JPH05236361A - 画像検出器 - Google Patents
画像検出器Info
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- JPH05236361A JPH05236361A JP4293282A JP29328292A JPH05236361A JP H05236361 A JPH05236361 A JP H05236361A JP 4293282 A JP4293282 A JP 4293282A JP 29328292 A JP29328292 A JP 29328292A JP H05236361 A JPH05236361 A JP H05236361A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B64—AIRCRAFT; AVIATION; COSMONAUTICS
- B64G—COSMONAUTICS; VEHICLES OR EQUIPMENT THEREFOR
- B64G1/00—Cosmonautic vehicles
- B64G1/22—Parts of, or equipment specially adapted for fitting in or to, cosmonautic vehicles
- B64G1/24—Guiding or controlling apparatus, e.g. for attitude control
- B64G1/36—Guiding or controlling apparatus, e.g. for attitude control using sensors, e.g. sun-sensors, horizon sensors
- B64G1/365—Guiding or controlling apparatus, e.g. for attitude control using sensors, e.g. sun-sensors, horizon sensors using horizon or Earth sensors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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-
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
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- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光感知面前面の窓部材によって生ずる寄生反
射によるブルーミングを除去する。 【構成】 画像検出器は、フォトン放射に対して感応性
を有すると共に透明窓部材２１によって外部から保護さ
れる放射感知面７を有し、透明窓部材２１はハウジング
に結合され、内側ジオプタ２６及び外側ジオプタ２５を
有し、放射感知面７の前側に配置され、窓部材が、感応
性表面の鏡面反射方向に対して数ダース度の角度に亘っ
て放射反射を生ずる表面性能を有する画像検出器におい
て、検出器の一部を構成する窓部材が、フォトン放射を
減衰させる透明な非拡散性媒体で構成し、内側ジオプタ
が、検出器の解像距離の数倍以下又はほぼ数倍に等しい
距離だけ放射感知面から離間し、外側ジオプタを放射感
知面から十分に遠くなるように離間させ、放射感知面上
の最大の放射源の放射による第１反射光の強度レベル
が、検出しようとする最小の放射源の直接放射の強度レ
ベルよりも低くなるように構成した。
射によるブルーミングを除去する。 【構成】 画像検出器は、フォトン放射に対して感応性
を有すると共に透明窓部材２１によって外部から保護さ
れる放射感知面７を有し、透明窓部材２１はハウジング
に結合され、内側ジオプタ２６及び外側ジオプタ２５を
有し、放射感知面７の前側に配置され、窓部材が、感応
性表面の鏡面反射方向に対して数ダース度の角度に亘っ
て放射反射を生ずる表面性能を有する画像検出器におい
て、検出器の一部を構成する窓部材が、フォトン放射を
減衰させる透明な非拡散性媒体で構成し、内側ジオプタ
が、検出器の解像距離の数倍以下又はほぼ数倍に等しい
距離だけ放射感知面から離間し、外側ジオプタを放射感
知面から十分に遠くなるように離間させ、放射感知面上
の最大の放射源の放射による第１反射光の強度レベル
が、検出しようとする最小の放射源の直接放射の強度レ
ベルよりも低くなるように構成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトン放射に対して
感応性を有すると共に透明窓部材によって外部から保護
される放射感知面を有し、前記透明窓部材はハウジング
に結合され、内側ジオプタ及び外側ジオプタを有すると
共に、前記放射感知面の前側に配置され、前記窓部材
が、前記放射感知面の鏡面反射方向に対して数ダース度
の角度に亘って放射反射を生ずる表面性能を有する画像
検出器に関するものである。
感応性を有すると共に透明窓部材によって外部から保護
される放射感知面を有し、前記透明窓部材はハウジング
に結合され、内側ジオプタ及び外側ジオプタを有すると
共に、前記放射感知面の前側に配置され、前記窓部材
が、前記放射感知面の鏡面反射方向に対して数ダース度
の角度に亘って放射反射を生ずる表面性能を有する画像
検出器に関するものである。
【０００２】本発明は地球観測センサ、特に静止衛星用
の電荷転送型の光感知素子マトリックス（ＣＣＤ）を有
する地球観測センサに関するものである。
の電荷転送型の光感知素子マトリックス（ＣＣＤ）を有
する地球観測センサに関するものである。
【０００３】
【従来の技術】画像検出器は２種類のものに分類され、
フォトン放射が入射する感知面がフォトカソードとされ
ている真空管を有するものと、ストリップ状の画素又は
マトリックス状の画素で構成される半導体ユニットを有
するものとがある。多くの場合、これらの検出器の光感
知面は、検出器周囲の外部環境によって生ずる汚染や落
下物から保護する必要があり、これらの落下物や汚染は
地球の大気中のほこりや大気自身の成分自体に関係す
る。この保護は光感知面の前側に密封方法によって配置
