を用いて位相整合を行う
方法が提案された。すなわち図３に示すようにＬｉＮｂ
Ｏ3基板上にＴｉ拡散によって周期格子を作製し、約１
１００℃に加熱して周期格子層だけの分極を反転させ、
その後プロトン交換法によって光導波路を作製し、基本
波を入射しＳＨＧ光を取り出すものである。ＬｉＴａＯ
3基板を用いる場合には例えばAppl.Phys.Lett.58(24)
（１９９１年）第２７３２〜２７３４頁で論じられてい
る様にＴｉ拡散の替わりにプロトン交換法によって周期
格子を作製し、約６００℃に加熱し周期格子層だけ分極
を反転させ、さらにプロトン交換法によって光導波路を
作製する方法も試みられている。これを図４に示す。ま
た図６に示すように共振器内にＬｉＮｂＯ3基板などの
非線形結晶を挿入し、角度および温度整合によりＳＨＧ
光を得る方法も試みられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術には、次に示すような問題点があった。図２に示
すチェレンコフ放射を用いる方法では２２に示すように
発生するＳＨＧ光のビーム形状が三日月型となり、極め
て波面収差が大きく、これを回折限界まで絞り込むこと
はほとんど不可能である。上記例に対して新しく提案さ
れた図３、４に示す分極反転を用いて位相整合を行う方
法はＳＨＧ光がコリメートされた光であるため、チェレ
ンコフ放射光と比較して集光が極めて容易であるという
利点を持つ。しかし、分極反転格子の断面形状が、Ｔｉ
拡散法で形成されたものは３１に示すように三角形であ
り、プロトン交換法では４１に示すように半円形である
ため、理想的な矩型断面の分極反転格子を持つＳＨＧ素
子本来の効率でＳＨＧ光を発生できていない。図６で示
す共振器でＬｉＮｂＯ3基板を用いた場合、青色ＳＨＧ
光ではなく緑色ＳＨＧしか得られない。この構成は半導
体レーザ１３を１４のレンズでＮｄ：ＹＡＧ結晶６１に
入射することで１０６４ｎｍの励起光６３が得られ、６
２ａ、６２ｂの共振器ミラー内のＬｉＮｂＯ3結晶２１
でＳＨＧ光１７を得るものである。この構造では結晶の
常光と異常光の屈折率分散の差を利用するもので非線形
光学係数のｄ31を用い、最も大きなｄ33を用いることが
できない。また、温度許容幅が０．７℃・ｃｍと非常に
小さいことが問題である。本発明の目的は周期的な面状
の分極反転格子を用いた基板を内部共振器に用いること
で青色ＳＨＧを高効率で得られるＳＨＧ素子を実現する
ことにある。
来技術には、次に示すような問題点があった。図２に示
すチェレンコフ放射を用いる方法では２２に示すように
発生するＳＨＧ光のビーム形状が三日月型となり、極め
て波面収差が大きく、これを回折限界まで絞り込むこと
はほとんど不可能である。上記例に対して新しく提案さ
れた図３、４に示す分極反転を用いて位相整合を行う方
法はＳＨＧ光がコリメートされた光であるため、チェレ
ンコフ放射光と比較して集光が極めて容易であるという
利点を持つ。しかし、分極反転格子の断面形状が、Ｔｉ
拡散法で形成されたものは３１に示すように三角形であ
り、プロトン交換法では４１に示すように半円形である
ため、理想的な矩型断面の分極反転格子を持つＳＨＧ素
子本来の効率でＳＨＧ光を発生できていない。図６で示
す共振器でＬｉＮｂＯ3基板を用いた場合、青色ＳＨＧ
光ではなく緑色ＳＨＧしか得られない。この構成は半導
体レーザ１３を１４のレンズでＮｄ：ＹＡＧ結晶６１に
入射することで１０６４ｎｍの励起光６３が得られ、６
２ａ、６２ｂの共振器ミラー内のＬｉＮｂＯ3結晶２１
でＳＨＧ光１７を得るものである。この構造では結晶の
常光と異常光の屈折率分散の差を利用するもので非線形
光学係数のｄ31を用い、最も大きなｄ33を用いることが
できない。また、温度許容幅が０．７℃・ｃｍと非常に
小さいことが問題である。本発明の目的は周期的な面状
の分極反転格子を用いた基板を内部共振器に用いること
で青色ＳＨＧを高効率で得られるＳＨＧ素子を実現する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は図１に示
すように周期的に面状の分極反転格子を作製し、内部共
振器に用いることで高効率の青色ＳＨＧ光を発生させる
ことにある。ＬｉＴａＯ3またはＬｉＮｂＯ3基板におけ
るスパイク状分域の存在は、例えばJ.Appl.Phys.vol.4
6,No.3（１９７５年）の１０６３頁に見られるように良
く知られていたが、これまでスパイク状分域を制御する
