JPH05235467A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH05235467A JPH05235467A JP3515192A JP3515192A JPH05235467A JP H05235467 A JPH05235467 A JP H05235467A JP 3515192 A JP3515192 A JP 3515192A JP 3515192 A JP3515192 A JP 3515192A JP H05235467 A JPH05235467 A JP H05235467A
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- JP
- Japan
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- ridge
- semiconductor laser
- crystal
- layer
- face
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 共振器端面を劈開によらずに構成して結晶性
を良好に保ち、高信頼性及び高出力を得て、ＯＥＩＣの
構成や、短共振器化による低しきい値電流化が可能な半
導体レーザを提供する。 【構成】 化合物半導体基体１の｛１００｝結晶面より
成る主面１Ｓ上に、〈０１−１〉結晶軸方向に延長する
リッジ２が形成され、リッジ２の側面２Ａ及び２Ｂと
｛１００｝結晶面即ち主面１Ｓとの挟む角度θA 及びθ
B が５４．７°以下とされ、このリッジ２の上に少なく
とも第１のクラッド層４、活性層５、第２のクラッド層
６が形成され、リッジ２の縁部２Ｃ及び２Ｄから延びる
｛１１０｝結晶面より成る端面８を共振器端面として半
導体レーザ１０を構成する。
を良好に保ち、高信頼性及び高出力を得て、ＯＥＩＣの
構成や、短共振器化による低しきい値電流化が可能な半
導体レーザを提供する。 【構成】 化合物半導体基体１の｛１００｝結晶面より
成る主面１Ｓ上に、〈０１−１〉結晶軸方向に延長する
リッジ２が形成され、リッジ２の側面２Ａ及び２Ｂと
｛１００｝結晶面即ち主面１Ｓとの挟む角度θA 及びθ
B が５４．７°以下とされ、このリッジ２の上に少なく
とも第１のクラッド層４、活性層５、第２のクラッド層
６が形成され、リッジ２の縁部２Ｃ及び２Ｄから延びる
｛１１０｝結晶面より成る端面８を共振器端面として半
導体レーザ１０を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ特に例え
ばＧａＡｓ系等の化合物半導体レーザに係わる。
ばＧａＡｓ系等の化合物半導体レーザに係わる。
【０００２】
【従来の技術】通常の半導体レーザにおいては、劈開等
によって個々の半導体レーザに切断し、レーザ発光部の
共振器長を規制する端面を形成している。このため、こ
れらをモノリシックに集積してＯＥＩＣ（Optical Elec
tronic IC)を得ることは難しい。また劈開による場合は
その共振器長は１００μｍ程度以下とすることが難し
く、短共振器長化によりしきい値電流の低減化をはかる
ことが難しい。
によって個々の半導体レーザに切断し、レーザ発光部の
共振器長を規制する端面を形成している。このため、こ
れらをモノリシックに集積してＯＥＩＣ（Optical Elec
tronic IC)を得ることは難しい。また劈開による場合は
その共振器長は１００μｍ程度以下とすることが難し
く、短共振器長化によりしきい値電流の低減化をはかる
ことが難しい。
【０００３】また、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）
やＲＩＢＥ（反応性イオンビームエッチング）等の異方
性ドライエッチングによって基板に対し垂直方向にエッ
チングを行うことにより、共振器端面を形成することが
できる。しかしながら、この場合は結晶にダメージを与
えてしまうという問題がある。
やＲＩＢＥ（反応性イオンビームエッチング）等の異方
性ドライエッチングによって基板に対し垂直方向にエッ
チングを行うことにより、共振器端面を形成することが
できる。しかしながら、この場合は結晶にダメージを与
えてしまうという問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、劈開やエッ
チング等を施すことなく１回の結晶成長で良好な結晶性
をもって共振器端面を構成することがでる半導体レーザ
を提供し、半導体レーザの信頼性の向上及び高出力化を
はかる。
チング等を施すことなく１回の結晶成長で良好な結晶性
をもって共振器端面を構成することがでる半導体レーザ
を提供し、半導体レーザの信頼性の向上及び高出力化を
はかる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明半導体レーザは、
その一例の略線的拡大断面図を図１に示すように、化合
物半導体基体１の｛１００｝結晶面上に、図１において
矢印ｄで示す〈０１−１〉結晶軸方向に延長するリッジ
２が形成され、リッジ２の側面２Ａ及び２Ｂと｛１０
０｝結晶面との挟む角度θA 及びθB が５４．７°以下
とされ、このリッジ２の上に少なくとも第１のクラッド
層４、活性層５、第２のクラッド層６が形成され、リッ
ジ２の縁部２Ｃ及び２Ｄから延びる｛１１０｝結晶面よ
り成る端面８を共振器端面として半導体レーザ１０を構
成する。
その一例の略線的拡大断面図を図１に示すように、化合
物半導体基体１の｛１００｝結晶面上に、図１において
矢印ｄで示す〈０１−１〉結晶軸方向に延長するリッジ
２が形成され、リッジ２の側面２Ａ及び２Ｂと｛１０
０｝結晶面との挟む角度θA 及びθB が５４．７°以下
とされ、このリッジ２の上に少なくとも第１のクラッド
層４、活性層５、第２のクラッド層６が形成され、リッ
ジ２の縁部２Ｃ及び２Ｄから延びる｛１１０｝結晶面よ
り成る端面８を共振器端面として半導体レーザ１０を構
成する。
【０００６】
【作用】本発明半導体レーザにおいては、｛１００｝結
晶面上に、〈０１−１〉結晶軸方向に延長し、この〈０
１−１〉結晶軸方向に延びる側面２Ａ及び２Ｂと｛１０
０｝結晶面、即ち図１において溝１２の底面１２Ｓとの
挟む角度θA 及びθB を５４．７°以下としてリッジ２
を形成して、この上に各層を通常の気相成長法により形
成するものであり、このような構成とすることによっ
て、主面１Ｓに対し直交する｛１１０｝結晶面より成る
端面８を自然発生的に生じさせることができて、これを
共振器端面とすることによって、劈開等を用いることな
く共振器を構成することができた。
晶面上に、〈０１−１〉結晶軸方向に延長し、この〈０
１−１〉結晶軸方向に延びる側面２Ａ及び２Ｂと｛１０
０｝結晶面、即ち図１において溝１２の底面１２Ｓとの
挟む角度θA 及びθB を５４．７°以下としてリッジ２
を形成して、この上に各層を通常の気相成長法により形
成するものであり、このような構成とすることによっ
て、主面１Ｓに対し直交する｛１１０｝結晶面より成る
端面８を自然発生的に生じさせることができて、これを
共振器端面とすることによって、劈開等を用いることな
く共振器を構成することができた。
【０００７】即ち本発明構成においては、図２にその要
部の略線的拡大断面図を示すように、リッジ２の主面１
Ｓ上と、リッジ２の両側の溝１２内においては、各層が
互いに分断して成長する。そしてリッジ２上においては
その縁部２Ｃから端面８が、自然発生的に主面１Ｓに対
し直交し、〈０１−１〉結晶軸方向に延長する｛１１
０｝結晶面を構成しながら成長する。
部の略線的拡大断面図を示すように、リッジ２の主面１
Ｓ上と、リッジ２の両側の溝１２内においては、各層が
互いに分断して成長する。そしてリッジ２上においては
その縁部２Ｃから端面８が、自然発生的に主面１Ｓに対
し直交し、〈０１−１〉結晶軸方向に延長する｛１１
０｝結晶面を構成しながら成長する。
【０００８】一方溝１２内においては、このリッジ２の
側面２Ａと底面１２Ｓとの挟む角度θ1 が５４．７°の
場合は、この側面２Ａ即ちこの場合｛１１１｝Ｂ結晶面
上にはエピタキシャル成長が生じにくいため、溝１２内
においてそれぞれ底面１２Ｓに沿って層状に各層が成長
することとなる。
側面２Ａと底面１２Ｓとの挟む角度θ1 が５４．７°の
場合は、この側面２Ａ即ちこの場合｛１１１｝Ｂ結晶面
