JPH05218468A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
- Publication number
- JPH05218468A JPH05218468A JP4016979A JP1697992A JPH05218468A JP H05218468 A JPH05218468 A JP H05218468A JP 4016979 A JP4016979 A JP 4016979A JP 1697992 A JP1697992 A JP 1697992A JP H05218468 A JPH05218468 A JP H05218468A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- back electrode
- bonded
- solar cell
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 裏面電極の表面積を飛躍的に増大できること
を可能とする。 【構成】 裏面電極１０上に粒子１１，２０を、互いの
粒子１１，２０がそれぞれ間隔を隔てるように接合し、
その粒子１１，２０が接合された裏面電極１０上に光発
電素子層１３，１４，１５を成膜することを特徴として
いる。
を可能とする。 【構成】 裏面電極１０上に粒子１１，２０を、互いの
粒子１１，２０がそれぞれ間隔を隔てるように接合し、
その粒子１１，２０が接合された裏面電極１０上に光発
電素子層１３，１４，１５を成膜することを特徴として
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高効率かつ大機能面積
の太陽電池に関するものである。
の太陽電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池は、裏面電極上にｐ，ｎ半導体
からなる光発電素子層を成膜し、その表面に透明電極を
コートして形成される。
からなる光発電素子層を成膜し、その表面に透明電極を
コートして形成される。
【０００３】この太陽電池を高効率にするには従来のＡ
ｌからなる裏面電極を光反射率の高いＡｇに変えたり、
特開昭６２−２５９７６号，特開昭６２−４５０７９
号，特開昭６２−４０７８３号公報などに提案されるよ
うに裏面電極に凹凸を与えてその表面積を大きくするな
ど種々のものが提案されている。
ｌからなる裏面電極を光反射率の高いＡｇに変えたり、
特開昭６２−２５９７６号，特開昭６２−４５０７９
号，特開昭６２−４０７８３号公報などに提案されるよ
うに裏面電極に凹凸を与えてその表面積を大きくするな
ど種々のものが提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、裏面電
極をＡｇに変えたのでは、コストが高くなる問題があ
り、また裏面電極の表面積を大きくするために凹凸を与
えても表面積を増大させるのには限度がある。
極をＡｇに変えたのでは、コストが高くなる問題があ
り、また裏面電極の表面積を大きくするために凹凸を与
えても表面積を増大させるのには限度がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、裏面電極の表面積を飛躍的に増大できる太陽電池を
提供することにある。
し、裏面電極の表面積を飛躍的に増大できる太陽電池を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、裏面電極上に粒子を、互いの粒子がそれぞ
れ間隔を隔てるように接合し、その粒子が接合された裏
面電極上に光発電素子層を成膜するものである。
に本発明は、裏面電極上に粒子を、互いの粒子がそれぞ
れ間隔を隔てるように接合し、その粒子が接合された裏
面電極上に光発電素子層を成膜するものである。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、粒子は裏面電極上に互いに
間隔を隔てるように接合されているため、裏面電極の表
面積は、その粒子の全表面積分増大することとなり、高
効率の太陽電池が得られる。
間隔を隔てるように接合されているため、裏面電極の表
面積は、その粒子の全表面積分増大することとなり、高
効率の太陽電池が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。
て詳述する。
【０００９】先ず本発明を説明する前に本発明者が先に
提案した粉体シートの製造方法（特願平３−２２０３８
１号）を図１０，図１１により説明する。
提案した粉体シートの製造方法（特願平３−２２０３８
１号）を図１０，図１１により説明する。
【００１０】図１０において、金属シート１上に、金属
粒子２と加熱により消失するナフタリンやロウ材からな
る消失粒子３を各粒子２，３が略１層密に並ぶように散
布する。この図４の状態で、上下から加圧すると共に加
熱すると、消失粒子３は蒸発するため、図１１に示すよ
うに金属シート１上に、金属粒子２のみがそれぞれ間隔
を隔てて接合された粉体シート３が形成されることとな
る。
粒子２と加熱により消失するナフタリンやロウ材からな
る消失粒子３を各粒子２，３が略１層密に並ぶように散
布する。この図４の状態で、上下から加圧すると共に加
熱すると、消失粒子３は蒸発するため、図１１に示すよ
うに金属シート１上に、金属粒子２のみがそれぞれ間隔
を隔てて接合された粉体シート３が形成されることとな
る。
【００１１】さて図１は、上述した粉体シート法の技術
を利用して形成した本発明の太陽電池の要部断面図を示
したものである。
を利用して形成した本発明の太陽電池の要部断面図を示
したものである。
【００１２】図１において、１０は例えばＣｕからなる
裏面電極（厚さ数１００μ）で、その裏面電極１０上に
Ｃｕからなる球状粒子１１（粒径 数１０〜数１００
μ）が互いに間隔を隔てて銀ろう（ＢＡｇ−８クラス，
７２Ａｇ−２８Ｃｕ）１２で接合される。この球状粒子
１１の接合は、裏面電極１０上に銀ろう１２の層を形成
し、その上部に球状粒子１１と消失粒子（図示せず）を
並べて球状粒子１１を銀ろう１２にて裏面電極１０に接
合する（ろう付け温度７８０〜９００℃）。
裏面電極（厚さ数１００μ）で、その裏面電極１０上に
Ｃｕからなる球状粒子１１（粒径 数１０〜数１００
μ）が互いに間隔を隔てて銀ろう（ＢＡｇ−８クラス，
７２Ａｇ−２８Ｃｕ）１２で接合される。この球状粒子
１１の接合は、裏面電極１０上に銀ろう１２の層を形成
し、その上部に球状粒子１１と消失粒子（図示せず）を
並べて球状粒子１１を銀ろう１２にて裏面電極１０に接
合する（ろう付け温度７８０〜９００℃）。
【００１３】次にこの粒子１１を接合した裏面電極１０
上に光発電素子層を成膜すると共に表面透明電極をコー
トして太陽電池とする。より具体的には、先ず、粒子１
１を接合した裏面電極１０上にｎ型α−Ｓｉ層１３，ｉ
型α−Ｓｉ層１４，ｐ型α−Ｓｉ層１５を順次ＣＶＤ法
やＰＶＤ法にて成膜し、更にその上に表面透明電極（Ｉ
Ｔｏ）１６をコートしてα−Ｓｉ型太陽電池とする。
上に光発電素子層を成膜すると共に表面透明電極をコー
トして太陽電池とする。より具体的には、先ず、粒子１
１を接合した裏面電極１０上にｎ型α−Ｓｉ層１３，ｉ
型α−Ｓｉ層１４，ｐ型α−Ｓｉ層１５を順次ＣＶＤ法
やＰＶＤ法にて成膜し、更にその上に表面透明電極（Ｉ
Ｔｏ）１６をコートしてα−Ｓｉ型太陽電池とする。
【００１４】次に実施例の作用を述べる。
【００１５】この太陽電池は、裏面電極１０上に粒子１
１が間隔を隔てて接合されるため、全粒子の表面積分そ
の表面積が増大し、Ｓｉ層１３，１４，１５の面積が増
大すると共に入射した光がより乱反射しやすくなるた
め、変換効率が高くなり、少ない面積で高効率で負荷１
７に電流を供給できる。
１が間隔を隔てて接合されるため、全粒子の表面積分そ
の表面積が増大し、Ｓｉ層１３，１４，１５の面積が増
大すると共に入射した光がより乱反射しやすくなるた
め、変換効率が高くなり、少ない面積で高効率で負荷１
７に電流を供給できる。
【００１６】また裏面電極１０自体は１００μ程度であ
り、かつ粒子１１は相互に離れているため、フレキシビ
リティが有り、電池の取り付け形状に応じて容易に曲げ
られる。
り、かつ粒子１１は相互に離れているため、フレキシビ
リティが有り、電池の取り付け形状に応じて容易に曲げ
られる。
【００１７】図２は本発明の他の実施例を示したもので
ある。
ある。
【００１８】図２は基本的には図１と同一であるが、銀
ろう１２の層を裏面電極１０の全面に形成せずに粒子１
１が位置する箇所のみに形成したものである。
ろう１２の層を裏面電極１０の全面に形成せずに粒子１
１が位置する箇所のみに形成したものである。
【００１９】この場合銀ろう１２をメッシュのものを用
い、メッシュの中に消失粒子が位置するようになした
後、消失粒子を動かないように若干温めて固め、その後
粒子１１を散布すればメッシュ上すなわち銀ろう１２の
上に粒子１１を位置させて接合することができる。
い、メッシュの中に消失粒子が位置するようになした
後、消失粒子を動かないように若干温めて固め、その後
粒子１１を散布すればメッシュ上すなわち銀ろう１２の
上に粒子１１を位置させて接合することができる。
【００２０】図３は本発明の更に他の実施例を示したも
ので、裏面電極１０に接合する粒子としてカプセル粒子
２０を用いたものである。
ので、裏面電極１０に接合する粒子としてカプセル粒子
２０を用いたものである。
【００２１】このカプセル粒子２０は、Ｃｕ球状粉を核
粒子２１（粒径 数１０〜数１００μ）の外周にＡｇ球
状粉を子粒子２２（粒径は核粒子の１／１０）として付
着させたものである。
粒子２１（粒径 数１０〜数１００μ）の外周にＡｇ球
状粉を子粒子２２（粒径は核粒子の１／１０）として付
着させたものである。
【００２２】このカプセル粒子２０の製造は、核粒子２
１に子粒子２２を静電気的に付着させた粉末を、8000〜
16,000rpm の回転翼を有した容器（遠心転動装置）に投
入し、１〜１０分間光速気流中で衝撃を与えることでフ
ァンデルワース力により強固に付着したカプセル粒子２
０が得られる。
１に子粒子２２を静電気的に付着させた粉末を、8000〜
16,000rpm の回転翼を有した容器（遠心転動装置）に投
入し、１〜１０分間光速気流中で衝撃を与えることでフ
ァンデルワース力により強固に付着したカプセル粒子２
０が得られる。
【００２３】このカプセル粒子２０を、裏面電極１０上
に上述した粉体シート法により互いに間隔を隔てて接合
する。この接合は例えば拡散接合等により行う。
に上述した粉体シート法により互いに間隔を隔てて接合
する。この接合は例えば拡散接合等により行う。
【００２４】カプセル粒子２０を、裏面電極１０上に接
合した後は、上述したｎ型α−Ｓｉ層１３，ｉ型α−Ｓ
ｉ層１４，ｐ型α−Ｓｉ層１５を順次ＣＶＤ法やＰＶＤ
法にて成膜し、更にその上に表面透明電極（ＩＴｏ）１
６をコートしてα−Ｓｉ型太陽電池とする。
合した後は、上述したｎ型α−Ｓｉ層１３，ｉ型α−Ｓ
ｉ層１４，ｐ型α−Ｓｉ層１５を順次ＣＶＤ法やＰＶＤ
法にて成膜し、更にその上に表面透明電極（ＩＴｏ）１
６をコートしてα−Ｓｉ型太陽電池とする。
【００２５】この図３に示した太陽電池においては、粒
子がカプセル粒子２０のためその表面積が球状粒子１１
より更に大きくなり、より高効率の発電が可能となる。
またカプセル粒子２０の子粒子２１は光反射の良好なＡ
ｇであるため、その反射が良好となると共にカプセル粒
子２０のため、そのＡｇの量も少なくてすむ。
子がカプセル粒子２０のためその表面積が球状粒子１１
より更に大きくなり、より高効率の発電が可能となる。
またカプセル粒子２０の子粒子２１は光反射の良好なＡ
ｇであるため、その反射が良好となると共にカプセル粒
子２０のため、そのＡｇの量も少なくてすむ。
【００２６】また裏面電極１０自体は１００μ程度であ
り、かつカプセル粒子２０は相互に離れているため、フ
レキシビリティが有り、電池の取り付け形状に応じて容
易に曲げられる。
り、かつカプセル粒子２０は相互に離れているため、フ
レキシビリティが有り、電池の取り付け形状に応じて容
易に曲げられる。
【００２７】尚このカプセル粒子２０の子粒子２１とし
てＡｇの他にＡｕ，Ｒｈ（ロジウム）を利用することも
できる。この場合、発電に用いる光の波長に応じてその
反射率の良い材料を選ぶことができる。例えば波長０．
３２μｍ以下ではＡｇの反射率は低いため、反射率の高
いＡｕ，Ｒｈを用いるとか種々の選択ができる。
てＡｇの他にＡｕ，Ｒｈ（ロジウム）を利用することも
できる。この場合、発電に用いる光の波長に応じてその
反射率の良い材料を選ぶことができる。例えば波長０．
３２μｍ以下ではＡｇの反射率は低いため、反射率の高
いＡｕ，Ｒｈを用いるとか種々の選択ができる。
【００２８】図４〜９は、粒子を裏面電極に接合する場
合の変形例を示したものである。
合の変形例を示したものである。
【００２９】図４は、銀ろうメッシュ法にて粒子１１を
接合する例を示す。先ず図４（ａ）に示すように、裏面
電極１０上に銀ろうのメッシュ２２を被覆し、そのメッ
シュ２２の中に粒子１１を位置させた状態で、加熱する
ことで図４（ｂ）に示すように粒子を接合できる。また
メッシュ２２は銀ろうのワイヤで形成してもよい。
接合する例を示す。先ず図４（ａ）に示すように、裏面
電極１０上に銀ろうのメッシュ２２を被覆し、そのメッ
シュ２２の中に粒子１１を位置させた状態で、加熱する
ことで図４（ｂ）に示すように粒子を接合できる。また
メッシュ２２は銀ろうのワイヤで形成してもよい。
【００３０】図５（ａ）は、図４の銀ろうメッシュ法に
てカプセル粒子２０を接合した例を示し、また図５
（ｂ）全面に銀ろう１２を形成してカプセル粒子２０を
接合した例を示す。
てカプセル粒子２０を接合した例を示し、また図５
（ｂ）全面に銀ろう１２を形成してカプセル粒子２０を
接合した例を示す。
【００３１】また図６は、Ｃｕの核粒子２３の外周に蒸
着，メッキなどで銀の被覆層２４を形成して粒子１１を
形成し、これを裏面電極１０に接合したものである。
着，メッキなどで銀の被覆層２４を形成して粒子１１を
形成し、これを裏面電極１０に接合したものである。
【００３２】この銀の被覆層２４を形成した粒子１１の
接合は、図７（ａ）に示すように銀ろうメッシュ２２に
より接合しても、図７（ｂ）に示すように全面銀ろう１
２で粉体シート法で接合しても良い。
接合は、図７（ａ）に示すように銀ろうメッシュ２２に
より接合しても、図７（ｂ）に示すように全面銀ろう１
２で粉体シート法で接合しても良い。
【００３３】また図８（ａ）に示すようにカプセル粒子
２０の核粒子２１はＣｕとし、子粒子２２に銀ろう粉を
用い、このカプセル粒子２０を裏面電極１０上に間隔を
おいて並べた後、銀ろう粉を溶融させて図８（ｂ）に示
すように核粒子２１を子粒子２１によりろう付けを行っ
て接合するようにしても良い。
２０の核粒子２１はＣｕとし、子粒子２２に銀ろう粉を
用い、このカプセル粒子２０を裏面電極１０上に間隔を
おいて並べた後、銀ろう粉を溶融させて図８（ｂ）に示
すように核粒子２１を子粒子２１によりろう付けを行っ
て接合するようにしても良い。
【００３４】図９は、銀ろうで粒子を形成する例を示し
たものである。
たものである。
【００３５】先ず図９（ａ）に示すようにメッシュ状の
銀ろう２５を裏面電極１０上に配置し、この銀ろう２５
を溶融させて図９（ｂ）に示すように粒子１１を形成す
るようにしたものである。この場合ろう材は溶融してよ
り丸くなるものを用いる。
銀ろう２５を裏面電極１０上に配置し、この銀ろう２５
を溶融させて図９（ｂ）に示すように粒子１１を形成す
るようにしたものである。この場合ろう材は溶融してよ
り丸くなるものを用いる。
【００３６】以上図４〜９に示すように粒子１１，２０
を裏面電極１０上に接合した後、光発電素子層１３，１
４，１５を形成し、表面透明電極１６をコートして太陽
電池を形成する。
を裏面電極１０上に接合した後、光発電素子層１３，１
４，１５を形成し、表面透明電極１６をコートして太陽
電池を形成する。
【００３７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、粒子は裏
面電極上に互いに間隔を隔てるように接合されているた
め、裏面電極の表面積は、その粒子の全表面積分増大す
ることとなり、高効率の太陽電池が得られる。
面電極上に互いに間隔を隔てるように接合されているた
め、裏面電極の表面積は、その粒子の全表面積分増大す
ることとなり、高効率の太陽電池が得られる。
【図１】本発明の一実施例を示す要部拡大断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の他の実施例を示す要部拡大断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の更に他の実施例を示す要部拡大断面図
である。
である。
【図４】本発明において、裏面電極に粒子を接合する例
を示す要部拡大図である。
を示す要部拡大図である。
【図５】本発明において、裏面電極にカプセル粒子を接
合する例を示す要部拡大図である。
合する例を示す要部拡大図である。
【図６】本発明において、裏面電極に粒子を接合する例
を示す要部拡大図である。
を示す要部拡大図である。
【図７】本発明において、裏面電極に粒子を接合する例
を示す要部拡大図である。
を示す要部拡大図である。
【図８】本発明において、裏面電極にカプセル粒子を接
合する例を示す要部拡大図である。
合する例を示す要部拡大図である。
【図９】本発明において、裏面電極に粒子を接合する例
を示す要部拡大図である。
を示す要部拡大図である。
【図１０】先願の粉体シート法を説明する図である。
【図１１】図９で得られた粉体シートを示す図である。
１０ 裏面電極 １１ 球状粒子 １３，１４，１５ 光発電素子層
Claims (1)
- 【請求項１】 裏面電極上に粒子を、互いの粒子がそれ
ぞれ間隔をへだてるように接合し、その粒子が接合され
た裏面電極上に光発電素子層を成膜することを特徴とす
る太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016979A JPH05218468A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4016979A JPH05218468A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218468A true JPH05218468A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11931182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4016979A Pending JPH05218468A (ja) | 1992-01-31 | 1992-01-31 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218468A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0940860A4 (en) * | 1997-08-27 | 2000-05-17 | Josuke Nakata | SPHERICAL SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND SPHERICAL SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT MATERIAL |
| KR100377825B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2003-07-16 | 나가다 죠스게 | 반도체디바이스 |
-
1992
- 1992-01-31 JP JP4016979A patent/JPH05218468A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100377825B1 (ko) * | 1996-10-09 | 2003-07-16 | 나가다 죠스게 | 반도체디바이스 |
| EP0940860A4 (en) * | 1997-08-27 | 2000-05-17 | Josuke Nakata | SPHERICAL SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND SPHERICAL SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT MATERIAL |
| AU736457B2 (en) * | 1997-08-27 | 2001-07-26 | Sphelar Power Corporation | Spherical semiconductor device and the manufacture method for the same and spherical semiconductor device material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3816551B2 (ja) | 薄い半導体およびその製造方法 | |
| JP3548246B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| US9040409B2 (en) | Methods of forming solar cells and solar cell modules | |
| US8481844B2 (en) | Solar cell and solar cell module | |
| US4540843A (en) | Solar cell | |
| US5457057A (en) | Photovoltaic module fabrication process | |
| US9515200B2 (en) | Photovoltaic module | |
| JP5156482B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
| JP5726303B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2010517315A (ja) | 太陽電池モジュールのための相互接続反射リボン | |
| EP3493277B1 (fr) | Procédé d'interconnexion de cellules photovoltaïques avec une électrode pourvue de nanofils métalliques | |
| CN102270677A (zh) | 太阳能电池、模块、对太阳能电池布线的方法及接触引线 | |
| KR102074775B1 (ko) | 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들 | |
| JPH06209115A (ja) | 太陽電池の半田部形成方法 | |
| CN205542811U (zh) | 一种用于铝基柔性导电背板的电流引出装置 | |
| JPS61224466A (ja) | 太陽電池およびその製造法 | |
| JPH05218468A (ja) | 太陽電池 | |
| JP2794141B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH05259487A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP4854105B2 (ja) | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
| WO2020109408A1 (fr) | Cellule et guirlande photovoltaiques et procedes de fabrication associes | |
| JPH0945946A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP3653379B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2012253279A (ja) | 太陽光発電モジュールおよびその製造方法 | |
| EP3459121A1 (fr) | Assemblage de cellules photovoltaiques |