JPH05225939A - 2次電子検出器 - Google Patents
2次電子検出器Info
- Publication number
- JPH05225939A JPH05225939A JP9227992A JP2799292A JPH05225939A JP H05225939 A JPH05225939 A JP H05225939A JP 9227992 A JP9227992 A JP 9227992A JP 2799292 A JP2799292 A JP 2799292A JP H05225939 A JPH05225939 A JP H05225939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- scintillator
- secondary electron
- voltage
- mcp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 13
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 28
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000012472 biological sample Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 102100021943 C-C motif chemokine 2 Human genes 0.000 description 1
- 101710091439 Major capsid protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構成で、低加速電圧下での試料表面の
帯電を押さえると共に、検出性能を高めることができる
2次電子検出器を実現する。 【構成】 試料2から発生した2次電子は、静電レンズ
電極16,17,MCP10の前面の電極に所定の正の
電圧を印加することによって生じた電場により補集し集
束され、MCP10の前面に焦点が結ばされる。この
際、試料表面上が静電的に負に帯電するので、この帯電
を打ち消すため、静電レンズ電極15に負の電圧が印加
される。MCP10に入射した2次電子は、1万倍以上
に増倍され、コロナリング8に印加された電圧によって
シンチレータ5に向け加速されて入射し、可視域の螢光
に変換される。シンチレータ5によって生じた螢光は、
ライトガイド6を通ってホトマルチプライヤ7に導かれ
光電変換される。
帯電を押さえると共に、検出性能を高めることができる
2次電子検出器を実現する。 【構成】 試料2から発生した2次電子は、静電レンズ
電極16,17,MCP10の前面の電極に所定の正の
電圧を印加することによって生じた電場により補集し集
束され、MCP10の前面に焦点が結ばされる。この
際、試料表面上が静電的に負に帯電するので、この帯電
を打ち消すため、静電レンズ電極15に負の電圧が印加
される。MCP10に入射した2次電子は、1万倍以上
に増倍され、コロナリング8に印加された電圧によって
シンチレータ5に向け加速されて入射し、可視域の螢光
に変換される。シンチレータ5によって生じた螢光は、
ライトガイド6を通ってホトマルチプライヤ7に導かれ
光電変換される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、走査電子顕微鏡を用い
て半導体試料などの観察を行う場合に使用して最適な二
次電子検出器に関する。
て半導体試料などの観察を行う場合に使用して最適な二
次電子検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】走査電子顕微鏡では、試料に電子ビーム
を照射すると共に試料上の電子ビームの照射位置を2次
元的に走査し、その試料への電子ビームの照射によって
発生した2次電子を検出するようにしている。この2次
電子を検出する検出器としては、通常、シンチレータと
このシンチレータの光を光電変換するホトマルチプライ
ヤより構成されている。ところで、半導体デバイスや生
物試料の表面を無蒸着で観察したいという要望が最近強
くなっている。この場合、半導体や絶縁体試料の帯電を
防止するため、試料に照射する電子ビームの加速電圧を
3kV以下とし、かつ、電子ビームのビーム電流をピコ
アンペアオーダーとしている。このような照射電流で発
生する2次電子の信号量は極めて微弱となり、この2次
電子を効率良く集束し、高効率で増幅する検出器が必要
となる。
を照射すると共に試料上の電子ビームの照射位置を2次
元的に走査し、その試料への電子ビームの照射によって
発生した2次電子を検出するようにしている。この2次
電子を検出する検出器としては、通常、シンチレータと
このシンチレータの光を光電変換するホトマルチプライ
ヤより構成されている。ところで、半導体デバイスや生
物試料の表面を無蒸着で観察したいという要望が最近強
くなっている。この場合、半導体や絶縁体試料の帯電を
防止するため、試料に照射する電子ビームの加速電圧を
3kV以下とし、かつ、電子ビームのビーム電流をピコ
アンペアオーダーとしている。このような照射電流で発
生する2次電子の信号量は極めて微弱となり、この2次