した窓によって行われ、対応する検出器が感応するフォ
トン放射を透過させている。この窓は内側ジオプタ(dio
pter)及び外側ジオプタを有する光学性能を具えるガラ
スで構成される。分析すべき画像のコントラストは、視
野中の強い輝度源の存在下においては、はじめ感知面自
身によって発生し保護窓の２個のジオプタ上での２次寄
生反射によって生ずる複合反射により害されるおそれが
ある。弱い照明状態のバックグラウンドに対して極めて
強い明るさの点又はスポットが観測される場合、寄生反
射によって光感知面上にハロー(halo)が発生し、このハ
ローのレベルは地球上の観測視野のレベルよりも一層高
くなり、或いは観測され有用な信号を生ずる他のいかな
る光源よりも一層高くなり、観測すべき光源からの光が
ノイズとして取り出されてしまう。このような問題が生
ずる典型的なケースは、画像検出器が静止衛星に搭載さ
れている場合の地球の輪郭センサであり、全可視域及び
隣接する赤外領域を含む放射用のＣＣＤマトリックスで
構成される場合に発生する。しかしながら、地球は検出
器によって永久的に観測する必要があり、一方、人工衛
星は、各春分及び秋分毎にその年の数ケ月の期間中にお
いて太陽が夜間の数時間に亘って検出器の視野中に位置
する軌道をとる。このような照明状態の場合、太陽の輝
度は地球の輪郭部の輝度よりもほぼ１０6〜１０7倍にな
る。この場合、特別な手段を講じないと、太陽から出射
し地球の周囲の大気によって偏向された光による画像
は、太陽から直接出射し検出器マトリックス自身によっ
て反射し次に保護窓の２個のジオプタによって反射した
寄生光によってマトリックス上において消滅させられて
しまう。
フォトン放射が入射する感知面がフォトカソードとされ
ている真空管を有するものと、ストリップ状の画素又は
マトリックス状の画素で構成される半導体ユニットを有
するものとがある。多くの場合、これらの検出器の光感
知面は、検出器周囲の外部環境によって生ずる汚染や落
下物から保護する必要があり、これらの落下物や汚染は
地球の大気中のほこりや大気自身の成分自体に関係す
る。この保護は光感知面の前側に密封方法によって配置
した窓によって行われ、対応する検出器が感応するフォ
トン放射を透過させている。この窓は内側ジオプタ(dio
pter)及び外側ジオプタを有する光学性能を具えるガラ
スで構成される。分析すべき画像のコントラストは、視
野中の強い輝度源の存在下においては、はじめ感知面自
身によって発生し保護窓の２個のジオプタ上での２次寄
生反射によって生ずる複合反射により害されるおそれが
ある。弱い照明状態のバックグラウンドに対して極めて
強い明るさの点又はスポットが観測される場合、寄生反
射によって光感知面上にハロー(halo)が発生し、このハ
ローのレベルは地球上の観測視野のレベルよりも一層高
くなり、或いは観測され有用な信号を生ずる他のいかな
る光源よりも一層高くなり、観測すべき光源からの光が
ノイズとして取り出されてしまう。このような問題が生
ずる典型的なケースは、画像検出器が静止衛星に搭載さ
れている場合の地球の輪郭センサであり、全可視域及び
隣接する赤外領域を含む放射用のＣＣＤマトリックスで
構成される場合に発生する。しかしながら、地球は検出
器によって永久的に観測する必要があり、一方、人工衛
星は、各春分及び秋分毎にその年の数ケ月の期間中にお
いて太陽が夜間の数時間に亘って検出器の視野中に位置
する軌道をとる。このような照明状態の場合、太陽の輝
度は地球の輪郭部の輝度よりもほぼ１０6〜１０7倍にな
る。この場合、特別な手段を講じないと、太陽から出射
し地球の周囲の大気によって偏向された光による画像
は、太陽から直接出射し検出器マトリックス自身によっ
て反射し次に保護窓の２個のジオプタによって反射した
寄生光によってマトリックス上において消滅させられて
しまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】トンプソン社から市販
されているＣＣＤマトリックスは、ハウジングを封止し
ている保護窓が不必要になれば、上述した用途に極めて
好適な画像検出器を構成する。しかしながら、保護窓部
材は窓とマトリックスとの間に画成する空間を例えば窒
素ガスのような不活性ガスで封止する作用を果たすため
に、窓部材を取り除くことは不可能である。上述した既
知のＣＣＤマトリックスはハウジングを有し、このハウ
ジングの底部に検出器を構成するシリコン基板が接着さ
れている。このハウジングにはリムが設けられ、このリ
ムによってシリコン基板を包囲すると共に検出器の光感
知面から０．８４ｍｍの距離だけ離れた面内に位置する
表面を規定している。そして、厚さが０．９ｍｍの光学
ガラスから成る窓部材をこの面内に配置している。この
窓部材は可視光に対して透明な材料で構成することが好
ましい。この条件下において、マトリックス上で太陽光
の反射により並びにその後２個のジオプタによって太陽
の画像のまわりに生じた２個のの寄生的なハローは、そ
れぞれ１００画素及び２００画素の直径を有している。
検出器が地球の直径よりも大きい視野を有すると共に、
静止軌道からみた場合太陽の直径が地球の直径よりも３
５倍以下であるとすると、太陽の直接画像は典型的には
６画素の直径を有し、地球の画像は２００画素の直径を
有することになる。太陽が地球に接近し又は地球の縁部
に位置する場合でも地球の縁部を確実に検出する必要が
あるが、測定しようとする地球の画像は、その大部分又
は全体が２個の寄生的なハローの各々によってマスクさ
れてしまう。
されているＣＣＤマトリックスは、ハウジングを封止し
ている保護窓が不必要になれば、上述した用途に極めて
好適な画像検出器を構成する。しかしながら、保護窓部
材は窓とマトリックスとの間に画成する空間を例えば窒
素ガスのような不活性ガスで封止する作用を果たすため
に、窓部材を取り除くことは不可能である。上述した既
知のＣＣＤマトリックスはハウジングを有し、このハウ
ジングの底部に検出器を構成するシリコン基板が接着さ
れている。このハウジングにはリムが設けられ、このリ
ムによってシリコン基板を包囲すると共に検出器の光感
知面から０．８４ｍｍの距離だけ離れた面内に位置する
表面を規定している。そして、厚さが０．９ｍｍの光学
ガラスから成る窓部材をこの面内に配置している。この
