JPH0521438U - 半導体のアニール装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェハの重金属付着を低減できる化合物半導体
のアニール装置の提供。 【構成】半導体ウェハを加熱するアニール装置のヒータ
として、石英管に覆われた炭素材を用いた。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体特にガリウムヒ素等の化合物半導体用のアニール装置の改良 に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

図３は従来のアニール装置の一例を示す縦断面図である。

【０００３】 図３に於て１は、石英等からなる支持台２に収容される半度体ウェーハ、３は 金属ヒータ、４は石英等からなる反応管、５は反応管の蓋、６はキャリアガス流 入口、７はキャリアガス流出口である。

【０００４】 この装置はまず反応管４の外で支持台２上に半導体ウェハ１を収容し、蓋５を 取り外し、反応管４内に支持台２を移動した後、蓋５を取り付ける。

【０００５】 次に、キャリアガスに置換し、ヒータ３を点線部分に移動し、半導体ウェハ１ を加熱し、アニール処理を行なった後にヒータ３を再度実線部分に移動し、冷却 する。

【０００６】 最後に、反応管４内を不活性ガスで置換し、蓋５を取り外し、半導体ウェハ１ を回収する。

【０００７】 しかし従来のこの装置に於ては、金属製ヒータ３に含まれる重金属、特に銅が 、高温下で反応管４を透過して、ウェハ１に付着しウェハ内に拡散する欠点があ った。これにより、ウェハ１の電気特性、例えば、イオン注入による活性化率に 悪影響を及ぼすものである。

【０００８】

【考案の目的】 本考案の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、ウェハの重金属付着を大 幅に低減することができる新規な、アニール装置を提供することにある。

【０００９】

【考案の要点】

本考案の要旨は、ヒータに石英管に覆われた炭素材を用いたことにあり、それ によってウェハの重金属付着を大幅に低減させたものである。

【００１０】

【考案の実施例】

図１は、本考案装置に用いられるヒータの一実施例を示す縦断面図である。

【００１１】 発熱体である炭素８の周囲を不活性ガスを用い石英９で密封し、炭素８に電流 を流した際に炭素８が燃焼するのを防止する様されている。このヒーターを第３ 図に示したアニール装置のヒータ３に置きかえたものが、本考案のアニール装置 であり、炭素が燃焼しないため、反応管内のウェハ内に拡散することがなく、ウ ェハの電気特性に悪影響を及ぼすことがない。

【００１２】 図２は、本考案装置に用いられるヒータの変形例であり、炭素８と石英９の間 に窒素、アルゴン等の不活性ガスを、ガス流入口１０からガス流出口１１へ流す ことにより、炭素８の酸化、燃焼を防止するものである。

【００１３】

【考案の効果】

以上説明した通り本考案装置は、ヒータからウェハへの重金属付着が低減され ることが期待され、電気特性の優れたウェハの提供を可能としたものであり、そ の実用的価値は非常に大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案のアニール装置に用いられるヒータの一
実施例を示す縦断面図。

【図２】図１の変形例を示す縦断面図。

【図３】従来のアニール装置の一例を示す縦断面図。

【符号の説明】 １ 半導体ウェハ ２ 支持台 ３ ヒータ ４ 反応蓋 ５ 蓋 ６ キャリアガス流入口 ７ キャリアガス流出口 ８ 炭素 ９ 石英 １０ ガス流入口 １１ ガス流出口

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体の結晶或いはウェーハを加熱する装
   置に於いて、熱源であるヒーターとして石英で覆われた
   炭素を用いたことを特徴とする半導体装置のアニール装
   置。