JPH05234907A - ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板の製造方法 - Google Patents
ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05234907A JPH05234907A JP6967292A JP6967292A JPH05234907A JP H05234907 A JPH05234907 A JP H05234907A JP 6967292 A JP6967292 A JP 6967292A JP 6967292 A JP6967292 A JP 6967292A JP H05234907 A JPH05234907 A JP H05234907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaas
- diffusion
- growth
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Si単結晶基板からのSi原子のGaAs層への拡散
を抑止でき、電気的特性に優れたGaAs基板を提供する。 【構成】 GaAs基板は、Si単結晶基板１上に、低温(450
〜500 ℃) にて成長させた低温成長GaAs層２，Si原子の
拡散を抑止するためのAlx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)拡散
抑止層３，高温(700〜750 ℃) にて成長させた高温成長
GaAs層４をこの順に積層させた構成をなす。Alx Ga1-x
As層３はGa空孔濃度が低く、この層によりSi原子の拡散
が抑止される。Alx Ga1-x As層３は、MOCVD 法を用い
て、原料ガスのアルシン／トリメチルガリウムの圧力比
を10以下とし、成長温度650 ℃以下にて成長させる。
を抑止でき、電気的特性に優れたGaAs基板を提供する。 【構成】 GaAs基板は、Si単結晶基板１上に、低温(450
〜500 ℃) にて成長させた低温成長GaAs層２，Si原子の
拡散を抑止するためのAlx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)拡散
抑止層３，高温(700〜750 ℃) にて成長させた高温成長
GaAs層４をこの順に積層させた構成をなす。Alx Ga1-x
As層３はGa空孔濃度が低く、この層によりSi原子の拡散
が抑止される。Alx Ga1-x As層３は、MOCVD 法を用い
て、原料ガスのアルシン／トリメチルガリウムの圧力比
を10以下とし、成長温度650 ℃以下にて成長させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Si単結晶基板上にGaAs
をエピタキシャル成長させてなり、発光デバイス, 高速
電子デバイス等における半導体基板として使用されるGa
As基板及びその製造方法に関する。
をエピタキシャル成長させてなり、発光デバイス, 高速
電子デバイス等における半導体基板として使用されるGa
As基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種の半導体装置における半導体基板と
して、Si単結晶基板上に異種の半導体層をヘテロエピタ
キシャル成長させて積層させた基板が使用されている。
このような基板の１つとして、Si単結晶基板上にGaAsを
エピタキシャル成長させてなるGaAs基板が広汎に利用さ
れている。そして、GaAsのエピタキシャル成長には、有
機金属化学気相成長法（MOCVD 法：Metalorganic Chemi
cal Vapor Deposition)を用いることが一般的である。
して、Si単結晶基板上に異種の半導体層をヘテロエピタ
キシャル成長させて積層させた基板が使用されている。
このような基板の１つとして、Si単結晶基板上にGaAsを
エピタキシャル成長させてなるGaAs基板が広汎に利用さ
れている。そして、GaAsのエピタキシャル成長には、有
機金属化学気相成長法（MOCVD 法：Metalorganic Chemi
cal Vapor Deposition)を用いることが一般的である。
【０００３】Si単結晶基板上にGaAsをエピタキシャル成
長させる場合には、４％の異なる格子不整が存在するの
で、GaAs基板を製造する際には、GaAsの成長温度を２段
階とする２段階成長法が従来から採用されている。図５
は、このような２段階成長法により製造された従来のGa
As基板の構造を示す断面図、図６は、このような２段階
