JPH05211206A - Ｉｃチップの実装方法 - Google Patents
Ｉｃチップの実装方法Info
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- JPH05211206A JPH05211206A JP3160713A JP16071391A JPH05211206A JP H05211206 A JPH05211206 A JP H05211206A JP 3160713 A JP3160713 A JP 3160713A JP 16071391 A JP16071391 A JP 16071391A JP H05211206 A JPH05211206 A JP H05211206A
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- JP
- Japan
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- chip
- conductive filler
- substrate
- electrodes
- electrode
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣチップを基板へ実装するにあたり、接続
抵抗が小さく、かつ電極間の電気的短絡をなくし、高密
度実装を可能にする。 【構成】 絶縁板上のＩＣチップの電極位置に対応する
部分に金属パターンを形成し、導電性フィラー１６を懸
濁した溶液中で、前記金属パターンと金属板からなる電
極を対向させ、両者間に電圧を印加することによって導
電性フィラー１６を前記金属パターンに付着させ、その
導電性フィラー１６をＩＣチップ１２に転写し、ＩＣチ
ップ１２を基板１１に搭載し、紫外線硬化型樹脂１７で
固定する。
抵抗が小さく、かつ電極間の電気的短絡をなくし、高密
度実装を可能にする。 【構成】 絶縁板上のＩＣチップの電極位置に対応する
部分に金属パターンを形成し、導電性フィラー１６を懸
濁した溶液中で、前記金属パターンと金属板からなる電
極を対向させ、両者間に電圧を印加することによって導
電性フィラー１６を前記金属パターンに付着させ、その
導電性フィラー１６をＩＣチップ１２に転写し、ＩＣチ
ップ１２を基板１１に搭載し、紫外線硬化型樹脂１７で
固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶パネル等に使用さ
れるガラス基板にＩＣチップを実装するＩＣチップの実
装方法に関するものである。
れるガラス基板にＩＣチップを実装するＩＣチップの実
装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
特開昭６２−２４４１４３号公報に記載されるようなも
のがあった。図５はかかる従来のＩＣチップの実装状態
を示す断面図である。この図に示すように、ガラス基板
１には、ＩＣチップ２が搭載され、電気的に接続されて
いる。このＩＣチップ２の実装は以下のように行ってい
た。
特開昭６２−２４４１４３号公報に記載されるようなも
のがあった。図５はかかる従来のＩＣチップの実装状態
を示す断面図である。この図に示すように、ガラス基板
１には、ＩＣチップ２が搭載され、電気的に接続されて
いる。このＩＣチップ２の実装は以下のように行ってい
た。
【０００３】まず、ガラス基板１に形成された電極（Ｉ
ＴＯ）３と、Ａｌ電極４上にＡｕバンプ５を形成したＩ
Ｃチップ２との間に導電性フィラー６を接着剤７に混入
した異方性導電接着剤を挟み、ＩＣチップ２の裏面より
加圧して加熱し、樹脂を硬化し、ＩＣチップ２とガラス
基板１を固定する。この時、導電性フィラー６はＡｕバ
ンプ５に食い込み、これを介してＩＣチップ２とガラス
基板１の電気的接続を得ることができる。
ＴＯ）３と、Ａｌ電極４上にＡｕバンプ５を形成したＩ
Ｃチップ２との間に導電性フィラー６を接着剤７に混入
した異方性導電接着剤を挟み、ＩＣチップ２の裏面より
加圧して加熱し、樹脂を硬化し、ＩＣチップ２とガラス
