JPH05206776A

JPH05206776A - 弾性表面波素子とその製造方法

Info

Publication number: JPH05206776A
Application number: JP1474292A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Ota; 康博太田; Akitsuna Yuhara; 章綱湯原; Norio Hosaka; 憲生保坂; Kazushi Watanabe; 一志渡辺; Hideo Onuki; 秀男大貫
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-01-30
Filing date: 1992-01-30
Publication date: 1993-08-13

Abstract

(57)【要約】【目的】電極膜の耐電力性が高く、しかも内部損失が少
ない、特性良好で長寿命な弾性表面波素子とその製造方
法を提供することにある。【構成】弾性表面波素子の電極膜の膜厚方向の平均組成
が、ＭはＴｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｇｅ，
Ｓｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃ
ｒ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｃｄ，Ｗ，Ｖの中から選ばれた少なく
とも一つの金属を表し、かつ、０≦ｙ≦２０，ｘ＋ｙ＝
１００なる条件を満たすｘとｙとは重量百分率組成を表
すものとしたとき、Ａｌ_xＭ_yで表されるようにし、か
つ、上記電極膜を圧電性基板上に成膜させたのち、該基
板、電極膜に適した焼鈍処理を施して強度の高いＡｌ合
金電極膜の比抵抗を低下させ内部損失を軽減させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜よりなる電極
の耐電力性が高く、特性良好で、長期使用に耐える弾性
表面波素子と、その製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、弾性表面波装置は、小形高性能な
バンドパスフィルタや共振子として応用範囲が拡大し、
動作周波数も数百ＭＨｚから数ＧＨｚと高周波数化する
と同時に高出力化が要求されるようになってきている。
また、高出力化のために内部損失の低減および高耐電力
性を持つ新しい構造が要求されるようになってきてい
る。高周波数化を図るためには、使用するすだれ状くし
形電極のピッチを狭くすると同時に電極指幅も狭くする
必要があり、中心周波数１ＧＨｚの時には電極指幅は約
１μｍとなる。このような微細電極を用いた弾性表面波
素子の信頼性面での問題点として、動作時に、弾性表面
波によって生ずる圧電性基板表面の歪みが、表面上に形
成されたすだれ状電極の金属薄膜に内部応力を発生さ
せ、その応力が電極膜の臨界剪断応力を越えた部分で
は、電極材料原子が結晶粒界を通路として移動し、電極
に空隙（ボイド）、突起（ヒロック）を発生させ、特性
が劣化し、電極破壊が発生する。

【０００３】上記問題に対応するために、従来から、例
えば特公昭６１−４７０１０号公報に記載されているよ
うに、使用する電極材料として、ＡｌにＣｕを少量添加
し、結晶粒界にＣｕＡｌ₂等を析出させて電極の金属薄
膜を硬化させることが行われている。電極の金属薄膜を
硬化させる手段としては、上記Ｃｕの他にも、Ｔｉ，Ｎ
ｉ，Ｍｇ，Ｐｄ等をＡｌに添加することも行われてい
る。

【０００４】しかし、従来の弾性表面波素子の製造方法
は、圧電性基板上に真空蒸着法またはスパッタリング法
などで電極の金属薄膜を形成させたのち、フォトリソグ
ラフィ技術等の微細加工技術によってパターニングを行
う単純な方法であった。従って、形成された電極膜は、
気相状態から固相状態に相変化したままの状態であり、
物理化学的に不安定な状態である。その不安定状態で
は、欠陥も極めて多く比抵抗は高かった。Ａｌ膜に、Ｃ
ｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｐｄ等を添加して電極膜を硬化
させる際に、添加量を増加するのに伴って硬化強度は増
大し耐電力性も増大するが、一方、電極膜の比抵抗も同
時に増加するため、動作時の内部損失が増大するという
問題があり、添加する元素の種類および添加する量に大
幅な制限があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術は、電
極膜の硬化強度を増大させて耐電力性の向上を図ること
と、電極膜の比抵抗を減少させて動作時の内部損失を低
減させることの、両方を同時に実現させることについて
は考慮されていなかった。

