JPS61224466A - 太陽電池およびその製造法 - Google Patents
太陽電池およびその製造法Info
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- JPS61224466A JPS61224466A JP61066099A JP6609986A JPS61224466A JP S61224466 A JPS61224466 A JP S61224466A JP 61066099 A JP61066099 A JP 61066099A JP 6609986 A JP6609986 A JP 6609986A JP S61224466 A JPS61224466 A JP S61224466A
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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-
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- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ドーピングされた半導体ベースブロック、光
入射用に備えられた表面、およびこの表面ないしは対向
する裏面の金属リード端子より成る太陽電池およびその
製造法に関する。
入射用に備えられた表面、およびこの表面ないしは対向
する裏面の金属リード端子より成る太陽電池およびその
製造法に関する。
従来の技術
電源電圧に依存することのない電気的装置を給電する太
陽電池は、不断に広い用途が開かれている。この場合挙
げられるのが、とりわけ使用される太陽電池の出力特性
、すなわちその動作電圧および発生電流１ある。動作電
圧を増大させるため、それぞれの太陽電池が直列に接続
される。このため例えば、１つの太陽電池の表面上の金
属リード端子が、もう１つの太陽電池の裏面に配置され
たリード端子（：電気的に接続される。
陽電池は、不断に広い用途が開かれている。この場合挙
げられるのが、とりわけ使用される太陽電池の出力特性
、すなわちその動作電圧および発生電流１ある。動作電
圧を増大させるため、それぞれの太陽電池が直列に接続
される。このため例えば、１つの太陽電池の表面上の金
属リード端子が、もう１つの太陽電池の裏面に配置され
たリード端子（：電気的に接続される。
発生電流の増大が、例えば、多数の個々の太陽電池が並
列Ｃ：接続されるか、または直列に接続された“ストリ
ンゲス”（ｓｔｒｉｎｇｓ ）が並列に接続されること
により達成される。個々の太陽電池をこのように接続し
太陽発電モジュールとする場合、電気的接続素子が決定
的に重要にな１、 る。
列Ｃ：接続されるか、または直列に接続された“ストリ
ンゲス”（ｓｔｒｉｎｇｓ ）が並列に接続されること
により達成される。個々の太陽電池をこのように接続し
太陽発電モジュールとする場合、電気的接続素子が決定
的に重要にな１、 る。
西ドイツ国公開特許明細書第３３０３９２６号からは、
表面端子としての条導体組織に金属゛ 接続部材
が機械的に固定され、従ってこの金属接続部材がウェー
ハ周縁から突出する太陽電池が公知１ある。
表面端子としての条導体組織に金属゛ 接続部材
が機械的に固定され、従ってこの金属接続部材がウェー
ハ周縁から突出する太陽電池が公知１ある。
この接続部材を使用し接続された太陽発電モの費用を必
要とする。
要とする。
発明が解決しようとする問題点
従って、本発明の根底をなす課題は、太陽電池毎ジュー
ルの製造をさらに合理化することが可能である接続端子
を有する太陽電池構造を得ること１ある。″ 問題点を解決するための手段 本発明によればこの課題は、少くとも１つの金属リード
端子が、これと均質に１体化され、半導体ベースブロッ
ク上に突出配置された接続端子を有することにより解決
される。
ルの製造をさらに合理化することが可能である接続端子
を有する太陽電池構造を得ること１ある。″ 問題点を解決するための手段 本発明によればこの課題は、少くとも１つの金属リード
端子が、これと均質に１体化され、半導体ベースブロッ
ク上に突出配置された接続端子を有することにより解決
される。
このことが、本発明を有利に発展させた場合、金属リー
ド端子および接続端子がメタライジングマスクを使用し
高真空中の蒸着工程により１つの連続する部材として形
成されることにより行なわれる。
ド端子および接続端子がメタライジングマスクを使用し
高真空中の蒸着工程により１つの連続する部材として形
成されることにより行なわれる。
本発明による太陽電池およびその製造法は、さもないと
きに常用される特別な接続部材を必要としないという大
きい利点を有する。
きに常用される特別な接続部材を必要としないという大
きい利点を有する。
本発明の他の有利な実施形態が従属請求項の記載から明
白である。
白である。
実施例
以下に、本発明を図面実施例につき詳説する。
第１図は、１体化された接続端子を有する太陽電池の斜
視図である。この場合挙げられた太陽電池は、ドーピン
グされ、ｐｎ接合の形成された半導５体ベースブロック
１ａを有する。その光入射用に備えられた表面２ａが、
櫛形構造を有する金属リード端子３ａにより被覆されて
いる。これにより、遮光面積が最小フありかつ半導体ベ
ースブロック１ａおよびリード端子３ａ間の接合コンダ
クタンスが最大であるという点で最適化が達成される。
視図である。この場合挙げられた太陽電池は、ドーピン
グされ、ｐｎ接合の形成された半導５体ベースブロック
１ａを有する。その光入射用に備えられた表面２ａが、
櫛形構造を有する金属リード端子３ａにより被覆されて
いる。これにより、遮光面積が最小フありかつ半導体ベ
ースブロック１ａおよびリード端子３ａ間の接合コンダ
クタンスが最大であるという点で最適化が達成される。
櫛形の金属リード端子３ａが、表面２ａの縁に、半導体
ベースブロック１ａの１つの縁に平行に配置されたその
ウェブから、半導体ベースブロック１ａを越えて突出し
かつこれにより変形可能な長方形の面４ａへ移行し、こ
れによりこの面４ａが接続端子としてリード端子３ａと
均質に１体化されている。半導体ベースブロック１ａの
裏面５ａに、この裏面５ａ全体を連続的に被覆するもう
１つの金ａ ＩＪ−ド端子７ａが施こされている。
ベースブロック１ａの１つの縁に平行に配置されたその
ウェブから、半導体ベースブロック１ａを越えて突出し
かつこれにより変形可能な長方形の面４ａへ移行し、こ
れによりこの面４ａが接続端子としてリード端子３ａと
均質に１体化されている。半導体ベースブロック１ａの
裏面５ａに、この裏面５ａ全体を連続的に被覆するもう
１つの金ａ ＩＪ−ド端子７ａが施こされている。
有利に、金属リード端子３ａおよび７ａ並びに接続端子
７ａは、膜厚４〜１３μｍを有するチタニウム−・ぞラ
ジウム−銀薄膜組織より成る。
７ａは、膜厚４〜１３μｍを有するチタニウム−・ぞラ
ジウム−銀薄膜組織より成る。
接続端子のもう１つの配列法の変法を第２図に示す。こ
の場合再び、半導体ベースブロック１ｂをドーピングす
ることによりｐｎ接合を有する太陽電池が形成される。
の場合再び、半導体ベースブロック１ｂをドーピングす
ることによりｐｎ接合を有する太陽電池が形成される。
光入射用に備えられた表面２ｂが金属リード端子３ｂに
より被覆され、このリード端子３ｂが櫛形の構造を有し
かつ、遮光面積および接合コンダクタンスの点で第１図
に記載せる最適構造に相応に形成されている。裏面５ｂ
に完全にフラットな金属リード端子７ｂが施こされ、こ
のリード端子７ｂが、半導体ベースブロックの１つの縁
から突出し、従って変形可能な長方形の接続端子４ｂへ
移行し、これによりこの接続第１図に関する記載が該当
する。
より被覆され、このリード端子３ｂが櫛形の構造を有し
かつ、遮光面積および接合コンダクタンスの点で第１図
に記載せる最適構造に相応に形成されている。裏面５ｂ
に完全にフラットな金属リード端子７ｂが施こされ、こ
のリード端子７ｂが、半導体ベースブロックの１つの縁
から突出し、従って変形可能な長方形の接続端子４ｂへ
移行し、これによりこの接続第１図に関する記載が該当
する。
第３ａ図は、第１図により形成された太陽電池の原則的
な接続法を示す。この場合、１方の太陽電池の表面の接
続端子４ａが、直列接続のため、もう１つの太陽電池の
金、属リード端子７ａのこのために備えられた接触接続
部８ａに導電性に固定される。この場合、本発明による
変形可能な接続端子４ａの断面形は、太陽発電モジュー
ルの熱による伸びが生じるためＳ字形に前成形されてい
る。
な接続法を示す。この場合、１方の太陽電池の表面の接
続端子４ａが、直列接続のため、もう１つの太陽電池の
金、属リード端子７ａのこのために備えられた接触接続
部８ａに導電性に固定される。この場合、本発明による
変形可能な接続端子４ａの断面形は、太陽発電モジュー
ルの熱による伸びが生じるためＳ字形に前成形されてい
る。
第３ｂ図は、第２図により形成された太陽電池の原理的