基板１を固定する。この時、導電性フィラー６はＡｕバ
ンプ５に食い込み、これを介してＩＣチップ２とガラス
基板１の電気的接続を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＩＣチップの実装方法では、ガラス基板１とＩ
Ｃチップ２の接続抵抗を小さくするためには、Ａｕバン
プ５と電極（ＩＴＯ）３との間の導電性フィラーの量を
多くしなければならず、そのためには、樹脂中の導電性
フィラーの混入率を増やさなければならない。
た従来のＩＣチップの実装方法では、ガラス基板１とＩ
Ｃチップ２の接続抵抗を小さくするためには、Ａｕバン
プ５と電極（ＩＴＯ）３との間の導電性フィラーの量を
多くしなければならず、そのためには、樹脂中の導電性
フィラーの混入率を増やさなければならない。
【０００５】しかし、このようにすると、特に、電極間
のピッチが狭い場合、電極間の樹脂中にも導電性フィラ
ーは存在しているため、樹脂中の導電性フィラーが電極
間でつながり、電気的な短絡を起こすという問題があ
り、導電性フィラーの量を増やすことができなかった。
そして、結果的に電極間ピッチを狭くすることができ
ず、高密度実装が難しいという問題があった。
のピッチが狭い場合、電極間の樹脂中にも導電性フィラ
ーは存在しているため、樹脂中の導電性フィラーが電極
間でつながり、電気的な短絡を起こすという問題があ
り、導電性フィラーの量を増やすことができなかった。
そして、結果的に電極間ピッチを狭くすることができ
ず、高密度実装が難しいという問題があった。
【０００６】本発明は、上記問題点を除去し、接続抵抗
が小さく、かつ電極間の電気的短絡がなく、しかも高密
度実装が可能なＩＣチップの実装方法を提供することを
目的とする。
が小さく、かつ電極間の電気的短絡がなく、しかも高密
度実装が可能なＩＣチップの実装方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ＩＣチップの実装方法において、絶縁板
上のＩＣチップの電極位置に対応する部分に金属パター
ンを形成し、導電性フィラーを懸濁した溶液中で、前記
金属パターンと金属板からなる電極を対向させ、両者間
に電圧を印加することによって導電性フィラーを前記金
属パターンに付着させる工程と、前記導電性フィラーを
ＩＣチップまたは基板の電極に転写する工程と、前記Ｉ
Ｃチップを前記基板に搭載し、耐湿性の樹脂で固定する
工程とを施すようにしたものである。
成するために、ＩＣチップの実装方法において、絶縁板
上のＩＣチップの電極位置に対応する部分に金属パター
ンを形成し、導電性フィラーを懸濁した溶液中で、前記
金属パターンと金属板からなる電極を対向させ、両者間
に電圧を印加することによって導電性フィラーを前記金
属パターンに付着させる工程と、前記導電性フィラーを
ＩＣチップまたは基板の電極に転写する工程と、前記Ｉ
Ｃチップを前記基板に搭載し、耐湿性の樹脂で固定する
工程とを施すようにしたものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、上記したように、平板に電着
法によって、ＩＣチップの電極に相当する位置にのみ、
導電性フィラーを付着させ、これをＩＣチップに転写
後、このＩＣチップを基板に搭載し、樹脂で硬化する。
従って、電極間の電気的な短絡がなくなり、基板上への
ＩＣチップの実装品質が向上する。特に、電極間のピッ
チを狭くしても、短絡することがなくなり、高密度実装
が可能となる。
法によって、ＩＣチップの電極に相当する位置にのみ、
導電性フィラーを付着させ、これをＩＣチップに転写
後、このＩＣチップを基板に搭載し、樹脂で硬化する。
従って、電極間の電気的な短絡がなくなり、基板上への
ＩＣチップの実装品質が向上する。特に、電極間のピッ
チを狭くしても、短絡することがなくなり、高密度実装
が可能となる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＩ
Ｃチップの実装状態断面図、図２は導電性フィラーの電
着基板の平面図、図３はその導電性フィラーの電着状態