成長法における成長シーケンスを示す図である。以下、
両図を参照して、従来例について説明する。
長させる場合には、４％の異なる格子不整が存在するの
で、GaAs基板を製造する際には、GaAsの成長温度を２段
階とする２段階成長法が従来から採用されている。図５
は、このような２段階成長法により製造された従来のGa
As基板の構造を示す断面図、図６は、このような２段階
成長法における成長シーケンスを示す図である。以下、
両図を参照して、従来例について説明する。
【０００４】図５において、11はSi単結晶基板を示し、
Si単結晶基板11上には、低温にて成長させたGaAs層12
（以下低温成長層12という）及び高温にて成長させたGa
As層14（以下高温成長層14という）がこの順に積層され
ている。このようなGaAs基板を製造する場合には、ま
ず、Si単結晶基板11を1000℃程度に昇温して表面をクリ
ーニングした後、トリメチルガリウム（TMG)ガス及びア
ルシン（ＡｓＨ3 ）ガスを流して、450 ℃程度の低温に
てSi単結晶基板11上に低温成長層12を成長させる。その
後、基板温度を750 ℃程度の高温として低温成長層12上
に高温成長層14を成長させる。
Si単結晶基板11上には、低温にて成長させたGaAs層12
（以下低温成長層12という）及び高温にて成長させたGa
As層14（以下高温成長層14という）がこの順に積層され
ている。このようなGaAs基板を製造する場合には、ま
ず、Si単結晶基板11を1000℃程度に昇温して表面をクリ
ーニングした後、トリメチルガリウム（TMG)ガス及びア
ルシン（ＡｓＨ3 ）ガスを流して、450 ℃程度の低温に
てSi単結晶基板11上に低温成長層12を成長させる。その
後、基板温度を750 ℃程度の高温として低温成長層12上
に高温成長層14を成長させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したような２段階
成長法では、750 ℃程度の高温にて高温成長層14を成長
させるので、形成される高温成長層14においてGa空孔濃
度が高くなる。この結果、Si単結晶基板11内のSi原子が
GaAs層へ容易に拡散し、Ga原子と置換してドナーとして
動作するので、GaAs層の電気特性が劣化するという問題
点がある（日経マイクロデバイス1986年１月号，pp.113
〜127)。このようなSi原子の拡散を抑止するためには、
成長温度を低温化が有効であるが、MOCVD 法を用いて高
温成長層14を成長させる場合には、700 ℃以下での成長
は好ましくなく、700 〜750 ℃程度での成長工程は避け
られない。
成長法では、750 ℃程度の高温にて高温成長層14を成長
させるので、形成される高温成長層14においてGa空孔濃
度が高くなる。この結果、Si単結晶基板11内のSi原子が
GaAs層へ容易に拡散し、Ga原子と置換してドナーとして
動作するので、GaAs層の電気特性が劣化するという問題
点がある（日経マイクロデバイス1986年１月号，pp.113
〜127)。このようなSi原子の拡散を抑止するためには、
成長温度を低温化が有効であるが、MOCVD 法を用いて高
温成長層14を成長させる場合には、700 ℃以下での成長
は好ましくなく、700 〜750 ℃程度での成長工程は避け
られない。
【０００６】本発明は斯かる事情に鑑みてなされたもの
であり、Si原子の拡散を抑止する効果がある拡散抑止層
を低温成長層と高温成長層との間に挿入することによ
り、Si単結晶基板からのSi原子の拡散を抑止でき、GaAs
層の電気特性が劣化しないGaAs基板及びその製造方法を
提供することを目的とする。
であり、Si原子の拡散を抑止する効果がある拡散抑止層
を低温成長層と高温成長層との間に挿入することによ
り、Si単結晶基板からのSi原子の拡散を抑止でき、GaAs
層の電気特性が劣化しないGaAs基板及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るGaAs基板
は、Si単結晶基板上にGaAs層を有するGaAs基板におい
て、前記Si単結晶基板上に、低温成長により形成した第
１のGaAs層と、Alx Ga1-xAs（ｘ＝０〜0.3)拡散抑止層
と、高温成長により形成した第２のGaAs層とをこの順に
積層してなることを特徴とする。
は、Si単結晶基板上にGaAs層を有するGaAs基板におい
て、前記Si単結晶基板上に、低温成長により形成した第
１のGaAs層と、Alx Ga1-xAs（ｘ＝０〜0.3)拡散抑止層
と、高温成長により形成した第２のGaAs層とをこの順に
積層してなることを特徴とする。
