JPH05218738A - デジタル温度補償発振器 - Google Patents
デジタル温度補償発振器Info
- Publication number
- JPH05218738A JPH05218738A JP4602492A JP4602492A JPH05218738A JP H05218738 A JPH05218738 A JP H05218738A JP 4602492 A JP4602492 A JP 4602492A JP 4602492 A JP4602492 A JP 4602492A JP H05218738 A JPH05218738 A JP H05218738A
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- JP
- Japan
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- capacitance
- temperature
- sets
- crystal
- elements
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- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
［目的］ 少ない数の容量素子を用いて水晶振動子の負
荷容量を精密に制御することができ、しかも補償動作に
よる負荷容量の切り替えの際の発振周波数の変動を最小
限にでき、精密な温度補償を行う。 ［構成］ 水晶発振器１１の水晶振動子１１ｂに熱的に
結合させた温度センサ１２の検出温度に対応したアドレ
スに格納した補償データをデジタルメモリ１４から得
て、この補償データに応じて選択的にオン・オフ制御さ
れるｍ個のスイッチ素子を設け、（ｍ−ｎ）個の第１ス
イッチアレイ１６ａによって選択されて水晶発振器１１
の水晶１１ｂの負荷容量を制御する（ｍ−ｎ）個の同一
容量の第１の容量素子１７ａと、ｎ個の第２スイッチア
レイによって選択されて水晶発振器１１の水晶１１ｂの
負荷容量を制御する第１の容量素子１７ａの容量の１／
（ｎ＋１）の容量を有するｎ個の第２の容量素子１７ｂ
とを有する。
荷容量を精密に制御することができ、しかも補償動作に
よる負荷容量の切り替えの際の発振周波数の変動を最小
限にでき、精密な温度補償を行う。 ［構成］ 水晶発振器１１の水晶振動子１１ｂに熱的に
結合させた温度センサ１２の検出温度に対応したアドレ
スに格納した補償データをデジタルメモリ１４から得
て、この補償データに応じて選択的にオン・オフ制御さ
れるｍ個のスイッチ素子を設け、（ｍ−ｎ）個の第１ス
イッチアレイ１６ａによって選択されて水晶発振器１１
の水晶１１ｂの負荷容量を制御する（ｍ−ｎ）個の同一
容量の第１の容量素子１７ａと、ｎ個の第２スイッチア
レイによって選択されて水晶発振器１１の水晶１１ｂの
負荷容量を制御する第１の容量素子１７ａの容量の１／
（ｎ＋１）の容量を有するｎ個の第２の容量素子１７ｂ
とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は少ない数の容量素子で高
精度に容量を可変することができ、精密な周波数調整を
行うことができるデジタル温度補償水晶発振器に関す
る。
精度に容量を可変することができ、精密な周波数調整を
行うことができるデジタル温度補償水晶発振器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に温度に対して周波数の安定な発振
器としては水晶振動子を用いた水晶発振器が知られてい
る。水晶振動子は圧電体として化学的、物理的に極めて
優れた特性を有し、振動子としてのＱも著しく高く、周
波数の安定度も良好である。しかしながら近時、種々の
電子機器等ではより厳密な周波数の精度と安定度を求め
られ、たとえば現在計画されている自動車電話の移動局
の周波数基準に用いる水晶振動子は−３０℃〜８０℃の
温度変化に対して±２ppm以内の偏差に納まることが要
求されている。これに対して、水晶振動子では発振回路
の発振条件を一定とした場合に周波数を変化させる最大
の要因は温度変化であり、たとえば最も一般的に使用さ
れる厚み滑り水晶振動子の場合、−３０℃〜８０℃の温
度変化に対して略３次曲線状の周波数変化を示し、水晶
振動子単体で±１０ｐｐｍ前後の周波数変化を生じる。
したがって種々のバラツキ等を考慮すると発振回路全体
では５０ｐｐｍ前後の周波数変化を制御できる必要があ
る。従来、温度変化に対する周波数の変動の割合、すな