な直列接続法を示す。この場合、１方の太陽電池裏面の
接続端子４ｂが、もう１方の太陽電池の金属リード端子
３ｂのそのために備えられた接触接続部８ｂに導電性に
固定される。この場合有利に、接続端子の断面形が同じ
くＳ字形に前成形されている。
な直列接続法を示す。この場合、１方の太陽電池裏面の
接続端子４ｂが、もう１方の太陽電池の金属リード端子
３ｂのそのために備えられた接触接続部８ｂに導電性に
固定される。この場合有利に、接続端子の断面形が同じ
くＳ字形に前成形されている。
接続端子４ａ、４ｂをそれぞれのリード端子に固定する
ため、ろう付は法、溶接法、接着法または超音波溶接法
が適当１ある。
ため、ろう付は法、溶接法、接着法または超音波溶接法
が適当１ある。
第１図による構造を有する太陽電池の製造を、第４ａ図
につき詳説する。つ、二一ノ・円板をベースとする半導
体ベースブロックをドーピングした後、完全フラットな
金属リード端子７ａを裏面５ａに施こす。表面２ａの縁
部にストリップ１２ａを形成し、このストリップが半導
体ベースブロック１ａとの金属化合物または合金による
接着または焼結結合を閉止する。このストリップ１２ａ
は、その寸法が製造すべき接続端子４ａの面と少（とも
同じ大きさでありかつ合同１ある。有利にストリップ１
２ａは、蒸着された銀、フォトレジストまたは二酸化珪
素より成る。図示せざるメタライジングマスクを介し、
ストリップ１２ａおよび表面２ａにリード端子３ａとと
もに接続端子４ａを高真空中の蒸着工程により均質かつ
連続的に形成する。リー下端子および接続端子の材料組
成を考慮し、蒸着を、順次にＴｉ、 Ｐｄ、 Ａｇのよ
うな種々の材料を使用し行なう。引続く熱処理工程によ
り、端子−および接続材料を焼結する。この場合メタラ
イジングマスクが、接続端子４ａが決してストリップ１
２ａを越えて突出しないように整列される。レーザ分離
法により、裏面５ａの金属リード端子７ａおよび半導体
ベースブロック１ａにＶ字形の溝１１ａを、その長手方
向にストリップ１２ａとそれに引続くリード端子３ａと
を分離する分断線１０ａに対称に形成する。■字形溝１
１ａの深さが、半導体ベースブロック１ａの厚さのほぼ
３分の１″′Ｉ？ある。分断線１０ａに沿い分断するこ
とにより、半導体ベースブロック１ａの、ストリップ１
２ａ下に存在する部分が分離され、その結果接続端子４
ａがその後に残存する半導体ベースブロック１ａから突
出して配置される。
につき詳説する。つ、二一ノ・円板をベースとする半導
体ベースブロックをドーピングした後、完全フラットな
金属リード端子７ａを裏面５ａに施こす。表面２ａの縁
部にストリップ１２ａを形成し、このストリップが半導
体ベースブロック１ａとの金属化合物または合金による
接着または焼結結合を閉止する。このストリップ１２ａ
は、その寸法が製造すべき接続端子４ａの面と少（とも
同じ大きさでありかつ合同１ある。有利にストリップ１
２ａは、蒸着された銀、フォトレジストまたは二酸化珪
素より成る。図示せざるメタライジングマスクを介し、
ストリップ１２ａおよび表面２ａにリード端子３ａとと
もに接続端子４ａを高真空中の蒸着工程により均質かつ
連続的に形成する。リー下端子および接続端子の材料組
成を考慮し、蒸着を、順次にＴｉ、 Ｐｄ、 Ａｇのよ
うな種々の材料を使用し行なう。引続く熱処理工程によ
り、端子−および接続材料を焼結する。この場合メタラ
イジングマスクが、接続端子４ａが決してストリップ１
２ａを越えて突出しないように整列される。レーザ分離
法により、裏面５ａの金属リード端子７ａおよび半導体
ベースブロック１ａにＶ字形の溝１１ａを、その長手方
向にストリップ１２ａとそれに引続くリード端子３ａと
を分離する分断線１０ａに対称に形成する。■字形溝１
１ａの深さが、半導体ベースブロック１ａの厚さのほぼ
３分の１″′Ｉ？ある。分断線１０ａに沿い分断するこ
とにより、半導体ベースブロック１ａの、ストリップ１
２ａ下に存在する部分が分離され、その結果接続端子４
ａがその後に残存する半導体ベースブロック１ａから突
出して配置される。
第４ｂ図は、第２図による構造を有する太陽電池におけ
る接続端子の製造法を示す。
る接続端子の製造法を示す。
裏面５ｂの１つの縁部に、半導体ベースブロック１ａと
の金属結合または合金化による接着または焼結結合を閉
止するストリップ１２ｂを形成する。このストリップ１
２ｂは、その寸法が接続端子４ｂと少くとも同じ大きさ
ｔありかつ合同である。有利にストリップ１２ｂは、銀
、フォトレジストまたは二酸化珪素より成ることが１き
る。図示せざるメタライジングマスクを介し、ストリッ
プ１２ｂおよび裏面５ｂに、金属リード端子７ｂととも
に接続端子４ｂが高真空中の蒸着工程により、均質かつ
連続的かつ順次に、第１図に示した構造を有する太陽電
池に相応に形成される。メタライジングマスクの整列を
、第４ａ図につき記載せる方法と同じに行なう。レーザ
分離法により、表面２ｂ上の金属リード接点３ｂおよび
半導体ベースブロック１ｂ中へ、Ｖ字形の溝１１ｂを、
その長手方向にストリップ１２ｂとそれに引続くリード
端子３ｂとを分離する分断線１０ｂに対称に形成する。
の金属結合または合金化による接着または焼結結合を閉
止するストリップ１２ｂを形成する。このストリップ１
２ｂは、その寸法が接続端子４ｂと少くとも同じ大きさ
ｔありかつ合同である。有利にストリップ１２ｂは、銀
、フォトレジストまたは二酸化珪素より成ることが１き
る。図示せざるメタライジングマスクを介し、ストリッ
プ１２ｂおよび裏面５ｂに、金属リード端子７ｂととも
に接続端子４ｂが高真空中の蒸着工程により、均質かつ
連続的かつ順次に、第１図に示した構造を有する太陽電
池に相応に形成される。メタライジングマスクの整列を
、第４ａ図につき記載せる方法と同じに行なう。レーザ
分離法により、表面２ｂ上の金属リード接点３ｂおよび
半導体ベースブロック１ｂ中へ、Ｖ字形の溝１１ｂを、
その長手方向にストリップ１２ｂとそれに引続くリード
端子３ｂとを分離する分断線１０ｂに対称に形成する。
Ｖ字形の溝１１ｂの深さが、半導体ベースブロック１ｂ
の厚さのほぼ３分の１１ある。分断線１０ｂにより分断
することにより、半導体ベースブロック１ｂの、ストリ
ップ１２ｂ上に存在する部分が分離され、その結果接続
端子４ｂがその後に残存する半導体ベースブロック１ｂ
から突出して配置される。
の厚さのほぼ３分の１１ある。分断線１０ｂにより分断
することにより、半導体ベースブロック１ｂの、ストリ
ップ１２ｂ上に存在する部分が分離され、その結果接続
端子４ｂがその後に残存する半導体ベースブロック１ｂ
から突出して配置される。
材料組成および寸法により、接続端子４ａ。
４ｂがまた変形可能である。
第５図は、ウェーハ円板上の０本発明による太陽電池の
配列を示す。例えば、ウエーノ・円板の最適な面積利用
を可能にするため、第１図による構造を有する２つの太
陽電池が鏡映対称に配置され、かつそれらに直角に第３
の太陽電池が引続く。個々の太陽電池の輪郭を、裏面５
ａの金属リード端子７ａ上のＶ字形レーザ溝６ないしは
１０ａを使用しかつ引続き分断することにより形成する
。
配列を示す。例えば、ウエーノ・円板の最適な面積利用
を可能にするため、第１図による構造を有する２つの太
陽電池が鏡映対称に配置され、かつそれらに直角に第３
の太陽電池が引続く。個々の太陽電池の輪郭を、裏面５
ａの金属リード端子７ａ上のＶ字形レーザ溝６ないしは
１０ａを使用しかつ引続き分断することにより形成する
。
第６図に示した太陽電池は、表面２Ｃおよび裏面５Ｃに
それぞれ１つの突出する接続端子Φ０１ないしは４Ｃ２
を有し、これら接続端子がドーピングされた半導体ベー
スブロックＩＣ上１対角線上に相対して配置されている
。これら接続端子４Ｃ，および４Ｃ２は、それぞれのリ
ード端子３Ｃおよび７Ｃと均質に１体化されている。例
えば、この構造を有する太陽電池は、第７図に示した、
２つまたはそれ以上の太陽電池を並列接続しモジュール
とするのに適当である。
それぞれ１つの突出する接続端子Φ０１ないしは４Ｃ２
を有し、これら接続端子がドーピングされた半導体ベー
スブロックＩＣ上１対角線上に相対して配置されている
。これら接続端子４Ｃ，および４Ｃ２は、それぞれのリ
ード端子３Ｃおよび７Ｃと均質に１体化されている。例
えば、この構造を有する太陽電池は、第７図に示した、
２つまたはそれ以上の太陽電池を並列接続しモジュール
とするのに適当である。
半導体ベースブロックＩｃ１を有する太陽電池の裏面上
のリード端子７Ｃの接続端子４Ｃ２が、半導体ベースブ
ロックＩＣ２を有するもう１つの太陽電池の金属リード
端子７Ｃに接触接続部８Ｃ２１導電性に固定されている
。
のリード端子７Ｃの接続端子４Ｃ２が、半導体ベースブ
ロックＩＣ２を有するもう１つの太陽電池の金属リード
端子７Ｃに接触接続部８Ｃ２１導電性に固定されている
。
類似に、半導体ベースブロックＩＣ２を有する他の太陽
電池の接続端子４Ｃ，が、第１の太陽電池のリード端子
３Ｃに接触接続部８Ｃ１ｆｆｉ導電性に固定されている
。