手段はなかった。本発明はこのスパイク状分域の生成を
人為的に制御することで、基板のｃ軸（Ｚ）方向に垂直
に延びる性質を利用して、高効率ＳＨＧ素子を達成する
というものである。そこで我々はスパイク状分域領域が
出現する条件について検討したところ、ＬｉＴａＯ3ま
たはＬｉＮｂＯ3基板が比較的急速な熱履歴を受けたと
きにスパイク状分域領域が多く出現することを見いだし
た。このことは急速な熱変化に対応して分極の大きさが
急激に変化し、そのため分域壁周辺に実効的な電界が発
生するためであり、このためスパイク状分域が分極の方
向であるｃ軸に沿って成長するものと考えられる。この
ため同様の現象は熱変化だけでなく例えば応力によって
もスパイク状分域を生成できる可能性があると考えられ
る。もし分域の芽を周期的に形成すれば、このスパイク
状分域を周期的に配置することができると考えるに至っ
た。分域の芽としては、局所的に分極の大きさあるいは
その向きが周辺部分と異なった領域が分域の芽となりう
る可能性があると考えられる。以上の考えに基づき、Ｌ
ｉＴａＯ3またはＬｉＮｂＯ3基板上表面に面状の周期的
スパイク状分極反転格子を形成するために、基板表面に
周期的な格子パタ−ンを形成後、適当な昇降温速度で熱
処理を行い周期的なスパイク状の分極反転格子基板を形
成し、内部共振器に用いることで高効率のＳＨＧ素子を
実現できると考えた。また分極反転格子の幅は使用する
光の波長によって選ばれるがほぼ１μｍ以上１０μｍ以
下の範囲で表面に形成した分域の芽領域の幅とほぼ等し
くすることにより望ましい矩型状の分極反転格子が実現
できる。前記スパイク状分極反転格子は基板表面より内
部方向に形成され、その先端が単一ないし複数のスパイ
クの集まりで、また深さが基板の厚さより小さいことを
特徴としている。
すように周期的に面状の分極反転格子を作製し、内部共
振器に用いることで高効率の青色ＳＨＧ光を発生させる
ことにある。ＬｉＴａＯ3またはＬｉＮｂＯ3基板におけ
るスパイク状分域の存在は、例えばJ.Appl.Phys.vol.4
6,No.3（１９７５年）の１０６３頁に見られるように良
く知られていたが、これまでスパイク状分域を制御する
手段はなかった。本発明はこのスパイク状分域の生成を
人為的に制御することで、基板のｃ軸（Ｚ）方向に垂直
に延びる性質を利用して、高効率ＳＨＧ素子を達成する
というものである。そこで我々はスパイク状分域領域が
出現する条件について検討したところ、ＬｉＴａＯ3ま
たはＬｉＮｂＯ3基板が比較的急速な熱履歴を受けたと
きにスパイク状分域領域が多く出現することを見いだし
た。このことは急速な熱変化に対応して分極の大きさが
急激に変化し、そのため分域壁周辺に実効的な電界が発
生するためであり、このためスパイク状分域が分極の方
向であるｃ軸に沿って成長するものと考えられる。この
ため同様の現象は熱変化だけでなく例えば応力によって
もスパイク状分域を生成できる可能性があると考えられ
る。もし分域の芽を周期的に形成すれば、このスパイク
状分域を周期的に配置することができると考えるに至っ
た。分域の芽としては、局所的に分極の大きさあるいは
その向きが周辺部分と異なった領域が分域の芽となりう
る可能性があると考えられる。以上の考えに基づき、Ｌ
ｉＴａＯ3またはＬｉＮｂＯ3基板上表面に面状の周期的
スパイク状分極反転格子を形成するために、基板表面に
周期的な格子パタ−ンを形成後、適当な昇降温速度で熱
処理を行い周期的なスパイク状の分極反転格子基板を形
成し、内部共振器に用いることで高効率のＳＨＧ素子を
実現できると考えた。また分極反転格子の幅は使用する
光の波長によって選ばれるがほぼ１μｍ以上１０μｍ以
下の範囲で表面に形成した分域の芽領域の幅とほぼ等し
くすることにより望ましい矩型状の分極反転格子が実現
できる。前記スパイク状分極反転格子は基板表面より内
部方向に形成され、その先端が単一ないし複数のスパイ
クの集まりで、また深さが基板の厚さより小さいことを
特徴としている。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳しく説明す
る。図１は本発明によるＳＨＧ素子の実施例を示す構成
および動作説明図、図５（ａ）〜（ｇ）は上記ＳＨＧ素
子の製造工程を示す図である。図７はスパイク状分極反
転格子を示す写真である。図１において、１１は表面が
−ｃ面であるＬｉＴａＯ3単結晶基板で自発分極の向き
は下向きである。１２は分極がスパイク状に反転された
部分で、この部分では分極の向きは上向きである。M.Di
