JPH05229879A - 窒化アルミニウム複合基板 - Google Patents

窒化アルミニウム複合基板

Info

Publication number
JPH05229879A
JPH05229879A JP4070406A JP7040692A JPH05229879A JP H05229879 A JPH05229879 A JP H05229879A JP 4070406 A JP4070406 A JP 4070406A JP 7040692 A JP7040692 A JP 7040692A JP H05229879 A JPH05229879 A JP H05229879A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
metal
composite substrate
substrate
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4070406A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Kaminami
誠治 神波
Hiroshi Takagi
洋 鷹木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4070406A priority Critical patent/JPH05229879A/ja
Publication of JPH05229879A publication Critical patent/JPH05229879A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐ヒートショック性が高く、低価格で、放熱
用の金属部品とも容易に接合させることのできる窒化ア
ルミニウム複合基板を提供する。 【構成】 金属板2の表面上に金属−窒化アルミニウム
混合体膜3を一体に形成する。混合体膜3は金属成分と
窒化アルミニウム成分とからなり、その外側表面では窒
化アルミニウム成分100%、金属板との接合面では金
属成分100%となっており、その間では混合体膜3の
厚み方向に沿って金属成分と窒化アルミニウム成分との
存在比が連続的に変化している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化アルミニウム複合
基板に関する。具体的にいうと、例えばIC用基板のよ
うな回路用基板等として使用することのできる窒化アル
ミニウム複合基板に関する。
【0002】
【背景技術】窒化アルミニウム基板は熱伝導性に優れて
いるので、従来より発熱量の大きい高出力用ICやパワ
ーモジュール用基板として単独で用いられている。
【0003】また、窒化アルミニウム基板の放熱性をよ
り高めるため、窒化アルミニウム基板の表面に放熱用の
金属部品(あるいは、金属板)をろう材により接合させ
た複合体基板も用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化ア
ルミニウム基板は高価であるため、特殊な用途にしか使
用されていなかった。
【0005】また、窒化アルミニウム基板と放熱用金属
部品とをろう材層を介して接合させた複合体基板にあっ
ては、金属−ろう−セラミックの接合構造となるため、
窒化アルミニウム基板と放熱用金属部品の間の熱膨張率
の差が大きく、窒化アルミニウム基板と金属部品の間の
接合部における耐ヒートショック性が低く、ヒートサイ
クル試験によりクラックが発生したり、剥離が生じたり
するという問題があった。
【0006】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、材料コスト
が安価で、かつ、放熱用の金属部品と接合させた時の接
合強度が大きくて接合部の耐ヒートショック性の高い窒
化アルミニウム複合基板を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化アルミニウ
ム複合基板は、金属板とその表面に形成された金属−窒
化アルミニウム混合体膜とから構成された窒化アルミニ
ウム複合基板であって、前記金属−窒化アルミニウム混
合体膜がAl,Ag,Cu,Cr,Niのうち少なくと
も1種以上の金属と窒化アルミニウムからなり、かつ、
金属板との接合面側で金属成分リッチとなると共に外面
側で窒化アルミニウム成分リッチとなるように当該混合
体膜を構成する金属成分と窒化アルミニウム成分の存在
比が当該混合体膜の厚み方向に連続的もしくは段階的に
変化していることを特徴としている。
【0008】
【作用】本発明の窒化アルミニウム複合基板にあって
は、金属−窒化アルミニウム混合体膜の表面が窒化アル
ミニウム成分リッチ(純粋な窒化アルミニウムを含む)
となっているので、この面側では窒化アルミニウム基板
と同様な特性を有している。
【0009】しかも、この窒化アルミニウム複合基板
は、金属材料と窒化アルミニウムとから構成されている
ので、窒化アルミニウム基板と同等かそれ以上の熱伝導
性を有している。さらに、安価な金属を用いることによ
り窒化アルミニウム材料の使用量を減少させることがで
きるので、材料コストを軽減することによって窒化アル
ミニウム基板よりも安価にできる。
【0010】また、金属板の表面に形成されている金属
−窒化アルミニウム混合体膜は、金属板との接合面側が
金属成分リッチ(純粋な金属を含む)となっているの
で、金属板と当該混合体膜との接合面が金属−金属接合
となり、高い接合強度を得ることができる。さらに、金
属−窒化アルミニウム混合体膜における金属成分と窒化
アルミニウム成分の存在比が厚み方向に連続的もしくは
段階的に変化していて、いわゆる傾斜組成を有している
ので、金属−窒化アルミニウム混合体膜中の熱応力を緩
和させることができる。従って、本発明による窒化アル
ミニウム複合基板自体の耐ヒートショック性を高めるこ
とができる。
【0011】また、この窒化アルミニウム複合基板に放
熱用の金属部品をロウ付けする場合には、金属板に放熱
用の金属部品を接合させれば、放熱用の金属部品の接合
を容易にすることができる。さらに、金属板と金属部品
との接合になるので、接合部における熱膨張係数の差が
小さく、熱応力による接合部の破壊が生じなくなる。し
たがって、放熱用の金属部品との複合体の耐ヒートショ
ック性も高めることができる。
【0012】また、この窒化アルミニウム複合基板は、
窒化アルミニウム基板と金属板との複合体基板の代わり
として単独で使用することもできる。
【0013】
【実施例】
(窒化アルミニウム複合基板の構造)図1(a)は本発
明の一実施例による窒化アルミニウム複合基板1を示す
斜視図である。これはAl,Ag,Cu,Cr,Niの
うち少なくとも1種以上の金属からなる金属板2の表面
に金属−窒化アルミニウム混合体膜3を形成したもので
あって、この混合体膜3はAl,Ag,Cu,Cr,N
iのうち少なくとも1種以上の金属と窒化アルミニウム
からなり、かつ、混合体膜3の金属成分と窒化アルミニ
ウム成分とは混合体膜3の厚み方向に傾斜組成を有して
いる。
【0014】図1(b)は上記窒化アルミニウム複合基
板1における金属−窒化アルミニウム混合体膜3の傾斜
組成の一例を示す図であって、横軸tは混合体膜3の外
表面を原点として金属板2側へ向けて測った厚み方向の
距離、縦軸は窒化アルミニウム成分と金属成分の各存在
率(%)を示している。また、厚み方向の距離tを示す
軸においては、t0は混合体膜3と金属板2との接合面
までの距離を示し、Tは金属板2の下面までの距離を表
わしている。図1(b)においては、混合体膜3の表面
(t=0)では窒化アルミニウム成分が100%で金属
成分が0%となっており、金属板2との接合面に向けて
窒化アルミニウム成分の存在率が連続的に減少すると共
に金属成分の存在率が連続的に増加しており、金属板2
との接合面(t=t0)では、金属成分が100%で窒
化アルミニウム成分が0%となっている。この図1
(b)においては、窒化アルミニウム成分と金属成分と
が連続的に変化しているが、両成分の存在率の変化があ
まり急激にならない程度に段階的に(ステップ状に)変
化させてもよい。
【0015】窒化アルミニウム成分は混合体膜3の外表
面から内部へ入ってゆくに従って、100%から次第に
減少してゆくが、図1(b)の実施例では、混合体膜3
の外表面側では窒化アルミニウム成分の減少率が小さ
く、金属板2との接合面近傍で急激に窒化アルミニウム
成分の減少率が大きくなっている。このため、この混合
体膜3の外表面側では、純粋な窒化アルミニウム基板と
同様な物性を有している。例えば、図2は、この窒化ア
ルミニウム複合基板1の電気抵抗率(Ω・m)の変化を
示す図であって、金属板2側では小さな電気抵抗率とな
っているが、混合体膜3の外表面側では窒化アルミニウ
ム基板と同程度の大きな電気抵抗率を示している。同様
な理由により、混合体膜3の外表面に窒化アルミニウム
成分が100%の領域をある程度の厚みに形成した後、
金属板2側に向けて窒化アルミニウム成分を徐々に減少
させてもよい。
【0016】また、図3は上記窒化アルミニウム複合基
板1の厚み方向に沿って、熱伝導率(W・m-1・゜K-1
を測定した結果を示す図であり、窒化アルミニウム複合
基板1は全体にわたってほぼ均一な熱伝導率を有してい
る。従って、この窒化アルミニウム複合基板1は、熱伝
導率及び放熱性の高いセラミック−金属複合材料として
使用することができる。
【0017】さらに、図4は窒化アルミニウム複合基板
1の厚み方向における熱膨張率(deg-1)の変化を測定
した結果を示す図であり、混合体膜3中においては、熱
膨張率は連続的に変化している。したがって、熱膨張率
が急激に変化する層が存在せず、ヒートサイクル等によ
っても混合体膜3にクラックが発生することがない。ま
た、混合体膜3と金属板2との接合面は、金属−金属接
合となっているので、大きな接合強度を得ることがで
き、ヒートサイクル等によって混合体膜3と金属板2と
の間に剥離が生じることもない。
【0018】上記のように金属板2の上に金属−窒化ア
ルミニウム混合体膜3を形成された窒化アルミニウム基
板は、そのまま単独で回路用基板等の用途に用いてもよ
いが、放熱用の金属部品と接合した複合体として用いて
も良い。放熱用の金属部品と接合して用いる場合にも、
金属板2に放熱用金属部品をロウ付けすることができる
ので、容易に放熱用金属部品を接合させることができ
る。
【0019】(窒化アルミニウム複合基板の製造方法)
つぎに、上記のような窒化アルミニウム複合基板の製造
方法の一実施例を具体的に説明する。まず、銅板を用意
し、表面粗さが1μm以下となるように表面研磨加工す
る。これをアセトン中で超音波洗浄することにより、混
合体膜を成膜させるための基板とした。
【0020】金属−窒化アルミニウム混合体膜は、HC
D型(hollow-cathode discharge型)のPVD(物理的
蒸着)装置を用いて反応性蒸着法により形成する。この
PVD装置においては、蒸着粒子の蒸発源として純度9
9.9%以上のアルミニウムを用い、反応ガスとして純
度99%の窒素ガスを用意した。つぎに、PVD装置の
チャンバー内におけるアルミニウム蒸気及び窒素ガスが
吹きよせる位置に上記銅板をセットし、チャンバー内を
高真空に排気した後、中空状のHCDガンからアルゴン
ガスを導入し、チャンバー内の真空度が10-1〜10-2
Pa程度になるよう調整した。
【0021】この後、HCDガンと水冷るつぼ間に電圧
を印加して銅板の上にアルミニウム粒子の蒸着を開始さ
せ、アルミニウム膜の成膜速度が0.1μm/min程度に
なるよう、HCDガンと水冷るつぼ間にかかる電圧をP
ID制御(比例積分微分制御)した。
【0022】ついで、銅板上にアルミニウム膜が約1μ
m形成されたところで、チャンバー内へ窒素ガスの導入
を開始した。チャンバー内に窒素ガスが導入されると、
アルミニウム粒子が窒素ガスと反応して窒化アルミニウ
ムを生成し、生成した窒化アルミニウム粒子が銅板の上
に蒸着する。同時に、窒素ガスと反応しなかったアルミ
ニウム粒子はそのまま銅板の上に蒸着する。従って、銅
板の上にはアルミニウムと窒化アルミニウムが混合して
堆積し、アルミニウム−窒化アルミニウム混合体膜が形
成される。しかも、窒素ガスの流量を調整することによ
って生成する窒化アルミニウムの量を調節することがで
きるので、窒素ガスの流量によってアルミニウム成分と
窒化アルミニウム成分との存在率を制御することができ
る。
【0023】窒素ガスの流量は、流量計を用いて図5に
従って調節した。図5の時間は、窒素ガスの導入開始か
ら測った時間であり、窒素ガスの導入後、ガス流量を0
ml/minから0.4ml/min-2の増加率で次第に増加させ、
50分後にガス流量が20ml/min(全アルミニウム粒
子を反応させるのに十分なガス流量)に達したところで
ガス流量を20ml/minに保ち、ガス流量を20ml/min
に保って約10分間経過した後、HCDガンの電圧をオ
フにして混合体膜の形成作業を終了した。こうして銅板
の上にアルミニウム−窒化アルミニウム混合体膜を形成
された窒化アルミニウム複合基板をPCV装置のチャン
バーから取り出した。
【0024】(確認検査)上記のようにして製造された
窒化アルミニウム複合基板にあっては、銅板の上に形成
された混合体膜は、銅板との接合面付近では純粋なアル
ミニウム層となり、外表面近傍では純粋な窒化アルミニ
ウム層となっていると考えられるが、これを確認するた
め、確認検査を行なった。確認検査では、縦・横各50
mm、厚さ1mm(純度99.9%)の銅板を用意し、
この銅板の上に上記製造方法にしたがってアルミニウム
−窒化アルミニウム混合体膜を形成したサンプルを作製
した。
【0025】こうして作製した窒化アルミニウム複合基
板のサンプルを縦・横各40mmのサイズに切り出し、
その切断面のSEM(走査型電子顕微鏡)写真及び光学
顕微鏡写真を撮った。そして、これらの写真の画像解析
を行ってアルミニウム−窒化アルミニウム混合体膜中に
おけるアルミニウムと窒化アルミニウムの体積分率の厚
み方向の変化を調べた。画像解析の結果、混合体膜の厚
みは13μmであって、混合体膜中におけるアルミニウ
ム及び窒化アルミニウムの体積分率の変化は図6のよう
になっていた。但し、図6の横軸に示している膜厚方向
は、混合体膜の銅板との接合面を基準として上方(混合
体膜の外表面側)へ向けて測定したものである。この結
果、窒化アルミニウムの生成が確認されると共に、混合
体膜の上面から下面にかけて窒化アルミニウム成分とア
ルミニウム成分の存在比が連続的に変化していることが
確認された。また、混合体の外側表面では窒化アルミニ
ウム100%となっている。
【0026】こうして目的とする傾斜組成の混合体膜が
作製されていることを確認した後、縦・横各50mm、
厚さ10mmの銅ブロックにNi−Cu−Ti系のロウ
材を用いて当該サンプルの銅板を接合させ、真空中にお