窓部材は可視光に対して透明な材料で構成することが好
ましい。この条件下において、マトリックス上で太陽光
の反射により並びにその後２個のジオプタによって太陽
の画像のまわりに生じた２個のの寄生的なハローは、そ
れぞれ１００画素及び２００画素の直径を有している。
検出器が地球の直径よりも大きい視野を有すると共に、
静止軌道からみた場合太陽の直径が地球の直径よりも３
５倍以下であるとすると、太陽の直接画像は典型的には
６画素の直径を有し、地球の画像は２００画素の直径を
有することになる。太陽が地球に接近し又は地球の縁部
に位置する場合でも地球の縁部を確実に検出する必要が
あるが、測定しようとする地球の画像は、その大部分又
は全体が２個の寄生的なハローの各々によってマスクさ
れてしまう。
【０００５】画像検出器のブルーミング効果を減少させ
る装置は既知である。この目的を達成する第１の方法
は、検出器の前面に配置されている対物レンズにフォト
クロミックレンズを設けることである。検出器が撮像管
の場合、電子の通路中にマイクロチャネルプレートを配
置することもできる。撮像管の光電陰極の強い点状の照
明を受けるので、マイクロチャネルプレートの飽和特性
によってブルーミングが制限され、従って残りの視野の
観測が可能になる。
る装置は既知である。この目的を達成する第１の方法
は、検出器の前面に配置されている対物レンズにフォト
クロミックレンズを設けることである。検出器が撮像管
の場合、電子の通路中にマイクロチャネルプレートを配
置することもできる。撮像管の光電陰極の強い点状の照
明を受けるので、マイクロチャネルプレートの飽和特性
によってブルーミングが制限され、従って残りの視野の
観測が可能になる。
【０００６】従って、本発明の目的は、上述した課題を
解決し、ほぼ点状の強力な放射源の場合において画像検
出器の光感知面の前面に配置した透明な窓部材によって
生ずる寄生反射によるブルーミングを除去することにあ
る。
解決し、ほぼ点状の強力な放射源の場合において画像検
出器の光感知面の前面に配置した透明な窓部材によって
生ずる寄生反射によるブルーミングを除去することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記課題及び欠
点を解決するため、本発明による画像検出器は、冒頭部
で述べた型式の画像検出器において、前記検出器の一部
を構成する窓部材が、フォトン放射を減衰させる透明な
非拡散性媒体で構成し、前記内側ジオプタが、検出器の
解像距離の数倍以下又はほぼ数倍に等しい距離だけ前記
放射感知面から離間し、前記外側ジオプタを前記放射感
知面から十分に遠くなるように離間させ、前記放射感知
面上において、最大の放射源から入射する放射による第
１反射光の強度レベルが、検出しようとする最小の放射
源から入射する直接放射の強度レベルよりも低くなるよ
うに構成したことを特徴とする。
点を解決するため、本発明による画像検出器は、冒頭部
で述べた型式の画像検出器において、前記検出器の一部
を構成する窓部材が、フォトン放射を減衰させる透明な
非拡散性媒体で構成し、前記内側ジオプタが、検出器の
解像距離の数倍以下又はほぼ数倍に等しい距離だけ前記
放射感知面から離間し、前記外側ジオプタを前記放射感
知面から十分に遠くなるように離間させ、前記放射感知
面上において、最大の放射源から入射する放射による第
１反射光の強度レベルが、検出しようとする最小の放射
源から入射する直接放射の強度レベルよりも低くなるよ
うに構成したことを特徴とする。
【０００８】２個の寄生的な一ハローを最小に低減させ
ることは、２個のジオプタを大幅に変更することによっ
て達成される。内側ジオプタに関して、内側ジオプタを
光感知面に一層接近させ、例えば従来の１ｍｍから２０
μｍまで接近させ、これにより、内側ジオプタから光感
知面までの距離の比が５０倍程度になり、ハローはこの
比に応じてその直径が減少する。外側ジオプタに関し、
ハローを構成する光は窓部材を２回通過するので、外側
ジオプタの目的は光感知面上における分散効果及び窓部
材を半透明とすることによる減衰効果を用いてハローを
できるだけ拡散減衰させることにある。
ることは、２個のジオプタを大幅に変更することによっ
て達成される。内側ジオプタに関して、内側ジオプタを
光感知面に一層接近させ、例えば従来の１ｍｍから２０
μｍまで接近させ、これにより、内側ジオプタから光感
知面までの距離の比が５０倍程度になり、ハローはこの
比に応じてその直径が減少する。外側ジオプタに関し、
ハローを構成する光は窓部材を２回通過するので、外側
ジオプタの目的は光感知面上における分散効果及び窓部
材を半透明とすることによる減衰効果を用いてハローを
できるだけ拡散減衰させることにある。
【０００９】本発明による画像検出器の好適実施例は、
可視放射にフォトン放射に対して感応性を有すると共に
ＣＣＤ型又はＣＩＤ型の細条又はマトリックスの形態と
して配置された表面を有する輪郭センサとして構成され
る画像検出器であって、ハウジング内に組み込まれ、こ
のハウジングに前記放射感知面の前面に透明な窓部材を
設けた輪郭センサを構成する。この実施例は、さらに少
なくとも前記透明窓部材と外部環境との間の境界を規定
するジオプタが、薄い反射防止干渉層を有することを特
徴とする。
可視放射にフォトン放射に対して感応性を有すると共に
ＣＣＤ型又はＣＩＤ型の細条又はマトリックスの形態と
して配置された表面を有する輪郭センサとして構成され
る画像検出器であって、ハウジング内に組み込まれ、こ
のハウジングに前記放射感知面の前面に透明な窓部材を
設けた輪郭センサを構成する。この実施例は、さらに少
なくとも前記透明窓部材と外部環境との間の境界を規定
するジオプタが、薄い反射防止干渉層を有することを特
徴とする。
【００１０】窓部材の両方のジオプタ、すなわち外側ジ
オプタ及び内側ジオプタに反射防止層を形成することは
有益である。各ジオプタに対する反射光の照度比は、反
射防止膜を形成することにより数％から数１０％減少す
るので、寄生反射光の強度は１０％程度減衰する。
オプタ及び内側ジオプタに反射防止層を形成することは
有益である。各ジオプタに対する反射光の照度比は、反
射防止膜を形成することにより数％から数１０％減少す
るので、寄生反射光の強度は１０％程度減衰する。
【００１１】以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１２】
【実施例】図１はトンプソン−ＣＳＦ，ＴＨ７８６４の
ＣＣＤマトリックスを約５倍に拡大して示す。５７６×
５５０個の画素から成る光検出器マトリックスを電気的
絶縁性材料のハウジング２内に封止し、このハウジング
に光検出器マトリックスの接点ピン３を一体的に結合す
る。光検出器マリトリックを構成する基板をハウジング
２の底部４に接着し、ハウジング２には光検出器マトリ
ックスを包囲するリム５を形成する。リム５のフロント
面６は、光検出器マトリックス１の光感知面から前面側
に距離ｄ（ｄ＝８４０μｍ）だけ離れて位置する面内に
延在する。透明な窓部材１１を面６に接着する。窓部材
１１は入射するフォトンに対して十分に透明で、非拡散
性及び非帯電性の光学材料で作られ、その厚さｅはｅ＝
９００μｍとなる。この窓部材１１は内側ジオプタ１２
及び外側ジオプタ１３の２個のジオプタを具える。以下
説明において、入射する放射は可視光であり窓部材の材
料はガラスとする。窓部材１１とハウジング１２との間
に画成される自由空間には大気圧の窒素ガスを充填す
る。光検出器マトリックスの表面７は、所望の画素形態
を形成するのに必要な種々のフォトエッチングマスクを
用いてエッチング処理が行われるため、顕微鏡レベルの
わずかなレリーフを有している。この結果、表面７に垂
直に入射するフォトンビームは、截頭円錐体によって約
１０％が反射し、この円錐体の頂部における半角は数１
０°程度である（図示せず）。この寄生的な反射放射
は、次にその数％が（典型的には、４％）がジオプタ１
２及び１３によって反射する。この結果、光感知面７上
の入射放射の中心のまわりに半径ｒ１が２ｄ程度の小さ
いハロー（halo)と半径ｒ２が２（ｄ＋ｅ）程度の大き
なハロー(halo)が生じてしまう。上述したｄ及びｅの値
を与えると、入射する放射と寄生的な反射放射との間の
照度比は、第１のハローについては10-5の数倍程度であ
り、第２のハローについては１０-6程度である。図１の
画像検出器について試験した結果、１０3〜１０4程度の
最大コントラスト値の場合にも十分に好適であり、従っ
て多くの用途について十分なものとなる。
ＣＣＤマトリックスを約５倍に拡大して示す。５７６×
５５０個の画素から成る光検出器マトリックスを電気的
絶縁性材料のハウジング２内に封止し、このハウジング
に光検出器マトリックスの接点ピン３を一体的に結合す
る。光検出器マリトリックを構成する基板をハウジング
２の底部４に接着し、ハウジング２には光検出器マトリ
ックスを包囲するリム５を形成する。リム５のフロント
面６は、光検出器マトリックス１の光感知面から前面側
に距離ｄ（ｄ＝８４０μｍ）だけ離れて位置する面内に
延在する。透明な窓部材１１を面６に接着する。窓部材
１１は入射するフォトンに対して十分に透明で、非拡散
性及び非帯電性の光学材料で作られ、その厚さｅはｅ＝
９００μｍとなる。この窓部材１１は内側ジオプタ１２
及び外側ジオプタ１３の２個のジオプタを具える。以下
説明において、入射する放射は可視光であり窓部材の材
料はガラスとする。窓部材１１とハウジング１２との間
に画成される自由空間には大気圧の窒素ガスを充填す
る。光検出器マトリックスの表面７は、所望の画素形態
を形成するのに必要な種々のフォトエッチングマスクを
用いてエッチング処理が行われるため、顕微鏡レベルの
わずかなレリーフを有している。この結果、表面７に垂
直に入射するフォトンビームは、截頭円錐体によって約
１０％が反射し、この円錐体の頂部における半角は数１
０°程度である（図示せず）。この寄生的な反射放射
は、次にその数％が（典型的には、４％）がジオプタ１
２及び１３によって反射する。この結果、光感知面７上
の入射放射の中心のまわりに半径ｒ１が２ｄ程度の小さ
いハロー（halo)と半径ｒ２が２（ｄ＋ｅ）程度の大き
なハロー(halo)が生じてしまう。上述したｄ及びｅの値
を与えると、入射する放射と寄生的な反射放射との間の
照度比は、第１のハローについては10-5の数倍程度であ
り、第２のハローについては１０-6程度である。図１の
画像検出器について試験した結果、１０3〜１０4程度の
最大コントラスト値の場合にも十分に好適であり、従っ
て多くの用途について十分なものとなる。
【００１３】しかしながら、この検出器を可視光を用い
る地球観測センサとして用いようとする場合、夜間にお
いて視野中の地球の輪郭に接近した太陽の存在により並
びに観測される視野の細部と各画素の寸法との間の相対
的な寸法により（地球の輪郭は検出器の解像度の１／３
〜１／５の厚さを有している）、照度比が１０7以上に
なってしまう。すなわち、上述した２個の寄生的なハロ
ーによって有用な信号が得られなくなってしまうコント
ラストが生じてしまう。従って、本発明では、図１の検
出器を図２のように変更して１０7を超える照度比の２
個の寄生的なハローを除去する。
る地球観測センサとして用いようとする場合、夜間にお
いて視野中の地球の輪郭に接近した太陽の存在により並
びに観測される視野の細部と各画素の寸法との間の相対
的な寸法により（地球の輪郭は検出器の解像度の１／３
〜１／５の厚さを有している）、照度比が１０7以上に
なってしまう。すなわち、上述した２個の寄生的なハロ
ーによって有用な信号が得られなくなってしまうコント
ラストが生じてしまう。従って、本発明では、図１の検
出器を図２のように変更して１０7を超える照度比の２
個の寄生的なハローを除去する。
【００１４】図２において、設計変更した部分を明瞭に
示す。リム１５のフロント面１６は、光感知面から数μ
ｍ程度、典型的に１０μｍの距離ｄだけわずかに突出す
る面内で延在する。この距離ｄは、いかなる場合にも、
実際に１個の画素の幅Ｐ程度の解像距離、典型的には１
５〜２５μｍの範囲よりも小さくする。さらに、透明窓
２１の厚さは数ｍｍ厚くして外側ジオプタ２３を光感知
面からさらに離間させる。
示す。リム１５のフロント面１６は、光感知面から数μ
ｍ程度、典型的に１０μｍの距離ｄだけわずかに突出す
る面内で延在する。この距離ｄは、いかなる場合にも、
実際に１個の画素の幅Ｐ程度の解像距離、典型的には１
５〜２５μｍの範囲よりも小さくする。さらに、透明窓
２１の厚さは数ｍｍ厚くして外側ジオプタ２３を光感知
面からさらに離間させる。