を示す断面図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すＩ
Ｃチップの実装状態断面図、図２は導電性フィラーの電
着基板の平面図、図３はその導電性フィラーの電着状態
を示す断面図である。
【００１０】これらの図に示すように、ＩＣチップ１２
のＡｌ電極１３に形成されたＡｕバンプ１４と、ガラス
基板１１に形成された電極（ＩＴＯ）１５の間に導電性
フィラー１６が挟まれ、ＩＣチップ１２とガラス基板１
１を紫外線硬化型樹脂１７で固定している。ここで、導
電性フィラー１６がＩＣチップ１２とガラス基板１１を
電気的に接続している。なお、導電性フィラー１６はＡ
ｕバンプ１４と電極（ＩＴＯ）１５の間にのみ存在して
いる。
のＡｌ電極１３に形成されたＡｕバンプ１４と、ガラス
基板１１に形成された電極（ＩＴＯ）１５の間に導電性
フィラー１６が挟まれ、ＩＣチップ１２とガラス基板１
１を紫外線硬化型樹脂１７で固定している。ここで、導
電性フィラー１６がＩＣチップ１２とガラス基板１１を
電気的に接続している。なお、導電性フィラー１６はＡ
ｕバンプ１４と電極（ＩＴＯ）１５の間にのみ存在して
いる。
【００１１】この実装工程において使用される電着基板
２０は、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁板に金
属パターンが形成されている。その金属パターンは電源
接続部２１と導電性フィラーの電着部２３、及び両者を
接続する配線部２２からなっている。その導電性フィラ
ーの電着部２３は、ＩＣチップ１２のＡｕバンプ１４と
対応した位置に配置されている。また、この電着基板２
０の電源接続部２１と導電性フィラーの電着部２３を除
く部分は、絶縁膜に覆われている。
２０は、図２に示すように、ガラス基板等の絶縁板に金
属パターンが形成されている。その金属パターンは電源
接続部２１と導電性フィラーの電着部２３、及び両者を
接続する配線部２２からなっている。その導電性フィラ
ーの電着部２３は、ＩＣチップ１２のＡｕバンプ１４と
対応した位置に配置されている。また、この電着基板２
０の電源接続部２１と導電性フィラーの電着部２３を除
く部分は、絶縁膜に覆われている。
【００１２】ここで用いる導電性フィラー１６は、プラ
スチック粒にニッケルメッキを施したもので〔商品名ミ
クロパール：積水ファインケミカル株式会社製〕あり、
粒径は１０μｍのものを使用した。この導電性フィラー
１６は弾性を有している。次に、前記電着基板２０を使
用して、導電性フィラー１６の電着部２３に導電性フィ
ラー１６を電着する。その電着は以下のように行う。
スチック粒にニッケルメッキを施したもので〔商品名ミ
クロパール：積水ファインケミカル株式会社製〕あり、
粒径は１０μｍのものを使用した。この導電性フィラー
１６は弾性を有している。次に、前記電着基板２０を使
用して、導電性フィラー１６の電着部２３に導電性フィ
ラー１６を電着する。その電着は以下のように行う。
【００１３】（１）図３に示すように、メッキ槽３０内
にアルコールを１００ｃｃに対し、導電性フィラー１６
を１ｇの割合で混入し、よく攪拌する。 （２）その液３１中に、金属製の電着基板２０と金属板
からなる電着用電極３２を対向させ、電着基板２０の電
源接続部２１を、直流電源３３の（＋）側に、電着用電
極３２を、（−）側に接続する。この時の対向間距離は
２ｃｍである。また、電源接続部２１は液中に入れな
い。
にアルコールを１００ｃｃに対し、導電性フィラー１６
を１ｇの割合で混入し、よく攪拌する。 （２）その液３１中に、金属製の電着基板２０と金属板
からなる電着用電極３２を対向させ、電着基板２０の電
源接続部２１を、直流電源３３の（＋）側に、電着用電
極３２を、（−）側に接続する。この時の対向間距離は
２ｃｍである。また、電源接続部２１は液中に入れな
い。
【００１４】（３）次に、電着基板２０と電着用電極３
２の間に直流電圧を印加すると、この間に電界が形成さ
れる。この時、上記液中で導電性フィラー１６は負に帯
電しており、（＋）側の電着基板２０に引かれて移動