【０００６】本発明は、従来の課題を解決し、耐電力性
が高く、しかも動作時の内部損失が低い弾性表面波素子
とその製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、弾性表面波素子の圧電性基板上の
電極の金属薄膜の膜厚方向の平均組成が、ＭはＴｉ，Ｐ
ｄ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃｏ，Ｚ
ｎ，Ｌｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｚ
ｒ，Ｃｄ，Ｗ，Ｖの中から選ばれた少なくとも一つの金
属を表し、かつ、０≦ｙ≦２０，ｘ＋ｙ＝１００なる条
件を満たすｘとｙとは重量百分率組成を表すものとした
とき、Ａｌ_xＭ_yで表されるような材質とすることによっ
て電極膜の硬化強度を高めて耐電力性を充分向上させ、
また、このような材料で金属薄膜を形成させた圧電性基
板を、６００℃／分以下の昇温速度で所定温度まで上昇
させ、この温度に所定時間保持したのち、６００℃／分
以下の冷却速度で室温に戻して、金属薄膜の焼鈍処理を
行うことにより、電極用金属薄膜の比抵抗を大幅に低下
させて動作時の内部損失を低減できる製造方法を採用す
ることにした。上記焼鈍処理は、真空中またはＮ₂，Ａ
ｒ，Ｈ₂の少なくとも一つからなる不活性雰囲気中で行
い、昇温時の保持温度は、成膜時の圧電性基板温度以上
で、かつ、圧電性基板のキューリー温度未満であり、こ
の焼鈍処理により圧電性基板上に形成させた金属薄膜内
の応力が、室温で、５×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²以下（量産
品個々について測定はできないが、特別な試料について
品質管理試験を行って確かめれば良い）になっていなけ
ればならない。

【０００８】

【作用】圧電性基板上に電極用金属薄膜を形成させる方
法としては、一般にスパッタリング法や真空蒸着法が用
いられているが、できあがった膜の緻密性および合金膜
の組成安定性の点から主にスパッタリング法が用いられ
る。スパッタリング法により形成された電極膜は、多く
の結晶粒からなる多結晶薄膜になることが殆どであり、
多数の粒界および転位などの欠陥が存在し、自由エネル
ギー的に高い状態にある。従来の弾性表面波素子の製造
方法では、上記したように電極膜を形成した後、微細加
工技術により所望のパターニングを行い、その後、ダイ
シング，ボンディング，パッケージングを行って素子を
作成していた。この従来の製造方法では、電極膜に多数
の欠陥が存在しているために、比抵抗が高く、弾性表面
波素子として動作させたときに内部損失が大きいという
欠点があった。また、耐電力性を向上させるために、従
来からＡｌを主成分として、これにＣｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，
Ｍｇ，Ｐｄなどを添加して粒界拡散を防止してきたが、
添加量の増加に伴い比抵抗が大幅に増加し、動作時の素
子電極での内部損失が増加するため、添加元素の種類や
その添加量に種々の制限があった。

【０００９】本発明者は、硬化強度向上のためにＡｌに
他元素を添加するのに伴う比抵抗の大幅な増加を抑制
し、耐電力性の向上と素子の内部損失の低減を両立させ
るために、電極膜に焼鈍処理（アニール）を行うプロセ
スの導入の検討を行い、その有効性を確認した。アニー
ルプロセスは、ＬＳＩ分野では既に実施されているが、
弾性表面波素子では、使用する基板はＬＳＩ分野で使用
するＳｉ等とは異なり、ＬｉＴａＯ₃，ＬｉＮｂＯ₃，Ｌ
ｉ₂Ｂ₄Ｏ₇，水晶，ＺｎＯ等の圧電性および焦電性を有
する基板であるために、ＬＳＩ分野で使用するアニール
方法をそのまま導入することはできない。即ち、ＬｉＴ
ａＯ₃，ＬｉＮｂＯ₃，Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ₇，水晶，ＺｎＯ等の
圧電性および焦電性基板は、昇温速度や冷却速度が速い
場合には、サーマルショックにより亀裂が入るか又は破
損する。本発明者は、昇温速度および冷却速度とサーマ
ルショックによる基板の亀裂または破損の関係を検討し
て、毎分６００℃以下の昇温速度および冷却速度が必要
であることを知った。昇温速度および冷却速度は、毎分
６００℃以下が必要であるが、基板の熱的性能のばらつ
きを考慮すると毎分１００℃以下が好ましく、毎分５０
℃以下が更に好ましい。基板をある温度まで冷却して室
温に取り出すときは、その時の基板温度は１５０℃以下
であることが必要で、１００℃以下が好ましく、５０℃
以下が更に好ましい。基板温度が１５０℃より高いとき
に基板を室温に取り出した場合には、基板に亀裂が入る
か又は破損する場合がある。また、基板を取り出すとき
には、イオン化したガスを基板周辺に照射すると基板の
焦電性が消えるために静電気力が消え、基板ホルダーと
の接着または塵埃の付着を防止することができる。アニ
ール手段としては、電極膜の成膜後、成膜装置内でアニ
ールする方法、成膜装置以外の装置で、成膜後または微
細加工技術によるパターニング後にアニールする方法が
ある。どちらのアニール方法でも、アニール温度は電極
膜の成膜時の基板温度以上であって、圧電性基板のキュ
ーリー温度未満にする必要がある。成膜時基板温度未満
の時は、アニールしても比抵抗低減効果は無く、キュー
リー温度以上の時は、基板の相転移が生じ結晶構造が変
化して好ましくない。アニール雰囲気としては、電極膜
の酸化防止のために、真空中またはＮ₂，Ａｒ，Ｈ₂の少
なくとも一つからなる不活性ガス中が望ましい。