【００１５】内側ジオプタ２２によって生ずる減少した
ハローの照度を十分に低減することは困難であることが
判明しているので、このハローが高い輝度源（本例の場
合、太陽）に極めて近接形成されるように構成する。マ
トリックス上の太陽の像が例えば半径３Ｐの円形スポッ
トの場合、低減したハローの半径は約５Ｐに制限され
る。従って、第１の寄生ハローの像は太陽自身の画像と
同程度の大きさであり、円形の１００画素程度の検出し
ようとする地球の輪郭の像の大部分又は全ての画像と重
なり合うことがなくなる。外側ジオプタ２３によって生
ずるハローに関しては２個の方法を組み合わせることに
よりその照度を地球の輪郭の照度以下とすることができ
る。すなわち、必要な場合、前述したように、窓部材の
厚さを一層厚くし例えば４ｍｍとする。また、窓部材２
１を構成する透明媒体の透過率を低くし、その透過率を
０．０５と０．３との間に設定し、例えば０．１に等し
くなるように設定する。このため、例えばニュートラル
濃度のガラスを用いることができる。上述したように数
値を設定することにより、大きなハローの照度と太陽の
直接的な像の照度との間のコントラストは１０-8 に減
少し、地球の輪郭を表わす有用な信号と比較して受け入
れることができるノイズとなる。必要な場合、薄い反射
防止干渉層２５を外側ジオプタ２３上に形成することが
でき、これにより反射率が数１００分の１から１０００
分の１まで減少し、大きな寄生的なハローの減衰を１０
倍以上とすることができる。同様に、内側ジオプタ２２
上に反射防止層を形成することもできる。大きなハロー
については、以下の２個のパラメータを同時に制御する
ことができ、窓部材のガラスの厚さｅ及び減衰（透過
率）と共に反射防止層を用いて大きなハローの照度をあ
る閾値以下に低減させることができる。
ハローの照度を十分に低減することは困難であることが
判明しているので、このハローが高い輝度源（本例の場
合、太陽）に極めて近接形成されるように構成する。マ
トリックス上の太陽の像が例えば半径３Ｐの円形スポッ
トの場合、低減したハローの半径は約５Ｐに制限され
る。従って、第１の寄生ハローの像は太陽自身の画像と
同程度の大きさであり、円形の１００画素程度の検出し
ようとする地球の輪郭の像の大部分又は全ての画像と重
なり合うことがなくなる。外側ジオプタ２３によって生
ずるハローに関しては２個の方法を組み合わせることに
よりその照度を地球の輪郭の照度以下とすることができ
る。すなわち、必要な場合、前述したように、窓部材の
厚さを一層厚くし例えば４ｍｍとする。また、窓部材２
１を構成する透明媒体の透過率を低くし、その透過率を
０．０５と０．３との間に設定し、例えば０．１に等し
くなるように設定する。このため、例えばニュートラル
濃度のガラスを用いることができる。上述したように数
値を設定することにより、大きなハローの照度と太陽の
直接的な像の照度との間のコントラストは１０-8 に減
少し、地球の輪郭を表わす有用な信号と比較して受け入
れることができるノイズとなる。必要な場合、薄い反射
防止干渉層２５を外側ジオプタ２３上に形成することが
でき、これにより反射率が数１００分の１から１０００
分の１まで減少し、大きな寄生的なハローの減衰を１０
倍以上とすることができる。同様に、内側ジオプタ２２
上に反射防止層を形成することもできる。大きなハロー
については、以下の２個のパラメータを同時に制御する
ことができ、窓部材のガラスの厚さｅ及び減衰（透過
率）と共に反射防止層を用いて大きなハローの照度をあ
る閾値以下に低減させることができる。
【００１６】図３は図２の円で囲まれた部分を拡大して
図示する。光感知面７は光ビームを斜めに反射するレリ
ーフ構造を有し、これに対して内側のジオプタ２２は平
面である。ジオプタ２２に反射防止用の多層膜２７を形
成することができる。距離Ｐは２０μｍ程度であり、相
対距離ｄは１０μｍ程度である。この相対距離ｄはほぼ
零に減少させ、２個の面７及び２２を接触させることが
できる。面７と２２とを光学接着剤で結合することも可
能である（拡散が小さくなる）。
図示する。光感知面７は光ビームを斜めに反射するレリ
ーフ構造を有し、これに対して内側のジオプタ２２は平
面である。ジオプタ２２に反射防止用の多層膜２７を形
成することができる。距離Ｐは２０μｍ程度であり、相
対距離ｄは１０μｍ程度である。この相対距離ｄはほぼ
零に減少させ、２個の面７及び２２を接触させることが
できる。面７と２２とを光学接着剤で結合することも可
能である（拡散が小さくなる）。
【００１７】図２の検出器を実現するためにいくつかの
解決方法がある。一の解決方法は、相対距離ｄについて
より厳格な公差を設定することを除いて、図１の検出器
に用いた技術と同一の技術を用いることである。ハウジ
ングを例えばセラミック材料で作る代わりに、ハウジン
グ２２は金属で作ることが有益である。金属で作ること
にり、一般的に既知の機械加工技術及び組立技術を利用
することができる。この場合、電気接点３の通路用にハ
ウジング内に設けた開口を電気的に絶縁する必要があ
る。この目的を達成するため、２個の異なる方法で光検
出器マトリックスを窓２１に光学的に接着することがで
きる。はじめに光検出器マトリックスを窓に接着し、次
にこのサブ組立体をハウジングの面４及び１６上に接着
するか、或いは図１に示すように、はじめに光検出器マ
トリックスをハウジングの底部に接着し、その後窓を面
１６に接着すると共に別の適当な接着剤を用いて光検出
器マトリックスの光感知面７に接着する。
解決方法がある。一の解決方法は、相対距離ｄについて
より厳格な公差を設定することを除いて、図１の検出器
に用いた技術と同一の技術を用いることである。ハウジ
ングを例えばセラミック材料で作る代わりに、ハウジン
グ２２は金属で作ることが有益である。金属で作ること
にり、一般的に既知の機械加工技術及び組立技術を利用
することができる。この場合、電気接点３の通路用にハ
ウジング内に設けた開口を電気的に絶縁する必要があ
る。この目的を達成するため、２個の異なる方法で光検
出器マトリックスを窓２１に光学的に接着することがで
きる。はじめに光検出器マトリックスを窓に接着し、次
にこのサブ組立体をハウジングの面４及び１６上に接着
するか、或いは図１に示すように、はじめに光検出器マ
トリックスをハウジングの底部に接着し、その後窓を面
１６に接着すると共に別の適当な接着剤を用いて光検出
器マトリックスの光感知面７に接着する。
【００１８】図４は本発明による装置と従来の装置との
間の反射した寄生ビームの光路を比較して示し、破線は
図１の従来の装置による光路を示し、実線は本発明によ
る装置（図２及び図３）における光路を示す。光感知面
７上の太陽Ｓの輪郭は強く拡大して図示し、この太陽の
輪郭は入射ビームＦによって発生する。地球の外形の輪
郭Ｌは太陽の輪郭Ｓよたも約３５倍大きい。寄生反射光
Ｒ１２及びＲ１３は輪郭Ｌの大部分又は全体をカバーし
ており、各反射光は輪郭Ｌよりも強い強度を有してい
る。これに対して、本発明による寄生反射Ｒ２２の形状
はほぼ点状であり、寄生反射Ｒ２３の輪郭は輪郭Ｌより
も大幅に大きく、従ってその強度はより弱いものとな
る。
間の反射した寄生ビームの光路を比較して示し、破線は
図１の従来の装置による光路を示し、実線は本発明によ
る装置（図２及び図３）における光路を示す。光感知面
７上の太陽Ｓの輪郭は強く拡大して図示し、この太陽の
輪郭は入射ビームＦによって発生する。地球の外形の輪
郭Ｌは太陽の輪郭Ｓよたも約３５倍大きい。寄生反射光
Ｒ１２及びＲ１３は輪郭Ｌの大部分又は全体をカバーし
ており、各反射光は輪郭Ｌよりも強い強度を有してい
る。これに対して、本発明による寄生反射Ｒ２２の形状
はほぼ点状であり、寄生反射Ｒ２３の輪郭は輪郭Ｌより
も大幅に大きく、従ってその強度はより弱いものとな
る。
【００１９】地球上の大気の照度は７．５Ｗ／ｍ2 ×ｓ
ｒ（昼間）から０．１Ｗ／ｍ2 ×ｓｒ（夜間）まで変化
するので、照度比は７５になる。本発明による透明窓の
材料の色によって生ずる減衰は、太陽が地球の陰になっ
て薄暗くなった場合、地球の輪郭検出に悪影響となるお
それがある。本発明の有益な実施例は、暗い状態におけ
る透過率が０．０５〜０．３の範囲内に位置し明るい状
態における透過率が０．９以上となる光可逆変色性（フ
ォトクロミック）ガラスを用いることを特徴とする。こ
の実施例に好適なガラスは、例えばコーニング ヨーロ
ッパ(Corning Europe)社から市販されているＰＧＤ又は
ＰＧＥガラスがある。
ｒ（昼間）から０．１Ｗ／ｍ2 ×ｓｒ（夜間）まで変化
するので、照度比は７５になる。本発明による透明窓の
材料の色によって生ずる減衰は、太陽が地球の陰になっ
て薄暗くなった場合、地球の輪郭検出に悪影響となるお
それがある。本発明の有益な実施例は、暗い状態におけ
る透過率が０．０５〜０．３の範囲内に位置し明るい状
態における透過率が０．９以上となる光可逆変色性（フ
ォトクロミック）ガラスを用いることを特徴とする。こ
の実施例に好適なガラスは、例えばコーニング ヨーロ
ッパ(Corning Europe)社から市販されているＰＧＤ又は
ＰＧＥガラスがある。
【００２０】通常、対物レンズを検出器の前面に配置す
る。この対物レンズは、像面湾曲を発生し、すなわち像
が平面状ではなく球面状に形成されてしまう。この収差
を補正する方法として、像面の直前に発散性レンズを配
置する方法がある。この発散性レンズは、対物レンズの
光路計算式中に含ませる必要がある。この場合、窓２１
によってこの作用を達成することができる。この目的を
達成するためには、外側のジオプタ３１を凹面とする
（図２の破線で示すように、窓の厚さを中心部が薄くな
るように設定する）ことで十分であり、この窓は発散性
レンズとして作用する。この解決方法は、凹面度を窓の
厚さに対して微小に設定して視野全体に対する過剰な透
過率変化を回避する条件において十分に有用である。
る。この対物レンズは、像面湾曲を発生し、すなわち像
が平面状ではなく球面状に形成されてしまう。この収差
を補正する方法として、像面の直前に発散性レンズを配
置する方法がある。この発散性レンズは、対物レンズの
光路計算式中に含ませる必要がある。この場合、窓２１
によってこの作用を達成することができる。この目的を
達成するためには、外側のジオプタ３１を凹面とする
（図２の破線で示すように、窓の厚さを中心部が薄くな
るように設定する）ことで十分であり、この窓は発散性
レンズとして作用する。この解決方法は、凹面度を窓の
厚さに対して微小に設定して視野全体に対する過剰な透
過率変化を回避する条件において十分に有用である。
【００２１】一般的に、マトリックス型又はストライプ
型のいずれの検出器も、メモリ領域、読出レジスタ、電
子制御兼読出回路等のような複雑な回路構造体によって
包囲されている光感知面を有している。これらの回路構
造体は高い反射性を有し寄生光を発生する部分（例え
ば、メモリのアルミニウムマスク、回路の金メッキ）を
含んでいる。透明窓は、通常これらの反射性の非光感知
部を覆っているので、光吸収性マスク（“黒”の塗料、
金色の黒、又は同様な他の部材）を窓の内側ジオプタ上
に検出器の有用な表面領域を規定し検出器面の残りの部
分に入射するビームを吸収するように堆積又は形成する
ことは付加的な寄生光による問題を解決する上で有益で
ある。
型のいずれの検出器も、メモリ領域、読出レジスタ、電
子制御兼読出回路等のような複雑な回路構造体によって
包囲されている光感知面を有している。これらの回路構
造体は高い反射性を有し寄生光を発生する部分（例え
ば、メモリのアルミニウムマスク、回路の金メッキ）を
含んでいる。透明窓は、通常これらの反射性の非光感知
部を覆っているので、光吸収性マスク（“黒”の塗料、
金色の黒、又は同様な他の部材）を窓の内側ジオプタ上
に検出器の有用な表面領域を規定し検出器面の残りの部
分に入射するビームを吸収するように堆積又は形成する
ことは付加的な寄生光による問題を解決する上で有益で
ある。
【００２２】上述した説明では、特有な画像検出器（Ｃ
ＣＤマトリックス）の極めて特有な用途（地球観測セン
サ）についての実施例について説明した。しかし、本発
明は別の型式の画像検出器及び用途についても適用する
ことができる。例えば、検出マトリックスはＣＩＤ型、
すなわち電子的にアドレス可能なセンサとすることも可
能である。マトリックスの代わりに、各々が本発明によ
る透明窓を具える数個の検出ストリップ（ＣＣＤ又はフ
ォトダイオードストリップ）を用いることもできる。ま
た、検出器は、例えばビジコン管のような光放出カソー
ドを有する真空管とすることもできる。さらに、赤外放