電池の接続端子４Ｃ，が、第１の太陽電池のリード端子
３Ｃに接触接続部８Ｃ１ｆｆｉ導電性に固定されている
。
実際にしばしば、多数の太陽電池をモジュールに並列接
続する他の方法が、差当り特定数の、例えばそれぞれ４
個の太陽電池を直列に接続しかつこうして得られたこれ
ら スト刃ングス”を並列に配置しかつ図示せざる付加
的な接続端子で並列に接続することにより達成される。
続する他の方法が、差当り特定数の、例えばそれぞれ４
個の太陽電池を直列に接続しかつこうして得られたこれ
ら スト刃ングス”を並列に配置しかつ図示せざる付加
的な接続端子で並列に接続することにより達成される。
リード端子３ａ、３ｂ、３ｃ、７ａ、７ｂ。
７Ｃ並ヒニ接続端子！ａ 、 ４ｂ 、 ４ｃ１．４ｃ
２の膜厚は４μｍ〜１３μｍである。ストリップ１２ａ
、１２ｂの厚さは、銀ｆｆ１１μｍ以下程度、フォト
レジスト″Ｔ！５μｍ以下、二酸化珪素で１μｍ！ある
。
２の膜厚は４μｍ〜１３μｍである。ストリップ１２ａ
、１２ｂの厚さは、銀ｆｆ１１μｍ以下程度、フォト
レジスト″Ｔ！５μｍ以下、二酸化珪素で１μｍ！ある
。
接続端子４ ａ 、 ４ ｂ 、４ ｃ １ｒ ４ Ｃ
２は、表面２ａ、２ｂ、２Ｃに対し面積分量約３０％を
有する。
２は、表面２ａ、２ｂ、２Ｃに対し面積分量約３０％を
有する。
１実施例において、接続端子４ａが寸法１５ｍｍＸ３０
ｍｍを有する。
ｍｍを有する。
有利に、接続端子４ ａ 、４ ｂ ＋ ４ ｃが指状
に形成されていてもよく、かつこのものは、熱による伸
びを補償するためそれ自体が構造化されていてもよい。
に形成されていてもよく、かつこのものは、熱による伸
びを補償するためそれ自体が構造化されていてもよい。
図面はいずれも本発明に関するもので、第１図および第
２図は太陽電池のそれぞれ１実施例の構造を示す斜視図
、第３ａ図および第３ｂ図は太陽電池の接続法のそれぞ
れ１実施例を示す側面図、第４ａ図および第４ｂ図は太
陽電池の製造法のそれぞれ１実施例を示す縦断面図、第
５図は太陽電池を製造する際のウェーハ板における配列
の１実施例を示す平面図、第６図は太陽電池のさらに他
の１実施例の構造を示す斜視図、および第７図は太陽電
池の接続法のさら（−他の１実施例を示す側面図である
。 １ａ、１ｂ、ＩＣ・・・半導体ベースブロック、２ａ
、２ｂ 、２ｃ・・・光入射用表面、３ａ 、 ３ｂ、
３ ｃ ・・・金属リード端子、４ａ、４ｂ、４Ｃ・
・・接続端子、５ａ 、５ｂ 、５Ｃ・・・裏面、６・
・・■字形レーザ溝、７ ａ ｌ ７ ｂ・・・金属リ
ード端子、８ａ１８ｂ、８Ｃ−・・接触接続部、１０ａ
、１０ｂ・・・分断線、ｌｌａ、ｌ１ｂ・Ｖ字形溝、
１２ａ、１２ｂ・・・ストリップ １ａ・・・半導体ベースブロック ４ａ・・・接続
端子２ａ・・・光入射用表面 ５ａ・・・
裏面３ａ・・・金属リード端子 ２゜ ７ａ・・
・金属リード端子Ｆｌ１３．２ １ｂ・・半導体ベースブロック ４ｂ・・接続端子
２ｂ・・・光入射用表面 ５ｂ・・・裏面
３ｂ・・・金属リード端子 ７ｂ・・・金属
リード端子８ａ・・・接触接続部 ＦＩＧ、 ３ｂ ８ｂ”’接触接続部１０ａ・・
・分断線 １２ａ・・・ストリップ ＦＩ［３，５ ＦＩＧ、 ７
２図は太陽電池のそれぞれ１実施例の構造を示す斜視図
、第３ａ図および第３ｂ図は太陽電池の接続法のそれぞ
れ１実施例を示す側面図、第４ａ図および第４ｂ図は太
陽電池の製造法のそれぞれ１実施例を示す縦断面図、第
５図は太陽電池を製造する際のウェーハ板における配列
の１実施例を示す平面図、第６図は太陽電池のさらに他
の１実施例の構造を示す斜視図、および第７図は太陽電
池の接続法のさら（−他の１実施例を示す側面図である
。 １ａ、１ｂ、ＩＣ・・・半導体ベースブロック、２ａ
、２ｂ 、２ｃ・・・光入射用表面、３ａ 、 ３ｂ、
３ ｃ ・・・金属リード端子、４ａ、４ｂ、４Ｃ・
・・接続端子、５ａ 、５ｂ 、５Ｃ・・・裏面、６・
・・■字形レーザ溝、７ ａ ｌ ７ ｂ・・・金属リ
ード端子、８ａ１８ｂ、８Ｃ−・・接触接続部、１０ａ
、１０ｂ・・・分断線、ｌｌａ、ｌ１ｂ・Ｖ字形溝、
１２ａ、１２ｂ・・・ストリップ １ａ・・・半導体ベースブロック ４ａ・・・接続
端子２ａ・・・光入射用表面 ５ａ・・・
裏面３ａ・・・金属リード端子 ２゜ ７ａ・・
・金属リード端子Ｆｌ１３．２ １ｂ・・半導体ベースブロック ４ｂ・・接続端子
２ｂ・・・光入射用表面 ５ｂ・・・裏面
３ｂ・・・金属リード端子 ７ｂ・・・金属
リード端子８ａ・・・接触接続部 ＦＩＧ、 ３ｂ ８ｂ”’接触接続部１０ａ・・
・分断線 １２ａ・・・ストリップ ＦＩ［３，５ ＦＩＧ、 ７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ドーピングされた半導体ベースブロック（１ａ、１
ｂ）、光入射用に備えられた表面（２ａ、２ｂ）、およ
び表面（２ａ、２ｂ）ないしは対向する裏面（５ａ、５
ｂ）の金属リード端子（３ａ、３ｂないしは７ａ、７ｂ
）より成る装置において、少くとも１つの金属リード端
子（３ａ、７ｂ）が、これと均質に１体化され、半導体
ベースブロック（１ａ、１ｂ）上に突出配置された接続
端子（４ａ、４ｂ）を有することを特徴とする太陽電池
。 ２、金属リード端子（３ａ、３ｂ、７ａ、７ｂ）および
接続端子（４ａ、４ｂ）が同じ材料組成より成ることを
特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の太陽電池。 ３、金属リード端子（３ａ、３ｂ、７ａ、７ｂ）および
接続端子（４ａ、４ｂ）がチタニウム−パラジウム−銀
薄膜組織より成ることを特徴とする、特許請求の範囲第
１項または第２項のいずれか１項に記載の太陽電池。 ４、接続端子（４ａ、４ｂ）が変形可能であることを特
徴とする、特許請求の範囲第１項から第３項までのいず
れか１項に記載の太陽電池。 ５、接続端子（４ａ、４ｂ）が、太陽発電モジュールを
形成するために他の太陽電池と直列−または並列接続さ
れる端子であることを特徴とする、特許請求の範囲第１
項記載の太陽電池。 ６、ドーピングされた半導体ベースブロック（１ａ、１
ｂ）、光入射用に備えられた表面（２ａ、２ｂ）、およ
び表面（２ａ、２ｂ）ないしは対向する裏面（５ａ、５
ｂ）の金属リード端子（３ａ、３ｂないしは７ａ、７ｂ
）より成り、少くとも１方の金属リード端子（３ａ、７
ｂ）が、これと均質に１体化され、半導体ベースブロッ
ク（１ａ、１ｂ）上に突出配置された接続端子（４ａ、
４ｂ）を有する装置を製造するに当り、表面（２ａ）な
いしは裏面（５ｂ）に接続端子（４ａ、４ｂ）の範囲を
設け、この範囲にフオトリソグラフ法を使用し、半導体
ベースブロック（１ａ、１ｂ）と接続端子（４ａ、４ｂ
）との付着または焼結結合を阻止するストリップ（１２
ａ、１２ｂ）を形成することを特徴とする太陽電池の製
造法。 ７、金属リード端子（３ａ、７ｂ）および接続端子（４
ａ、４ｂ）が、メタライジングマスクを介し高真空中の
蒸着工程により表面（２ａ）およびストリップ（１２ａ
）ないしは裏面（５ｂ）およびストリップ（１２ｂ）上
に一緒に形成されることを特徴とする、特許請求の範囲
第６項記載の太陽電池の製造法。 ８、半導体ベースブロック（１ａ、１ｂ）の、接続端子
（４ａ、４ｂ）と付着または焼結結合されざる部分が、
レーザーまたは鋸引き分離法により分離用の分断線（１
０ａ、１０ｂ）に沿い形成されることを特徴とする、特
許請求の範囲第７項記載の太陽電池の製造法。 ９、接続端子（４ａ、４ｂ）のそれぞれの接触接続部（
８ａ、８ｂ）とリード端子（７ａ、３ｂ）との固定が、
ろう付け、溶接、接着、超音波溶接等により行なわれる
ことを特徴とする、特許請求の範囲第６項から第８項ま
でのいずれか１項に記載の太陽電池の製造法。 １０、ストリップ（１２ａ、１２ｂ）が、銀被膜、フォ
トレジストまたは二酸化珪素として施こされることを特
徴とする、特許請求の範囲第６項記載の太陽電池の製造
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19853511082 DE3511082A1 (de) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | Solarzelle |
| DE3511082.1 | 1985-03-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61224466A true JPS61224466A (ja) | 1986-10-06 |
Family
ID=6266470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066099A Pending JPS61224466A (ja) | 1985-03-27 | 1986-03-26 | 太陽電池およびその製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5045481A (ja) |
| JP (1) | JPS61224466A (ja) |
| DE (1) | DE3511082A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281530A (ja) * | 2007-07-31 | 2007-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2009111034A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽電池装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3733645A1 (de) * | 1987-10-05 | 1989-04-20 | Telefunken Electronic Gmbh | Raumfahrtsolarzelle |
| US5100808A (en) * | 1990-08-15 | 1992-03-31 | Spectrolab, Inc. | Method of fabricating solar cell with integrated interconnect |
| US5164019A (en) * | 1991-07-31 | 1992-11-17 | Sunpower Corporation | Monolithic series-connected solar cells having improved cell isolation and method of making same |
| JP3256623B2 (ja) * | 1993-05-28 | 2002-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5656542A (en) * | 1993-05-28 | 1997-08-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing wiring in groove |
| US8772079B2 (en) * | 2007-05-24 | 2014-07-08 | International Business Machines Corporation | Backside contacting on thin layer photovoltaic cells |
| JP2009081205A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| GB2453746A (en) * | 2007-10-16 | 2009-04-22 | Renewable Energy Corp Asa | Parallel interconnection of solar cell units |
| DE102008021355B4 (de) * | 2008-03-14 | 2020-08-20 | Solarworld Industries Gmbh | Verfahren zur Herstellung monokristalliner Solarzellen mit rückseitiger Kontaktstruktur |
| US8916038B2 (en) | 2013-03-13 | 2014-12-23 | Gtat Corporation | Free-standing metallic article for semiconductors |
| US8936709B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-01-20 | Gtat Corporation | Adaptable free-standing metallic article for semiconductors |
| CN109309135A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-02-05 | 武宇涛 | 光伏电池模组及其制备方法 |
| DE102021115260A1 (de) | 2021-06-14 | 2022-12-15 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Herstellung zumindest einer Photovoltaikzelle zur Wandlung elektromagnetischer Strahlung in elektrische Energie |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3483038A (en) * | 1967-01-05 | 1969-12-09 | Rca Corp | Integrated array of thin-film photovoltaic cells and method of making same |
| US3615855A (en) * | 1969-04-03 | 1971-10-26 | Gen Motors Corp | Radiant energy photovoltalic device |
| FR2194049B1 (ja) * | 1972-07-28 | 1975-05-30 | Telecommunications Sa | |
| DE2919041A1 (de) * | 1979-05-11 | 1980-11-13 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Solarzellenanordnung |
| FR2520558A1 (fr) * | 1982-01-22 | 1983-07-29 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication de modules de cellules solaires |
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| US4416052A (en) * | 1982-03-29 | 1983-11-22 | General Dynamics, Convair Division | Method of making a thin-film solar cell |
| DE3235493A1 (de) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verdrahtung fuer solarzellen |
| DE3303926A1 (de) * | 1983-02-05 | 1984-08-16 | Telefunken electronic GmbH, 6000 Frankfurt | Scheibenfoermige solarzelle |
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| US4652693A (en) * | 1985-08-30 | 1987-03-24 | The Standard Oil Company | Reformed front contact current collector grid and cell interconnect for a photovoltaic cell module |
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-
1985
- 1985-03-27 DE DE19853511082 patent/DE3511082A1/de active Granted
-
1986
- 1986-03-26 JP JP61066099A patent/JPS61224466A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-30 US US07/563,821 patent/US5045481A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007281530A (ja) * | 2007-07-31 | 2007-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| JP2009111034A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びこれを用いた太陽電池装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3511082A1 (de) | 1986-10-02 |
| US5045481A (en) | 1991-09-03 |
| DE3511082C2 (ja) | 1989-03-23 |
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