わち周波数温度特性の良好な発振器としては、水晶振動
子を恒温槽に収納したオーブン式水晶発振器、サーミス
タとバリキャップの回路網を水晶振動子に直列に接続し
た間接温度補償方式による発振器、コンデンサとサーミ
スタの並列回路を水晶振動子に直列に接続した直接温度
補償方式による発振器等があった。しかしながら、オー
ブン式水晶発振器はオーブンで加熱するために消費電力
が大きく、しかも電源投入後、恒温槽内の温度が安定に
なるまでの時間が長い問題がある。またサーミスタを用
いた間接温度補償方式および直接温度補償方式の発振器
は、いずれも近似的な補償を行うものであり、充分に調
整してもかなりの周波数の誤差が補償しきれないままに
残ってしまう問題があった。
器としては水晶振動子を用いた水晶発振器が知られてい
る。水晶振動子は圧電体として化学的、物理的に極めて
優れた特性を有し、振動子としてのＱも著しく高く、周
波数の安定度も良好である。しかしながら近時、種々の
電子機器等ではより厳密な周波数の精度と安定度を求め
られ、たとえば現在計画されている自動車電話の移動局
の周波数基準に用いる水晶振動子は−３０℃〜８０℃の
温度変化に対して±２ppm以内の偏差に納まることが要
求されている。これに対して、水晶振動子では発振回路
の発振条件を一定とした場合に周波数を変化させる最大
の要因は温度変化であり、たとえば最も一般的に使用さ
れる厚み滑り水晶振動子の場合、−３０℃〜８０℃の温
度変化に対して略３次曲線状の周波数変化を示し、水晶
振動子単体で±１０ｐｐｍ前後の周波数変化を生じる。
したがって種々のバラツキ等を考慮すると発振回路全体
では５０ｐｐｍ前後の周波数変化を制御できる必要があ
る。従来、温度変化に対する周波数の変動の割合、すな
わち周波数温度特性の良好な発振器としては、水晶振動
子を恒温槽に収納したオーブン式水晶発振器、サーミス
タとバリキャップの回路網を水晶振動子に直列に接続し
た間接温度補償方式による発振器、コンデンサとサーミ
スタの並列回路を水晶振動子に直列に接続した直接温度
補償方式による発振器等があった。しかしながら、オー
ブン式水晶発振器はオーブンで加熱するために消費電力
が大きく、しかも電源投入後、恒温槽内の温度が安定に
なるまでの時間が長い問題がある。またサーミスタを用
いた間接温度補償方式および直接温度補償方式の発振器
は、いずれも近似的な補償を行うものであり、充分に調
整してもかなりの周波数の誤差が補償しきれないままに
残ってしまう問題があった。
【０００３】さらに水晶振動子の雰囲気温度と周波数偏
差との関係を予め測定して補償データをデジタルメモリ
に記憶し、該補償データにしたがって温度補償を行うデ
ジタル温度補償型の発振器も提案されている。このよう
なデジタル温度補償型の発振器によれば電源投入時の立
ち上がりも早く、補償データを記憶するメモリに容量の
大きなものを用いれば短期的な周波数安定度を著しく向
上でき正確な温度補償を行うことが可能となる。しかし
てこのような発振器の温度特性は、たとえば−３０℃〜
８０℃の温度変化に対して５０ｐｐｍとしたときに、こ
の周波数変動を±０．５ｐｐｍ以内に維持するためには
制御分解能は０．０５ｐｐｍ程度とする必要がある。ま
た実用的にはこの程度のステップで周波数を変化させて
も負荷容量の切り替え動作持に格別大きな周波数の変動
は生じない。しかして５０ｐｐｍの周波数変化を補償す
るために必要な水晶振動子の負荷容量を１０ｐＦとし、
この水晶振動子を用いた発振回路を０．０５ｐｐｍの制
御分解能で制御するためには１０００ステップの制御を
必要とする。そして、このような温度補償回路をＭＯＳ
集積回路で実現するためには１０ｆＦ（ヘムト・ファラ
ッド）のコンデンサと、このコンデンサを選択的に水晶
振動子に接続するアナログスイッチをそれぞれ１０００
個づつ必要とするために大きな面積の半導体基板を用い
なければならない。このために、たとえば１、２、４、
８・・・の如くに等比級数となるような容量のコンデン
サを切り替えるようにすればコンデンサの数は著しく少
なくすることができる。しかしながら、このようなもの
では容量の大きなコンデンサを切り替えた際に、瞬間的
に発振周波数が大きく変動する問題がある。
差との関係を予め測定して補償データをデジタルメモリ
に記憶し、該補償データにしたがって温度補償を行うデ
ジタル温度補償型の発振器も提案されている。このよう
なデジタル温度補償型の発振器によれば電源投入時の立
ち上がりも早く、補償データを記憶するメモリに容量の
大きなものを用いれば短期的な周波数安定度を著しく向
上でき正確な温度補償を行うことが可能となる。しかし