【００１０】弾性表面波素子は、圧電性基板表面を伝搬
するレーリー波，ＳＨ波などの弾性波を用いる。素子の
高出力化を図るに従い、弾性波に伴う電極膜内の応力が
増大するようになる。電極膜は、あるしきい値応力以上
の応力を受けると、転位の移動やすべり等が生じ、ボイ
ド，ヒロックの発生および隣接電極指との短絡などが発
生し、電極膜の破壊に到るようになる。素子の動作時に
電極膜に印加される応力は、電極膜の静的な内部応力と
弾性波から受ける動的な応力を加算したものである。高
出力化に伴い弾性波から受ける動的な応力は増大するた
めに、電極膜の静的な内部応力を極力小さくする必要が
ある。Ａｌ合金系の場合、その室温における静的な内部
応力は５×１０⁹ｄｙｎ／ｃｍ²以下であることが望まし
い。

【００１１】

【実施例】以下、本発明を図面を用いて更に詳細に説明
する。

【００１２】実施例１：図１は、３６゜回転Ｙ軸切断Ｌ
ｉＴａＯ₃基板にＡｌ膜を１００ｎｍ成膜した試料のア
ニール時の、昇温速度または冷却速度に対する試料の歩
留を示している。ここで、試料の歩留とは、１０枚の試
料中に亀裂または破損が発生しなかった試料枚数の割合
を表している。歩留８０％以上を得るためには、昇温速
度または冷却速度は６００℃／分以下にする必要があ
る。昇温速度または冷却速度を速くすることはスループ
ットを高めるのに有効ではあるが、歩留を高めるために
は昇温速度または冷却速度を更に遅くすることが望まし
い。本実施例では昇温速度または冷却速度は５０℃／分
以下とした。その結果、歩留を１００％にすることがで
きた。

【００１３】図２は、膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｔｉ合金
膜のアニール前後における比抵抗とＴｉ添加量の関係を
示す図である。アニールは、Ｎ₂ガス雰囲気中で４３０
℃で１時間行った。アニール前は、Ｔｉ添加量に対して
比抵抗が大幅な増加を示し、２０ｗｔ％では４０μΩｃ
ｍにも達する。一方、アニール後は大幅に比抵抗が低減
し、２０ｗｔ％添加では約５μΩｃｍになる。しかし、
Ｔｉ添加量が２０ｗｔ％より多くなると、アニールを行
った後でも比抵抗が増加し始めるために好ましくなく、
添加量は２０ｗｔ％以下に限定される。添加元素として
Ｔｉ以外のＰｄ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｈ
ｆ，Ｚｒ，Ｃｄ，Ｗ，Ｖにおいても、比抵抗の大小関係
は多少変化するが、２０ｗｔ％より多くなると比抵抗が
増加し始めるので、添加量は、それぞれ、２０ｗｔ％以
下に限定される。表１に各元素を２０ｗｔ％添加したと
きの、アニール前後での比抵抗を示す。アニールは、Ｎ
₂ガス雰囲気中、２００〜６５０℃における各元素添加
時の最適温度で１時間行った。この表からアニールによ
って比抵抗が大幅に低減していることが判る。

【００１４】

【表１】

【００１５】実施例２：図３（ａ）は本発明一実施例の
弾性表面波２開口共振器の平面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）中のＡ−Ａ′線断面図である。１は圧電性基板で
ＳＴカット水晶基板を用い、この基板面上に１組の送受
波電極２，２′が開口１０００μｍ、２８対で互いに弾
性表面波を送受するように設けられており、ボンディン
グパッド３，３′と接続されている。ボンディングパッ
ド３，３′は、直径２５μｍのＡｌ線またはＡｕ線より
なるボンディングワイヤで、カンパッケージシステム７
の入出力ピン４，４′と電気的に接続されている。ま
た、上記１組の送受波電極２，２′の両側には７５０本
の金属スプリットからなる反射器５，５′が設けられ、
２開口弾性表面波共振器を構成している。上記送受波電
極２，２′、反射器５，５′の電極の膜厚は０．１μｍ
で、共振周波数は６９７ＭＨｚ、Ｑ≒４０００となって
おり、電極材料は表２に示した各種のＡｌ系合金を用い
ており、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により該基
板１に形成された後、フォトリソグラフィ技術によりパ
ターン形成したものである。なお、該送受波電極２，
２′、反射器５，５′を形成した基板１は導電性接着剤
６によりＴＯ−５カンパッケージシステム７と接着され
ている。