し、導電性フィラー電着部２３に付着する。この時、導
電性フィラーの電着部２３以外は、絶縁膜に覆われてい
るので、付着しない。
２の間に直流電圧を印加すると、この間に電界が形成さ
れる。この時、上記液中で導電性フィラー１６は負に帯
電しており、（＋）側の電着基板２０に引かれて移動
し、導電性フィラー電着部２３に付着する。この時、導
電性フィラーの電着部２３以外は、絶縁膜に覆われてい
るので、付着しない。
【００１５】（４）次に、電着基板２０を液３１中から
引き上げ、乾燥させる。 以下、本発明の実施例を示すＩＣチップの実装方法つい
て説明する。 （Ａ）〔実装工程１〕第１の実装工程を図４を参照しな
がら説明する。まず、図４（ａ）に示すように、耐湿性
に優れた紫外線硬化型樹脂１７を、平坦なガラス板４０
の上で、２０〜３０μｍの厚さに伸ばす。このガラス板
４０にＩＣチップ１２を押し付け、引き上げると、紫外
線硬化型樹脂１７がＩＣチップ１２に転写される。
引き上げ、乾燥させる。 以下、本発明の実施例を示すＩＣチップの実装方法つい
て説明する。 （Ａ）〔実装工程１〕第１の実装工程を図４を参照しな
がら説明する。まず、図４（ａ）に示すように、耐湿性
に優れた紫外線硬化型樹脂１７を、平坦なガラス板４０
の上で、２０〜３０μｍの厚さに伸ばす。このガラス板
４０にＩＣチップ１２を押し付け、引き上げると、紫外
線硬化型樹脂１７がＩＣチップ１２に転写される。
【００１６】次に、図４（ｂ）に示すように、紫外線硬
化型樹脂１７の転写されたＩＣチップ１２を、前記の導
電性フィラー１６が電着した電着基板２０に位置を合わ
せる。次に、ＩＣチップ１２を前記の導電性フィラー１
６が電着した電着基板２０に押し付け、引き上げる。す
ると、図４（ｃ）に示すように、導電性フィラー１６
が、ＩＣチップ１２のＡｕバンプ１４の下面に転写され
る。その場合、導電性フィラー１６はＡｕバンプ１４の
下面のみに転写され、他の部分へは転写されない。
化型樹脂１７の転写されたＩＣチップ１２を、前記の導
電性フィラー１６が電着した電着基板２０に位置を合わ
せる。次に、ＩＣチップ１２を前記の導電性フィラー１
６が電着した電着基板２０に押し付け、引き上げる。す
ると、図４（ｃ）に示すように、導電性フィラー１６
が、ＩＣチップ１２のＡｕバンプ１４の下面に転写され
る。その場合、導電性フィラー１６はＡｕバンプ１４の
下面のみに転写され、他の部分へは転写されない。
【００１７】次に、図４（ｄ）に示すように、導電性フ
ィラー１６を転写したＩＣチップ１２のバンプ１４の位
置とガラス基板１１の電極（ＩＴＯ）１５の位置を合わ
せた後、これを加圧する（荷重１．７Ｋｇ）。すると、
挟まれた導電性のフィラー１６は弾性を有しているため
変形し、Ａｕバンプ１４と電極（ＩＴＯ）１５に密着
し、電気的接続を行なう。その後、加圧したままで、紫
外線硬化型樹脂１７にガラス基板１１の裏側から紫外線
照射装置５０で、紫外線を照射すると、紫外線硬化型樹
脂１７は硬化するため、加圧を止めても、導電性フィラ
ー１６は加圧したままの状態を保持する。
ィラー１６を転写したＩＣチップ１２のバンプ１４の位
置とガラス基板１１の電極（ＩＴＯ）１５の位置を合わ
せた後、これを加圧する（荷重１．７Ｋｇ）。すると、
挟まれた導電性のフィラー１６は弾性を有しているため
変形し、Ａｕバンプ１４と電極（ＩＴＯ）１５に密着
し、電気的接続を行なう。その後、加圧したままで、紫
外線硬化型樹脂１７にガラス基板１１の裏側から紫外線
照射装置５０で、紫外線を照射すると、紫外線硬化型樹
脂１７は硬化するため、加圧を止めても、導電性フィラ
ー１６は加圧したままの状態を保持する。
【００１８】このようにして、図１に示すような、ＩＣ
チップの実装を行うことができる。なお、上記実施例に
おいては、ＩＣチップ１２にＡｕバンプ１４が形成され
たものが示されているが、このＡｕバンプが削除された
ＩＣチップを使用するようにしてもよい。また、封止樹
脂として、上記実施例では紫外線硬化型の樹脂を使用し
ているが、熱硬化型の樹脂を使用し、これを加熱硬化さ
せるようにしてもよい。 （Ｂ）〔実装工程２〕本発明の他の実施例を示すＩＣチ