電子を効率良く集束し、高効率で増幅する検出器が必要
となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の2次電
子検出器は、前段のシンチレータにおける2次電子のエ
ネルギを可視光に変換する効率が3〜4%と低く、感度
が1桁以上も不足する。また、2次電子を効率良くシン
チレータに導くため、シンチレータに高電圧(9±3k
V)を印加するが、この高電圧で作られる電場は、その
張り出しが容易に制御できないためにこの電場により試
料表面の帯電を引き起こすことになる。また、対物レン
ズの作動距離の違いや、1次電子ビームの走査にともな
い電子ビームの試料上の照射点と2次電子検出器との距
離の変化に対して、シンチレータを常時適切な入射2次
電子分布で光らせることが困難であり、2次電子検出損
失が大きく、2次電子像にむらが生じやすいという欠点
も有している。
子検出器は、前段のシンチレータにおける2次電子のエ
ネルギを可視光に変換する効率が3〜4%と低く、感度
が1桁以上も不足する。また、2次電子を効率良くシン
チレータに導くため、シンチレータに高電圧(9±3k
V)を印加するが、この高電圧で作られる電場は、その
張り出しが容易に制御できないためにこの電場により試
料表面の帯電を引き起こすことになる。また、対物レン
ズの作動距離の違いや、1次電子ビームの走査にともな
い電子ビームの試料上の照射点と2次電子検出器との距
離の変化に対して、シンチレータを常時適切な入射2次
電子分布で光らせることが困難であり、2次電子検出損
失が大きく、2次電子像にむらが生じやすいという欠点
も有している。
【0004】さらに、試料に照射する電子ビームの加速
電圧を1.5kV以下とすると、その加速電圧を例えば
100V程度変化させた場合、それまでの2次電子の軌
道が変わったり、観察場所の違いによってS/Nの様子
が変わったり、さらには、照射1次電子ビームに新たな
軸外収差の要因を持ち込むことになる。
電圧を1.5kV以下とすると、その加速電圧を例えば
100V程度変化させた場合、それまでの2次電子の軌
道が変わったり、観察場所の違いによってS/Nの様子
が変わったり、さらには、照射1次電子ビームに新たな
軸外収差の要因を持ち込むことになる。
【0005】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、簡単な構成で、低加速電圧下での
試料表面の帯電を押さえると共に、検出性能を高めるこ
とができる2次電子検出器を実現するにある。
もので、その目的は、簡単な構成で、低加速電圧下での
試料表面の帯電を押さえると共に、検出性能を高めるこ
とができる2次電子検出器を実現するにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく2次電子
検出器は、電子の入射によって光を発生するシンチレー
タと、シンチレータの光を光電変換するための光電変換
部と、シンチレータへ電子を引き寄せるための所定の電
圧が印加される電極と、シンチレータの前面に配置さ
れ、試料からの2次電子を増倍するためのマイクロチャ
ンネルプレートとを備えたことを特徴としている。
検出器は、電子の入射によって光を発生するシンチレー
タと、シンチレータの光を光電変換するための光電変換
部と、シンチレータへ電子を引き寄せるための所定の電
圧が印加される電極と、シンチレータの前面に配置さ
れ、試料からの2次電子を増倍するためのマイクロチャ
ンネルプレートとを備えたことを特徴としている。
【0007】
【作用】本発明に基づく2次電子検出器は、マイクロチ
ャンネルプレートで2次電子を増倍し、増倍された電子
をシンチレータに導く。
ャンネルプレートで2次電子を増倍し、増倍された電子
をシンチレータに導く。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図1は、本発明の一実施例を示しており、
1は走査電子顕微鏡の対物レンズである。対物レンズ1
によって細く集束された電子ビームEBは、試料2上に
照射される。図示していないが、試料2上の電子ビーム
の照射位置は、偏向コイルに走査信号を供給することに
より2次元的に走査される。3が試料壁4に取り付けら
れた2次電子検出器であり、電子の入射によって蛍光を
発生するシンチレータ5、シンチレータ5によって発生
した蛍光を導くライトガイド6、ライトガイド6によっ
て導かれた光を光電変換するホトマルチプライヤ7がこ
の検出器に含まれている。8はシンチレータ5の近傍に
設けられたコロナリング、9はコロナリング8に9±3
kVの電圧を与えるための電極である。10はシンチレ
ータ5の前面に配置されたマイクロチャンネルプレート
(MCP)であり、11,12はMCP10の両端に電
圧を印加するためのリード線である。13は2次電子検
出器の外筒であり、コロナリング8による電場の漏洩を
防ぐ働きを有している。また、14はシンチレータ5と
MCP10との間の距離を調整するための調整筒であ
る。調整筒14の先端には3枚の静電レンズ電極15,
16,17が取り付けられており、そのうち、一番外側
に配置された静電レンズ電極15の形状はラッパ状にさ
れている。各静電レンズ電極の間には、絶縁リング1
8,19が設けられている。このような構成の動作を次
に説明する。
に説明する。図1は、本発明の一実施例を示しており、