てこのような発振器の温度特性は、たとえば−３０℃〜
８０℃の温度変化に対して５０ｐｐｍとしたときに、こ
の周波数変動を±０．５ｐｐｍ以内に維持するためには
制御分解能は０．０５ｐｐｍ程度とする必要がある。ま
た実用的にはこの程度のステップで周波数を変化させて
も負荷容量の切り替え動作持に格別大きな周波数の変動
は生じない。しかして５０ｐｐｍの周波数変化を補償す
るために必要な水晶振動子の負荷容量を１０ｐＦとし、
この水晶振動子を用いた発振回路を０．０５ｐｐｍの制
御分解能で制御するためには１０００ステップの制御を
必要とする。そして、このような温度補償回路をＭＯＳ
集積回路で実現するためには１０ｆＦ（ヘムト・ファラ
ッド）のコンデンサと、このコンデンサを選択的に水晶
振動子に接続するアナログスイッチをそれぞれ１０００
個づつ必要とするために大きな面積の半導体基板を用い
なければならない。このために、たとえば１、２、４、
８・・・の如くに等比級数となるような容量のコンデン
サを切り替えるようにすればコンデンサの数は著しく少
なくすることができる。しかしながら、このようなもの
では容量の大きなコンデンサを切り替えた際に、瞬間的
に発振周波数が大きく変動する問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の事情
に鑑みてなされたもので、少ない数の容量素子を用いて
水晶振動子の負荷容量を精密に制御することができ、し
かも補償動作による負荷容量の切り替えの際の発振周波
数の変動を最小限にでき、それによって精密な温度補償
を行うことができるデジタル温度補償発振器を提供する
ことを目的とするものである。
に鑑みてなされたもので、少ない数の容量素子を用いて
水晶振動子の負荷容量を精密に制御することができ、し
かも補償動作による負荷容量の切り替えの際の発振周波
数の変動を最小限にでき、それによって精密な温度補償
を行うことができるデジタル温度補償発振器を提供する
ことを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、水晶発振器の
水晶振動子に熱的に結合させた温度センサの検出温度に
対応したアドレスに格納した補償データをデジタルメモ
リから得て、この補償データに応じて選択的にオン・オ
フ制御されるｍ個のスイッチ素子を設け、（ｍ−ｎ）個
のスイッチ素子によって選択されて上記水晶発振器の水
晶の負荷容量を制御する（ｍ−ｎ）個の同一容量の第１
の容量素子と、ｎ個のスイッチ素子によって選択されて
上記水晶発振器の水晶の負荷容量を制御する上記第１の
容量素子の容量の１／（ｎ＋１）の容量を有するｎ個の
第２の容量素子とを具備することを特徴とするものであ
る。
水晶振動子に熱的に結合させた温度センサの検出温度に
対応したアドレスに格納した補償データをデジタルメモ
リから得て、この補償データに応じて選択的にオン・オ
フ制御されるｍ個のスイッチ素子を設け、（ｍ−ｎ）個
のスイッチ素子によって選択されて上記水晶発振器の水
晶の負荷容量を制御する（ｍ−ｎ）個の同一容量の第１
の容量素子と、ｎ個のスイッチ素子によって選択されて
上記水晶発振器の水晶の負荷容量を制御する上記第１の
容量素子の容量の１／（ｎ＋１）の容量を有するｎ個の
第２の容量素子とを具備することを特徴とするものであ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に示すブロッ
ク図を参照して詳細に説明する。図中１１は水晶発振器
で、発振回路１１ａと発振回路１１ａに接続した水晶振
動子１１ｂを設けている。そして水晶振動子１１ｂに熱
的に結合して温度センサ１２を設けている。この温度セ
ンサ１２は、たとえばポリシリコン抵抗等の感温抵抗素
子で、−３０℃〜８５℃の温度変化に対して１５００ｐ
ｐｍ／℃程度の抵抗値の変化を示すものである。そし
て、温度センサ１２から得た抵抗値の変化を電圧の変化
に変換して、この電圧値をアナログ−デジタル変換器
（以下ＡＤ変換器と称す）１３へ与えて上記電圧値に対
応した複数ビット、たとえば１０ビットのデジタル信号
を得る。そしてこのデジタル信号を、上記水晶発振器１
１の発振周波数を一定周波数に維持するために必要な補
償データを記憶したデジタルメモリ１４へアドレス信号
として与える。このデジタルメモリ１４に記憶した補償
データは、たとえば当該水晶発振器１１を所定の温度範
囲で雰囲気温度を変化させて、この雰囲気温度に対応し
て上記ＡＤ変換器１３から与えられるデジタル信号に対
応するデジタルメモリ１４のアドレスに、上記水晶発振
器１１の発振周波数を一定周波数に維持するために必要
な補償データを記憶させたものである。しかしてデジタ
ルメモリ１４からは選択されたアドレス信号に対応した
補償データが出力される。そしてこの補償データをデコ
ーダ１５へ与えてデコードし、このデコード出力によっ
てｍ個のスイッチ素子１６を選択的にオン・オフ制御す
るようにしている。このｍ個のスイッチ素子１６のうち
（ｍ−ｎ）個の第１のスイッチアレイ１６ａは、上記水
晶振動子１１ｂの負荷容量を制御する同一容量の（ｍ−
ｎ）個の第１の容量素子１７ａを選択的に上記水晶振動
子１１ｂに接続する。またｍ個のスイッチ素子１６のう
ち残りのｎ個の第２のスイッチアレイ１６ｂは、同様に
上記水晶振動子１１ｂの負荷容量を制御するために、上
記第１の容量素子１７ａの容量の１／（ｎ＋１）の容量
のｎ個の第２の容量素子１７ｂを選択的に上記水晶振動
子１１ｂに接続するようにしている。なお１７ｃは最小
負荷容量を設定する固定容量素子である。そして上記第
１、第２の各スイッチアレイ１６ａ、１６ｂはデジタル
メモリ１４から与えられる補償データに応じて、第１の
容量素子１７ａの１／（ｎ＋１）の容量の第２の容量素
子１７ｂの値を１制御ステップとして制御を行う。した
がって上記補償データに対応した補償量に応じて、まず
第２の容量素子１７ｂの数を増加もしくは減少し、この
制御動作は、たとえば図２に示す温度補償動作のグラフ
のようになる。すなわち補償量が、たとえば（Ｑ−１）
のときに第１の容量素子１７ａの選択数をＰ個とし、２
の容量素子１７ｂの選択数をｎとしたときに、補償量を
１制御ステップだけ増加すると、全ての第２の容量素子
１７ｂを非選択とするために選択数を０個とし、また第
１の容量素子１７ａの選択数を一つだけインクリメント
て（Ｐ＋１）個とする。同様に補償量が、たとえば（Ｑ
＋ｎ＋１）で第１の容量素子の選択数を（Ｐ＋２）個と
し、第２の容量素子１７ｂの選択数を０個としたとき
に、補償量を１制御ステップだけ減少すると、全ての第
２の容量素子１７ｂ、すなわちｎ個の第２の容量素子１
７ｂを選択するとともに第１の容量素子１７ａの選択数
は一つだけデクリメントして（Ｐ＋１）個とする。
ク図を参照して詳細に説明する。図中１１は水晶発振器
で、発振回路１１ａと発振回路１１ａに接続した水晶振
動子１１ｂを設けている。そして水晶振動子１１ｂに熱
的に結合して温度センサ１２を設けている。この温度セ
ンサ１２は、たとえばポリシリコン抵抗等の感温抵抗素
子で、−３０℃〜８５℃の温度変化に対して１５００ｐ
ｐｍ／℃程度の抵抗値の変化を示すものである。そし
て、温度センサ１２から得た抵抗値の変化を電圧の変化
に変換して、この電圧値をアナログ−デジタル変換器
（以下ＡＤ変換器と称す）１３へ与えて上記電圧値に対
応した複数ビット、たとえば１０ビットのデジタル信号
を得る。そしてこのデジタル信号を、上記水晶発振器１
１の発振周波数を一定周波数に維持するために必要な補
償データを記憶したデジタルメモリ１４へアドレス信号
として与える。このデジタルメモリ１４に記憶した補償
データは、たとえば当該水晶発振器１１を所定の温度範
囲で雰囲気温度を変化させて、この雰囲気温度に対応し
て上記ＡＤ変換器１３から与えられるデジタル信号に対
応するデジタルメモリ１４のアドレスに、上記水晶発振
器１１の発振周波数を一定周波数に維持するために必要
な補償データを記憶させたものである。しかしてデジタ
ルメモリ１４からは選択されたアドレス信号に対応した
補償データが出力される。そしてこの補償データをデコ
ーダ１５へ与えてデコードし、このデコード出力によっ
てｍ個のスイッチ素子１６を選択的にオン・オフ制御す
るようにしている。このｍ個のスイッチ素子１６のうち
（ｍ−ｎ）個の第１のスイッチアレイ１６ａは、上記水
晶振動子１１ｂの負荷容量を制御する同一容量の（ｍ−
ｎ）個の第１の容量素子１７ａを選択的に上記水晶振動
子１１ｂに接続する。またｍ個のスイッチ素子１６のう
ち残りのｎ個の第２のスイッチアレイ１６ｂは、同様に
上記水晶振動子１１ｂの負荷容量を制御するために、上
記第１の容量素子１７ａの容量の１／（ｎ＋１）の容量
のｎ個の第２の容量素子１７ｂを選択的に上記水晶振動
子１１ｂに接続するようにしている。なお１７ｃは最小
負荷容量を設定する固定容量素子である。そして上記第
１、第２の各スイッチアレイ１６ａ、１６ｂはデジタル
メモリ１４から与えられる補償データに応じて、第１の
容量素子１７ａの１／（ｎ＋１）の容量の第２の容量素
子１７ｂの値を１制御ステップとして制御を行う。した
がって上記補償データに対応した補償量に応じて、まず
第２の容量素子１７ｂの数を増加もしくは減少し、この
制御動作は、たとえば図２に示す温度補償動作のグラフ
のようになる。すなわち補償量が、たとえば（Ｑ−１）
のときに第１の容量素子１７ａの選択数をＰ個とし、２
の容量素子１７ｂの選択数をｎとしたときに、補償量を
１制御ステップだけ増加すると、全ての第２の容量素子
１７ｂを非選択とするために選択数を０個とし、また第
１の容量素子１７ａの選択数を一つだけインクリメント
て（Ｐ＋１）個とする。同様に補償量が、たとえば（Ｑ
＋ｎ＋１）で第１の容量素子の選択数を（Ｐ＋２）個と
し、第２の容量素子１７ｂの選択数を０個としたとき
に、補償量を１制御ステップだけ減少すると、全ての第
２の容量素子１７ｂ、すなわちｎ個の第２の容量素子１
７ｂを選択するとともに第１の容量素子１７ａの選択数
は一つだけデクリメントして（Ｐ＋１）個とする。
【０００７】このような構成であれば、第１の容量素子
１７ａの１／（ｎ＋１）の第２の容量素子１７ｂ、１個
の値を１制御ステップとして水晶振動子１１ｂの負荷容
量を制御でき、少ない数の容量素子を用いて精密な制御
を行うことができる。しかして、第２のスイッチアレイ
１６ｂ、第２の容量素子１７ｂの数に対応するｎをあま
り大きくすると第１の容量素子１７ａの選択数をインク
リメント、もしくはデクリメントする際の瞬間的な周波
数の変動量が大きくなるので、第１の容量素子１７ａの
１個の制御分解能を最大０．５ｐｐｍ程度、好ましくは
０．０５ｐｐｍ程度にする必要がある。
１７ａの１／（ｎ＋１）の第２の容量素子１７ｂ、１個
の値を１制御ステップとして水晶振動子１１ｂの負荷容
量を制御でき、少ない数の容量素子を用いて精密な制御
を行うことができる。しかして、第２のスイッチアレイ
１６ｂ、第２の容量素子１７ｂの数に対応するｎをあま
り大きくすると第１の容量素子１７ａの選択数をインク
リメント、もしくはデクリメントする際の瞬間的な周波
数の変動量が大きくなるので、第１の容量素子１７ａの
１個の制御分解能を最大０．５ｐｐｍ程度、好ましくは
０．０５ｐｐｍ程度にする必要がある。
【０００８】なお本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、たとえば上記実施例では温度検出素子として
ポリシリコン抵抗を用いるようにしたが温度に応じて抵
抗値が変化する適宜な電子部品を用いることができ、ま
た半導体のＰＮ接合のように温度に応じて電圧が変化す
る素子を用いるようにしてもよい。
ではなく、たとえば上記実施例では温度検出素子として
ポリシリコン抵抗を用いるようにしたが温度に応じて抵
抗値が変化する適宜な電子部品を用いることができ、ま
た半導体のＰＮ接合のように温度に応じて電圧が変化す
る素子を用いるようにしてもよい。
【０００９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば少
ない数の容量素子を用いて精密に水晶振動子の負荷容量
を制御することができ、しかも補償動作による負荷容量
の切り替えの際の発振周波数の変動を最小にすることが
でき、精密な温度補償を行うことができるデジタル温度
補償発振器を提供することができる。
ない数の容量素子を用いて精密に水晶振動子の負荷容量
を制御することができ、しかも補償動作による負荷容量
の切り替えの際の発振周波数の変動を最小にすることが
でき、精密な温度補償を行うことができるデジタル温度
補償発振器を提供することができる。
【００１０】
【図１】本発明の一実施例を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施例による温度補償動作を説明する
グラフである。
グラフである。
１１ 水晶発振器 １１ａ 発振回路 １１ｂ 水晶振動子 １２ 温度センサ １３ ＡＤ変換器 １４ デジタルメモリ １５ アドレスデコーダ １６ａ、ｂ 第１（第２）のスイッチアレイ １７ａ、ｂ 第１（第２）の容量素子
Claims (1)
- 【請求項１】水晶発振器と、 この水晶発振器の水晶振動子に熱的に結合した温度セン
サと、 この温度センサの検出温度に対応したアドレスに格納し
た補償データを出力するデジタルメモリと、 このデジタルメモリから与えられた補償データに応じて
選択的にオン・オフ制御されるｍ個のスイッチからなる
スイッチアレイと、 このスイッチアレイのうち（ｍ−ｎ）個のスイッチから
なる第１のスイッチアレイに対応して設けられ上記水晶
発振器の水晶の負荷容量を制御する（ｍ−ｎ）個の同一
容量の第１の容量素子と、 上記スイッチアレイのうちｎ個のスイッチからなる第２
のスイッチアレイに対応して設けられ上記水晶発振器の
水晶の負荷容量を制御する上記第１の容量素子の容量の
１／（ｎ＋１）の容量を有するｎ個の第２の容量素子
と、 を具備することを特徴とするデジタル温度補償発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4602492A JPH05218738A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | デジタル温度補償発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4602492A JPH05218738A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | デジタル温度補償発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218738A true JPH05218738A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=12735483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4602492A Pending JPH05218738A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | デジタル温度補償発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218738A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6304152B1 (en) | 1999-08-12 | 2001-10-16 | Nec Corporation | Digital-control Colpitts oscillator circuit |
| KR100407193B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2003-11-28 | 신성전자공업 주식회사 | 온도 적응형 커패시터 블록 및 이를 이용한 온도 보상 수정발진기 |
| US11038509B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-06-15 | Seiko Epson Corporation | Circuit device, oscillator, real-time clock device, electronic device, and vehicle |
| US11652443B2 (en) | 2021-01-29 | 2023-05-16 | Seiko Epson Corporation | Circuit device and oscillator |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4602492A patent/JPH05218738A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407193B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2003-11-28 | 신성전자공업 주식회사 | 온도 적응형 커패시터 블록 및 이를 이용한 온도 보상 수정발진기 |
| US6304152B1 (en) | 1999-08-12 | 2001-10-16 | Nec Corporation | Digital-control Colpitts oscillator circuit |
| US11038509B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-06-15 | Seiko Epson Corporation | Circuit device, oscillator, real-time clock device, electronic device, and vehicle |
| US11652443B2 (en) | 2021-01-29 | 2023-05-16 | Seiko Epson Corporation | Circuit device and oscillator |
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