JPH05221795A - ＡｘＭｙＴｉ２−ｙＯ４で示される斜方晶系の層状構造板状結晶の製造法 - Google Patents
ＡｘＭｙＴｉ２−ｙＯ４で示される斜方晶系の層状構造板状結晶の製造法Info
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- JPH05221795A JPH05221795A JP5753992A JP5753992A JPH05221795A JP H05221795 A JPH05221795 A JP H05221795A JP 5753992 A JP5753992 A JP 5753992A JP 5753992 A JP5753992 A JP 5753992A JP H05221795 A JPH05221795 A JP H05221795A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状
構造の板状結晶を得る。 【構成】 Ａ2Ｏ(ＡはＫ、Ｒb又はＣs)で示される化合
物と、ＭＯ又はＭ2Ｏ3(ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2
+、Ｆe3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+)で示される化合物
と、ＴiＯ2とを、(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c
(但し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０.１〜２.０)で示される
組成割合に混合したものを結晶原料とし、一方、ＭoＯ3
と、Ａ2Ｏとを、Ａ2Ｏ(ＭoＯ3)d(但し、ｄは０.５〜２.
０)で示される組成割合に混合したものをフラックス原
料とし、該結晶原料とフラックス原料をモル百分率で１
０対９０〜５０対５０の混合物を１１００〜１３００℃
で加熱溶融後１０００〜８００℃まで徐冷して、ＡxＭy
Ｔi2_yＯ4(ｘは０.５〜１.０、ｙは０.２５〜１.０)で
示される斜方晶系の層状構造の板状結晶を得る。 【効果】 陽イオン交換体、陽イオン伝導体、触媒とし
て有用である。
構造の板状結晶を得る。 【構成】 Ａ2Ｏ(ＡはＫ、Ｒb又はＣs)で示される化合
物と、ＭＯ又はＭ2Ｏ3(ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2
+、Ｆe3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+)で示される化合物
と、ＴiＯ2とを、(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c
(但し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０.１〜２.０)で示される
組成割合に混合したものを結晶原料とし、一方、ＭoＯ3
と、Ａ2Ｏとを、Ａ2Ｏ(ＭoＯ3)d(但し、ｄは０.５〜２.
０)で示される組成割合に混合したものをフラックス原
料とし、該結晶原料とフラックス原料をモル百分率で１
０対９０〜５０対５０の混合物を１１００〜１３００℃
で加熱溶融後１０００〜８００℃まで徐冷して、ＡxＭy
Ｔi2_yＯ4(ｘは０.５〜１.０、ｙは０.２５〜１.０)で
示される斜方晶系の層状構造の板状結晶を得る。 【効果】 陽イオン交換体、陽イオン伝導体、触媒とし
て有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式ＡxＭyＴi2_yＯ
4(但し、ＡはＫ、Ｒb又はＣs、ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2
+、Ｃu2+、Ｆe3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+を表わし、
ｘ：０.５〜１.０、ｙ：０．２５〜１.０である、以下
同じ)で示される斜方晶系の層状構造を有する板状結晶
の製造法に関する。該板状結晶は陽イオン交換体、陽イ
オン伝導体、触媒として有用なものである。
4(但し、ＡはＫ、Ｒb又はＣs、ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2
+、Ｃu2+、Ｆe3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+を表わし、