domenico Jr.らの文献 Journal of Applied Physics Vo
l.40, No.2 ７２０〜７３４頁によると非線形光学係数
の符号はＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3等の空間群Ｒ３
ｃの強誘電体結晶の場合自発分極の向きと一致する。従
って、本実施例の基板の非線形光学係数ｄ33も周期的に
反転されているといえる。１４はレンズ、１５は基本波
を反射させる共振器ミラーで基本波は半導体レーザ１３
のへき界面の共振器内に閉じこめられる。１６は入射基
本波で結晶表面に垂直方向に偏光している。１７は結晶
内部で発生したＳＨＧ光であり、１５のミラーを透過
し、結晶表面に垂直な方向に偏光している。また、１５
の共振器ミラーを可変する事で半導体レーザの外部共振
器を構成するために基本波の波長を調整できる。次に、
本発明の分極反転格子の形成方法を図５を用いて説明す
る。図５（ａ）に示すようにＬｉＴａＯ3基板の−Ｚ
（ｃ）面を使用するレーザ光波長λの１／１０程度まで
研磨した基板１１を用意する。（ｂ）１１の−Ｚ面上に
Ｔａ膜５１を３０ｎｍスパッタリングで成膜する。
（ｃ）５１膜上にホトレジスト５２をスピンコートし、
分極反転１２を行う部分が窓あけされたホトマスクを用
い、通常のホトリソグラフィ技術によりホトレジスト５
２のパターニングを行った。ホトマスクのパタ−ン周期
は１〜２０μｍで発生させるＳＨＧ光の周期に合わせて
ある。（ｄ）パターニングしたホトレジスト５２をマス
クとして、ＣＦ3Ｃｌガスを用いたＲＩＥによるドライ
エッチングにより、Ｔａ膜５１をパターニングする。
（ｅ）ホトレジスト５２をアセトンにより除去し、ピロ
燐酸を用いてプロトン交換を２６０℃、３０〜６０分で
行うことで、５３のプロトン交換層が形成される。
（ｆ）Ｔａ膜５１をＮａＯＨの水溶液でエッチングす
る。（ｇ）上記５３のプロトン交換層が形成された基板
を電気炉に挿入し、熱処理を行うことでスパイク状分極
反転層１２を形成させる。熱処理条件は温度５４０℃で
保持時間０．５分、熱処理温度までの昇温速度を５０℃
／分以上で行い、熱処理温度からの降温速度を５０℃／
分以上で行うことによりスパイク状分極反転格子１２が
作製できた。その深さは基板表面に形成されるプロトン
交換格子パタ−ン深さより大きく基板厚さより小さかっ
た。またその幅はプロトン交換パタ−ンの幅とほぼ等し
い。図７は作製されたスパイク状分極反転格子の断面写
真である。以上示した作製方法で面状スパイク分極反転
格子を作製し、光の入射端面を研磨し、素子長２ｍｍの
ＳＨＧ素子を作製した。作製したＳＨＧ素子に波長８３
０ｎｍの基本波を入射したところ、４１５ｎｍの青色Ｓ
ＨＧ光が得られた。この時のＳＨＧ光出力は０．５ｍＷ
であり、ＳＨＧ効率は５％であった。このことにより、
面状スパイク分極反転格子を用いることが高効率のＳＨ
Ｇ素子に有用であることが分かった。
る。図１は本発明によるＳＨＧ素子の実施例を示す構成
および動作説明図、図５（ａ）〜（ｇ）は上記ＳＨＧ素
子の製造工程を示す図である。図７はスパイク状分極反
転格子を示す写真である。図１において、１１は表面が
−ｃ面であるＬｉＴａＯ3単結晶基板で自発分極の向き
は下向きである。１２は分極がスパイク状に反転された
部分で、この部分では分極の向きは上向きである。M.Di
domenico Jr.らの文献 Journal of Applied Physics Vo
l.40, No.2 ７２０〜７３４頁によると非線形光学係数
の符号はＬｉＮｂＯ3またはＬｉＴａＯ3等の空間群Ｒ３
ｃの強誘電体結晶の場合自発分極の向きと一致する。従
って、本実施例の基板の非線形光学係数ｄ33も周期的に
反転されているといえる。１４はレンズ、１５は基本波
を反射させる共振器ミラーで基本波は半導体レーザ１３
のへき界面の共振器内に閉じこめられる。１６は入射基
本波で結晶表面に垂直方向に偏光している。１７は結晶
内部で発生したＳＨＧ光であり、１５のミラーを透過
し、結晶表面に垂直な方向に偏光している。また、１５
の共振器ミラーを可変する事で半導体レーザの外部共振
器を構成するために基本波の波長を調整できる。次に、
本発明の分極反転格子の形成方法を図５を用いて説明す
る。図５（ａ）に示すようにＬｉＴａＯ3基板の−Ｚ
（ｃ）面を使用するレーザ光波長λの１／１０程度まで
研磨した基板１１を用意する。（ｂ）１１の−Ｚ面上に