いて900℃に加熱してロウ付けし、ヒートサイクル強
度評価用のサンプルを作製した。
【0027】一方、同様な条件下で、縦・横各50m
m、厚さ10mmの銅ブロックにNi−Cu−Ti系の
ロウ材を用いて縦・横各40mm、厚さ1mmの窒化ア
ルミニウム基板をロウ付けして比較用のサンプルを用意
した。
【0028】ついで、本発明に係る評価用サンプルと比
較用のサンプルを用いてヒートサイクル試験を行なっ
た。ヒートサイクル試験は、図7に示すように、100
℃で30分間保った後、400℃/時の昇温速度で50
0℃まで昇温させ、500℃に30分間保った後、40
0℃/時の降温速度で再び100℃まで温度を下げる工
程を1サイクルとして行なった。
【0029】その場観察により窒化アルミニウム基板の
表面もしくは混合体膜にクラックが発生するまでのサイ
クル回数を調べた結果、比較用のサンプルでは18回で
窒化アルミニウム基板にクラックが発生した。これに対
し、本発明に係る評価用のサンプルでは90回までのサ
イクル数では、クラックは発生しなかった。
【0030】なお、上記製造方法においては、金属板と
混合体膜中の金属成分とは異なる金属材料となっている
が、同じ金属であってもよいのはもちろんである。
【0031】また、上記製造方法においては、アルミニ
ウムと窒化アルミニウムとの混合体膜の作製方法につい
て説明したが、これ以外の金属と窒化アルミニウムとの
混合体膜の製造も可能である。例えば、上記方法におい
て、PVD装置内にアルミニウムとは別なるつぼに窒素
ガスと反応しない第2の金属をセットしておき、この金
属の蒸着粒子を金属板の上に蒸着させ、同時に、アルミ
ニウムの蒸発粒子を活性化された窒素ガスと反応させて
反応生成物の窒化アルミニウム粒子を金属板の上に蒸着
させ、しかも、アルミニウムと第2の金属のそれぞれの
蒸発速度を別々に制御することにより、第2の金属と窒
化アルミニウムとの傾斜組成を実現することができる。
また、別な方法としては、PVD装置を用い、窒化アル
ミニウムを直接に蒸発させ、金属と同時に金属板の上に
蒸着させるようにしてもよい。
【0032】あるいは、高真空中において、金属の蒸発
微粒子と窒化アルミニウムの蒸発微粒子を微粒子搬送用
のガスと共にノズルより金属板の表面に噴射させ、金属
微粒子と窒化アルミニウム微粒子の混合微粒子膜を形成
する、いわゆるガスデポジション法等を用いることも考
えられる。
【0033】
【発明の効果】本発明の窒化アルミニウム複合基板は、
表面で窒化アルミニウム基板と同様な特性を有し、しか
も、窒化アルミニウム基板と同等かそれ以上の熱伝導性
を有しており、さらに、窒化アルミニウム基板よりも安
価にすることができ、例えばすぐれた基板材料として用
いることができる。
【0034】また、混合体膜の金属板との接合面側は金
属成分リッチとなっているので、金属板と当該混合体膜
との接合面が金属−金属接合となり、高い接合強度を得
ることができる。さらに、金属−窒化アルミニウム混合
体膜における金属成分と窒化アルミニウム成分の存在比
が厚み方向に連続的もしくは段階的に変化していて、い
わゆる傾斜組成を有しているので、金属−窒化アルミニ
ウム混合体膜中の熱応力を緩和させることができる。従
って、温度変化等によってもクラックや剥離が生じにく
く耐ヒートショック性の高い複合基板材料を提供するこ
とができる。
【0035】また、この窒化アルミニウム複合基板に放
熱用の金属部品をロウ付けする場合には、金属板に放熱
用の金属部品を接合させれば、放熱用の金属部品の接合
を容易にすることができる。さらに、金属板と金属部品
との接合になるので、接合部における熱膨張係数の差が
小さく、熱応力による接合部の破壊が生じなくなる。し
たがって、放熱用の金属部品との複合体の耐ヒートショ
ック性も高めることができる。
【0036】また、この窒化アルミニウム複合基板は、
窒化アルミニウム基板と金属板との複合基板の代わりと
して単独で使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の一実施例による窒化アルミニ
ウム複合基板を示す斜視図、(b)はこの窒化アルミニ
ウム複合基板中の金属成分と窒化アルミニウム成分との
存在率の変化を示す図である。
【図2】同上の実施例での厚み方向における電気抵抗率
の変化を示す図である。
【図3】同上の実施例での厚み方向における熱伝導率の
変化を示す図である。
【図4】同上の実施例での厚み方向における熱膨張率の
変化を示す図である。
【図5】窒化アルミニウム複合基板の製造方法における
アルミニウム−窒化アルミニウム混合体膜の成膜時にお
ける窒素ガスのガス流量制御の方法を示す図である。
【図6】同上の製造方法によって製作された混合体膜に
おけるアルミニウムと窒化アルミニウムの体積分率の膜
厚方向における変化を示す図である。
【図7】ヒートサイクル試験の方法を示す図である。
【符号の説明】
1 窒化アルミニウム複合基板 2 金属板 3 金属−窒化アルミニウム混合体膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属板とその表面に形成された金属−窒
    化アルミニウム混合体膜とから構成された窒化アルミニ
    ウム複合基板であって、 前記金属−窒化アルミニウム混合体膜がAl,Ag,C
    u,Cr,Niのうち少なくとも1種以上の金属と窒化
    アルミニウムからなり、かつ、金属板との接合面側で金
    属成分リッチとなると共に外面側で窒化アルミニウム成
    分リッチとなるように当該混合体膜を構成する金属成分
    と窒化アルミニウム成分の存在比が当該混合体膜の厚み
    方向に連続的もしくは段階的に変化していることを特徴
    とする窒化アルミニウム複合基板。
JP4070406A 1992-02-19 1992-02-19 窒化アルミニウム複合基板 Pending JPH05229879A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4070406A JPH05229879A (ja) 1992-02-19 1992-02-19 窒化アルミニウム複合基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4070406A JPH05229879A (ja) 1992-02-19 1992-02-19 窒化アルミニウム複合基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05229879A true JPH05229879A (ja) 1993-09-07

Family

ID=13430560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4070406A Pending JPH05229879A (ja) 1992-02-19 1992-02-19 窒化アルミニウム複合基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05229879A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4875284A (en) Process for producing a package for packing semiconductor devices
JP4637819B2 (ja) スパッタリングターゲットを製造するための方法および装置
US4409079A (en) Method of metallizing sintered ceramics
JPH08277171A (ja) 接合体、耐蝕性接合材料および接合体の製造方法
CN105418132A (zh) 一种采用铝或铝合金对氮化铝陶瓷进行直接钎焊的方法
JP2714606B2 (ja) 配線層及びその製法
JP2001223261A (ja) 静電チャック及び静電吸着装置
CN105436643A (zh) 一种氧化铝陶瓷的铝或铝合金直接钎焊方法
JP5549834B2 (ja) 溶射膜及びその製造方法
JPH1150242A (ja) 電極膜形成用Cu系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにCu系電極膜
JPH01293970A (ja) 取付具とその製法ならびに部品接合法
Sommadossi et al. Transmission electron microscopy investigation of the microstructure and chemistry of Si/Cu/In/Cu/Si interconnections
JPH05229879A (ja) 窒化アルミニウム複合基板
JP2590255B2 (ja) セラミックスとの接合性の良い銅材
JPH06128737A (ja) スパッタリングターゲット
Liu et al. Copper bonding silicon nitride substrate using atmosphere plasma spray
Lattner et al. Coevaporation and structuring of titanium–aluminum alloy thin films
JP2000323434A (ja) スパッタターゲット、配線膜および電子部品
JPH02285651A (ja) デバイスの製造方法
JPS6130042A (ja) 半導体素子搭載用基板
JPH0786379A (ja) 半導体製造用サセプタ
JP2600336B2 (ja) 高熱伝導性ic用基材の作製方法
JP2001220251A (ja) ダイヤモンドのメタライズ方法およびダイヤモンドメタライズ部材並びにダイヤモンドメタライズ接合部材
JP2545731B2 (ja) 気相法による金属間化合物被覆複合体の製造方法
JP2666865B2 (ja) 窒化アルミニウムセラミックスのメタライズ法