ｘ：０.５〜１.０、ｙ：０．２５〜１.０である、以下
同じ)で示される斜方晶系の層状構造を有する板状結晶
の製造法に関する。該板状結晶は陽イオン交換体、陽イ
オン伝導体、触媒として有用なものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般式
ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状構造を有す
る単結晶は、固相反応による合成法では粉体が得られる
が、板状の単結晶を製造し得たという報告は見られな
い。単結晶で板状のものが得られるならば、イオン交換
材としてそのままの形状で利用し易いこと、イオン導電
体材料としては、層間を２次元的にイオンが移動するた
め板状結晶を積み重ねることにより方位を揃えることが
できる。
ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状構造を有す
る単結晶は、固相反応による合成法では粉体が得られる
が、板状の単結晶を製造し得たという報告は見られな
い。単結晶で板状のものが得られるならば、イオン交換
材としてそのままの形状で利用し易いこと、イオン導電
体材料としては、層間を２次元的にイオンが移動するた
め板状結晶を積み重ねることにより方位を揃えることが
できる。
【０００３】本発明は、上記要請に応えるべく、一般式
ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状構造を有す
る板状の単結晶を製造する方法を提供することを目的と
するものである。
ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状構造を有す
る板状の単結晶を製造する方法を提供することを目的と
するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明者は、板状単結晶を得るべく原料組成、フラ
ックス組成並びに単結晶育成条件について鋭意研究を重
ねた結果、ここに上記単結晶を容易に合成し得る方法を
見い出し、本発明を完成したものである。
め、本発明者は、板状単結晶を得るべく原料組成、フラ
ックス組成並びに単結晶育成条件について鋭意研究を重
ねた結果、ここに上記単結晶を容易に合成し得る方法を
見い出し、本発明を完成したものである。
【０００５】すなわち、本発明は、一般式Ａ2Ｏ(但し、
ＡはＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又は加
熱によりＡ2Ｏに分解される化合物と、一般式ＭＯ又は
Ｍ2Ｏ3(但し、ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2+、Ｆe
3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+を表わす)で示される酸化物
又は加熱によりＭＯ若しくはＭ2Ｏ3に分解される化合物
と、ＴiＯ2又は加熱によりＴiＯ2に分解される化合物と
を、一般式(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但
し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０.１〜２.０である)で示さ
れる組成割合に混合したもの、或いはこれらを固相反応
させたものを結晶原料とし、一方、ＭoＯ3又は加熱によ
りＭoＯ3に分解される化合物と、一般式Ａ2Ｏ(但し、Ａ
はＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又は加熱
によりＡ2Ｏに分解される化合物とを、一般式Ａ2Ｏ(Ｍo
Ｏ3)d(但し、ｄは０.５〜２.０である)で示される組成
割合に混合したものをフラックス原料とし、該結晶原料
とフラックス原料をモル百分率で１０対９０〜５０対５
０の割合で混合した混合物を１１００〜１３００℃で加
熱溶融し、該溶融体を１０００〜８００℃まで徐冷して
板状単結晶に育成することを特徴とする一般式ＡxＭyＴ
i2_yＯ4(但し、ｘは０.５〜１.０、ｙは０.２５〜１.０
である)で示される斜方晶系の層状構造を有する板状結
晶の製造法を要旨とするものである。
ＡはＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又は加
熱によりＡ2Ｏに分解される化合物と、一般式ＭＯ又は