Ｔａ膜５１を３０ｎｍスパッタリングで成膜する。
（ｃ）５１膜上にホトレジスト５２をスピンコートし、
分極反転１２を行う部分が窓あけされたホトマスクを用
い、通常のホトリソグラフィ技術によりホトレジスト５
２のパターニングを行った。ホトマスクのパタ−ン周期
は１〜２０μｍで発生させるＳＨＧ光の周期に合わせて
ある。（ｄ）パターニングしたホトレジスト５２をマス
クとして、ＣＦ3Ｃｌガスを用いたＲＩＥによるドライ
エッチングにより、Ｔａ膜５１をパターニングする。
（ｅ）ホトレジスト５２をアセトンにより除去し、ピロ
燐酸を用いてプロトン交換を２６０℃、３０〜６０分で
行うことで、５３のプロトン交換層が形成される。
（ｆ）Ｔａ膜５１をＮａＯＨの水溶液でエッチングす
る。（ｇ）上記５３のプロトン交換層が形成された基板
を電気炉に挿入し、熱処理を行うことでスパイク状分極
反転層１２を形成させる。熱処理条件は温度５４０℃で
保持時間０．５分、熱処理温度までの昇温速度を５０℃
／分以上で行い、熱処理温度からの降温速度を５０℃／
分以上で行うことによりスパイク状分極反転格子１２が
作製できた。その深さは基板表面に形成されるプロトン
交換格子パタ−ン深さより大きく基板厚さより小さかっ
た。またその幅はプロトン交換パタ−ンの幅とほぼ等し
い。図７は作製されたスパイク状分極反転格子の断面写
真である。以上示した作製方法で面状スパイク分極反転
格子を作製し、光の入射端面を研磨し、素子長２ｍｍの
ＳＨＧ素子を作製した。作製したＳＨＧ素子に波長８３
０ｎｍの基本波を入射したところ、４１５ｎｍの青色Ｓ
ＨＧ光が得られた。この時のＳＨＧ光出力は０．５ｍＷ
であり、ＳＨＧ効率は５％であった。このことにより、
面状スパイク分極反転格子を用いることが高効率のＳＨ
Ｇ素子に有用であることが分かった。
【０００６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、周期的な面状スパイク分極反転格子を用いた
基板を内部共振器に用いることで青色ＳＨＧを高効率で
得られるＳＨＧ素子が実現できた。
によれば、周期的な面状スパイク分極反転格子を用いた
基板を内部共振器に用いることで青色ＳＨＧを高効率で
得られるＳＨＧ素子が実現できた。
【図１】本発明の実施例を説明するための構造図であ
る。
る。
【図２】チェレンコフ輻射を用いた従来のＳＨＧ素子を
示す図である。
示す図である。
【図３】三角形状の分極反転格子を用いた従来のＳＨＧ
素子を示す図である。
素子を示す図である。
【図４】半円状の分極反転格子を用いた従来のＳＨＧ素
子を示す図である。
子を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｇ）はそれぞれ本発明に係る面状ス
パイク分極反転格子の作製方法を示す図である。
パイク分極反転格子の作製方法を示す図である。
【図６】ＬｉＮｂＯ3を用いた従来の内部共振器ＳＨＧ
素子を示す図である。
素子を示す図である。
【図７】スパイク状分極反転格子を示す金属組織写真で
ある。
ある。
１１ 基板（ＬｉＴａＯ3） １２ 面状スパイク分極反転領域 １３ 半導体レーザ １４ レンズ １５ 共振器ミラー １６ 基本波 １７ ＳＨＧ出力光 ２１ 基板（ＬｉＮｂＯ3） ２２ チェレンコフＳＨＧ光 ２３ 光導波路 ３１ 三角状分極反転領域 ４１ 半円状分極反転領域 ５１ Ｔａ膜 ５２ ホトレジスト ５３ プロトン交換領域 ６１ Ｎｄ：ＹＡＧ結晶 ６２ａ、６２ｂ 共振器ミラー ６３ 励起光
Claims (13)
- 【請求項１】 ＬｉＴａＯ3またはＬｉＮｂＯ3基板のＹ
方向に長くＺ方向に深くＸ方向に周期的な面状の分極反
転領域を形成した分極反転格子基板を用いることを特徴
とする第２高調波発生素子。 - 【請求項２】 前記分極反転格子基板のＸ方向に光を透
過させる内部共振器に用いたこと特徴とする請求項１の
第２高調波発生素子。 - 【請求項３】 前記分極反転領域のＹ方向の長さは基板
の幅と同じないし小さいことを特徴とする請求項１ない
し２の分極反転格子基板を用いた第２高調波発生素子。 - 【請求項４】 前記分極反転領域はＺ方向に先端が単一
ないし複数のスパイク状の尖った形状を持つことを特徴
とする請求項１ないし３の分極反転格子基板を用いた第
２高調波発生素子。 - 【請求項５】 前記分極反転領域のＸ方向の周期が１μ
ｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１な
いし４の分極反転格子基板を用いた第２高調波発生素