ップの実装方法について図６を参照しながら説明する。
チップの実装を行うことができる。なお、上記実施例に
おいては、ＩＣチップ１２にＡｕバンプ１４が形成され
たものが示されているが、このＡｕバンプが削除された
ＩＣチップを使用するようにしてもよい。また、封止樹
脂として、上記実施例では紫外線硬化型の樹脂を使用し
ているが、熱硬化型の樹脂を使用し、これを加熱硬化さ
せるようにしてもよい。 （Ｂ）〔実装工程２〕本発明の他の実施例を示すＩＣチ
ップの実装方法について図６を参照しながら説明する。
【００１９】まず、図６（ａ）に示すように、ガラス基
板６０の電極（ＩＴＯ）６１が形成される面に紫外線硬
化型樹脂１７を塗布する。このガラス基板６０を、前記
した導電性フィラー１６を電着した電着基板２０に位置
を合わせした後、押し付け、引き上げる。すると、図６
（ｂ）に示すように、導電性フィラー１６はガラス基板
６０の電極（ＩＴＯ）６１に転写される。
板６０の電極（ＩＴＯ）６１が形成される面に紫外線硬
化型樹脂１７を塗布する。このガラス基板６０を、前記
した導電性フィラー１６を電着した電着基板２０に位置
を合わせした後、押し付け、引き上げる。すると、図６
（ｂ）に示すように、導電性フィラー１６はガラス基板
６０の電極（ＩＴＯ）６１に転写される。
【００２０】一方、図６（ｃ）に示すように、耐湿性に
優れた紫外線硬化型樹脂１７を、平坦なガラス板４０の
上で、２０〜３０μｍの厚さに伸ばす。このガラス板４
０にＩＣチップ１２を押し付け、引き上げると、紫外線
硬化型樹脂１７がＩＣチップ１２に転写される。次に、
図６（ｄ）〔図４（ｄ）と同様〕に示すように、導電性
フィラー１６を転写したＩＣチップ１２のバンプ１４の
位置とガラス基板１１の電極（ＩＴＯ）１５の位置を合
わせた後、これを加圧する（荷重１．７Ｋｇ）。する
と、挟まれた導電性のフィラー１６は弾性を有している
ため変形し、Ａｕバンプ１４と電極（ＩＴＯ）１５に密
着し、電気的接続を行なう。その後、加圧したままで、
紫外線硬化型樹脂１７にガラス基板１１の裏側から紫外
線照射装置５０で、紫外線を照射すると、紫外線硬化型
樹脂１７は硬化するため、加圧を止めても、導電性フィ
ラー１６は加圧したままの状態を保持する。
優れた紫外線硬化型樹脂１７を、平坦なガラス板４０の
上で、２０〜３０μｍの厚さに伸ばす。このガラス板４
０にＩＣチップ１２を押し付け、引き上げると、紫外線
硬化型樹脂１７がＩＣチップ１２に転写される。次に、
図６（ｄ）〔図４（ｄ）と同様〕に示すように、導電性
フィラー１６を転写したＩＣチップ１２のバンプ１４の
位置とガラス基板１１の電極（ＩＴＯ）１５の位置を合
わせた後、これを加圧する（荷重１．７Ｋｇ）。する
と、挟まれた導電性のフィラー１６は弾性を有している
ため変形し、Ａｕバンプ１４と電極（ＩＴＯ）１５に密
着し、電気的接続を行なう。その後、加圧したままで、
紫外線硬化型樹脂１７にガラス基板１１の裏側から紫外
線照射装置５０で、紫外線を照射すると、紫外線硬化型
樹脂１７は硬化するため、加圧を止めても、導電性フィ
ラー１６は加圧したままの状態を保持する。
【００２１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、電極間に導電性フィラーが依存しないため、次
のような効果を奏する。電極間の電気的な短絡がなくな
り、基板上へのＩＣチップの実装品質が向上する。特
に、電極間のピッチを狭くしても、短絡することがなく
なり、高密度実装が可能となる
よれば、電極間に導電性フィラーが依存しないため、次
のような効果を奏する。電極間の電気的な短絡がなくな
り、基板上へのＩＣチップの実装品質が向上する。特
に、電極間のピッチを狭くしても、短絡することがなく
なり、高密度実装が可能となる
【図１】本発明の実施例を示すＩＣチップの実装状態断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の実施例を示す導電性フィラーの電着基
板の平面図である。
板の平面図である。
【図３】本発明の導電性フィラーの電着状態を示す断面