【０００８】本発明に係るGaAs基板の製造方法は、有機
金属化学気相成長法を用いてSi単結晶基板上に拡散抑止
層を介して２層のGaAsを成長させて、GaAs基板を製造す
る方法であって、前記拡散抑止層はＶ族原料圧力／III
族原料圧力の比を10以下として第１のGaAs層上に成長温
度650 ℃以下にてAlx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)層を成長
させ、しかる後第２のGaAs層を成長させることを特徴と
する。
金属化学気相成長法を用いてSi単結晶基板上に拡散抑止
層を介して２層のGaAsを成長させて、GaAs基板を製造す
る方法であって、前記拡散抑止層はＶ族原料圧力／III
族原料圧力の比を10以下として第１のGaAs層上に成長温
度650 ℃以下にてAlx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)層を成長
させ、しかる後第２のGaAs層を成長させることを特徴と
する。
【０００９】
【作用】第１発明のGaAs基板では、低温にて成長させた
GaAs層と高温にて成長させたGaAs層との間に、拡散抑止
層としてAlx Ga1-x As層を挿入している。GaAs層中への
Si原子の拡散は、Ga空孔濃度と関係しており、Ga空孔濃
度が低いほどその拡散は少なくなる。従って、第１発明
のようにGaより蒸気圧が低いAlを含むAlx Ga1-xAs層を
挿入することにより、III 族原子空孔が少なくなってGa
空孔濃度は低くなり、この層においてSi原子の拡散が抑
制される。挿入するAlx Ga1-x As層におけるAlの割合の
上限値はｘ＝0.3 とする。なぜなら、これ以上にする
と、拡散されたSi原子がAlx Ga1-x As層内でDXセンター
を形成し、電気特性が劣化するからである。
GaAs層と高温にて成長させたGaAs層との間に、拡散抑止
層としてAlx Ga1-x As層を挿入している。GaAs層中への
Si原子の拡散は、Ga空孔濃度と関係しており、Ga空孔濃
度が低いほどその拡散は少なくなる。従って、第１発明
のようにGaより蒸気圧が低いAlを含むAlx Ga1-xAs層を
挿入することにより、III 族原子空孔が少なくなってGa
空孔濃度は低くなり、この層においてSi原子の拡散が抑
制される。挿入するAlx Ga1-x As層におけるAlの割合の
上限値はｘ＝0.3 とする。なぜなら、これ以上にする
と、拡散されたSi原子がAlx Ga1-x As層内でDXセンター
を形成し、電気特性が劣化するからである。
【００１０】第２発明では、第１発明のGaAs基板を製造
すべく、MOCVD 法を用いて、650 ℃以下の成長温度と
し、トリメチルガリウムに対するアルシンの比（Ｖ／II
I 比）を10以下として、Alx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)層
を成長させる。650 ℃より高い成長温度では、Ga原子が
再蒸発を起こしてGa空孔が多い結晶となるが、650 ℃以
下の成長温度では、再蒸発は起こらずにGa空孔濃度は低
い。また、原料ガス圧力のＶ／III 比を10以下とするの
で、Ga空孔濃度は更に低くなる。
すべく、MOCVD 法を用いて、650 ℃以下の成長温度と
し、トリメチルガリウムに対するアルシンの比（Ｖ／II
I 比）を10以下として、Alx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)層
を成長させる。650 ℃より高い成長温度では、Ga原子が
再蒸発を起こしてGa空孔が多い結晶となるが、650 ℃以
下の成長温度では、再蒸発は起こらずにGa空孔濃度は低
い。また、原料ガス圧力のＶ／III 比を10以下とするの
で、Ga空孔濃度は更に低くなる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
いて具体的に説明する。
いて具体的に説明する。
【００１２】図１は、本発明に係るGaAs基板の構造を示
す断面図であり、１はSi単結晶基板を示す。Si単結晶基
板１上には、低温にて成長させたGaAs層２（以下低温成
長層２という）、Si単結晶基板１からのSi原子の拡散を
抑止するAlx Ga1-x As層（ｘ＝０〜0.3)３（以下拡散抑
止層３という）及び高温にて成長させたGaAs層４（以下
高温成長層４という）がこの順に積層されている。
す断面図であり、１はSi単結晶基板を示す。Si単結晶基
板１上には、低温にて成長させたGaAs層２（以下低温成
長層２という）、Si単結晶基板１からのSi原子の拡散を
抑止するAlx Ga1-x As層（ｘ＝０〜0.3)３（以下拡散抑