子。 - 【請求項６】 前記分極反転領域はその深さが周期方向
の幅より大きいことを特徴とする請求項１ないし５の分
極反転格子基板を用いた第２高調波発生素子。 - 【請求項７】 前記分極反転領域は熱処理により形成さ
れることを特徴とする請求項１ないし６の分極反転格子
基板を用いた第２高調波発生素子。 - 【請求項８】 前記熱処理温度までの昇温時もしくは熱
処理温度からの降温時の一方または両方に５０℃／分以
上の温度変化速度を含むことを特徴とする請求項７の分
極反転格子基板を用いた第２高調波発生素子。 - 【請求項９】 前記基板表面に分域反転の核となる格子
パタ−ンを形成し、その格子パターンと周期が一致した
周期を持つ分極反転領域を形成することを特徴とする請
求項１ないし８の分極反転格子基板を用いた第２高調波
発生素子。 - 【請求項１０】 前記格子パタ−ンの周期方向の幅が１
μｍ以上１０μｍ以下であり、分域反転領域の幅が格子
パタ−ン幅とほぼ等しいことを特徴とする請求項９の分
極反転格子基板を用いた第２高調波発生素子。 - 【請求項１１】 前記基板表面に格子パタ−ン状のプロ
トン交換層を形成し熱処理を行うことを特徴とする請求
項９ないし１０の分極反転格子基板を用いた第２高調波
発生素子。 - 【請求項１２】 前記格子パタ−ン状のプロトン交換層
の形成後、熱処理温度が２００℃以上でありかつ熱処理
時間が１０分以内の熱処理を行うことを特徴とする請求
項９の分極反転格子基板を用いた第２高調波発生素子。 - 【請求項１３】 前記分極反転格子は基板表面より内部
に形成し、深さが基板の厚さより小さいことを特徴とす
る請求項１ないし１２の分極反転格子基板を用いた第２
高調波発生素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7848292A JPH05241216A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 第２高調波発生素子 |
| US08/008,310 US5412502A (en) | 1992-01-24 | 1993-01-25 | Second harmonic generating element and the production method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7848292A JPH05241216A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 第２高調波発生素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05241216A true JPH05241216A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13663219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7848292A Pending JPH05241216A (ja) | 1992-01-24 | 1992-02-28 | 第２高調波発生素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05241216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7550764B2 (en) | 2003-08-20 | 2009-06-23 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP7848292A patent/JPH05241216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7550764B2 (en) | 2003-08-20 | 2009-06-23 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
| US7704768B2 (en) | 2003-08-20 | 2010-04-27 | Lg Display Co., Ltd. | Method of fabricating liquid crystal display |
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