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例を示すＩＣチップの実装工程断
面図である。
面図である。
【図５】従来のＩＣチップの実装状態を示す断面図であ
る。
る。
【図６】本発明の他の実施例を示すＩＣチップの実装工
程断面図である。
程断面図である。
１１，６０ ガラス基板 １２ ＩＣチップ １３ Ａｌ電極 １４ Ａｕバンプ １５，６１ 電極（ＩＴＯ） １６ 導電性フィラー １７ 紫外線硬化型樹脂 ２０ 電着基板 ２１ 電源接続部 ２２ 配線部 ２３ 導電性フィラーの電着部 ３０ メッキ槽 ３１ 液 ３２ 電着用電極 ３３ 直流電源 ４０ ガラス板 ５０ 紫外線照射装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金森 孝史 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）絶縁板上のＩＣチップの電極位置に
対応する部分に金属パターンを形成し、導電性フィラー
を懸濁した溶液中で、前記金属パターンと金属板からな
る電極を対向させ、両者間に電圧を印加することによっ
て導電性フィラーを前記金属パターンに付着させる工程
と、 （ｂ）前記導電性フィラーをＩＣチップまたは基板の電
極に転写する工程と、 （ｃ）前記ＩＣチップを前記基板に搭載し、耐湿性の樹
脂で固定する工程とを施すことを特徴とするＩＣチップ
の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160713A JPH05211206A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Ｉｃチップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3160713A JPH05211206A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Ｉｃチップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211206A true JPH05211206A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=15720865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3160713A Withdrawn JPH05211206A (ja) | 1991-07-02 | 1991-07-02 | Ｉｃチップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05211206A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114074429A (zh) * | 2020-08-12 | 2022-02-22 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 弱化结构的制造方法及制造系统 |
-
1991
- 1991-07-02 JP JP3160713A patent/JPH05211206A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114074429A (zh) * | 2020-08-12 | 2022-02-22 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 弱化结构的制造方法及制造系统 |
| CN114074429B (zh) * | 2020-08-12 | 2024-01-12 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 弱化结构的制造方法及制造系统 |
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