1は走査電子顕微鏡の対物レンズである。対物レンズ1
によって細く集束された電子ビームEBは、試料2上に
照射される。図示していないが、試料2上の電子ビーム
の照射位置は、偏向コイルに走査信号を供給することに
より2次元的に走査される。3が試料壁4に取り付けら
れた2次電子検出器であり、電子の入射によって蛍光を
発生するシンチレータ5、シンチレータ5によって発生
した蛍光を導くライトガイド6、ライトガイド6によっ
て導かれた光を光電変換するホトマルチプライヤ7がこ
の検出器に含まれている。8はシンチレータ5の近傍に
設けられたコロナリング、9はコロナリング8に9±3
kVの電圧を与えるための電極である。10はシンチレ
ータ5の前面に配置されたマイクロチャンネルプレート
(MCP)であり、11,12はMCP10の両端に電
圧を印加するためのリード線である。13は2次電子検
出器の外筒であり、コロナリング8による電場の漏洩を
防ぐ働きを有している。また、14はシンチレータ5と
MCP10との間の距離を調整するための調整筒であ
る。調整筒14の先端には3枚の静電レンズ電極15,
16,17が取り付けられており、そのうち、一番外側
に配置された静電レンズ電極15の形状はラッパ状にさ
れている。各静電レンズ電極の間には、絶縁リング1
8,19が設けられている。このような構成の動作を次
に説明する。
【0009】試料2の2次電子像を得る場合、対物レン
ズ1によって電子ビームEBが細く集束され、試料2に
照射されると共に電子ビームの照射位置が走査される。
試料2への電子ビームの照射によって発生した2次電子
は、2次電子検出器3によって検出され、図示していな
い陰極線管に検出信号は供給される。さて、試料2に電
子ビームを照射することによって発生した2次電子は、
静電レンズ電極16,17に所定の正の電圧を印加し、
さらにはリード線11によってMCP10の前面の電極
に所定の正の電圧を印加することによって生じた電場に
より補集し集束され、MCP10の前面に焦点を結ばさ
れる。この際、静電レンズ電極16,17、MCP10
の前面の電極に印加された電圧に基づく電場により、試
料表面上が静電的に負に帯電するので、この帯電を打ち
消すため、静電レンズ電極15に負の電圧が印加され
る。MCP10に入射した2次電子は、MCPによって
1万倍以上に増倍される。MCP10によって増倍され
た電子は、コロナリング8に印加された電圧によってシ
ンチレータ5に向け加速され、シンチレータ5に入射し
た電子のエネルギーは、可視域の螢光に変換される。シ
ンチレータ5によって生じた螢光は、ライトガイド6を
通ってホトマルチプライヤ7に導かれ光電変換される。
光電変換された信号は、図示していないがプリアンプ,
メインアンプを経て陰極線管に送られる。
ズ1によって電子ビームEBが細く集束され、試料2に
照射されると共に電子ビームの照射位置が走査される。
試料2への電子ビームの照射によって発生した2次電子
は、2次電子検出器3によって検出され、図示していな
い陰極線管に検出信号は供給される。さて、試料2に電
子ビームを照射することによって発生した2次電子は、
静電レンズ電極16,17に所定の正の電圧を印加し、
さらにはリード線11によってMCP10の前面の電極
に所定の正の電圧を印加することによって生じた電場に
より補集し集束され、MCP10の前面に焦点を結ばさ
れる。この際、静電レンズ電極16,17、MCP10
の前面の電極に印加された電圧に基づく電場により、試
料表面上が静電的に負に帯電するので、この帯電を打ち
消すため、静電レンズ電極15に負の電圧が印加され
る。MCP10に入射した2次電子は、MCPによって
1万倍以上に増倍される。MCP10によって増倍され
た電子は、コロナリング8に印加された電圧によってシ
ンチレータ5に向け加速され、シンチレータ5に入射し
た電子のエネルギーは、可視域の螢光に変換される。シ
ンチレータ5によって生じた螢光は、ライトガイド6を
通ってホトマルチプライヤ7に導かれ光電変換される。
光電変換された信号は、図示していないがプリアンプ,
メインアンプを経て陰極線管に送られる。
【0010】ここで、リード線11からMCP10の前
面に印加される電圧をV1 、リード線12からMCP1
0の後面に印加される電圧をV2 とし、MCP10の最
高感度電子エネルギーをEとすると、V1 とV2 は、次
の関係を有するように決定される。
面に印加される電圧をV1 、リード線12からMCP1
0の後面に印加される電圧をV2 とし、MCP10の最
高感度電子エネルギーをEとすると、V1 とV2 は、次
の関係を有するように決定される。
【0011】V1 <E<V2 通常、Eは400±100Vであり、それゆえ、本発明
の一実施例では、V1 を150±150Vとし、V2 を
1000±300Vとしている。
の一実施例では、V1 を150±150Vとし、V2 を
1000±300Vとしている。
【0012】ところで、MCPの一般的な欠点として、
周波数応答が遅いこと、入射する2次電子量が多いと、
パイルアップすることがよく知られているが、この欠点
は、本実施例において、MCP10をコロナリング8が
作る電場の中に配置し、更には、MCP10の後面とシ
ンチレータ8との間の距離を調整筒14で調整すること
により解決している。また、2次電子のエネルギーは、