Ｍ2Ｏ3(但し、ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2+、Ｆe
3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+を表わす)で示される酸化物
又は加熱によりＭＯ若しくはＭ2Ｏ3に分解される化合物
と、ＴiＯ2又は加熱によりＴiＯ2に分解される化合物と
を、一般式(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但
し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０.１〜２.０である)で示さ
れる組成割合に混合したもの、或いはこれらを固相反応
させたものを結晶原料とし、一方、ＭoＯ3又は加熱によ
りＭoＯ3に分解される化合物と、一般式Ａ2Ｏ(但し、Ａ
はＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又は加熱
によりＡ2Ｏに分解される化合物とを、一般式Ａ2Ｏ(Ｍo
Ｏ3)d(但し、ｄは０.５〜２.０である)で示される組成
割合に混合したものをフラックス原料とし、該結晶原料
とフラックス原料をモル百分率で１０対９０〜５０対５
０の割合で混合した混合物を１１００〜１３００℃で加
熱溶融し、該溶融体を１０００〜８００℃まで徐冷して
板状単結晶に育成することを特徴とする一般式ＡxＭyＴ
i2_yＯ4(但し、ｘは０.５〜１.０、ｙは０.２５〜１.０
である)で示される斜方晶系の層状構造を有する板状結
晶の製造法を要旨とするものである。
【０００６】以下に本発明における各条件について更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【０００７】
【０００８】結晶原料としては、一般式Ａ2Ｏ(但し、Ａ
はＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又は加熱
によりＡ2Ｏに分解される化合物と、一般式ＭＯ又はＭ2
Ｏ3(但し、ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2+、Ｆe3+、
Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+を表わす)で示される酸化物又は
加熱によりＭＯ若しくはＭ2Ｏ3に分解される化合物と、
ＴiＯ2又は加熱によりＴiＯ2に分解される化合物とを、
一般式(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但し、
ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０.１〜２.０である)で示される
組成割合に混合したもの、或いはこれらを固相反応させ
たものを原料とする。
はＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又は加熱
によりＡ2Ｏに分解される化合物と、一般式ＭＯ又はＭ2
Ｏ3(但し、ＭはＭg2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2+、Ｆe3+、
Ａl3+、Ｇa3+又はＭn3+を表わす)で示される酸化物又は
加熱によりＭＯ若しくはＭ2Ｏ3に分解される化合物と、
ＴiＯ2又は加熱によりＴiＯ2に分解される化合物とを、
一般式(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但し、
ａ、ｂ、ｃはそれぞれ０.１〜２.０である)で示される
組成割合に混合したもの、或いはこれらを固相反応させ
たものを原料とする。
【０００９】ここで、加熱によりＡ2Ｏに分解される化
合物としては、例えば、ＡＯＨ、Ａ2ＣＯ3、ＡＨＣＯ3
などが挙げられる。ＭＯ成分は２価の金属酸化物である
ＭgＯ、ＮiＯ、ＣuＯ、ＺnＯであり、加熱によりこれら
に分解される化合物としては、例えば、これらの炭酸塩
や水酸化物などが挙げられる。Ｍ2Ｏ3成分は３価の金属
酸化物であるＦe2Ｏ3、Ａl2Ｏ3、Ｇa2Ｏ3、Ｍn2Ｏ3であ
り、加熱によりこれらに分解される化合物としては、例
えば、これらの水酸化物などが挙げられる。ＴiＯ2成分
はルチル形でもアナターゼ形であってもよく、また非晶
質であってもよい。
合物としては、例えば、ＡＯＨ、Ａ2ＣＯ3、ＡＨＣＯ3
などが挙げられる。ＭＯ成分は２価の金属酸化物である
ＭgＯ、ＮiＯ、ＣuＯ、ＺnＯであり、加熱によりこれら
に分解される化合物としては、例えば、これらの炭酸塩