【００１６】各電極膜材料で電極パターンを形成した弾
性表面波共振器を、アニールの有りと無しのそれぞれに
つき加速劣化試験を行った結果を表２に示す。試験結果
は、純Ａｌ膜の寿命に対する比として表している。純Ａ
ｌ膜は、従来の方法で形成したもので、ＤＣマグネトロ
ンスパッタリング法により形成し、アニールは行ってい
ない。加速劣化試験の条件は、周囲温度１２０℃。入力
電力５０〜１００ｍＷである。なお、この場合の寿命は
共振周波数が試験開始時点から、±５０ｋＨｚ変化した
時間をもって示した。

【００１７】

【表２】

【００１８】Ｔｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｇ
ｅ，Ｓｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｃｄ，Ｗ，Ｖの少なくとも１元
素をＡｌに添加することにより寿命は向上し、アニール
を行うことにより更に寿命は向上する。アニールは、Ｎ
₂ガス雰囲気中２００〜６５０℃における各電極材料に
対する最適温度で１時間行った。本実施例では、同一電
極材料といえども、アニールプロセスの導入により寿命
は格段に向上することが明らかになった。

【００１９】実施例３：図４（ａ）は本実施例弾性表面
波素子の平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＡ−Ａ′
線断面図である。圧電性基板１はＳＨモードの擬似表面
波を伝搬する３６゜回転Ｙ軸切断、Ｘ軸伝搬のＬｉＴａ
Ｏ₃である。電極構成は、入力電極８、出力電極９が交
互に配置されており、入出力電極の個数は、入力電極８
が２個、出力電極９が３個で、多電極型構造となってい
る。入力電極８及び出力電極９は、それぞれ、くし形電
極指１０から構成され、図４（ｂ）の断面図に示すよう
に、くし形電極指１０の電極幅とくし形電極指の無い部
分（スペース部）の幅は等しくなっている。また、入出
力電極８，９の間には接地用電極パターン１１が形成さ
れている。更に、圧電性基板１の表面は、入出力電極
８，９及び接地用電極パターン１１と電気的に絶縁され
た浮き電極パターン１２で覆った構造となっている。

【００２０】なお、この多電極型弾性表面波素子の中心
周波数は８８０ＭＨｚで、入出力電極８，９のくし形電
極指の電極幅、スペース幅は共に１．２μｍ、接地用電
極パターン１１の幅は５μｍである。電極材料は表３に
示す材料であって、電極膜厚は１００ｎｍとし、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング法により成膜し、フォトリソ
グラフィ技術によりパターニングを行った。

【００２１】表３の各電極材料で電極パターンを形成し
た多電極型弾性表面波素子を、アニールの有りと無しの
それぞれにつき加速劣化試験を行った結果を表３に示
す。アニールは、Ｎ₂ガス雰囲気中２００〜６５０℃の
範囲内の各電極材料に最適な温度で１時間行った、加速
劣化試験の条件は実施例２と同様である。

【００２２】

【表３】

【００２３】寿命倍率は実施例２の場合と多少異なる
が、Ｔｉ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｓ
ｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｌｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃ
ｒ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｃｄ，Ｗ，Ｖの少なくとも１元素をＡ
ｌに添加することにより寿命は向上し、アニールを行う
ことにより更に寿命は向上する。同一電極材料といえど
も、アニールプロセスの導入により寿命が格段に向上す
ることが明らかになった。

【００２４】実施例４：寿命は、電極膜の持つ静的な内
部応力により大きな影響を受ける。

【００２５】図５は、３６゜回転Ｙ軸切断ＬｉＴａＯ₃
基板とアニールしたＡｌ−１．０ｗｔ％Ｔｉ電極材料か
ら成る多電極型弾性表面波素子における、寿命と電極膜
の応力の関係を示す図である。電極膜の膜厚は１００ｎ
ｍである。アニールは、Ｎ₂ガス雰囲気中４３０℃で１
時間行った。応力は、電極膜形成時のスパッタリング条
件を変化することにより変化させた。多電極型弾性表面
波素子は、実施例３に示したものと同一であり、応力は
室温における値である。加速劣化試験条件は、周囲温度
１２０℃、素子の出力電力１Ｗであり、寿命は共振周波
数が試験開始時点から、±５０ｋＨｚ変化した時間とし
た。

【００２６】電極膜の応力が小さいほど長寿命化してい
る。本加速劣化試験条件で１０時間以上の寿命を保持す
ることが実用上必要となる。従って、応力を５×１０⁹
ｄｙｎ／ｃｍ²以下にすることが必要となる。

【００２７】以上、本実施例では、単層膜からなる電極
のアニールについて示したが、２層以上からなる多層膜
においてアニールを行っても有効である。また、電極膜
の膜厚は本実施例では１００ｎｍとしたが、さらに厚く
ても薄くても差し支えない。従来、薄い場合には、臨界
剪断応力がペッチの関係により増大するが、比抵抗が増
大するため好ましくなかったが、アニールを行うことに
より比抵抗を低減できるために薄くても使用可能になっ
た。また、本実施例では、アニールプロセスは電極のパ
ターン形成後に行ったが、必ずしもそのようにする必要
はなく、電極膜形成後にアニールを行い、その後パター
ン形成しても良い。

【００２８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
極膜の材料の選択の範囲を大きく拡大することが出来る
と共に大幅に耐電力性の向上を図ることができ、また、
電極膜の比抵抗を低減できるので弾性表面波素子の内部
損失を低減することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】３６゜回転Ｙ軸切断ＬｉＴａＯ₃基板にＡｌ膜
を１００ｎｍ成膜した試料のアニール時の、昇温速度ま
たは冷却速度に対する試料の歩留を示す図である。

【図２】膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｔｉ合金膜のアニール
前後における比抵抗とＴｉ添加量の関係を示す図であ
る。

【図３】図３（ａ）は本発明一実施例の弾性表面波２開
口共振器の平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＡ−
Ａ′線断面図である。

【図４】図４（ａ）は実施例３の弾性表面波素子の平面
図、図４（ｂ）は図４（ａ）中のＡ−Ａ′線断面図であ
る。

【図５】３６゜回転Ｙ軸切断ＬｉＴａＯ₃基板とアニー
ルしたＡｌ−１．０ｗｔ％Ｔｉ電極材料から成る多電極
型弾性表面波素子における、寿命と電極膜の応力の関係
を示す図である。

【符号の説明】

１…圧電性基板、２，２′…送受波電極、３，３′…ボ
ンディングパッド、４，４′…入出力ピン、５，５′…
反射器、６…導電性接着剤、７…カンパッケージシステ
ム、８…入力電極、９…出力電極、１０…くし形電極
指、１１…接地用電極パターン、１２…浮き電極パター
ン。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者渡辺一志神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所映像メディア研究所内 (72)発明者大貫秀男神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所映像メディア研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電性基板上に金属薄膜よりなる電極を形
成させた弾性表面波素子において、ＭはＴｉ，Ｐｄ，Ｃ
ｕ，Ｎｂ，Ｎｉ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｌ
ｉ，Ｔａ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｃ
ｄ，Ｗ，Ｖの中から選ばれた少なくとも一つの金属を表
し、かつ、０≦ｙ≦２０，ｘ＋ｙ＝１００なる条件を満
たすｘとｙとは重量百分率組成を表すものとしたとき、
前記電極をなす金属薄膜の膜厚方向の平均組成がＡｌ_x
Ｍ_yで表されることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】圧電性基板上に金属薄膜よりなる電極を形
成させた弾性表面波素子の製造方法において、金属薄膜
を形成させた圧電性基板を、６００℃／分以下の昇温速
度で所定温度まで上昇させ、この温度に所定時間保持し
たのち、６００℃／分以下の冷却速度で室温に戻して、
金属薄膜の焼鈍処理を行うことを特徴とする弾性表面波
素子の製造方法。
【請求項３】上記焼鈍処理を、真空中またはＮ₂，Ａ
ｒ，Ｈ₂の少なくとも一つからなる不活性雰囲気中で行
い、上記保持温度は、成膜時の基板温度以上で、かつ、
圧電性基板のキューリー温度未満であることを特徴とす
る請求項２記載の弾性表面波素子の製造方法。
【請求項４】圧電性基板上に形成させた金属薄膜内の応
力が、焼鈍処理したのち、室温で、５×１０⁹ｄｙｎ／
ｃｍ²以下であることを特徴とする請求項２記載の弾性
表面波素子の製造方法。