数10eV以下であり、MCPではこのようなエネルギ
ーが弱い2次電子の効率的な増幅は困難であると考えら
れてきたが、静電レンズ電極16に600±500Vの
電圧を印加して2次電子の捕捉と集束の役目を持たせ、
更に、電場整形用に静電レンズ電極15に−200〜1
0Vの電圧を印加することで、MCP10に2次電子の
エネルギーを高めて入射させ、MCPにおける2次電子
の効率的な増幅を可能とした。測長目的やコンタクトホ
ール底部の観察・測定の場合例外的に静レンズ15に5
00±500Vをかける場合がある。
周波数応答が遅いこと、入射する2次電子量が多いと、
パイルアップすることがよく知られているが、この欠点
は、本実施例において、MCP10をコロナリング8が
作る電場の中に配置し、更には、MCP10の後面とシ
ンチレータ8との間の距離を調整筒14で調整すること
により解決している。また、2次電子のエネルギーは、
数10eV以下であり、MCPではこのようなエネルギ
ーが弱い2次電子の効率的な増幅は困難であると考えら
れてきたが、静電レンズ電極16に600±500Vの
電圧を印加して2次電子の捕捉と集束の役目を持たせ、
更に、電場整形用に静電レンズ電極15に−200〜1
0Vの電圧を印加することで、MCP10に2次電子の
エネルギーを高めて入射させ、MCPにおける2次電子
の効率的な増幅を可能とした。測長目的やコンタクトホ
ール底部の観察・測定の場合例外的に静レンズ15に5
00±500Vをかける場合がある。
【0013】また、本実施例では、従来の検出器のよう
に、コロナリングの作る電場で直接2次電子を捕捉する
ように構成せず、MCP10の前面に印加される電圧と
補集電極16に印加される電圧を適宜制御し、それらの
作る電場の強さを1次電子ビームの照射電流,加速電
圧,試料表面の電荷量に応じて変化させるように構成し
た。従って、1次電子ビームの加速電圧が変化して2次
電子の軌道が変わっても、それに追随して最適な状態に
制御された電場により、2次電子を適切にMCP10に
導くことができる。そして、各電極に好ましい電圧を印
加することによってMCP10に効率よく2次電子が捕
捉・集束されるようにすると共に、シンチレータ5にお
いては、ある分布をもって十分に光るような電場分布を
形成するようにしている。なお、2次電子の検出効率を
調べるには、検出信号のS/Nの良否や陰極線管上に表
示された2次電子像を観察すれば良い。
に、コロナリングの作る電場で直接2次電子を捕捉する
ように構成せず、MCP10の前面に印加される電圧と
補集電極16に印加される電圧を適宜制御し、それらの
作る電場の強さを1次電子ビームの照射電流,加速電
圧,試料表面の電荷量に応じて変化させるように構成し
た。従って、1次電子ビームの加速電圧が変化して2次
電子の軌道が変わっても、それに追随して最適な状態に
制御された電場により、2次電子を適切にMCP10に
導くことができる。そして、各電極に好ましい電圧を印
加することによってMCP10に効率よく2次電子が捕
捉・集束されるようにすると共に、シンチレータ5にお
いては、ある分布をもって十分に光るような電場分布を
形成するようにしている。なお、2次電子の検出効率を
調べるには、検出信号のS/Nの良否や陰極線管上に表
示された2次電子像を観察すれば良い。
【0014】ここで、各電極に印加される電圧の関係に
ついて述べる。MCP10の前面と後面に印加される電
圧をそれぞれV1 ,V2 、コロナリング8に印加される
電圧をV3 、静電レンズ電極16に印加される電圧をV
4 、静電レンズ電極15に印加される電圧をV5 とする
と、本実施例において、それらの電圧は、次の関係を満
足するように設定されている。
ついて述べる。MCP10の前面と後面に印加される電
圧をそれぞれV1 ,V2 、コロナリング8に印加される
電圧をV3 、静電レンズ電極16に印加される電圧をV
4 、静電レンズ電極15に印加される電圧をV5 とする
と、本実施例において、それらの電圧は、次の関係を満
足するように設定されている。
【0015】
【数1】
【0016】すなわち、2次電子の進行方向から見て、
減速モードで始まり、かつ、軸中心ほどその影響が少な
いという電圧関係が保たれている。なお、上記したMC
P10の両端の電極間の電圧差(V2 −V1 )は、一般
には次のように決定される。すなわち、MCP10の利
得をG、定数をαとすると、利得Gは次の関係となる。
減速モードで始まり、かつ、軸中心ほどその影響が少な
いという電圧関係が保たれている。なお、上記したMC
P10の両端の電極間の電圧差(V2 −V1 )は、一般
には次のように決定される。すなわち、MCP10の利
得をG、定数をαとすると、利得Gは次の関係となる。
【0017】G= exp{(V2 −V1 )・α} MCP10の利得は、イオンフィードバックによるノイ
ズの増大の問題で、上限の利得が制限されるが、これを
βとすると、次の関係を満たす必要がある。
ズの増大の問題で、上限の利得が制限されるが、これを
βとすると、次の関係を満たす必要がある。
【0018】β≧α 通常、市販されているMCPの場合、α=4.54×1
0−3,β=104程度である。従って、MCP10の
両端電極間の電圧差(V1 −V2 )は、次の式を満たす
ように制御される。
0−3,β=104程度である。従って、MCP10の