や水酸化物などが挙げられる。Ｍ2Ｏ3成分は３価の金属
酸化物であるＦe2Ｏ3、Ａl2Ｏ3、Ｇa2Ｏ3、Ｍn2Ｏ3であ
り、加熱によりこれらに分解される化合物としては、例
えば、これらの水酸化物などが挙げられる。ＴiＯ2成分
はルチル形でもアナターゼ形であってもよく、また非晶
質であってもよい。
【００１０】これらの結晶件料の混合又は合成割合は、
一般式(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但し、
ａ、ｂ、ｃはモル比でそれぞれ０.１〜２.０である)で
示される割合である。ａ、ｂ、ｃの好ましい比率は、Ｍ
Ｏの場合はａ：ｂ：ｃ＝０.５：０.５：１.５であり、
Ｍ2Ｏ3の場合はａ：ｂ：ｃ＝０.５：０.２５：１.５で
ある。ある成分が０.１未満であっても、また２.０を超
えても、別の化合物が優勢的に合成されて、目的とする
単一相として合成することはできない。
一般式(Ａ2Ｏ)a(ＭＯ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但し、
ａ、ｂ、ｃはモル比でそれぞれ０.１〜２.０である)で
示される割合である。ａ、ｂ、ｃの好ましい比率は、Ｍ
Ｏの場合はａ：ｂ：ｃ＝０.５：０.５：１.５であり、
Ｍ2Ｏ3の場合はａ：ｂ：ｃ＝０.５：０.２５：１.５で
ある。ある成分が０.１未満であっても、また２.０を超
えても、別の化合物が優勢的に合成されて、目的とする
単一相として合成することはできない。
【００１１】フラックス原料としては、ＭoＯ3又は加熱
によりＭoＯ3に分解される化合物と、一般式Ａ2Ｏ(但
し、ＡはＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又
は加熱によりＡ2Ｏに分解される化合物とを、一般式Ａ2
Ｏ(ＭoＯ3)d(但し、ｄは０.５〜２.０である)で示され
る組成割合に混合したものをフラックス原料とする。
によりＭoＯ3に分解される化合物と、一般式Ａ2Ｏ(但
し、ＡはＫ、Ｒb又はＣsを表わす)で示される酸化物又
は加熱によりＡ2Ｏに分解される化合物とを、一般式Ａ2
Ｏ(ＭoＯ3)d(但し、ｄは０.５〜２.０である)で示され
る組成割合に混合したものをフラックス原料とする。
【００１２】加熱によりＭoＯ3に分解される化合物とし
ては、例えば、塩化モリブデン(ＭoＣl5)、ヘキサカル
ボニルモリブデン(Ｍo(ＣＯ)6)、酸化モリブデンアセチ
ルアセトネート((ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)2ＭoＣl2)な
どが挙げられる。
ては、例えば、塩化モリブデン(ＭoＣl5)、ヘキサカル
ボニルモリブデン(Ｍo(ＣＯ)6)、酸化モリブデンアセチ
ルアセトネート((ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)2ＭoＣl2)な
どが挙げられる。
【００１３】結晶原料とフラックス原料は、モル百分率
で１０対９０〜５０対５０の割合で混合する。好ましく
は３０対７０の混合割合である。原料結晶の混合割合が
３０未満であると大型結晶が得られるが、コスト高とな
り、３０を超えると漸次結晶が小さくなる。
で１０対９０〜５０対５０の割合で混合する。好ましく
は３０対７０の混合割合である。原料結晶の混合割合が
３０未満であると大型結晶が得られるが、コスト高とな
り、３０を超えると漸次結晶が小さくなる。
【００１４】結晶原料とフラックス原料の混合物は１１
００〜１３００℃で加熱溶融する。１１００℃未満では
結晶成分の溶解量が少なく、また１３００℃を超えると
揮発量が増大し、製造コストガ高くなる。
００〜１３００℃で加熱溶融する。１１００℃未満では
結晶成分の溶解量が少なく、また１３００℃を超えると
揮発量が増大し、製造コストガ高くなる。
【００１５】次いで、この溶融物を１０００〜８００℃
まで徐冷(例えば、５℃／hr)して板状に結晶成長させ
る。成長反応は溶解−析出反応であるため、徐冷しない
ときは板状に成長しないので、徐冷する必要がある。こ
の徐冷は１０００℃〜８００℃まででよく、後は放冷で
よい。
まで徐冷(例えば、５℃／hr)して板状に結晶成長させ
る。成長反応は溶解−析出反応であるため、徐冷しない
ときは板状に成長しないので、徐冷する必要がある。こ
の徐冷は１０００℃〜８００℃まででよく、後は放冷で
よい。
【００１６】本発明で得られる結晶は、一般式ＡxＭyＴ
i2_yＯ4で示される組成の板状単結晶からなり、その構
造は特異性がある。ＴiＯ6八面体が稜共有してｃ軸に平
行に２列が一組になって無限に配列して層状構造の枠組
を形成している。層面は(０１０)面である。Ｍ金属はＴ
i席の一部を置換している。その最大置換率は５０％で
ある。Ｍ金属はＴiよりも低原子価金属であるため、Ｔi
席を置換すると陽電荷が不足する。それを調整するため
にＡイオンが層間に配列されると考えることができる。
この構造は図に示すとおりである。
i2_yＯ4で示される組成の板状単結晶からなり、その構
造は特異性がある。ＴiＯ6八面体が稜共有してｃ軸に平
行に２列が一組になって無限に配列して層状構造の枠組
を形成している。層面は(０１０)面である。Ｍ金属はＴ
i席の一部を置換している。その最大置換率は５０％で
ある。Ｍ金属はＴiよりも低原子価金属であるため、Ｔi
席を置換すると陽電荷が不足する。それを調整するため
にＡイオンが層間に配列されると考えることができる。
この構造は図に示すとおりである。
【００１７】化学量論的組成は、一般式ＡxＭyＴi2_yＯ
4でｘが１、ｙがＭ2+でｘ／２、Ｍ3+でｙ＝ｘの場合で
ある。通常、ｘは０.７〜０.９程度の値を示し、平均ｘ
＝０.８であり、これはＡ+イオンの５席中１席が空席で
あることを示す。これはＡ+のイオン伝導性に寄与する
し、Ａ+の他の金属イオンとの互換性にも有効に寄与す
ると考えられる。
4でｘが１、ｙがＭ2+でｘ／２、Ｍ3+でｙ＝ｘの場合で
ある。通常、ｘは０.７〜０.９程度の値を示し、平均ｘ
＝０.８であり、これはＡ+イオンの５席中１席が空席で
あることを示す。これはＡ+のイオン伝導性に寄与する
し、Ａ+の他の金属イオンとの互換性にも有効に寄与す
ると考えられる。
【００１８】次に本発明の実施例を示す。
【００１９】
【実施例】本例はＫxＭgyＴi2_yＯ4(ｘ＝０.８、ｙ＝
０.４)で示される板状単結晶の合成の例である。
０.４)で示される板状単結晶の合成の例である。
【００２０】まず、Ｋ2ＣＯ3、ＭgＣＯ3の特級粉末と、
ＴiＯ2、ＭoＯ3の純度９９.９９％粉末を用いて(Ｋ2Ｏ)
0.5(ＭgＯ)0.5(ＴiＯ2)1.5のモル比割合の結晶原料に、
(Ｋ2Ｏ)1.0(ＭoＯ3)1.0のモル比割合のフラックス原料
粉末を３０対７０のモル百分率の割合で混合した。
ＴiＯ2、ＭoＯ3の純度９９.９９％粉末を用いて(Ｋ2Ｏ)
0.5(ＭgＯ)0.5(ＴiＯ2)1.5のモル比割合の結晶原料に、
(Ｋ2Ｏ)1.0(ＭoＯ3)1.0のモル比割合のフラックス原料
粉末を３０対７０のモル百分率の割合で混合した。
【００２１】この混合物１２０ｇを白金ルツボに充填
し、炭化けい素発熱体電気炉を使用して１１５０℃で溶
融させた。この温度に約１時間保持して飽和状態に溶解
した後、４℃／hrの速度で９５０℃まで徐冷した。徐冷
後は炉からルツボを取り出し、大気中で室温まで放冷し
た。ルツボを沸騰水に浸漬し、フラックスを溶解して結
晶を分離し、板状結晶を得た。
し、炭化けい素発熱体電気炉を使用して１１５０℃で溶
融させた。この温度に約１時間保持して飽和状態に溶解
した後、４℃／hrの速度で９５０℃まで徐冷した。徐冷
後は炉からルツボを取り出し、大気中で室温まで放冷し
た。ルツボを沸騰水に浸漬し、フラックスを溶解して結
晶を分離し、板状結晶を得た。
【００２２】板状結晶は特異な菱形を呈し、幅２〜３m
m、長さ５mmの面長を有し、厚さ０.１〜０.５mmであっ
た。これを粉末にしＸ線回折法で同定したところ、目的
の結晶であり、格子定数はａ＝３.８１６８(Å)、ｂ＝
１５.６８５３(Å)、ｃ＝２.９７９７(Å)であった。化
学分析で組成を調べたところ、Ｋ0.8Ｍg0.4Ｔi1.6Ｏ4で
あった。なお、Ｋ2Ｏに代えてＲb2Ｏ、Ｃs2Ｏを使用し
たところ、それぞれの金属塩の板状結晶が得られた。
m、長さ５mmの面長を有し、厚さ０.１〜０.５mmであっ
た。これを粉末にしＸ線回折法で同定したところ、目的
の結晶であり、格子定数はａ＝３.８１６８(Å)、ｂ＝
１５.６８５３(Å)、ｃ＝２.９７９７(Å)であった。化
学分析で組成を調べたところ、Ｋ0.8Ｍg0.4Ｔi1.6Ｏ4で
あった。なお、Ｋ2Ｏに代えてＲb2Ｏ、Ｃs2Ｏを使用し
たところ、それぞれの金属塩の板状結晶が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば、一般式
ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状構造を有す
る板状結晶が得られ、陽イオン交換体、陽イオン伝導
体、触媒として有用なものである。
ＡxＭyＴi2_yＯ4で示される斜方晶系の層状構造を有す
る板状結晶が得られ、陽イオン交換体、陽イオン伝導
体、触媒として有用なものである。
【図１】
【化１】 の結晶構造を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式Ａ2Ｏ(但し、ＡはＫ、Ｒb又はＣs
を表わす)で示される酸化物又は加熱によりＡ2Ｏに分解
される化合物と、一般式ＭＯ又はＭ2Ｏ3(但し、ＭはＭg
2+、Ｎi2+、Ｚn2+、Ｃu2+、Ｆe3+、Ａl3+、Ｇa3+又はＭ
n3+を表わす)で示される酸化物又は加熱によりＭＯ若し
くはＭ2Ｏ3に分解される化合物と、ＴiＯ2又は加熱によ
りＴiＯ2に分解される化合物とを、一般式(Ａ2Ｏ)a(Ｍ
Ｏ又はＭ2Ｏ3)b(ＴiＯ2)c(但し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ
０.１〜２.０である)で示される組成割合に混合したも
の、或いはこれらを固相反応させたものを結晶原料と
し、一方、ＭoＯ3又は加熱によりＭoＯ3に分解される化
合物と、一般式Ａ2Ｏ(但し、ＡはＫ、Ｒb又はＣsを表わ
す)で示される酸化物又は加熱によりＡ2Ｏに分解される
化合物とを、一般式Ａ2Ｏ(ＭoＯ3)d(但し、ｄは０.５〜
２.０である)で示される組成割合に混合したものをフラ
ックス原料とし、該結晶原料とフラックス原料をモル百
分率で１０対９０〜５０対５０の割合で混合した混合物
を１１００〜１３００℃で加熱溶融し、該溶融体を１０
００〜８００℃まで徐冷して板状単結晶に育成すること
を特徴とする一般式ＡxＭyＴi2_yＯ4(但し、ｘは０.５
〜１.０、ｙは０.２５〜１.０である)で示される斜方晶
系の層状構造を有する板状結晶の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5753992A JPH05221795A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ＡｘＭｙＴｉ２−ｙＯ４で示される斜方晶系の層状構造板状結晶の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5753992A JPH05221795A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ＡｘＭｙＴｉ２−ｙＯ４で示される斜方晶系の層状構造板状結晶の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05221795A true JPH05221795A (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=13058568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5753992A Pending JPH05221795A (ja) | 1992-02-10 | 1992-02-10 | ＡｘＭｙＴｉ２−ｙＯ４で示される斜方晶系の層状構造板状結晶の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05221795A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000047689A1 (fr) * | 1999-02-09 | 2000-08-17 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Materiau de friction |
| WO2002010069A1 (fr) * | 2000-07-31 | 2002-02-07 | Otsuka Chemical Co., Ltd. | Titanate de magnesium et de potassium de type lepidocrocite et son procede de production, et materiau de friction |
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1992
- 1992-02-10 JP JP5753992A patent/JPH05221795A/ja active Pending
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