KR102074775B1 - 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들 - Google Patents

집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들 Download PDF

Info

Publication number
KR102074775B1
KR102074775B1 KR1020137022234A KR20137022234A KR102074775B1 KR 102074775 B1 KR102074775 B1 KR 102074775B1 KR 1020137022234 A KR1020137022234 A KR 1020137022234A KR 20137022234 A KR20137022234 A KR 20137022234A KR 102074775 B1 KR102074775 B1 KR 102074775B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
solar cells
diode
solar cell
contact pads
Prior art date
Application number
KR1020137022234A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140015341A (ko
Inventor
에카르트 게르슈터
마르틴 치글러
Original Assignee
생-어거스틴 캐나다 일렉트릭 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 생-어거스틴 캐나다 일렉트릭 아이엔씨. filed Critical 생-어거스틴 캐나다 일렉트릭 아이엔씨.
Publication of KR20140015341A publication Critical patent/KR20140015341A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102074775B1 publication Critical patent/KR102074775B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the Schottky type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 적어도 하나의 기판(2) 위에 제공되는 복수의 태양 전지들(4), 적어도 하나의 기판 위에 제공되는 복수의 접촉 패드들(5), - 하나의 접촉 패드는 복수의 태양 전지들 각각을 위한 것인 - , 복수의 접촉 패드들의 대응하는 것에 복수의 태양 전지들 각각을 접속하는 전기 배선(8, 9) 및 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 전기적으로 접속되는 다이오드(7)를 포함하는 태양 전지 어레이 구성에 관한 것이다.

Description

집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들{Solar cell arrays for concentrator photovoltaic modules}
본 발명은 집광형 태양광발전 모듈들을 위한, 태양 전지들, 접촉 패드들 및 적어도 하나의 (바이패스) 다이오드를 포함하는 태양 전지 어레이들에 관한 것이다.
광전지 또는 태양 전지들은 태양 복사선(solar radiation)을 전류로 변환하도록 설계된다. 집광형 태양 광전지 응용들에 있어서, 유입하는 태양광은 그것이 태양 전지들로 보내지기 전에 광학적으로 집중된다(optically concentrated). 예를 들어, 유입하는 태양광은, 태양 전지를 향해 수신된 복사선을 또한 반사시키는 부경(secondary mirror)을 향해 수신된 복사선을 반사시키는 주경(primary mirror)에 의해 수신되고, 태양 전지는 예를 들어 III-V 반도체 또는 단결정 실리콘에서의 전자-정공쌍들의 발생에 의해 집중된 복사선(concentrated radiation)을 전류로 변환한다.
태양 전지는 금속화된 접촉 패드들을 갖는 반도체 다이를 포함하고, 그러므로 몇가지 방식의 집적 회로 패키지 또는 태양 전지 조립체를 필요로 하고 여기서 태양 전지는 하나 이상의 기능 소자들에 접속된다. 태양 전지 조립체(Solar cell assembly;SCA)는 특히 태양 전지에 대해, 환경적 영향으로부터의 보호, 방열(heat dissipation) 및 전기 접속성을 제공할 수 있다.
이 기술에서, SCA들은 연속의 단일 기판 베이스 위에 제조되거나 또는 서로 전기적으로 절연되는 다수의 구성요소들을 포함한다. 중요한 쟁점은 SCA의 기판과 태양 전지의 후면 접촉(backside contacting)이다. 관례적으로, 냉각 기판으로서 기능하는 연속의 단일 기판은 선택적 귀금속(예컨대, 금) 증착에 의해 태양 전지의 후면에 접촉되는데, 이것은 비용이 많이 들뿐만 아니라, 지루하고(tedious) 시간 소모적인 공정 단계이다.
다수의 전기 절연 재료 구성들의 제공은 종종 불량한 열전도를 초래하고, 따라서, 태양 전지의 비효율적인 전반적인 열적 접속을 초래한다. 더욱이, 상이한 재료 특징들의 재료들의 제공은 높은 비용 및 복수의 접속 영역들을 의미하고, 그러므로, 제조된 SCA의 (장수명) 신뢰성의 상당한 열화를 초래한다.
게다가, 집광형 태양광발전 모듈들 기술에서, 각각의 태양 전지는 예를 들어 역방향 과전압 보호를 위한 바이패스 다이오드에 의해 개별적으로 연결된다. 상대적으로 넓은 패드 접촉 표면들 및, 따라서 큰 반도체 구성요소들이 배선 요소로서 다이오드를 이용할 때 포함된다. 만약, 대안으로, 인쇄 회로 기판 기술에 기초한 배선 패드가 태양 전지를 연결하기 위해 사용되면, 회로 기판은 포함된 유기 화합물들로 인해 집중된 태양광에 의해 손상될 높은 위험이 있다.
따라서, 최근 공학 기술의 진보에도 불구하고, 여전히 신뢰성 있는 전기 접촉, 효율적인 열 전도도를 보이는 SCA를 제공하고 생산 합리화(production rationalization)를 고려하는 요구가 있다.
상술한 요구에 대응한 본 발명의 일 실시 예에 따른 태양 전지 어레이 구성은 적어도 하나의 기판 상에 제공되는 복수의 태양 전지들, 상기 적어도 하나의 기판 상에 제공되는 복수의 접촉 패드들로서, 하나의 접촉 패드는 상기 복수의 태양 전지들 각각을 위한 것인, 복수의 접촉 패드들, 상기 복수의 태양 전지들 각각을 상기 복수의 접촉 패드들 중 대응하는 접촉 패드에 접속하는 전기 배선 및 상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 전기적으로 접속되는, 특히 상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개의 상기 접촉 패드에 접속되는 대응하는 접촉 패드에 접속되는 다이오드를 포함한다.
이 경우, 상기 접촉 패드들은 전기 절연 접착제, 특히, 투명 접착제에 의해 상기 적어도 하나의 기판 위에 제공될 수 있다.
한편, 상기 접촉 패드들은 절연층들을 구비하지 않을 수 있다.
한편, 상기 접촉 패드들은 알루미늄, 구리, 청동 또는 황동으로 만들어지는 베이스(base) 및/또는 금, 은, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 주석 또는 아연으로 만들어지는 전기 접속 표면을 포함할 수 있다.
한편, 상기 다이오드는 상기 접촉 패드들 중 적어도 2개와 전기적으로 접속될 수 있다.
한편, 상기 다이오드는 쇼트키 다이오드(Schottky diode)일 수 있다.
한편, 상기 적어도 하나의 기판은 열 및 전기 전도성 기판(thermally and electrically conductive substrate)일 수 있다.
이 경우, 상기 적어도 하나의 기판은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하거나 또는 이들로 구성될 수 있다.
한편, 상기 적어도 하나의 기판은, 접착제 없이, 전기 절연 지지 기판, 특히, 글라스 지지 기판 위에 직접 제공될 수 있다.
한편, 상기 적어도 하나의 기판은 평평한(flat) 알루미늄 또는 알루미늄 합금 플레이트이고 전기 절연 지지 기판, 특히, 글라스 지지 기판 위에 접착제에 의해 제공될 수 있다.
한편, 상기 적어도 하나의 기판은 하나 이상의 태양 전지를 보유(carries)할 수 있다.
한편, 상기 태양 전지들 각각에 대해, 상기 적어도 하나의 기판의 대응하는 기판이 제공되고 상기 기판들 각각 또는 그것의 코팅은 가우시안형 두께 분포(Gaussian like thickness distribution)를 가지며, 특히 각각의 태양 전지는 상기 기판의 최고 두께의 영역에서 상기 대응하는 기판 위에 제공될 수 있다.
한편, 상기 적어도 하나의 기판은 은, 니켈, 주석, 구리 중 하나 이상 또는 임의의 다른 재료 또는 전기 전도성 접착제 또는 땜납을 위한 기능 표면(functional surface)으로서 적합하고 상기 태양 전지들 및/또는 상기 다이오드와 열적 및 전기 접속을 제공하는 합금으로 만들어지거나 포함하는 코팅에 의해 코팅될 수 있다.
이 경우, 상기 태양 전지들 및/또는 상기 다이오드는 전기 전도성 접착제 또는 땜납, 특히, 은 접착제 또는 땜납에 의해 상기 코팅 위에 제공될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상술한 태양 전지 어레이 구성을 포함하는 집광형 태양광발전 모듈이 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 2개의 태양 전지 어레이들 및 다이오드를 포함하는 태양 전지 어레이 구성의 예를 도시한 도면.
도 2는 도 1에 도시된 것과 유사하지만 상이한 배선을 갖는, 2개의 태양 전지 어레이들 및 다이오드를 포함하는 태양 전지 어레이 구성의 예를 도시한 도면.
도 3은 2개의 태양 전지들 및 다이오드를 포함하는 태양 전지 어레이 구성의 다른 예를 도시한 도면 - 여기서 태양 전지들 중 하나 및 다이오드는 동일한 기판 위에 제공됨 -.
본 발명은 위에서 언급한 요구를 다루고, 따라서
적어도 하나의 기판 상에 제공되는 복수의 태양 전지들;
적어도 하나의 기판 위에 제공되는 복수의 접촉 패드들로서, 하나의 접촉 패드는 상기 복수의 태양 전지들 각각을 위한 것인, 복수의 접촉 패드들;
복수의 태양 전지들 각각을 복수의 접촉 패드들 중 대응하는 접촉 패드들에 접속하는 전기 배선; 및
복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 전기적으로 접속되는, 특히 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개의 접촉 패드에 접속되는 대응하는 접촉 패드(다이오드를 위해 제공됨)에 접속되는 다이오드를 포함하는, 태양 전지 어레이 구성을 제공한다.
특히, 각각의 태양 전지는 열 확산 기판으로서 작용할 수 있는 각각의 개별 기판(각각의 태양 전지에 대해 하나의 기판) 위에 제공될 수 있다. 각각의 태양 전지는 태양 전지가 제공되는 동일한 기판 위에 제공되는 접촉 패드가 인접한다. 다이오드는 동일한 기판 또는 태양 전지들 및 접촉 패드들이 제공되는 것들과는 다른 기판 위에 제공될 수 있다. 특히, 접촉 패드들은 전부 금속으로 만들어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 각각의 태양 전지는 접촉 패드와 전기적으로 접속되고, 그리고 접촉 패드를 통해, 역과전압(reverse over-voltage)에 대해 태양 전지를 보호하는 다이오드와 접속된다. 대안으로, 태양 전지는 다이오드와 직접 접촉될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 배선 설계는 종래 기술에 비해 더 많은 유연성을 제공한다.
그러나, 종래 기술과는 달리 다수의 태양 전지들은 하나에 그리고 예를 들어 대응하는 접촉 패드를 통해 동일한 다이오드에 접속된다. 따라서, 각각의 개별 태양 전지를 위해 제공되는 큰 반도체 구성요소는 필요 없지만 하나의 다이오드는 다수의 태양 전지들을 위한 과전압 보호를 제공할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따르면, 다이오드의 상측 표면은 태양 전지 및 인접한 열 확산 기판을 직접 접촉시키기 위한 배선들 및 도전체들의 수용을 허용하는 방식으로 설계되지 않는다. 태양 전지들의 필요한 전기 배선 및 열 확산 물질들이 종래 기술의 pn 반도체 다이오드들에 비해 상당히 낮은 비용으로 만들어질 수 있는 접촉 패드들에 의해 동시에 제공된다. 독창적인 태양 전지 어레이 구성으로 제공되는 다이오드의 기하학적 특성들은 오로지 요구되는 전기 및 열 사양들(specifications)에 의해 결정된다.
실시예에 따르면, 접촉 패드들은 종래 기술에서 사용되는 회로 기판들에 반해 어떠한 절연층도 구비하지 않는다. 추가의 실시예에 따르면, 접촉 패드들은, 유입하는 집중된 태양광의 흡수를 회피시키는 전기 절연 접착제, 특히, 투명 접착제, 예를 들어, 투명 에폭시 접착제에 의해 적어도 하나의 기판 위에 제공된다. 대안으로, 그것은 접착제가 집중된 태양광에 의해 가열될 위험 없이 접촉 패드 아래에만 위치되는 방식으로 실현될 수 있다.
게다가, 다이오드뿐만 아니라 태양 전지들 및 인접 기판을 연결하기에 적합해야 하는 접촉 패드들은 알루미늄, 구리, 청동 또는 황동으로 만들어지는 베이스 및/또는 금, 은, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 주석 또는 아연으로 만들어지는 전기 접속 표면을 포함할 수 있다.
예에 따르면, 접촉 패드들 중 적어도 2개와 접속되는 다이오드는 금속-반도체(Schottky) 다이오드 형태로 제공될 수 있다. 태양 전지들의 주 배선이 접촉 패드들에 의해 제공되므로, 종래 기술에서와 같은 큰 pn 다이오드보다 오히려 쇼트키 다이오드(Schottky diode)가 선택될 수 있다. 0.4 V만큼 작은 전압 손실, 즉 pn 다이오드에 의해 생기는 전압 손실의 약 절반을 갖는 쇼트키 다이오드가 사용될 수 있다. 비교로, 종래 기술에서 사용되는 것과 같은 pn 반도체 바이패스 다이오드는 약 0.8 V의 전압 강하, 그러므로 바이패스의 경우에 전체 집광형 태양광발전 모듈의 전압 손실을 초래한다. 따라서, 바이패스의 경우의 전압 손실은 종래 기술에 비해 감소될 수 있고 태양 전지 어레이 구성 및 이 태양 전지 어레이 구성을 포함하는 집중형 모듈(concentrator module)의 전체 효율이 증가될 수 있다. 더욱이, 요구되는 다이오드 다이의 크기가 감소될 수 있는 데, 그 이유는 열적 파워 손실이 쇼트키 다이오드에 비해 낮기 때문이다.
이미 언급한 것과 같이, 적어도 하나의 기판은 열 확산기로서 기능할 수 있고, 따라서 하나 이상의 태양 전지들에 대한 열 및 전기 전도성 기판일 수 있다. 특정 예에 따르면, 태양 전지들이 제공되는 적어도 하나의 기판은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하거나 이들로 구성된다. 따라서, 복수의 태양 전지들 각각 및 복수의 접촉 패드들 각각은 대응하는 단일 열 확산 기판 위에 제공될 수 있고, 열 확산 기판 위의 태양 전지는 동일한 기판 위에 제공되는 접촉 패드와 전기적으로 접속되고, 접촉 패드는 상이한 기판 위에 제공될 수 있는 다이오드와 전기적으로 접속된다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 적어도 하나의 기판은 전기 절연 지지 기판, 특히, 글라스 지지 기판 위에, 접착제 없이, 직접 제공된다. 개개의 기판들 - 각각에는 하나 이상의 태양 전지들이 제공되고, 각각이 동일한 기판 위에 제공되는 접촉 패드와 전기적으로 접속됨 - 은 동일한 지지 기판 위에 제공될 수 있다. 예를 들어, 알루미늄(열 확산기) 기판은 용사(thermal spraying) 또는 플라즈마 코팅 공정에 의해 지지 기판(예컨대, 글라스로 만들어짐)에 적용될 수 있다. 그럼으로써, 알루미늄은 글라스 표면에 신뢰성 있게 부착될 수 있다. 분무(spraying) 또는 코팅은 전형적으로 분무 또는 코팅된 알루미늄 층의 두께의 가우시안 분포를 초래한다. 이 경우에, 각각의 태양 전지는 태양 전지에 의해 발생된 열이 기판을 통해 최적으로 확산될 수 있도록, 이렇게 형성된 기판(예를 들어, 알루미늄 층)의 최대 두께의 영역에서 대응하는 기판 위에 제공될 수 있다.
대안으로, 적어도 하나의 기판은 평평한 알루미늄 또는 알루미늄 합금 플레이트이고, 전기 절연 지지 기판, 특히, 글라스 지지 기판 또는 상측 표면에 유전체층을 포함하는 금속 기판 위에 접착제에 의해 제공되고, 그 결과 적어도 하나의 기판, 예를 들어, 평평한 알루미늄 플레이트가 제공된다. 적어도 하나의 기판은 그 기판의 차원(demensions)에 따라 하나 이상의 태양 전지들에 적합할 수 있다. 만약 기판이 하나 이상의 태양 전지를 보유하면, 더 적은 전기 접속들이 필요하다.
적어도 하나의 기판은 태양 전지 및/또는 다이오드와의 열적 및 전기 접속을 제공하는 코팅에 의해 코팅될 수 있다. 코팅은 보통 기판 자체보다 얇고 은, 니켈, 주석, 구리 중 하나 이상, 또는 다른 재료들 또는 전기 전도성 접착제 또는 땜납을 위한 표면으로서 적합한 합금들로 만들어지거나 포함할 수 있다. 태양 전지들 및/또는 다이오드는 전기 전도성 접착제 또는 땜납, 특히, 신뢰성 있는 전기 접속을 보장하는 은 접착제 또는 땜납에 의해 코팅 위에 제공될 수 있다.
대안으로, 적어도 하나의 기판은 평평한 알루미늄 플레이트이고 전기 절연 지지 기판, 특히, 글라스 지지 기판 또는 상측 표면에 유전체층을 포함하는 금속 기판 위에 접착제에 의해 제공되고, 따라서 적어도 하나의 기판, 예를 들어, 평평한 알루미늄 플레이트가 제공된다.
더욱이, 본원에는 위에 기재한 예들 중 하나에 따른 태양 전지 어레이 구성을 포함하는 집광형 태양광발전 모듈이 제공된다. 집광형 태양 전지 모듈은 이 기술에서 알려진, 임의의 1차 집광 광학장치(primary concentrator optics), 예를 들어 미러 및 프레넬 렌즈들(Fresnel lenses)을 포함할 수 있다. 집광형 태양 전지 모듈은 2차 광학장치, 예를 들어 돔 렌즈들(dome lenses), 복합 포물형 집광기(compound parabolic concentrator), 절두형 피라미드들(truncated pyramids) 또는 절두형 원뿔들(truncated cones)을 부가적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 추가의 특징들 및 이점들이 도면들을 참조하여 기재될 것이다. 설명에 있어서, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 설명하는 것인 첨부 도면이 참조된다. 이와 같은 실시 예들은 본 발명의 전체 범위를 나타내지 않는 것임이 이해된다.
독창적인 태양 전지 어레이 구성의 예시적인 실시 예가 도 1에 도시된다. 이 구성은 예를 들어 글라스로 만들어지는 지지 기판(1)을 구비한다. 지지 기판(1) 위에는 제 1 열 및 전기 전도성 기판(2)이 예컨대 지지 기판(1) 위에 분무되는 알루미늄 층의 형태로 제공된다. 기판(2) 위에는, 태양 전지(4)와의 열적 및 전기 접속을 위한 코팅(3) 및 열 및 전기 전도성 기판(2) 위에 제공되는 접촉 패드(2)와의 열적 및 전기 접속을 위한 코팅(3')이 형성된다. 유사하게, 지지 기판(1) 위에는, 코팅들(3" 및 3''')에 의해 코팅되고 그 위에 형성된 제 2 태양 전지(4') 및 제 2 접촉 패드(5')를 갖는 제 2 열 및 전기 전도성 기판(2')이 제공된다.
게다가, 다른 전기 전도성 기판(6)은 지지 기판(1) 위에 형성된다. 전기 전도성 기판(6)의 맨 위에는, 태양 전지들(4 및 4')을 위한 바이패스 다이오드로서 기능하는 다이오드(7)가 형성된다. 전기 배선(8, 8')은 태양 전지들(4, 4')과 대응하는 접촉 패드들(5, 5') 사이에 제공된다. 더욱이, 전기 배선(9, 9')은 접촉 패드들(5, 5')과 다이오드(7) 사이에 제공되고 전기 배선(9", 9''')은 기판들(2 및 2')과 기판(6) 사이에 각각 제공된다. 배선은 통상의 얇은 또는 두꺼운 와이어 배선 또는 리본 본드 접속들의 형태로 실현될 수 있다. 더욱이, 용접은 적절한 배선을 달성하기 위해 수행될 수 있다. 한편, 기판(2, 2'), 태양 전지(4, 4') 및 접촉 패드(5, 5')를 포함하는 2개의 태양 전지 어레이들은 다이오드(7)와 전기적으로 접속되고, 실제로, 다수의 태양 전지 어레이들은 단일 다이오드에 의해 보호될 수 있다. 다이오드는 바람직하게는 쇼트키 형태이다. 각각의 태양 전지들(4, 4')은 예를 들어 상이한 파장 범위들에서 최적 흡수를 보이는 3개의 셀들을 포함하는 다중접합 태양 전지일 수 있다. 3중 셀 구조는 예를 들어 1.8 eV의 갭 값(gap value)을 갖는 GaInP 상부 셀 층, 1.4 eV의 갭 값을 갖는 GaAs 중간 셀 층 및 0.7 eV의 갭 값을 갖는 Ge 하부 셀 층을 포함할 수 있다.
나타낸 예에 있어서, 하나의 단일 작은 규모의 쇼트키 다이오드(one single small scale Schottky diode)는 다수의 태양 전지들에 대해 과전압 보호를 제공할 수 있다. 특히, 이 기술의 태양 전지 어레이들에 대해, 갈바닉(Galvanic) 소자들의 형성을 초래하는 갈바닉 소자들의 전체 갯수 및 상이한 처리된 재료들의 수는 본 발명에 따라 효율적으로 감소될 수 있다.
도 1에 나타낸 것에 대한 비교 가능하지만 상이한 배선을 갖는 실시예가 도 2에 도시된다. 도 1에 이미 나타낸 동일 요소들은 동일한 참조 번호들로 표시된다. 다이오드(7)는 예를 들어, 은 에폭시(siver epoxy)에 의해 전기 기판(6')에 부착된다. 더욱이, 동일한 기판(6') 위에 접촉 패드(10)가 제공되고. 태양 전지들(4 및 4')은 기판들(2 및 2') 위에 각각 제공된다. 배선들(11 및 11')에 의해 기판들(2 및 2') 및 기판들(2 및 6')은 각각 서로 전기적으로 접속된다. 더욱이, 배선(12)에 의한 패드들(5 및 5') 사이의 전기 접속 및 배선(12')에 의한 패드들(5 및 10) 사이의 전기 접속이 확립된다. 따라서, 한편 도 1에 나타낸 예에 있어서는 바이패스 다이오드에 대한 직접 본딩이 달성되고 도 2에 나타낸 예에 있어서는 바이패스 다이오드에 인접한 접촉 패드에 대한 본딩이 실현된다.
도 3은 태양 전지들 중 하나 및 다이오드가 동일한 기판 위에 제공되는 추가의 실시예를 도시한다. 도 3으로부터 알 수 있는 것과 같이, 다이오드 및 태양 전지(4)는 기판(13) 위에 제공되고 패드(5)를 통해 서로 전기적으로 접속된다. 더욱이, 기판(2) 위에 제공되는 태양 전지(4)에 대한 전기 접속은 패드들(5 및 5')을 접속하는 배선(12')에 의해 확립된다(태양 전지(4)는 다른 배선에 의해 패드(5')에 접속된다). 다이오드는 적절한 배선을 사용할 때 다른 태양 전지들을 위한 바이패스 다이오드로서도 기능한다.
모든 이전에 논의된 실시예들은 제한사항으로서 의도되지 않고 본 발명의 특징들 및 이점들을 예시하는 예들로서 기능한다. 위에 기재한 특징들은 또한 상이한 방식들로 결합될 수 있다는 것이 이해된다.

Claims (15)

  1. 태양 전지 어레이에 있어서,
    적어도 하나의 기판 상에 제공되는 복수의 태양 전지들;
    상기 적어도 하나의 기판 상에 제공되는 복수의 접촉 패드들로서, 하나의 접촉 패드는 상기 복수의 태양 전지들 각각을 위한 것인, 복수의 접촉 패드들;
    상기 복수의 태양 전지들 각각을 상기 복수의 접촉 패드들 중 대응하는 접촉 패드에 접속하는 전기 배선; 및
    상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 전기적으로 연결되고, 상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 각각 대응되는 접촉 패드와 상기 전기 배선을 통해 연결됨으로써, 상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 각각 대응되는 접촉 패드를 통해 상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개와 연결되는 다이오드;를 포함하며,
    상기 다이오드는 상기 대응되는 접촉 패드를 통해 상기 다이오드와 연결된 상기 복수의 태양 전지들 중 적어도 2개 각각에 대해 과전압을 방지하는, 태양 전지 어레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접촉 패드들은 전기 절연 접착제에 의해 상기 적어도 하나의 기판 위에 제공되는, 태양 전지 어레이.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 패드들은 절연층들을 구비하지 않는, 태양 전지 어레이.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접촉 패드들은 알루미늄, 구리, 청동 또는 황동으로 만들어지는 베이스(base) 및 금, 은, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 주석 또는 아연으로 만들어지는 전기 접속 표면 중 적어도 하나를 포함하는, 태양 전지 어레이.
  5. 삭제
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다이오드는 쇼트키 다이오드(Schottky diode)인, 태양 전지 어레이.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 열 및 전기 전도성 기판(thermally and electrically conductive substrate)인, 태양 전지 어레이.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 알루미늄 또는 알루미늄 합금을 포함하거나 또는 이들로 구성되는, 태양 전지 어레이.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 접착제 없이 전기 절연 지지 기판 위에 직접 제공되는, 태양 전지 어레이.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 평평한(flat) 알루미늄 또는 알루미늄 합금 플레이트이고, 상기 적어도 하나의 기판은 전기 절연 지지 기판 위에 접착제에 의해 제공되는, 태양 전지 어레이.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 하나 이상의 태양 전지를 보유하는(carries), 태양 전지 어레이.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 상기 복수의 태양 전지들 각각에 대해 대응하는 기판을 포함하고, 상기 대응하는 기판들 각각 또는 그것의 코팅은 가우시안형 두께 분포(Gaussian like thickness distribution)를 가지며,
    상기 각각의 태양 전지는 상기 대응하는 기판의 최고 두께의 영역에서 상기 대응하는 기판 위에 제공되는, 태양 전지 어레이.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 기판은 은, 니켈, 주석, 구리 중 하나 이상 또는, 전기 전도성 접착제 또는 납땜을 위한 기능 표면(functional surface)인 합금으로 만들어지거나 이를 포함하는 코팅에 의해 코팅되고,
    상기 적어도 하나의 기판은, 상기 태양 전지들 및 상기 다이오드 중 적어도 하나와 열적 및 전기적으로 접속되는, 태양 전지 어레이.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 태양 전지들 및 상기 다이오드 중 적어도 하나는 전기 전도성 접착제 또는 땜납에 의해 상기 코팅 위에 제공되는, 태양 전지 어레이.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 따른 상기 태양 전지 어레이를 포함하는 집광형 태양광발전 모듈.
KR1020137022234A 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들 KR102074775B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11001542.7 2011-02-24
EP11001542.7A EP2492966B1 (en) 2011-02-24 2011-02-24 Solar cell arrays for concentrator photovoltaic modules
PCT/EP2012/000788 WO2012113561A1 (en) 2011-02-24 2012-02-23 Solar cell arrays for concentrator photovoltaic modules

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187019412A Division KR102195004B1 (ko) 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140015341A KR20140015341A (ko) 2014-02-06
KR102074775B1 true KR102074775B1 (ko) 2020-02-07

Family

ID=44201143

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197028136A KR102113070B1 (ko) 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
KR1020137022234A KR102074775B1 (ko) 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
KR1020187019412A KR102195004B1 (ko) 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197028136A KR102113070B1 (ko) 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187019412A KR102195004B1 (ko) 2011-02-24 2012-02-23 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10804420B2 (ko)
EP (1) EP2492966B1 (ko)
KR (3) KR102113070B1 (ko)
CN (1) CN103563092B (ko)
ES (1) ES2509967T3 (ko)
WO (1) WO2012113561A1 (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2998684B1 (fr) 2012-11-28 2014-11-21 Soitec Solar Gmbh Controle d'un dispositif traqueur solaire
US9595627B2 (en) 2013-03-15 2017-03-14 John Paul Morgan Photovoltaic panel
US9714756B2 (en) 2013-03-15 2017-07-25 Morgan Solar Inc. Illumination device
CN105051454B (zh) 2013-03-15 2019-06-18 摩根阳光公司 光板、具有改善界面的光学组件及具有改善的制造容差的光板
US9960303B2 (en) 2013-03-15 2018-05-01 Morgan Solar Inc. Sunlight concentrating and harvesting device
DE102015201878A1 (de) * 2015-02-04 2016-08-04 Continental Teves Ag & Co. Ohg Halbautomatisierter Spurwechsel
CN104752544A (zh) * 2015-03-27 2015-07-01 日芯光伏科技有限公司 太阳能接收器组件结构
DE102017108223B4 (de) 2017-04-18 2024-05-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Photovoltaisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277785A (ja) 1999-03-29 2000-10-06 Matsushita Electronics Industry Corp 太陽電池モジュール用バイパスダイオード
WO2006027225A1 (de) * 2004-09-11 2006-03-16 Azur Space Solar Power Gmbh Solarzellenanordnung sowie verfahren zum verschalten eines solarzellenstrings
JP2008541429A (ja) 2005-05-04 2008-11-20 ザ・ボーイング・カンパニー アイソタイプヘテロ接合ダイオードを有する太陽電池アレイ

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3973996A (en) * 1974-03-04 1976-08-10 The Boeing Company Diffusion welded solar cell array
US4400409A (en) * 1980-05-19 1983-08-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making p-doped silicon films
US4481378A (en) * 1982-07-30 1984-11-06 Motorola, Inc. Protected photovoltaic module
US4754544A (en) * 1985-01-30 1988-07-05 Energy Conversion Devices, Inc. Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays
US4769086A (en) * 1987-01-13 1988-09-06 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell with nickel back
EP0373235A1 (de) * 1988-12-12 1990-06-20 Siemens Aktiengesellschaft Solarzelleneinrichtung
US5228924A (en) * 1991-11-04 1993-07-20 Mobil Solar Energy Corporation Photovoltaic panel support assembly
CN2318710Y (zh) 1997-10-22 1999-05-12 秦皇岛阿尔法太阳能动力有限公司 太阳能聚光电池模块
US6675580B2 (en) * 1999-06-29 2004-01-13 Powerlight Corporation PV/thermal solar power assembly
US20040025932A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 John Husher Variegated, high efficiency solar cell and method for making same
FR2863775B1 (fr) * 2003-12-15 2006-04-21 Photowatt Internat Sa Module photovoltaique avec un dispositif electronique dans l'empilage lamine.
DE202006000368U1 (de) * 2005-04-20 2006-08-31 Günther Spelsberg GmbH & Co. KG Anschlußschaltung
EP2179450A4 (en) * 2006-10-25 2014-09-03 Jeremy Scholz ELECTRICAL CONNECTION ASSEMBLY FOR BORDER MOUNTING
ES2327864T3 (es) 2006-12-05 2009-11-04 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Modulo fotovoltaico y su utilizacion.
CN101355107A (zh) 2007-07-26 2009-01-28 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 聚光太阳电池的组装结构
US7381886B1 (en) * 2007-07-30 2008-06-03 Emcore Corporation Terrestrial solar array
JP5219538B2 (ja) * 2008-02-12 2013-06-26 大成建設株式会社 太陽光発電薄膜を基材に直接形成した太陽電池
US20090242015A1 (en) * 2008-03-28 2009-10-01 Wattman George G Photovoltaic Roofing Elements, Laminates, Systems and Kits
US20100163098A1 (en) * 2008-12-03 2010-07-01 James Christopher Clemens Receivers for concentrating photovoltaic systems and methods for fabricating the same
CN201387892Y (zh) 2009-02-19 2010-01-20 上海交大泰阳绿色能源有限公司 一种太阳能电池组件
EP2362432B1 (en) * 2010-02-25 2017-06-07 Saint-Augustin Canada Electric Inc. Solar cell assembly

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277785A (ja) 1999-03-29 2000-10-06 Matsushita Electronics Industry Corp 太陽電池モジュール用バイパスダイオード
WO2006027225A1 (de) * 2004-09-11 2006-03-16 Azur Space Solar Power Gmbh Solarzellenanordnung sowie verfahren zum verschalten eines solarzellenstrings
JP2008541429A (ja) 2005-05-04 2008-11-20 ザ・ボーイング・カンパニー アイソタイプヘテロ接合ダイオードを有する太陽電池アレイ

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012113561A1 (en) 2012-08-30
KR102195004B1 (ko) 2020-12-28
CN103563092A (zh) 2014-02-05
US10804420B2 (en) 2020-10-13
EP2492966A1 (en) 2012-08-29
KR102113070B1 (ko) 2020-05-20
KR20190112202A (ko) 2019-10-02
US20140020732A1 (en) 2014-01-23
EP2492966B1 (en) 2014-09-03
ES2509967T3 (es) 2014-10-20
KR20140015341A (ko) 2014-02-06
CN103563092B (zh) 2016-01-06
KR20180082623A (ko) 2018-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102074775B1 (ko) 집광형 태양광발전 모듈들을 위한 태양 전지 어레이들
US6531653B1 (en) Low cost high solar flux photovoltaic concentrator receiver
KR101224923B1 (ko) Ⅲ－ⅴ 반도체 태양 전지를 이용한 집중식 태양광 시스템 모듈
US7977567B2 (en) Photovoltaic module and the use thereof
EP2510549B1 (en) Photovoltaic device with bypass diode
US20100326492A1 (en) Photovoltaic Cell Support Structure Assembly
EP2264785A2 (en) Receiver for photovoltaic concentrator system comprising III-V semiconductor solar cells
TWI723026B (zh) 太陽能電池及光伏打組件
US9590126B2 (en) Solar cell assembly II
EP2362431B1 (en) Solar cell assembly
US11646383B2 (en) Back contact solar cell assemblies

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL NUMBER: 2018101002890; TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20180706

Effective date: 20191028

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant