JPH0521335A - 反射防止密着性強化剤 - Google Patents
反射防止密着性強化剤Info
- Publication number
- JPH0521335A JPH0521335A JP17367491A JP17367491A JPH0521335A JP H0521335 A JPH0521335 A JP H0521335A JP 17367491 A JP17367491 A JP 17367491A JP 17367491 A JP17367491 A JP 17367491A JP H0521335 A JPH0521335 A JP H0521335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antireflection
- adhesion
- group
- reinforcing agent
- functional group
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト塗布時に下地基板への前処理として
塗布する密着性強化剤に、吸収性をもたせて反射防止機
能を付加し、露光時の反射による悪影響を防止する。 【構成】 フォトレジスト１の下地基板２への塗布時に
用いられる密着性強化剤として、その物質に露光波長光
を吸収する官能基を持たせて反射防止機能を付加した化
合物を用いる。該官能基としては、カルボニル基、ニト
ロ基、あるいはナフチル基等のアセン系列のものを用
い、密着性を強化するとともに、下地からの反射の影響
を回避する。
塗布する密着性強化剤に、吸収性をもたせて反射防止機
能を付加し、露光時の反射による悪影響を防止する。 【構成】 フォトレジスト１の下地基板２への塗布時に
用いられる密着性強化剤として、その物質に露光波長光
を吸収する官能基を持たせて反射防止機能を付加した化
合物を用いる。該官能基としては、カルボニル基、ニト
ロ基、あるいはナフチル基等のアセン系列のものを用
い、密着性を強化するとともに、下地からの反射の影響
を回避する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、感光性高分子を塗布す
る際に用いられ反射防止および密着性強化を可能とする
物質としての反射防止密着性強化剤に関する。
る際に用いられ反射防止および密着性強化を可能とする
物質としての反射防止密着性強化剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】ノボラック−ナフトキノンジアジド系の
ポジ型フォトレジスト塗布時に、その下地基板への密着
性強化のために、前処理として、図２のヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）を、液状塗布もしくは蒸気状塗布
することにより、図３に示すようにＳｉＯ2による下地
基板を疎水化することが一般に行われている。
ポジ型フォトレジスト塗布時に、その下地基板への密着
性強化のために、前処理として、図２のヘキサメチルジ
シラザン（ＨＭＤＳ）を、液状塗布もしくは蒸気状塗布
することにより、図３に示すようにＳｉＯ2による下地
基板を疎水化することが一般に行われている。
【０００３】ところで、レジスト露光の際に、露光波長
に対する下地基板の反射率が高い場合、レジスト膜内多
重反射による寸法制御性の悪化（図４参照）、下地基板
の段差からの乱反射に起因するハレーションによるパタ
ーンのくびれ（図５参照）等といった種々の問題を生じ
ることを避けられないものであった。ここで、上述した
図５において、１はフォトレジストパターン、２はＨＭ
ＤＳ処理が施された段差を有する下地基板、３はハレー
ションによって生じるくびれ部分である。また、図４に
おいてＡはレジスト膜内多重反射による効果、Ｂはレジ
スト膜の吸収による効果を示している。
に対する下地基板の反射率が高い場合、レジスト膜内多
重反射による寸法制御性の悪化（図４参照）、下地基板
の段差からの乱反射に起因するハレーションによるパタ
ーンのくびれ（図５参照）等といった種々の問題を生じ
ることを避けられないものであった。ここで、上述した
図５において、１はフォトレジストパターン、２はＨＭ
ＤＳ処理が施された段差を有する下地基板、３はハレー
ションによって生じるくびれ部分である。また、図４に
おいてＡはレジスト膜内多重反射による効果、Ｂはレジ
スト膜の吸収による効果を示している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そして、上述した従来
の密着性強化剤では、以上のような下地基板２からの反
射に対しての対策は何ら講じられておらず、下地基板２
からの反射防止膜を別途設けることが必要で、製造工程
の複雑化を招いていた。
の密着性強化剤では、以上のような下地基板２からの反
射に対しての対策は何ら講じられておらず、下地基板２
からの反射防止膜を別途設けることが必要で、製造工程
の複雑化を招いていた。
【０００５】本発明はこのような問題点を解消するため
になされたものであり、反射防止機能を有するととも
に、密着性を強化できる反射防止機能をもつ密着性強化
剤を得ることを目的としている。
になされたものであり、反射防止機能を有するととも
に、密着性を強化できる反射防止機能をもつ密着性強化
剤を得ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような要請に応える
ために本発明に係る反射防止密着性強化剤は、感光性高
分子塗布の際に用いられる密着性強化物質に、露光波長
光を吸収する官能基、カルボニル基またはニトロ基、あ
るいはナフチル基等のアセン系列などの官能基をもた
せ、反射防止機能を付加するように構成したものであ
る。
ために本発明に係る反射防止密着性強化剤は、感光性高
分子塗布の際に用いられる密着性強化物質に、露光波長
光を吸収する官能基、カルボニル基またはニトロ基、あ
るいはナフチル基等のアセン系列などの官能基をもた
せ、反射防止機能を付加するように構成したものであ
る。
【０００７】
【作用】本発明によれば、露光波長光を吸収し得るため
に、下地基板からの反射光による種々の悪影響を回避す
ることが可能となる。
に、下地基板からの反射光による種々の悪影響を回避す
ることが可能となる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明に係る反射防止密着性強化剤の
構造式を示した一実施例であり、本実施例では、感光性
高分子塗布の際に用いられる密着性強化物質に、露光波
長光を吸収する官能基（たとえばカルボニル基またはニ
トロ基、あるいはナフチル基等のアセン系列などの官能
基）をもたせ、反射防止機能を付加するように構成した
ところに特徴を有している。
構造式を示した一実施例であり、本実施例では、感光性
高分子塗布の際に用いられる密着性強化物質に、露光波
長光を吸収する官能基（たとえばカルボニル基またはニ
トロ基、あるいはナフチル基等のアセン系列などの官能
基）をもたせ、反射防止機能を付加するように構成した
ところに特徴を有している。
【０００９】すなわち、現在、超ＬＳＩの回路パターン
形成の際に、密着性強化剤としては、図２に示したよう
なヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）が用いられてい
るが、この化合物は、Ｈｇランプｇ線、ｉ線あたりに吸
収を持たず、この上に塗布される感光性高分子は、露光
の際、下地からの反射の影響を受け易いものであった。
形成の際に、密着性強化剤としては、図２に示したよう
なヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）が用いられてい
るが、この化合物は、Ｈｇランプｇ線、ｉ線あたりに吸
収を持たず、この上に塗布される感光性高分子は、露光
の際、下地からの反射の影響を受け易いものであった。
【００１０】このため、本発明によれば、このヘキサメ
チルジシラザン（ＨＭＤＳ）の６つのメチル基の部分
を、露光波長を吸収し得る置換基Ｒ1〜Ｒ6を、カルボニ
ル基やニトロ基、あるいはナフチル基等のアセン系列な
どの官能基に置換した化合物とすることにより、下地基
板２を処理するようにしている。そして、この状態で、
ノボラックレジン−ナフトキノン系ポジ型フォトレジス
トを塗布し、露光現像によりパターニングを行なう。現
像後、上述した反射防止密着性強化剤の残査があれば、
Ｏ2プラズマ処理等により除去する工程を付加するとよ
い。
チルジシラザン（ＨＭＤＳ）の６つのメチル基の部分
を、露光波長を吸収し得る置換基Ｒ1〜Ｒ6を、カルボニ
ル基やニトロ基、あるいはナフチル基等のアセン系列な
どの官能基に置換した化合物とすることにより、下地基
板２を処理するようにしている。そして、この状態で、
ノボラックレジン−ナフトキノン系ポジ型フォトレジス
トを塗布し、露光現像によりパターニングを行なう。現
像後、上述した反射防止密着性強化剤の残査があれば、
Ｏ2プラズマ処理等により除去する工程を付加するとよ
い。
【００１１】なお、本発明は上述した実施例構造には限
定されず、各部の構造等を適宜変形、変更し得ることは
言うまでもない。たとえば上述した図１に示した化合物
としては、Ｒ1〜Ｒ6を変化させることにより、物理的、
下地基板との反応性適に最適化されるべきであり、適宜
変化させてもよいことは言うまでもない。
定されず、各部の構造等を適宜変形、変更し得ることは
言うまでもない。たとえば上述した図１に示した化合物
としては、Ｒ1〜Ｒ6を変化させることにより、物理的、
下地基板との反応性適に最適化されるべきであり、適宜
変化させてもよいことは言うまでもない。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る反射防
止密着性強化剤によれば、密着性強化剤を露光波長吸収
性のある化合物としたので、簡単な構成にもかかわら
ず、下地からの乱反射によるパターンの変形等といった
悪影響を回避することができるといった種々優れた効果
がある。
止密着性強化剤によれば、密着性強化剤を露光波長吸収
性のある化合物としたので、簡単な構成にもかかわら
ず、下地からの乱反射によるパターンの変形等といった
悪影響を回避することができるといった種々優れた効果
がある。
【図１】本発明に係る反射防止密着性強化剤の一実施例
を示す化学構造式を示した図である。
を示す化学構造式を示した図である。
【図２】従来用いられているヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）の化学構造式を示した図である。
（ＨＭＤＳ）の化学構造式を示した図である。
【図３】ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）による下
地（ＳｉＯ2）の疎水化表面の状態を示す化学構造式の
図である。
地（ＳｉＯ2）の疎水化表面の状態を示す化学構造式の
図である。
【図４】パターン寸法のレジスト膜厚依存性図である。
【図５】ハレーションによるパターンのくびれを説明す
るための特性図である。
るための特性図である。
１ フォトレジストパターン
２ ＨＭＤＳ処理をした段差下地基板
３ ハレーションによるくびれ部分
Claims (3)
- 【請求項１】 感光性高分子塗布の際に用いられる密着
性強化物質に、露光波長光を吸収する官能基をもたせ、
反射防止機能を付加したことを特徴とする反射防止密着
性強化剤。 - 【請求項２】 請求項１において、露光波長光を吸収す
る官能基として、カルボニル基またはニトロ基を用いた
ことを特徴とする反射防止密着性強化剤。 - 【請求項３】 請求項１において、露光波長光を吸収す
る官能基として、ナフチル基等のアセン系列を用いたこ
とを特徴とする反射防止密着性強化剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17367491A JPH0521335A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 反射防止密着性強化剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17367491A JPH0521335A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 反射防止密着性強化剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521335A true JPH0521335A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15965001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17367491A Pending JPH0521335A (ja) | 1991-07-15 | 1991-07-15 | 反射防止密着性強化剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521335A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9244358B2 (en) | 2008-10-21 | 2016-01-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Surface treatment liquid, surface treatment method, hydrophobilization method, and hydrophobilized substrate |
-
1991
- 1991-07-15 JP JP17367491A patent/JPH0521335A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9244358B2 (en) | 2008-10-21 | 2016-01-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Surface treatment liquid, surface treatment method, hydrophobilization method, and hydrophobilized substrate |
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