上にはエピタキシャル成長が生じにくいため、溝１２内
においてそれぞれ底面１２Ｓに沿って層状に各層が成長
することとなる。
【０００９】また、図３に示すように、リッジ２の側面
２Ａと底面１２Ｓとの挟む角度θ2が５４．７°未満の
場合は、溝１２の底面１２Ｓに沿って層状に成長すると
共に、この側面２Ａ上にも成長して、リッジ２の縁部２
Ｃから溝１２内にかけて底面１２Ｓとのなす角度θ3 が
約５４．７°を成す｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面１
３が自然発生的に生じる。この｛１１１｝Ｂ結晶面上で
はエピタキシャル成長が生じにくいため、ここにおける
成長が実質的に停止し、その後は底面１２Ｓに平行な層
状に各層が成長する。
２Ａと底面１２Ｓとの挟む角度θ2が５４．７°未満の
場合は、溝１２の底面１２Ｓに沿って層状に成長すると
共に、この側面２Ａ上にも成長して、リッジ２の縁部２
Ｃから溝１２内にかけて底面１２Ｓとのなす角度θ3 が
約５４．７°を成す｛１１１｝Ｂ結晶面より成る斜面１
３が自然発生的に生じる。この｛１１１｝Ｂ結晶面上で
はエピタキシャル成長が生じにくいため、ここにおける
成長が実質的に停止し、その後は底面１２Ｓに平行な層
状に各層が成長する。
【００１０】従って、このような本発明半導体レーザ
は、劈開によらずに共振器端面を構成することができ、
短共振器化によるしきい値電流の低減化をはかることが
でき、またモノリシックに集積してＯＥＩＣを構成する
ことが可能となる。また、結晶成長後のエッチングを行
わずに１回の結晶成長により形成することができるた
め、各層を良好な結晶性をもって構成することができ
て、信頼性の向上をはかることができる。
は、劈開によらずに共振器端面を構成することができ、
短共振器化によるしきい値電流の低減化をはかることが
でき、またモノリシックに集積してＯＥＩＣを構成する
ことが可能となる。また、結晶成長後のエッチングを行
わずに１回の結晶成長により形成することができるた
め、各層を良好な結晶性をもって構成することができ
て、信頼性の向上をはかることができる。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明半導体レーザの一
例を詳細に説明する。この場合、ＧａＡｓ基板上にＡｌ
ＧａＡｓ系の III−Ｖ族化合物半導体レーザが形成され
る例を示す。
例を詳細に説明する。この場合、ＧａＡｓ基板上にＡｌ
ＧａＡｓ系の III−Ｖ族化合物半導体レーザが形成され
る例を示す。
【００１２】先ずこの場合、図４に示すように、第１導
電型例えばｎ型のＧａＡｓ基体より成る化合物半導体基
体１を用意する。この半導体基体１はその一主面１Ｓが
｛１００｝結晶面を有して成り、この主面１Ｓ上に、先
ず〈０１−１〉結晶軸方向、この場合図４の紙面と直交
する方向に延長するリッジ２を形成する。このリッジ２
の幅は、最終的に得る共振器長Ｌをもって構成し、また
リッジ２の両側の溝１２の底面１２Ｓは、主面１Ｓと同
様に｛１００｝結晶面とする。そして矢印ｄで示す〈０
１−１〉結晶軸方向に延びる側面２Ａ及び２Ｂと底面１
２Ｓ即ち｛１００｝結晶面との挟む角度θA 及びθB を
５４．７°として、即ち各側面２Ａ及び２Ｂを｛１１
１｝Ｂ結晶面として形成する。この形成方法としては、
例えばリッジ２上にフォトレジスト等のマスク層を形成
した後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の異方性
エッチングを斜め方向から２回行うことにより形成する
ことができる。
電型例えばｎ型のＧａＡｓ基体より成る化合物半導体基
体１を用意する。この半導体基体１はその一主面１Ｓが
｛１００｝結晶面を有して成り、この主面１Ｓ上に、先
ず〈０１−１〉結晶軸方向、この場合図４の紙面と直交
する方向に延長するリッジ２を形成する。このリッジ２
の幅は、最終的に得る共振器長Ｌをもって構成し、また
リッジ２の両側の溝１２の底面１２Ｓは、主面１Ｓと同
様に｛１００｝結晶面とする。そして矢印ｄで示す〈０
１−１〉結晶軸方向に延びる側面２Ａ及び２Ｂと底面１