射に感応性を有する半導体マトリックスを用いることも
可能である。画像検出器は、太陽又は強力な光投射器の
存在のもとで地上から又は地球から離間して用いること
ができる。
ＣＤマトリックス）の極めて特有な用途（地球観測セン
サ）についての実施例について説明した。しかし、本発
明は別の型式の画像検出器及び用途についても適用する
ことができる。例えば、検出マトリックスはＣＩＤ型、
すなわち電子的にアドレス可能なセンサとすることも可
能である。マトリックスの代わりに、各々が本発明によ
る透明窓を具える数個の検出ストリップ（ＣＣＤ又はフ
ォトダイオードストリップ）を用いることもできる。ま
た、検出器は、例えばビジコン管のような光放出カソー
ドを有する真空管とすることもできる。さらに、赤外放
射に感応性を有する半導体マトリックスを用いることも
可能である。画像検出器は、太陽又は強力な光投射器の
存在のもとで地上から又は地球から離間して用いること
ができる。
【図１】図１は従来のＣＣＤマトリックスを具える画像
検出器の線図的断面図である。
検出器の線図的断面図である。
【図２】図２は本発明によるＣＣＤマトリックスを具え
る画像検出器を示す線図的断面図である。
る画像検出器を示す線図的断面図である。
【図３】図３は図２の一部を拡大して示す拡大図であ
る。
る。
【図４】図４はＣＣＤマトリックスの前側部分の一部を
光路と共に示す線図的断面図である。
光路と共に示す線図的断面図である。
１ シリコン基板 ２ ハウジング ３ 接点ピン ５ リム ７ 光感知面 １１ 透明窓部材 １２ 内側ジオプタ １３ 外側ジオプタ
Claims (9)
- 【請求項１】 フォトン放射にに対して感応性を有する
と共に透明窓部材によって外部から保護される放射感知
面を有し、前記透明窓部材はハウジングに結合され、内
側ジオプタ及び外側ジオプタを有すると共に、前記放射
感知面の前側に配置され、前記窓部材が、前記放射感知
面の鏡面反射方向に対して数ダース度の角度に亘って放
射反射を生ずる表面性能を有する画像検出器において、 前記検出器の一部を構成する窓部材を、フォトン放射を
減衰させる透明な非拡散性媒体で構成し、前記内側ジオ
プタが、検出器の解像距離の数倍以下又はほぼ数倍に等
しい距離だけ前記放射感知面から離間し、前記外側ジオ
プタを前記放射感知面から十分に遠くなるように離間さ
せ、前記放射感知面上において、最大の放射源から入射
する放射による第１反射光の強度レベルが、検出しよう
とする最小の放射源から入射する直接放射の強度レベル
よりも低くなるように構成したことを特徴とする画像検
出器。 - 【請求項２】 フォトン放射に対して感応性を有すると
共にＣＣＤ型又はＣＩＤ型の細条又はマトリックスの形
態として配置された表面を有する輪郭センサとして構成
される画像検出器であって、ハウジング内に組み込ま
れ、このハウジングに前記放射感知面の前面に透明な窓
部材を設けた画像検出器において、少なくとも前記透明
窓部材と外部環境との間の境界を規定するジオプタが、
薄い反射防止干渉層を有することを特徴とする画像検出
器。 - 【請求項３】 請求項２に記載の画像検出器において、
前記放射感知面が可視放射に対して感応性を有すること
を特徴とする画像検出器。 - 【請求項４】 請求項２及び３に記載の画像検出器にお
いて、前記透明な窓部材を光学接着剤により前記放射感
知面に接着したことを特徴とする画像検出器。 - 【請求項５】 請求項１から４までのいずれか１項に記
載の画像検出器において、前記透明媒体の通過するプロ
トン放射に対する透過率が０．０５と０．３との間に位
置することを特徴とする画像検出器。 - 【請求項６】 請求項１から５までのいずれか１項に記
載の画像検出器において、前記透明窓部材の外側ジオプ
タが、前記放射感知面から０．９と６ｍｍとの間の距離
だけ離れて位置することを特徴とする画像検出器。 - 【請求項７】 請求項１から６までのいずれか１項に記
載の画像検出器において、前記透明窓部材を、フォトク
ロミックな光学ガラスで構成したことを特徴とする画像
検出器。 - 【請求項８】請求項１から７までのいずれか１項に記載
の画像検出器において、前記透明窓部材の外側ジオプタ
を透明窓部材が発散性レンズとなるように凹面に形成し
たことを特徴とする画像形成器。 - 【請求項９】 請求項１から８までのいずれか１項に記
載の画像検出器を有する衛星用の地球観測センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9113404 | 1991-10-30 | ||
| FR9113404A FR2683390A1 (fr) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | Detecteur d'images a lumiere parasite reduite et application a un senseur de terre. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05236361A true JPH05236361A (ja) | 1993-09-10 |
| JPH07118789B2 JPH07118789B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=9418471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4293282A Expired - Lifetime JPH07118789B2 (ja) | 1991-10-30 | 1992-10-30 | 画像検出器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5302818A (ja) |
| EP (1) | EP0540092B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07118789B2 (ja) |
| DE (1) | DE69207554T2 (ja) |