止層３という）及び高温にて成長させたGaAs層４（以下
高温成長層４という）がこの順に積層されている。
【００１３】このようなGaAs基板を製造する方法を、そ
の成長シーケンスを示す図２を参照して説明する。本実
施例では、Si単結晶基板１として、(100) から(011) 方
向に２°オフしたSi基板を使用し、原料ガスはトリメチ
ルガリウム（TMG)及びアルシン（ＡｓＨ3 ）を使用し、
成長方法はMOCVD 法を利用する。
の成長シーケンスを示す図２を参照して説明する。本実
施例では、Si単結晶基板１として、(100) から(011) 方
向に２°オフしたSi基板を使用し、原料ガスはトリメチ
ルガリウム（TMG)及びアルシン（ＡｓＨ3 ）を使用し、
成長方法はMOCVD 法を利用する。
【００１４】まず、Si単結晶基板１を1000℃程度に昇温
して表面をクリーニングした後、TMG ガス及びアルシン
ガスを流して、450 ℃程度の低温にてSi単結晶基板１上
に厚さ20nmの低温成長層２を成長させる。このときの、
原料ガス圧力のＶ／III 比は70である。次に、基板温度
を650 ℃程度に昇温し、原料ガス圧力のＶ／III 比を10
にして、低温成長層２上に厚さ0.3 μm の拡散抑止層３
を成長させる。次に、基板温度を750 ℃程度の高温と
し、原料ガス圧力のＶ／III 比を70として、拡散抑止層
３上に厚さ2.7 μm の高温成長層４を成長させる。
して表面をクリーニングした後、TMG ガス及びアルシン
ガスを流して、450 ℃程度の低温にてSi単結晶基板１上
に厚さ20nmの低温成長層２を成長させる。このときの、
原料ガス圧力のＶ／III 比は70である。次に、基板温度
を650 ℃程度に昇温し、原料ガス圧力のＶ／III 比を10
にして、低温成長層２上に厚さ0.3 μm の拡散抑止層３
を成長させる。次に、基板温度を750 ℃程度の高温と
し、原料ガス圧力のＶ／III 比を70として、拡散抑止層
３上に厚さ2.7 μm の高温成長層４を成長させる。
【００１５】本発明のGaAs基板では、低温成長層２と高
温成長層４との間にGa空孔濃度が低い拡散抑止層３が存
在しているので、この拡散抑止層３における低いGa空孔
濃度の影響を受けて、Si単結晶基板１からのSi原子の拡
散は抑制される。この結果、Si原子の拡散に伴うGaAs層
の電気的特性の劣化が防止され、電気的特性に優れたGa
As基板を提供できる。
温成長層４との間にGa空孔濃度が低い拡散抑止層３が存
在しているので、この拡散抑止層３における低いGa空孔
濃度の影響を受けて、Si単結晶基板１からのSi原子の拡
散は抑制される。この結果、Si原子の拡散に伴うGaAs層
の電気的特性の劣化が防止され、電気的特性に優れたGa
As基板を提供できる。
【００１６】従来の２段階成長法にて製造したGaAs基板
と、本発明の３段階成長法にて製造したGaAs基板とにお
けるSi原子の拡散の程度を図３に示す。図３において、
横軸は成長温度、縦軸はSi，GaAsの界面からSi濃度が１
×1017cm-3になるまでの距離（Si拡散長）を示してい
る。なお、Si濃度は二次イオン質量分析器(SIMS)にて測
定した。図３において、Ａは本発明例を示しており、成
長温度650 ℃にて拡散抑止層３を成長させた場合を表し
ている。また、Ｂは本発明の比較例を示しており、成長
温度680 ℃にて拡散抑止層３を成長させた場合を表して
いる。更に、Ｃは従来例を示しており、拡散抑止層３を
設けることなく成長温度750 ℃にて高温成長層14を成長
させた場合を表している。本発明例ではSi拡散長が0.2
μm であり、比較例, 従来例（何れもSi拡散長が0.4 μ
m 以上）に比べて著しくSi原子の拡散が抑制されている
ことがわかる。
と、本発明の３段階成長法にて製造したGaAs基板とにお
けるSi原子の拡散の程度を図３に示す。図３において、
横軸は成長温度、縦軸はSi，GaAsの界面からSi濃度が１
×1017cm-3になるまでの距離（Si拡散長）を示してい
る。なお、Si濃度は二次イオン質量分析器(SIMS)にて測
定した。図３において、Ａは本発明例を示しており、成
長温度650 ℃にて拡散抑止層３を成長させた場合を表し
ている。また、Ｂは本発明の比較例を示しており、成長
温度680 ℃にて拡散抑止層３を成長させた場合を表して
いる。更に、Ｃは従来例を示しており、拡散抑止層３を
設けることなく成長温度750 ℃にて高温成長層14を成長
させた場合を表している。本発明例ではSi拡散長が0.2
μm であり、比較例, 従来例（何れもSi拡散長が0.4 μ
m 以上）に比べて著しくSi原子の拡散が抑制されている