２Ｓ即ち｛１００｝結晶面との挟む角度θA 及びθB を
５４．７°として、即ち各側面２Ａ及び２Ｂを｛１１
１｝Ｂ結晶面として形成する。この形成方法としては、
例えばリッジ２上にフォトレジスト等のマスク層を形成
した後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の異方性
エッチングを斜め方向から２回行うことにより形成する
ことができる。
【００１３】そして、このリッジ２上を覆って全面的
に、通常の気相成長法即ちメチル系の有機金属、即ち例
えばトリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、ア
ルシンを原料ガスとして用いたＭＯＣＶＤ法（有機金属
による化学的気相成長法）によって、図１に示すよう
に、例えばｎ型のＧａＡｓより成るバッファ層３、ｎ型
のＡｌＧａＡｓ等より成る第１のクラッド層４、ＧａＡ
ｓ等より成る活性層５、第２導電型の例えばｐ型のＡｌ
ＧａＡｓ等より成る第２のクラッド層６、更にｐ型のＧ
ａＡｓ等より成るキャップ層７を順次エピタキシャル成
長し、更に図示しないがこのキャップ層７上と化合物半
導体基体１の裏面とにそれぞれ対向電極をオーミックに
被着して、本発明半導体レーザ１０を得ることができ
る。
に、通常の気相成長法即ちメチル系の有機金属、即ち例
えばトリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、ア
ルシンを原料ガスとして用いたＭＯＣＶＤ法（有機金属
による化学的気相成長法）によって、図１に示すよう
に、例えばｎ型のＧａＡｓより成るバッファ層３、ｎ型
のＡｌＧａＡｓ等より成る第１のクラッド層４、ＧａＡ
ｓ等より成る活性層５、第２導電型の例えばｐ型のＡｌ
ＧａＡｓ等より成る第２のクラッド層６、更にｐ型のＧ
ａＡｓ等より成るキャップ層７を順次エピタキシャル成
長し、更に図示しないがこのキャップ層７上と化合物半
導体基体１の裏面とにそれぞれ対向電極をオーミックに
被着して、本発明半導体レーザ１０を得ることができ
る。
【００１４】このとき、各層３〜７はリッジ２上と溝１
２内とに分断して成長する。溝１２内においては、｛１
１１｝Ｂ結晶面より成る側面２Ａ及び２Ｂ上にはエピタ
キシャル成長が生じにくいことから、溝１２の底面上
に、主面１Ｓと平行に層状に各層が成長することとな
る。そしてリッジ２上においては、縁部２Ｃ及び２Ｄか
ら延びる面が、主面１Ｓと直交し、矢印ｄで示す〈０１
−１〉結晶軸方向に延びる｛１１０｝結晶面を構成しな
がら成長し、これにより端面８が構成される。
２内とに分断して成長する。溝１２内においては、｛１
１１｝Ｂ結晶面より成る側面２Ａ及び２Ｂ上にはエピタ
キシャル成長が生じにくいことから、溝１２の底面上
に、主面１Ｓと平行に層状に各層が成長することとな
る。そしてリッジ２上においては、縁部２Ｃ及び２Ｄか
ら延びる面が、主面１Ｓと直交し、矢印ｄで示す〈０１
−１〉結晶軸方向に延びる｛１１０｝結晶面を構成しな
がら成長し、これにより端面８が構成される。
【００１５】即ち本発明半導体レーザ１０においては、
劈開によらずに、一連のＭＯＣＶＤ法によってその供給
する原料ガスを切り換えることによって１作業即ち１回
の結晶成長で共振器長端面が形成されるため、モノリシ
ックに集積してＯＥＩＣを構成することが可能となり、
また結晶成長後のエッチングを行わずにこの端面を形成
し得るため、結晶性の劣化を招くことがなく、信頼性の
向上をはかることができる。
劈開によらずに、一連のＭＯＣＶＤ法によってその供給
する原料ガスを切り換えることによって１作業即ち１回
の結晶成長で共振器長端面が形成されるため、モノリシ
ックに集積してＯＥＩＣを構成することが可能となり、
また結晶成長後のエッチングを行わずにこの端面を形成
し得るため、結晶性の劣化を招くことがなく、信頼性の
向上をはかることができる。
【００１６】またこの場合、各層３〜７の境界面は、リ
ッジ２の中央部においては主面１Ｓと平行に層状に構成
されるが、特にその成長温度を比較的高く保つことによ
って、リッジ２の縁部２Ｃ及び２Ｄの近傍において、主
面１Ｓと約５４．７°をなす｛１１１｝Ａ結晶面より成
る斜面９を生じながら形成される。従ってこの場合、活
性層５の共振器長方向の両端部が、これより屈折率の小
さいクラッド層この場合第２のクラッド層６により覆わ
れて、窓領域１１が形成されることとなる。
ッジ２の中央部においては主面１Ｓと平行に層状に構成
されるが、特にその成長温度を比較的高く保つことによ
って、リッジ２の縁部２Ｃ及び２Ｄの近傍において、主
面１Ｓと約５４．７°をなす｛１１１｝Ａ結晶面より成
る斜面９を生じながら形成される。従ってこの場合、活
性層５の共振器長方向の両端部が、これより屈折率の小
さいクラッド層この場合第２のクラッド層６により覆わ
れて、窓領域１１が形成されることとなる。
【００１７】このようにレーザ発光部の共振器長を規制
する端面部分に、活性層よりも屈折率の小さい即ちエネ
ルギーギャップの大なる層でカバーするいわゆる窓領域
を設ける場合は、この端面における光吸収を抑制して端
面劣化を防ぎ、半導体レーザの信頼性の向上及び高出力
化をはかることができる。
する端面部分に、活性層よりも屈折率の小さい即ちエネ
ルギーギャップの大なる層でカバーするいわゆる窓領域
を設ける場合は、この端面における光吸収を抑制して端
面劣化を防ぎ、半導体レーザの信頼性の向上及び高出力
化をはかることができる。
【００１８】尚、ＭＯＣＶＤ法によるエピタキシャル成
長の際に、比較的低い成長温度をもって形成した場合
は、図５に示すように、各層がリッジ２の縁部２Ｃ近傍
において｛１１１｝Ａ結晶面より成る斜面を形成するこ
となく、｛１１０｝結晶面より成る端面８に向かって各
層３〜７が主面１Ｓに沿って層状に形成される。しかし
ながら、端面劣化を回避し、高出力化をはかるために
は、成長温度を比較的高く保持して、上述の窓構造を形
成することが望ましい。
長の際に、比較的低い成長温度をもって形成した場合
は、図５に示すように、各層がリッジ２の縁部２Ｃ近傍
において｛１１１｝Ａ結晶面より成る斜面を形成するこ
となく、｛１１０｝結晶面より成る端面８に向かって各
層３〜７が主面１Ｓに沿って層状に形成される。しかし
ながら、端面劣化を回避し、高出力化をはかるために
は、成長温度を比較的高く保持して、上述の窓構造を形
成することが望ましい。
【００１９】また、リッジ２の側面２Ａ及び２Ｂと底面
１２Ｓ即ち｛１００｝結晶面とが挟む角度θA 及びθB
は、上述の例においては５４．７°としたが、５４．７
°以下であれば良い。しかしながら５４．７°を越える
場合には、溝１２の底面１２Ｓから側面２Ａ及び２Ｂを
介してリッジ２上の主面１Ｓにかけて連続的に各層がエ
ピタキシャル成長されるため、端面８が形成されない。
従って、本発明においてはこの角度を５４．７°以下と
するものである。
１２Ｓ即ち｛１００｝結晶面とが挟む角度θA 及びθB
は、上述の例においては５４．７°としたが、５４．７
°以下であれば良い。しかしながら５４．７°を越える
場合には、溝１２の底面１２Ｓから側面２Ａ及び２Ｂを
介してリッジ２上の主面１Ｓにかけて連続的に各層がエ
ピタキシャル成長されるため、端面８が形成されない。
従って、本発明においてはこの角度を５４．７°以下と
するものである。
【００２０】また更に、本発明は上述の実施例に限るこ
となく、例えば上述の例とは逆の導電型として構成した
り、またＩｎＰ系化合物半導体を用いて構成する等、そ
の他種々の材料構成の半導体レーザに適用することがで
きる。
となく、例えば上述の例とは逆の導電型として構成した
り、またＩｎＰ系化合物半導体を用いて構成する等、そ
の他種々の材料構成の半導体レーザに適用することがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】上述したように、本発明半導体レーザに
よれば、劈開によらずに共振器端面を構成することがで
き、短共振器化によるしきい値電流の低減化をはかるこ
とができ、またモノリシックに集積してＯＥＩＣを構成
することが可能となる。また、結晶成長後のエッチング
を行わずに１回の結晶成長により形成することができる
ため、各層を良好な結晶性をもって構成することができ
て、信頼性の向上をはかることができる。
よれば、劈開によらずに共振器端面を構成することがで
き、短共振器化によるしきい値電流の低減化をはかるこ
とができ、またモノリシックに集積してＯＥＩＣを構成
することが可能となる。また、結晶成長後のエッチング
を行わずに１回の結晶成長により形成することができる
ため、各層を良好な結晶性をもって構成することができ
て、信頼性の向上をはかることができる。
【００２２】また特に比較的高い成長温度として各層が
形成される場合には、活性層５の両端面に窓領域１１が
形成されるため、この端面における光吸収を抑制して端
面劣化を防ぎ、半導体レーザの信頼性の向上及び高出力
化をはかることができる。
形成される場合には、活性層５の両端面に窓領域１１が
形成されるため、この端面における光吸収を抑制して端
面劣化を防ぎ、半導体レーザの信頼性の向上及び高出力
化をはかることができる。
【図１】本発明半導体レーザの一例の略線的拡大断面図
である。
である。
【図２】本発明半導体レーザの他の例の要部の略線的拡
大断面図である。
大断面図である。
【図３】本発明半導体レーザの他の例の要部の略線的拡
大断面図である。
大断面図である。
【図４】本発明半導体レーザの一例の一製造工程図であ
る。
る。
【図５】本発明半導体レーザの他の例の一製造工程図で
ある。
ある。
１ 化合物半導体基体 ２ リッジ ２Ａ 側面 ２Ｂ 側面 ２Ｃ 縁部 ２Ｄ 縁部 ３ バッファ層 ４ 第１のクラッド層 ５ 活性層 ６ 第２のクラッド層 ７ キャップ層 ８ 端面 ９ 斜面 １０ 半導体レーザ １１ 窓領域
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体基体の｛１００｝結晶面上
に、〈０１−１〉結晶軸方向に延長するリッジが形成さ
れ、 上記リッジの側面と上記｛１００｝結晶面との挟む角度
が５４．７°以下とされ、 上記リッジの上に少なくとも第１のクラッド層、活性
層、第２のクラッド層が形成され、 上記リッジの縁部から延びる｛１１０｝結晶面より成る
端面を共振器端面とすることを特徴とする半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035151A JP3049916B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035151A JP3049916B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235467A true JPH05235467A (ja) | 1993-09-10 |
| JP3049916B2 JP3049916B2 (ja) | 2000-06-05 |
Family
ID=12433903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4035151A Expired - Fee Related JP3049916B2 (ja) | 1992-02-21 | 1992-02-21 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3049916B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113612108A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-11-05 | 上海交通大学 | 一种基于斜切非线性晶体脊型波导的频率转换器及其制备方法 |
-
1992
- 1992-02-21 JP JP4035151A patent/JP3049916B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113612108A (zh) * | 2021-08-03 | 2021-11-05 | 上海交通大学 | 一种基于斜切非线性晶体脊型波导的频率转换器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3049916B2 (ja) | 2000-06-05 |
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