| FR (1) | FR2683390A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5543612A (en) * | 1994-05-13 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Image pickup device with attached interference stripe noise prevention mechanism |
| WO1997010672A1 (en) * | 1995-09-11 | 1997-03-20 | Gatan, Inc. | Optically coupled large-format solid state imaging device |
| KR100198650B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-06-15 | 구본준 | 고체 촬상 장치 |
| US6075237A (en) * | 1998-07-29 | 2000-06-13 | Eastman Kodak Company | Image sensor cover with integral light shield |
| US6130448A (en) * | 1998-08-21 | 2000-10-10 | Gentex Corporation | Optical sensor package and method of making same |
| US6784409B2 (en) * | 2000-03-28 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same |
| DE10121185B4 (de) * | 2001-04-30 | 2013-04-25 | Sick Ag | Optischer Sensor |
| JP2011216701A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sony Corp | 固体撮像装置及び電子機器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123288A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Toshiba Corp | 固体撮像デバイス |
| JPH03229461A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4401887A (en) * | 1980-10-01 | 1983-08-30 | Eikonix Corporation | Reducing flare in self-scanned photosensor arrays |
| FR2533883B1 (fr) * | 1982-10-04 | 1986-06-20 | Sodern | Senseur d'horizon terrestre utilisant des photodetecteurs a transfert de charges |
| JPS59123259A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| FR2544132B1 (fr) * | 1983-04-08 | 1986-11-21 | Telecommunications Sa | Detecteur photoconducteur en immersion optique |
| JPS61154184A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Fujitsu Ltd | 受光素子 |
| DE3782201T2 (de) * | 1986-07-16 | 1993-04-15 | Canon Kk | Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung. |
| US5149958A (en) * | 1990-12-12 | 1992-09-22 | Eastman Kodak Company | Optoelectronic device component package |
-
1991
- 1991-10-30 FR FR9113404A patent/FR2683390A1/fr active Pending
-
1992
- 1992-10-22 EP EP92203246A patent/EP0540092B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-22 DE DE69207554T patent/DE69207554T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-29 US US07/968,609 patent/US5302818A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-10-30 JP JP4293282A patent/JPH07118789B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123288A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Toshiba Corp | 固体撮像デバイス |
| JPH03229461A (ja) * | 1990-02-05 | 1991-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69207554T2 (de) | 1996-08-08 |
| US5302818A (en) | 1994-04-12 |
| FR2683390A1 (fr) | 1993-05-07 |
| DE69207554D1 (de) | 1996-02-22 |
| JPH07118789B2 (ja) | 1995-12-18 |
| EP0540092A1 (fr) | 1993-05-05 |
| EP0540092B1 (fr) | 1996-01-10 |
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