ことがわかる。
【００１７】また、拡散抑止層３を成長する際に、成長
温度を650 ℃の一定として、原料ガス圧力のＶ／III 比
を変化させた場合のSi原子の拡散の違いを図４に示す。
図４において、横軸は圧力Ｖ／III 比、縦軸はSi拡散長
（図３と同一の定義）を示している。図４において、Ｄ
は本発明例を示しており、圧力Ｖ／III 比を10として拡
散抑止層３を成長させた場合を表している。また、Ｅ，
Ｆは本発明の比較例を示しており、夫々圧力Ｖ／III 比
を30, 70として拡散抑止層３を成長させた場合を表して
いる。本発明例ではSi拡散長が0.2 μm であり、比較
例, 従来例（何れもSi拡散長が0.3 μm 以上）に比べて
著しくSi原子の拡散が抑制されていることがわかる。
温度を650 ℃の一定として、原料ガス圧力のＶ／III 比
を変化させた場合のSi原子の拡散の違いを図４に示す。
図４において、横軸は圧力Ｖ／III 比、縦軸はSi拡散長
（図３と同一の定義）を示している。図４において、Ｄ
は本発明例を示しており、圧力Ｖ／III 比を10として拡
散抑止層３を成長させた場合を表している。また、Ｅ，
Ｆは本発明の比較例を示しており、夫々圧力Ｖ／III 比
を30, 70として拡散抑止層３を成長させた場合を表して
いる。本発明例ではSi拡散長が0.2 μm であり、比較
例, 従来例（何れもSi拡散長が0.3 μm 以上）に比べて
著しくSi原子の拡散が抑制されていることがわかる。
【００１８】なお、原料ガスについて、III 族はトリメ
チルガリウム、Ｖ族はアルシンとしたが、この他にIII
族はトリエチルガリウム、Ｖ族はトリメチルアルシンが
可能である。
チルガリウム、Ｖ族はアルシンとしたが、この他にIII
族はトリエチルガリウム、Ｖ族はトリメチルアルシンが
可能である。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明では、低温にて成
長させたGaAs層と高温にて成長させたGaAs層との間に、
拡散抑止層としてのAlx Ga1-x As層を設けるようにした
ので、Si単結晶基板からのSi原子の拡散を抑制すること
ができ、電気的特性に優れたGaAs基板を提供できる等、
本発明は優れた効果を奏する。
長させたGaAs層と高温にて成長させたGaAs層との間に、
拡散抑止層としてのAlx Ga1-x As層を設けるようにした
ので、Si単結晶基板からのSi原子の拡散を抑制すること
ができ、電気的特性に優れたGaAs基板を提供できる等、
本発明は優れた効果を奏する。
【図１】本発明に係るGaAs基板の構造図である。
【図２】本発明に係るGaAs基板を製造する際の成長シー
ケンス図である。
ケンス図である。
【図３】本発明例と従来例とにおけるSi拡散度の違いを
示すグラフである。
示すグラフである。
【図４】原料ガス圧力のＶ／III 比を変化させた場合の
Si拡散度の違いを示すグラフである。
Si拡散度の違いを示すグラフである。
【図５】従来のGaAs基板の構造図である。
【図６】従来のGaAs基板を製造する際の成長シーケンス
図である。
図である。
１ Si単結晶基板 ２ 低温にて成長させたGaAs層（低温成長層） ３ Alx Ga1-x As層（拡散抑止層） ４ 高温にて成長させたGaAs層（高温成長層）
Claims (2)
- 【請求項１】 Si単結晶基板上にGaAs層を有するGaAs基
板において、前記Si単結晶基板上に、低温成長により形
成した第１のGaAs層と、Alx Ga1-x As（ｘ＝０〜0.3)拡
散抑止層と、高温成長により形成した第２のGaAs層とを
この順に積層してなることを特徴とするGaAs基板。 - 【請求項２】 有機金属化学気相成長法を用いてSi単結
晶基板上に拡散抑止層を介して２層のGaAsを成長させ
て、GaAs基板を製造する方法であって、前記拡散抑止層
はＶ族原料圧力／III 族原料圧力の比を10以下として第
１のGaAs層上に成長温度650 ℃以下にてAlx Ga1-x As
（ｘ＝０〜0.3)層を成長させ、しかる後第２のGaAs層を
成長させることを特徴とするGaAs基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6967292A JPH05234907A (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6967292A JPH05234907A (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234907A true JPH05234907A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=13409577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6967292A Pending JPH05234907A (ja) | 1992-02-18 | 1992-02-18 | ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068483A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-02-18 JP JP6967292A patent/JPH05234907A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068483A (ja) * | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5399522A (en) | Method of growing compound semiconductor | |
| US5760426A (en) | Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13 | |
| US6673149B1 (en) | Production of low defect, crack-free epitaxial films on a thermally and/or lattice mismatched substrate | |
| EP0342937A1 (en) | Manufacturing a semiconductor wafer having a III-V group semiconductor compound layer on a silicon substrate | |
| US3963538A (en) | Two stage heteroepitaxial deposition process for GaP/Si | |
| JP2013058787A (ja) | 高性能／高スループット複数チャンバｍｏｃｖｄ成長装置 | |
| US5356510A (en) | Method for the growing of heteroepitaxial layers | |
| US5107317A (en) | Semiconductor device with first and second buffer layers | |
| JPH05291140A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 | |
| US6339014B1 (en) | Method for growing nitride compound semiconductor | |
| JPH04315419A (ja) | 元素半導体基板上の絶縁膜／化合物半導体積層構造 | |
| US20030027407A1 (en) | Method for producing group III nitride compound semiconductor | |
| EP0388733A1 (en) | Method of fabricating semiconductor devices | |
| KR101041659B1 (ko) | 산화아연 버퍼층을 이용한 질화갈륨 에피층 제조방법 | |
| JPH05234907A (ja) | ＧａＡｓ基板及びＧａＡｓ基板の製造方法 | |
| JP2845464B2 (ja) | 化合物半導体の成長方法 | |
| US5183778A (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| JPH0794409A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH05267175A (ja) | 化合物半導体基板 | |
| KR20040070255A (ko) | 비 ⅲ-ⅴ 기판상의 ⅲ-ⅴ 반도체층 증착방법 | |
| JP3005281B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0573331B2 (ja) | ||
| JP2649928B2 (ja) | 半導体ウエハの製造方法 | |
| KR960004904B1 (ko) | 다공성 실리콘기판위에 갈륨비소를 성장하는 방법 | |
| JPS63194322A (ja) | 化合物半導体基板 |