両端電極間の電圧差(V1 −V2 )は、次の式を満たす
ように制御される。
【0019】 104= exp{(V2 −V1 )×4.54×10−3} (V2 −V1 )=4/4.54×10−3=882V ところで、半導体デバイスや無蒸着生物試料の場合、試
料表面の凹凸が激しく、谷の部分や穴の底部を観察した
い要求が高い。そのため。図2に示した実施例では、2
次電子検出器3は、対物レンズ1の傾斜した側面に沿っ
て取り付けられ、試料2からの2次電子の放出角の低い
位置に配置され、効率良く試料表面の谷の部分や穴の底
部からの2次電子を検出することができる。この実施例
で図1の実施例と同一あるいは類似部分は同一番号が付
されている。なお、半導体デバイスや無蒸着生物試料の
場合、試料自体軽元素で構成されている場合が多く、反
射電子の量も少ないので、反射電子による分解能の低下
は余り生じない。しかしながら、2次電子検出器を2次
電子の放出角の低い位置に取り付けたので、試料から高
い放出角の2次電子の取り込みが悪くなる。そのため、
この実施例では、MCP10の前面にメッシュ電極20
を配置し、このメッシュ電極20に500V程度の電圧
を印加するようにしている。この結果、メッシュ電極2
0による電場に基づき、試料2から低い角度で出射した
2次電子も効率良くMCP10に導くことができる。
尚、このメッシュ電極20は、反射電子のMCP10へ
の入射を防止する効果も有している。
料表面の凹凸が激しく、谷の部分や穴の底部を観察した
い要求が高い。そのため。図2に示した実施例では、2
次電子検出器3は、対物レンズ1の傾斜した側面に沿っ
て取り付けられ、試料2からの2次電子の放出角の低い
位置に配置され、効率良く試料表面の谷の部分や穴の底
部からの2次電子を検出することができる。この実施例
で図1の実施例と同一あるいは類似部分は同一番号が付
されている。なお、半導体デバイスや無蒸着生物試料の
場合、試料自体軽元素で構成されている場合が多く、反
射電子の量も少ないので、反射電子による分解能の低下
は余り生じない。しかしながら、2次電子検出器を2次
電子の放出角の低い位置に取り付けたので、試料から高
い放出角の2次電子の取り込みが悪くなる。そのため、
この実施例では、MCP10の前面にメッシュ電極20
を配置し、このメッシュ電極20に500V程度の電圧
を印加するようにしている。この結果、メッシュ電極2
0による電場に基づき、試料2から低い角度で出射した
2次電子も効率良くMCP10に導くことができる。
尚、このメッシュ電極20は、反射電子のMCP10へ
の入射を防止する効果も有している。
【0020】以上本発明の一実施例を詳述したが、本発
明はこの実施例に限定されない。例えば、MCP10の
前面に配置された静電レンズ電極の枚数や形状、制御電
圧は適宜変更することができる。
明はこの実施例に限定されない。例えば、MCP10の
前面に配置された静電レンズ電極の枚数や形状、制御電
圧は適宜変更することができる。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく2
次電子検出器は、マイクロチャンネルプレートで2次電
子を増倍し、増倍された電子をシンチレータに導くよう
に構成したので、簡単な構成で、低加速電圧下での試料
表面の帯電を押さえると共に、検出性能を高めることが
できる。
次電子検出器は、マイクロチャンネルプレートで2次電
子を増倍し、増倍された電子をシンチレータに導くよう
に構成したので、簡単な構成で、低加速電圧下での試料
表面の帯電を押さえると共に、検出性能を高めることが
できる。
【図1】本発明に基づく2次電子検出器の一実施例を示
す図である。
す図である。
【図2】本発明に基づく2次電子検出器の他の実施例を
示す図である。
示す図である。
1…対物レンズ 2…試料 5…シンチレータ 6…ライトガイド 7…ホトマルチプライヤ 8…コロナリング 10…マイクロチャンネルプレート 13…外筒 14…調整筒 15,16,17…静電レンズ電極
Claims (2)
- 【請求項1】 電子の入射によって光を発生するシンチ
レータと、シンチレータの光を光電変換するための光電
変換部と、シンチレータへ電子を引き寄せるための所定
の電圧が印加される電極と、シンチレータの前面に配置
され、試料からの2次電子を増倍するためのマイクロチ
ャンネルプレートとを備えた2次電子検出器。 - 【請求項2】 マイクロチャンネルプレートの前面にメ
ッシュ電極が配置された請求項1記載の2次電子検出
器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9227992A JPH05225939A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 2次電子検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9227992A JPH05225939A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 2次電子検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05225939A true JPH05225939A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12236322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9227992A Withdrawn JPH05225939A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 2次電子検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05225939A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594310A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-19 | 北京中科科仪股份有限公司 | 高温二次电子探测器收集组件及高温扫描电镜 |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP9227992A patent/JPH05225939A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103594310A (zh) * | 2013-11-22 | 2014-02-19 | 北京中科科仪股份有限公司 | 高温二次电子探测器收集组件及高温扫描电镜 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5997153B2 (ja) | 荷電粒子検出器 | |
JP2919170B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP4482179B2 (ja) | 粒子ビーム装置 | |
US7417235B2 (en) | Particle detector for secondary ions and direct and or indirect secondary electrons | |
EP0689063B1 (en) | Electron detector with high back-scattered electron acceptance for particle beam apparatus | |
EP0970503B1 (en) | Gaseous backscattered electron detector for an environmental scanning electron microscope | |
US6667478B2 (en) | Particle beam apparatus | |
JPH0727556Y2 (ja) | 荷電粒子エネルギ分析装置 | |
JP6736756B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US8952328B2 (en) | Charged particle detector system comprising a conversion electrode | |
US7060978B2 (en) | Detector system for a particle beam apparatus, and particle beam apparatus with such a detector system | |
WO2000031769A2 (en) | Detector configuration for efficient secondary electron collection in microcolumns | |
JPH08138611A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JPH0935679A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JP3244620B2 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
JPH05225939A (ja) | 2次電子検出器 | |
US9613781B2 (en) | Scanning electron microscope | |
JP2002025492A (ja) | 静電ミラーを含む荷電粒子ビーム画像化装置用低プロフィル電子検出器を使用して試料を画像化するための方法および装置 | |
JPH03295141A (ja) | 検出器 | |
JP6690949B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
Tamura et al. | New method of detecting secondary electrons on scanning electron microscope | |
JP3114583B2 (ja) | 二次電子検出装置 | |
US9076629B2 (en) | Particle detection system | |
JP2001110350A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JPS6047358A (ja) | 電子線装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |