JPH05217209A - 光記録媒体における基板反射層用材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】光記録媒体において高い反射率を可能にし、波
長８３０ｎｍ以上の光の照射により劣化しない基板反射
層用材料を提供する。 【構成】少なくとも基板、その上に形成される基板反射
層及び記録層を含む光記録媒体における基板反射層に使
用され、下記化１〔一般式（Ｉ）〕又は下記化２〔一般
式（II）〕で示される化合物からなる基板反射層用材
料。 【化１】 【化２】 ただし、一般式（Ｉ）及び一般式（II）において、
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭素原子数１〜３のアルキル基
を表し、これらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ⁵及
びＲ⁶は炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、これら
は同一でも異なっていてもよく、Ｘ^-は対アニオンを表
す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体において高
い反射率を可能にし、波長８３０ｎｍ以上の光の照射に
より劣化しない基板反射層用材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度記録が可能な光ディスクは、将
来、記録メディアの主流となることが予想されており、
既に再生専用形光ディスクはオーディオ分野で大きな市
場を形成している。また、情報の記録が可能な追記形光
ディスク並びに情報の記録及び消去が可能な書換え形光
ディスクも研究開発が行われている。中でも、記録材料
にＴｅ系または有機色素を用い、ピット形成方式で記録
する追記形光ディスク及び記録材料にＴｂＦｅＣｏ系、
希土類系等を用いた光磁気方式の書換え形光ディスクが
既に実用化されている。

【０００３】光ディスクの多くは、基板上に直接記録層
が形成されたものであるが、このような光ディスクは、
記録層に用いる記録材料の光学定数、膜厚、製膜性等に
起因して、トラッキングサーボを行うために必要なプッ
シュプル信号特性が得られない場合がある。例えば、基
板と記録層の複素屈折率差が小さく、記録層と空気また
は記録層とその上に積層した層（例えば、反射層、保護
層）との複素屈折率の差が大きい場合、プッシュプル信
号が得られにくい。また、記録材料の製膜性が悪い場
合、膜の微小な荒れ等によりノイズが高くなったり、ト
ラッキングがはずれるという問題も生じる。従って、基
板上に直接記録層を形成すると特性が劣る場合がある。
このような場合、基板と異なる屈折率を有し、かつ製膜
性の良好な材料を、基板と記録層の間に基板反射層とし
て形成させることが有効となる。これにより、トラッキ
ングサーボに必要なプッシュプル信号を良好に検出し、
かつ低ノイズ化を図ることができる。

【０００４】このような基板反射層としては、使用する
光源の波長域で屈折率が基板と大きく異なるものが好ま
しく、例えば、特開平１−２７６４４３号公報ではＡ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属からなる基板反射層を有する光
ディスクが開示されている。しかしながら、これらの金
属は、基板反射層用材料として光の透過性と反射性のバ
ランスが悪い。すなわち、十分な反射率を得るために膜
厚を大きくすると透過率が低下し、逆に十分な透過率を
得るために膜厚を小さくすると反射率が低下する。ま
た、無機材料は製膜に真空蒸着法、スパッタリング法等
の真空プロセスを必要とするためにコストがかかる問題
を有している。

【０００５】特開平２−１１３８５号公報では、有機赤
外染料からなる基板反射層を有する光ディスクが開示さ
れているが、有機赤外染料の具体的な構造が明記されて
おらず実現の可能性は非常に不明瞭である。現在、数多
くの有機色素があるが、色素によっては要求される特性
を満たしていないものもあり、全ての色素が基板反射層
用材料として使用できるものではない。例えば、基板と
の屈折率差が小さい有機色素を用いると、基板と基板反
射層界面で充分な反射率が得られない。また、記録、再
生又は消去に使用する光を吸収する有機色素では、記録
時、再生時又は消去時の光照射による色素の光劣化又は
熱劣化により、安定なトラッキングサーボを行うことが
できないという問題が生じる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、分子構
造中に含まれるメチン基の数が異なるシアニン系色素に
着目し、メチン基が５つで、かつ、含窒素複素環に特定
の置換基を有するジカルボシアニン系色素が基板反射層
用材料として優れた特性を有することを見いだし、本発
明を完成するに至った。本発明は、この知見に基づき、
波長８３０ｎｍ以上のレーザを用いて光記録や消去を行
う光ディスクにおいて、記録層の膜厚を任意に設定で
き、かつ、安定なトラッキングサーボを可能にする基板
反射層用材料を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明における基板反射
層用材料は、少なくとも基板、その上に形成される基板
反射層及び記録層を含む光記録媒体における基板反射層
に使用され、下記化３〔一般式（Ｉ）〕

【化３】 〔ただし、一般式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭
素原子数１〜３のアルキル基を表し、これらは同一でも
異なっていてもよく、Ｒ⁵及びＲ⁶は炭素原子数１〜８の
アルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
く、Ｘ^-は対アニオンを表す〕で示される化合物又は化
４〔一般式（II）〕

【化４】 〔ただし、一般式（II）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭
素原子数１〜３のアルキル基を表し、これらは同一でも
異なっていてもよく、Ｒ⁵及びＲ⁶は炭素原子数１〜８の
アルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
く、Ｘ^-は対アニオンを表す〕で示される化合物からな
るものである。

【０００８】前記一般式（Ｉ）及び一般式（II）におい
て、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴のアルキル基はメチル基、エ
チル基又はプロピル基であり、Ｒ⁵及びＲ⁶のアルキル基
はメチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、iso-
ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等であり、またＸ^-
はＢＦ₄ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＣｌＯ₄ ^-、Ｃｌ^-、Ｂｒ^-、Ｉ^-等で
ある。

【０００９】前記基板反射層用材料は、使用する光源の
波長、特に８３０ｎｍの波長で消衰係数が０又はほぼ０
である。その屈折率は、基板の屈折率と０．４以上異な
るものであるのが好ましい。本発明の基板反射層用材料
には、安定性向上、耐光性向上等のため必要に応じてジ
チオール系ニッケル錯体等の遷移金属キレート化合物な
どの一重項酸素クエンチャーを混合してもよい。

【００１０】図面を用いて、本発明における基板反射層
用材料の適用例を説明する。図１は、本発明における基
板反射層用材料を用いた光ディスクの構造の一例を示す
断面図である。図１中、基板１上に基板反射層２、次い
で記録層３が積層されている。この光ディスクにおい
て、光は基板側から照射される。

【００１１】基板１にはトラッキングサーボのためのグ
ルーブ４が直接形成されているが、これはピットであっ
てもよい。また、基板１にグルーブを直接形成せず、基
板上にグルーブ形成層が積層されていてもよい。グルー
ブは、単純グルーブであってもよく、グルーブ内にフォ
ーマット信号に対応したピットが形成されていてもよ
い。このフォーマット信号に対応したピットは基板のラ
ンド部に形成されていてもよい。また、トラッキングサ
ーボのためにグルーブの代りにピットを形成するとき
は、さらに、フォーマット信号に対応したピットを含ん
でいてもよい。前記基板１は、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂等の
合成樹脂、ガラス等の材質からなるものがある。

【００１２】前記基板反射層２は、前記クエンチャーを
必要により混合された前記基板反射層用材料をスピンコ
ート法、ディップ法等を利用して形成することができ、
真空蒸着法を利用することもできる。

【００１３】前記記録層３に用いられる材料は、光照射
による光子エネルギや発生する熱エネルギにより何らか
の光学的変化を生じるものであれば特に限定するもので
はなく、追記形材料であっても書換え形材料であっても
よい。このような材料としては、例えば、色変化、相変
化、ピット形成、形状変化等に起因して反射率または透
過率変化を起こすもの等が挙げられる。さらに、具体的
には、色変化するものとしてはスピロピラン系化合物、
フルギド系化合物等のフォトクロミック化合物、フォト
クロミック化合物を高分子化合物中に分散させたもの、
側鎖にフォトクロミック基を有するもの等があり、相変
化するものとして高分子化合物のブレンド物、高分子液
晶等があり、ピットを形成するものとしてフタロシアニ
ン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素等
の有機色素、このような有機色素を分散させた高分子化
合物等があり、形状変化するものとして形状記憶樹脂、
ポリウレタン等の熱膨張及び収縮が可能な材料からなる
膨張層とエポキシ樹脂等の熱変形が可能でガラス転移点
が高い樹脂からなる保持層の二層構造からなるもの等が
ある。記録層３はスピンコート法、ディップ法、真空蒸
着法等を利用して形成することができる。

【００１４】さらに、記録層３をスピンコート法やディ
ップ法等により積層するときに基板反射層２が記録材料
の溶媒に侵される場合は、基板反射層２の上にＳｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂等の無機薄膜を形成させるか、
基板反射層２が侵されない溶媒に溶解した熱硬化性樹脂
または光硬化性樹脂を基板反射層２の上に製膜後、熱ま
たは光により３次元架橋硬化させ、この上に記録層３を
積層することができる。上記熱硬化性樹脂または光硬化
性樹脂は光透過性が優れるものが好ましい。記録層３が
形状変化するものであるときは、基板反射層２と記録層
３の間にシりコーンゴム等の光透過性であって弾性を有
する材料からなる緩衝層を積層してもよい。さらに、同
様の緩衝層、反射層及び／又は保護層が記録層３の上に
積層されていてもよい。

【００１５】以上の光ディスクの各層は、使用する材料
の光学定数及びプッシュプル信号を考慮して、膜厚を最
適化する条件下に積層される。

【００１６】

【実施例】次に、本発明の基板反射層用材料の一例の光
学定数（屈折率及び消衰係数）と、この基板反射層用材
料を用いて作製した光ディスクの特性評価の実施例を示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００１７】実施例１ 下記化５

【化５】 で表される構造式の化合物１重量部を２，２，３，３−
テトラフルオロ−１−プロパノール１４９重量部に溶解
し、この溶液をスライドガラス基板上にスピンコートに
より塗布製膜し、厚さ４０ｎｍの基板反射層を形成させ
た。この基板反射層を有するガラス基板を用いて種々の
波長で反射率及び透過率を測定し、これらの結果から基
板反射層（色素薄膜）の消衰係数及び屈折率を求めた。
これらの結果を消衰係数及び屈折率の波長依存性として
図２に示す。また、上記で得られた基板反射層を有する
ガラス基板を用いて測定した反射スペクトル（アルミニ
ウム相対値）を図３に示す。波長８３０ｎｍにおいて、
この基板反射層の消衰係数は０、屈折率は２．４５であ
り、基板側からの入射に対する反射率は２７％（アルミ
ニウム相対値）であった。

【００１８】また、前記色素１重量部を前記溶媒１２８
重量部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学
株式会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し、基板
反射層を積層したディスクを作製した。波長８３０ｎｍ
の半導体レーザを搭載した光記録特性評価装置〔ＯＭＳ
２０００、ナカミチ株式会社商品名、この装置はレ−ザ
光をディスクの基板側から照射するようになっている〕
により、この基板反射層を有するディスクにレーザ光を
レーザパワー１５ｍＷ、周波数１ＭＨｚ及びディスクの
回転速度３ｍ／ｓで照射したところＣ／Ｎは０であっ
た。すなわち、レーザ光の照射により上記基板反射層が
劣化されないことがわかった。

【００１９】実施例２ 実施例１で使用した同じ色素（波長８３０ｎｍにおい
て、屈折率２．４５及び消衰係数０）１重量部を２，
２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１２４
重量部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学
株式会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し基板反
射層を形成させた。次いで、光硬化性シリコーン樹脂
（ＴＵＶ６０００、東芝シリコーン株式会社商品名）１
０重量部をｎ−オクタン５１重量部に溶解し、この溶液
を、前記基板反射層を形成させた基板上にスピンコート
により塗布製膜した。さらに、この基板に紫外線を照射
してシリコーンゴムの層を形成した。次に、ポリスチレ
ンとtrans−１，４−ポリブタジエンのブロック共重合
体（アスマー、旭化成工業株式会社商品名）１０重量
部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス
（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部をトルエン３
２０重量部に溶解させ均一溶液とした。前記基板上に形
成したシリコーンゴムの層の上に、この溶液をスピンコ
ートにより塗布製膜して厚さ約３００ｎｍの記録層を形
成し、光ディスクを作製した。

【００２０】実施例１と同じ光記録特性評価装置によ
り、上記で作製した光ディスクに１ｍＷのレーザパワー
でトラッキングサーボを試みたところ、波形及び信号強
度に優れた良好なプッシュプル信号が得られ、安定なト
ラッキングサーボを行うことができた。この光ディスク
に、回転速度３ｍ／ｓ、周波数１ＭＨｚ、デューティ５
０％でレーザパワーを変えて記録を行ったところ、Ｃ／
Ｎは記録パワー依存性を示しレーザパワー６ｍＷで４０
ｄＢが得られた。次に消去は、回転速度３ｍ／ｓで、記
録したトラック全周を２ｍＷのレーザ光で照射した。Ｃ
／Ｎは減少し、消去比は２０ｄＢを示した。さらに、再
記録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示した。このよ
うな記録特性及び消去特性は繰り返し測定することが可
能であった。すなわち、トラッキングサーボが安定して
いるので、良好な記録及び消去を繰返し行うことができ
た。

【００２１】実施例３ 下記化６

【化６】 で表される構造式の化合物１重量部を２，２，３，３−
テトラフルオロ−１−プロパノール１４９重量部に溶解
し、この溶液をスライドガラス基板上にスピンコートに
より塗布製膜し、厚さ３０ｎｍの基板反射層を形成させ
た。この基板反射層を有するガラス基板を用いて種々の
波長で反射率及び透過率を測定し、これらの結果から基
板反射層（色素薄膜）の消衰係数及び屈折率を求めた。
これらの結果を消衰係数及び屈折率の波長依存性として
図４に示す。また、上記で得られた基板反射層を有する
ガラス基板を用いて測定した反射スペクトル（アルミニ
ウム相対値）を図５に示す。波長８３０ｎｍにおいて、
この基板反射層の消衰係数は０、屈折率は２．７５であ
り、基板側からの入射に対する反射率は２７％（アルミ
ニウム相対値）であった。

【００２２】また、前記色素１重量部を前記溶媒１２４
重量部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学
株式会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し、基板
反射層を積層したディスクを作製した。波長８３０ｎｍ
の半導体レーザを搭載した光記録特性評価装置〔ＯＭＳ
２０００、ナカミチ株式会社商品名、この装置はレ−ザ
光を基板側から照射するようになっている〕により、こ
の基板反射層を有するディスクにレーザ光をレーザパワ
ー１５ｍＷ、周波数１ＭＨｚ及びディスクの回転速度３
ｍ／ｓで照射したところＣ／Ｎは０であった。すなわ
ち、レーザ光の照射により上記基板反射層が劣化されな
いことがわかった。

【００２３】実施例４ 実施例３で使用した同じ色素（波長８３０ｎｍにおい
て、屈折率２．７５及び消衰係数０）１重量部を２，
２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１２４
重量部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学
株式会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し基板反
射層を形成させた。次いで、光硬化性シリコーン樹脂
（ＴＵＶ６０００、東芝シリコーン株式会社商品名）１
０重量部をｎ−オクタン５１重量部に溶解し、この溶液
を、前記基板反射層を形成させた基板上にスピンコート
により塗布製膜した。さらに、この基板に紫外線を照射
してシリコーンゴムの層を形成した。次に、ポリスチレ
ンとtrans−１，４−ポリブタジエンのブロック共重合
体（アスマー、旭化成工業株式会社商品名）１０重量
部、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス
（デシルチオ）ナフタロシアニン１重量部をトルエン３
２０重量部に溶解させ均一溶液とした。前記基板上に形
成したシリコーンゴムの層の上に、この溶液をスピンコ
ートにより塗布製膜して厚さ約３００ｎｍの記録層を形
成し、光ディスクを作製した。

【００２４】実施例１と同じ光記録特性評価装置によ
り、上記で作製した光ディスクに１ｍＷのレーザパワー
でトラッキングサーボを試みたところ、波形及び信号強
度に優れた良好なプッシュプル信号が得られ、安定なト
ラッキングサーボを行うことができた。この光ディスク
に、回転速度３ｍ／ｓ、周波数１ＭＨｚ、デューティ５
０％でレーザパワーを変えて記録を行ったところ、Ｃ／
Ｎは記録パワー依存性を示しレーザパワー６ｍＷで４０
ｄＢが得られた。次に消去は、回転速度３ｍ／ｓで、記
録したトラック全周を２ｍＷのレーザ光で照射した。Ｃ
／Ｎは減少し、消去比は２０ｄＢを示した。さらに、再
記録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示した。このよ
うな記録特性及び消去特性は繰り返し測定することが可
能であった。すなわち、トラッキングサーボが安定して
いるので、良好な記録及び消去を繰返し行うことができ
た。

【００２５】実施例５ 下記化７

【化７】 で表される構造式の化合物１重量部を２，２，３，３−
テトラフルオロ−１−プロパノール１４９重量部に溶解
し、この溶液をスライドガラス基板上にスピンコートに
より塗布製膜し、厚さ６５ｎｍの基板反射層を形成させ
た。この基板反射層を有するガラス基板を用いて種々の
波長で反射率及び透過率を測定し、これらの結果から基
板反射層（色素薄膜）の消衰係数及び屈折率を求めた。
これらの結果を消衰係数及び屈折率の波長依存性として
図６に示す。また、上記で得られた基板反射層を有する
ガラス基板を用いて測定した反射スペクトル（アルミニ
ウム相対値）を図７に示す。波長８３０ｎｍにおいて、
この基板反射層の消衰係数は０、屈折率は２．２であ
り、基板側からの入射に対する反射率は３７％（アルミ
ニウム相対値）であった。

【００２６】また、前記色素１重量部を前記溶媒１２４
重量部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学
株式会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し、基板
反射層を積層したディスクを作製した。波長８３０ｎｍ
の半導体レーザを搭載した光記録特性評価装置〔ＯＭＳ
２０００、ナカミチ株式会社商品名、この装置はレ−ザ
光を基板側から照射するようになっている〕により、こ
の基板反射層を有するディスクにレーザ光をレーザパワ
ー１５ｍＷ、周波数１ＭＨｚ及びディスクの回転速度３
ｍ／ｓで照射したところＣ／Ｎは０であった。すなわ
ち、レーザ光の照射により上記基板反射層が劣化されな
いことがわかった。

【００２７】実施例６ 実施例５で使用した同じ色素（波長８３０ｎｍにおい
て、屈折率２．２及び消衰係数０）１重量部を２，２，
３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１２４重量
部に溶解し、この溶液を、直径１２０ｍｍのポリカーボ
ネート製グルーブ付きディスク基板（出光石油化学株式
会社製）上にスピンコートにより塗布製膜し基板反射層
を形成させた。次いで、光硬化性シリコーン樹脂（ＴＵ
Ｖ６０００、東芝シリコーン株式会社商品名）１０重量
部をｎ−オクタン５１重量部に溶解し、この溶液を、前
記基板反射層を形成させた基板上にスピンコートにより
塗布製膜した。さらに、この基板に紫外線を照射してシ
リコーンゴムの層を形成した。次に、ポリスチレンとtr
ans−１，４−ポリブタジエンのブロック共重合体（ア
スマー、旭化成工業株式会社商品名）１０重量部、ビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラキス（デシル
チオ）ナフタロシアニン１重量部をトルエン３２０重量
部に溶解させ均一溶液とした。前記基板上に形成したシ
リコーンゴムの層の上に、この溶液をスピンコートによ
り塗布製膜して厚さ約３００ｎｍの記録層を形成し、光
ディスクを作製した。

【００２８】実施例１と同じ光記録特性評価装置によ
り、上記で作製した光ディスクに１ｍＷのレーザパワー
でトラッキングサーボを試みたところ、波形及び信号強
度に優れた良好なプッシュプル信号が得られ、安定なト
ラッキングサーボを行うことができた。この光ディスク
に、回転速度３ｍ／ｓ、周波数１ＭＨｚ、デューティ５
０％でレーザパワーを変えて記録を行ったところ、Ｃ／
Ｎは記録パワー依存性を示しレーザパワー６ｍＷで４０
ｄＢが得られた。次に消去は、回転速度３ｍ／ｓで、記
録したトラック全周を２ｍＷのレーザ光で照射した。Ｃ
／Ｎは減少し、消去比は２０ｄＢを示した。さらに、再
記録パワー６ｍＷでＣ／Ｎは４０ｄＢを示した。このよ
うな記録特性及び消去特性は繰り返し測定することが可
能であった。すなわち、トラッキングサーボが安定して
いるので、良好な記録及び消去を繰返し行うことができ
た。

【００２９】比較例１ 下記化８

【化８】 で表される構造式の化合物を、実施例１と同じ条件下で
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに
溶解し、色素薄膜を有するスライドガラス基板及び色素
薄膜を有するディスクを作製した。

【００３０】上記の色素薄膜を有するガラス基板を用い
て反射率及び透過率を測定し、これらの結果から、上記
色素薄膜の消衰係数及び屈折率を求めた。これらの結果
を消衰係数及び屈折率の波長依存性として図８に示す。
波長８３０ｎｍにおいて、上記色素薄膜の消衰係数は
１．０５であった。実施例１で用いたのと同じ光記録特
性評価装置をもちいて、上記の色素薄膜を有するディス
クにレーザ光をレーザパワー１０ｍＷ、周波数１ＭＨｚ
及びディスクの回転速度３ｍ／ｓで照射したところＣ／
Ｎが４５ｄＢであった。記録部を電子顕微鏡で観察した
ところ、明瞭なピットが形成されており、レーザ光照射
により、上記色素薄膜が劣化していることがわかった。

【００３１】比較例２ 実施例２において、ポリカーボネート基板の代わりに直
径１３０ｍｍのグルーブ付きガラス基板を用いること以
外実施例２に従って基板と記録層からなる光ディスクを
作製した。この光ディスクを実施例１で用いたのと同じ
光記録特性評価装置により評価したところ、プッシュプ
ル信号は検出されず、トラッキングサーボを行うことが
できなかった。

【００３２】

【発明の効果】請求項１における基板反射層用材料の膜
は、使用する８３０ｎｍ以上のレーザ波長域に吸収がな
く、基板上に積層することにより高反射率を示し、これ
を基板上に有している光ディスクに良好なプッシュプル
信号特性を付与し、トラッキングサーボの優れた光ディ
スクを可能にする。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における基板反射層用材料を用いて作製
した光ディスクの一例を示す断面図である。

【図２】実施例１において作製した基板反射層の屈折率
及び消衰係数の波長依存性を示すグラフである。

【図３】実施例１において作製した基板反射層を積層し
た基板の反射スペクトルである。

【図４】実施例３において作製した基板反射層の屈折率
及び消衰係数の波長依存性を示すグラフである。

【図５】実施例３において作製した基板反射層を積層し
た基板の反射スペクトルである。

【図６】実施例５において作製した基板反射層の屈折率
及び消衰係数の波長依存性を示すグラフである。

【図７】実施例５において作製した基板反射層を積層し
た基板の反射スペクトルである。

【図８】比較例１において作製した基板反射層の屈折率
及び消衰係数の波長依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・基板反射層、３・・・記録層、
４・・・グルーブ、５、７、９、１１・・・屈折率曲
線、６、８、１０、１２・・・消衰係数曲線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 三男 茨城県つくば市和台48番 日立化成工業株 式会社筑波開発研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも基板、その上に形成される基板
   反射層及び記録層を含む光記録媒体における基板反射層
   に使用され、化１〔一般式（Ｉ）〕 【化１】 〔ただし、一般式（Ｉ）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭
   素原子数１〜３のアルキル基を表し、これらは同一でも
   異なっていてもよく、Ｒ⁵及びＲ⁶は炭素原子数１〜８の
   アルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
   く、Ｘ^-は対アニオンを表す〕で示される化合物又は化
   ２〔一般式（II）〕 【化２】 〔ただし、一般式（II）中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴は炭
   素原子数１〜３のアルキル基を表し、これらは同一でも
   異なっていてもよく、Ｒ⁵及びＲ⁶は炭素原子数１〜８の
   アルキル基を表し、これらは同一でも異なっていてもよ
   く、Ｘ^-は対アニオンを表す〕で示される化合物からな
   る基板反射層用材料。