JPH0520638A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH0520638A JPH0520638A JP7770891A JP7770891A JPH0520638A JP H0520638 A JPH0520638 A JP H0520638A JP 7770891 A JP7770891 A JP 7770891A JP 7770891 A JP7770891 A JP 7770891A JP H0520638 A JPH0520638 A JP H0520638A
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Abstract
(57)【要約】
下部磁性膜１３及び上部磁性膜１７の材料として、Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、ＴａあるいはＲｅを表わす）の
アモルファス膜を用い、下部磁性膜１３の下面と上部磁
性膜１７の上面との両方の位置に熱膨張係数が上部磁性
膜１７及び下部磁性膜１３の材料よりも大きく、かつそ
の長軸方向が励磁方向と同じ方向である短冊形状の非磁
性膜１２を形成する。このことによって、上部磁性膜１
７及び下部磁性膜１３の磁区構造の安定化を図ることが
できると共に、安定な磁区構造を維持しつつ飽和磁束密
度を高めることができ、高保持力媒体への書き込み特性
に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、ＴａあるいはＲｅを表わす）の
アモルファス膜を用い、下部磁性膜１３の下面と上部磁
性膜１７の上面との両方の位置に熱膨張係数が上部磁性
膜１７及び下部磁性膜１３の材料よりも大きく、かつそ
の長軸方向が励磁方向と同じ方向である短冊形状の非磁
性膜１２を形成する。このことによって、上部磁性膜１
７及び下部磁性膜１３の磁区構造の安定化を図ることが
できると共に、安定な磁区構造を維持しつつ飽和磁束密
度を高めることができ、高保持力媒体への書き込み特性
に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜磁気ヘッドに関し、
より詳しくは磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に用
いられる記録再生用の薄膜磁気ヘッドに関する。
より詳しくは磁気ディスク装置、磁気テープ装置等に用
いられる記録再生用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁
性膜及び下部磁性膜にはこれらを取り囲む絶縁膜等が作
り出す応力が作用している。この応力は引っ張り応力又
は圧縮応力であるが、上部磁性膜及び下部磁性膜にどち
らの応力がどのくらいの大きさで作用しているかは分か
らない。そのためこれら磁性膜の磁歪が大きい場合に
は、この不規則な応力によって応力と磁歪との積に比例
する応力誘起磁気異方性が不規則に変化し、薄膜磁気ヘ
ッドの書き込み特性が劣化する。この問題を解決するに
は、上部磁性膜及び下部磁性膜の磁歪が０であることが
理想的である。しかしながら実際には、例えばスパッタ
リング法で作製されるＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｒｅ）のアモルファス膜の場合、磁歪を−２×１０
-7から２×１０-7の間の小さな値に制御して磁気異方性
の変化を極力小さく抑えていた。
性膜及び下部磁性膜にはこれらを取り囲む絶縁膜等が作
り出す応力が作用している。この応力は引っ張り応力又
は圧縮応力であるが、上部磁性膜及び下部磁性膜にどち
らの応力がどのくらいの大きさで作用しているかは分か
らない。そのためこれら磁性膜の磁歪が大きい場合に
は、この不規則な応力によって応力と磁歪との積に比例
する応力誘起磁気異方性が不規則に変化し、薄膜磁気ヘ
ッドの書き込み特性が劣化する。この問題を解決するに
は、上部磁性膜及び下部磁性膜の磁歪が０であることが
理想的である。しかしながら実際には、例えばスパッタ
リング法で作製されるＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｒｅ）のアモルファス膜の場合、磁歪を−２×１０
-7から２×１０-7の間の小さな値に制御して磁気異方性
の変化を極力小さく抑えていた。
【０００３】一般に、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｒｅ）のアモルファス膜のＣｏ組成が８０atom％以
上のとき、磁歪はＣｏ組成に依存せず、ＺｒとＭとの組
成比（Ｚｒ組成／Ｍ組成）のみに依存する。例えばＺｒ
組成／Ｍ組成を大きくすると磁歪はプラスの値になり、
Ｚｒ組成／Ｍ組成を小さくすると磁歪はマイナスの値と
なる。従って具体的な磁歪の制御は、Ｚｒ組成／Ｍ組成
を変化させることによって行なっている。
ａ、Ｒｅ）のアモルファス膜のＣｏ組成が８０atom％以
上のとき、磁歪はＣｏ組成に依存せず、ＺｒとＭとの組
成比（Ｚｒ組成／Ｍ組成）のみに依存する。例えばＺｒ
組成／Ｍ組成を大きくすると磁歪はプラスの値になり、
Ｚｒ組成／Ｍ組成を小さくすると磁歪はマイナスの値と
なる。従って具体的な磁歪の制御は、Ｚｒ組成／Ｍ組成
を変化させることによって行なっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ヘッドの書き
込み能力に影響する飽和磁束密度は、Ｃｏ組成が多いほ
ど高くなる。ところがＣｏ組成が多くなると結晶化が起
こり磁気特性が劣化することから、通常はアモルファス
構造を保つ範囲内でＣｏ組成の最も多い組成、つまり飽
和磁束密度が最も高くなる組成のＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝
Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ）を上部磁性膜及び下部磁性膜として
使用している。ここで、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｒｅ）の結晶化とアモルファス化との境界は３元素
の組成比に依存するため、アモルファス領域における飽
和磁束密度の最大値は、Ｚｒ組成／Ｍ組成が大きくなれ
ば大きくなり、Ｚｒ組成／Ｍ組成が小さくなれば小さく
なる傾向を示す。このことを磁歪と関係付けると、Ｚｒ
組成／Ｍ組成が大きくなれば飽和磁束密度の最大値が高
くなり、かつ磁歪がプラス方向に変化し、Ｚｒ組成／Ｍ
組成が小さくなれば飽和磁束密度の最大値が低くなり、
かつ磁歪がマイナス方向に変化する関係となる。従って
飽和磁束密度を高くすることだけを考えれば、上部磁性
膜及び下部磁性膜としてＣｏ−Ｚｒの２元素からなるア
モルファス膜が良いということになる。しかしながら従
来は磁歪を０付近に制御する必要から、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ
（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ）の３元素からなるアモルファ
ス膜を上部磁性膜及び下部磁性膜として用い、飽和磁束
密度を犠牲にしていた。このため、上記したような上部
磁性膜及び下部磁性膜を用いた従来の薄膜磁気ヘッドに
おいては、高保持力媒体への書き込み特性が十分に得ら
れないという課題を有していた。
込み能力に影響する飽和磁束密度は、Ｃｏ組成が多いほ
ど高くなる。ところがＣｏ組成が多くなると結晶化が起
こり磁気特性が劣化することから、通常はアモルファス
構造を保つ範囲内でＣｏ組成の最も多い組成、つまり飽
和磁束密度が最も高くなる組成のＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝
Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ）を上部磁性膜及び下部磁性膜として
使用している。ここで、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｒｅ）の結晶化とアモルファス化との境界は３元素
の組成比に依存するため、アモルファス領域における飽
和磁束密度の最大値は、Ｚｒ組成／Ｍ組成が大きくなれ
ば大きくなり、Ｚｒ組成／Ｍ組成が小さくなれば小さく
なる傾向を示す。このことを磁歪と関係付けると、Ｚｒ
組成／Ｍ組成が大きくなれば飽和磁束密度の最大値が高
くなり、かつ磁歪がプラス方向に変化し、Ｚｒ組成／Ｍ
組成が小さくなれば飽和磁束密度の最大値が低くなり、
かつ磁歪がマイナス方向に変化する関係となる。従って
飽和磁束密度を高くすることだけを考えれば、上部磁性
膜及び下部磁性膜としてＣｏ−Ｚｒの２元素からなるア
モルファス膜が良いということになる。しかしながら従
来は磁歪を０付近に制御する必要から、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ
（Ｍ＝Ｎｂ、Ｔａ、Ｒｅ）の３元素からなるアモルファ
ス膜を上部磁性膜及び下部磁性膜として用い、飽和磁束
密度を犠牲にしていた。このため、上記したような上部
磁性膜及び下部磁性膜を用いた従来の薄膜磁気ヘッドに
おいては、高保持力媒体への書き込み特性が十分に得ら
れないという課題を有していた。
【０００５】本発明は上記した課題に鑑みなされたもの
であり、高い飽和磁束密度を有し、書き込み特性に優れ
た薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
であり、高い飽和磁束密度を有し、書き込み特性に優れ
た薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上部磁性膜及び
下部磁性膜にＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、Ｔａあるいは
Ｒｅを表わす）のアモルファス膜を用いた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記下部磁性膜の下面と前記上部磁性膜の
上面との両方の位置に、熱膨張係数が前記上部磁性膜及
び下部磁性膜材料よりも大きく、かつその長軸方向が励
磁方向と同じ方向である短冊形状の非磁性膜が形成され
ていることを特徴としている。
ために本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、上部磁性膜及び
下部磁性膜にＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、Ｔａあるいは
Ｒｅを表わす）のアモルファス膜を用いた薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、前記下部磁性膜の下面と前記上部磁性膜の
上面との両方の位置に、熱膨張係数が前記上部磁性膜及
び下部磁性膜材料よりも大きく、かつその長軸方向が励
磁方向と同じ方向である短冊形状の非磁性膜が形成され
ていることを特徴としている。
【０００７】
【作用】下部磁性膜の下面と上部磁性膜の上面との両方
の位置に、熱膨張係数が前記上部磁性膜及び前記下部磁
性膜材料と異なる非磁性膜が蒸着されると温度上昇が起
こり、それが室温にまで冷却されると、非磁性膜による
圧縮応力又は引っ張り応力が前記上部磁性膜及び前記下
部磁性膜に作用する。特に非磁性膜の熱膨張係数が前記
上部磁性膜及び前記下部磁性膜材料より大きい場合、こ
れら磁性膜に圧縮応力を与える。この応力は等方的であ
るが、図２および図３にそれぞれ示したように非磁性膜
１２を長軸が励磁方向に平行になるように短冊状又は短
冊に近い細長い形に加工すると、応力は異方的になる。
つまり非磁性膜１２短冊幅方向の応力は開放され、また
短冊長方向の応力が残ることとなり、上部磁性膜１７及
び下部磁性膜１３には励磁方向のみに圧縮応力が作用す
る。
の位置に、熱膨張係数が前記上部磁性膜及び前記下部磁
性膜材料と異なる非磁性膜が蒸着されると温度上昇が起
こり、それが室温にまで冷却されると、非磁性膜による
圧縮応力又は引っ張り応力が前記上部磁性膜及び前記下
部磁性膜に作用する。特に非磁性膜の熱膨張係数が前記
上部磁性膜及び前記下部磁性膜材料より大きい場合、こ
れら磁性膜に圧縮応力を与える。この応力は等方的であ
るが、図２および図３にそれぞれ示したように非磁性膜
１２を長軸が励磁方向に平行になるように短冊状又は短
冊に近い細長い形に加工すると、応力は異方的になる。
つまり非磁性膜１２短冊幅方向の応力は開放され、また
短冊長方向の応力が残ることとなり、上部磁性膜１７及
び下部磁性膜１３には励磁方向のみに圧縮応力が作用す
る。
【０００８】さらに前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜
の磁歪がプラスの値であるときに励磁方向に圧縮応力が
作用すると、応力と磁歪との積に比例する応力誘起磁気
異方性が発生する。このとき全体の磁気異方性は、応力
誘起磁気異方性と前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜に
固有の磁気異方性との和となる。従って安定な磁区構造
形成に最適な磁気異方性は、上記磁性膜に固有の磁気異
方性の大きさを熱処理等で調節することによって得るこ
とが可能となる。
の磁歪がプラスの値であるときに励磁方向に圧縮応力が
作用すると、応力と磁歪との積に比例する応力誘起磁気
異方性が発生する。このとき全体の磁気異方性は、応力
誘起磁気異方性と前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜に
固有の磁気異方性との和となる。従って安定な磁区構造
形成に最適な磁気異方性は、上記磁性膜に固有の磁気異
方性の大きさを熱処理等で調節することによって得るこ
とが可能となる。
【０００９】また非磁性膜を下部磁性膜の下面と上部磁
性膜の上面との両方の位置に形成すると、これら各磁性
膜に圧縮応力が等しく作用し、同時に磁気特性も等しく
なる。そしてさらに下部磁性膜の下面と上部磁性膜の上
面との両方の位置に形成する膜を非磁性とすることによ
り、前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜からの磁束漏れ
が抑制される。
性膜の上面との両方の位置に形成すると、これら各磁性
膜に圧縮応力が等しく作用し、同時に磁気特性も等しく
なる。そしてさらに下部磁性膜の下面と上部磁性膜の上
面との両方の位置に形成する膜を非磁性とすることによ
り、前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜からの磁束漏れ
が抑制される。
【００１０】上記記載の薄膜磁気ヘッドによれば、前記
下部磁性膜の下面と前記上部磁性膜の上面との両方の位
置に、熱膨張係数が前記上部磁性膜及び下部磁性膜材料
よりも大きく、かつその長軸方向が励磁方向と同じ方向
である短冊形状の非磁性膜が形成されているので、上記
した如く励磁方向にのみ圧縮応力が作用し、前記上部磁
性膜及び下部磁性膜に、これら磁性膜固有の磁気異方性
に加えて応力誘起磁気異方性が付与され、前記上部磁性
膜及び前記下部磁性膜の磁区構造が安定化される。しか
も前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜として、磁歪がプ
ラスの値であるＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、Ｔａあるい
はＲｅを表わす）のアモルファス膜を用いていることか
ら、安定な磁区構造を維持しつつ飽和磁束密度を高くす
ることが可能となる。従って、高保持力媒体への書き込
み特性に優れた薄膜磁気ヘッドが得られることとなる。
下部磁性膜の下面と前記上部磁性膜の上面との両方の位
置に、熱膨張係数が前記上部磁性膜及び下部磁性膜材料
よりも大きく、かつその長軸方向が励磁方向と同じ方向
である短冊形状の非磁性膜が形成されているので、上記
した如く励磁方向にのみ圧縮応力が作用し、前記上部磁
性膜及び下部磁性膜に、これら磁性膜固有の磁気異方性
に加えて応力誘起磁気異方性が付与され、前記上部磁性
膜及び前記下部磁性膜の磁区構造が安定化される。しか
も前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜として、磁歪がプ
ラスの値であるＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、Ｔａあるい
はＲｅを表わす）のアモルファス膜を用いていることか
ら、安定な磁区構造を維持しつつ飽和磁束密度を高くす
ることが可能となる。従って、高保持力媒体への書き込
み特性に優れた薄膜磁気ヘッドが得られることとなる。
【００１１】なお応力は、磁区構造の安定に最も影響を
与える上部磁性膜及び下部磁性膜の先端部に作用させる
ことが重要であるため、図４に示したように上部磁性膜
１７及び下部磁性膜１３の先端部１７ａ、１３ａを完全
に覆うように非磁性膜１２を形成することが望ましい。
また図５に示したように、上部磁性膜１７及び下部磁性
膜１３の先端部１７ａ、１３ａからヨーク部１７ｂ、１
３ｂの端まで非磁性膜１２を形成すれば、先端部１７
ａ、１３ａのみならずヨーク部１７ｂ、１３ｂの磁区構
造の安定化が図れる。さらにヨーク部１７ｂ、１３ｂは
先端部１７ａ、１３ａと比較して面積が大きいので、図
６に示したようにヨーク部１７ｂ、１３ｂ全体に短冊形
状を有する非磁性膜１２を複数本形成すれば、ヨーク部
１７ｂ、１３ｂ全体に応力が作用することとなり、磁区
構造のより一層の安定化が図れる。またこの場合、図７
に示したように上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の左
右で長さと幅との比が揃うように非磁性膜１２を形成す
れば、磁区構造のさらに一層の安定化が図れる。
与える上部磁性膜及び下部磁性膜の先端部に作用させる
ことが重要であるため、図４に示したように上部磁性膜
１７及び下部磁性膜１３の先端部１７ａ、１３ａを完全
に覆うように非磁性膜１２を形成することが望ましい。
また図５に示したように、上部磁性膜１７及び下部磁性
膜１３の先端部１７ａ、１３ａからヨーク部１７ｂ、１
３ｂの端まで非磁性膜１２を形成すれば、先端部１７
ａ、１３ａのみならずヨーク部１７ｂ、１３ｂの磁区構
造の安定化が図れる。さらにヨーク部１７ｂ、１３ｂは
先端部１７ａ、１３ａと比較して面積が大きいので、図
６に示したようにヨーク部１７ｂ、１３ｂ全体に短冊形
状を有する非磁性膜１２を複数本形成すれば、ヨーク部
１７ｂ、１３ｂ全体に応力が作用することとなり、磁区
構造のより一層の安定化が図れる。またこの場合、図７
に示したように上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の左
右で長さと幅との比が揃うように非磁性膜１２を形成す
れば、磁区構造のさらに一層の安定化が図れる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施例
を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの一実施例を示した模式的断面図であり、図４
に示した如く下部磁性膜１３と上部磁性膜１７との先端
部１３ａ、１７ａを完全に覆うように非磁性膜１２が形
成された場合を示している。すなわち基板１１上には、
後に形成される下部磁性膜１３の先端部１３ａに対応す
る箇所に厚さ３μｍの非磁性膜１２が形成されており、
非磁性膜１２は長軸方向が励磁方向と同じである短冊形
状を有している。この非磁性膜１２は９×１０-6／℃の
熱膨張係数を有するガラスで構成されており、さらに非
磁性膜１２上には、図４に示した如く先端部１３ａ部と
ヨーク部１３ｂとを備えた厚さ３μｍの下部磁性膜１３
が形成されている。下部磁性膜１３はＣｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−ＴａあるいはＣｏ−Ｚｒ−Ｒｅからな
り、かつ約１×１０-6の磁歪を持つ組成のアモルファス
膜で構成されており、下部磁性膜１３上にはギャップ１
４が形成されている。ギャップ１４上の所定箇所には、
コイル１６を被覆するコイル絶縁膜１５が形成されてお
り、コイル絶縁膜１５を含むギャップ１４上には、下部
磁性膜１３と同様に構成された上部磁性膜１７が形成さ
れている。この上部磁性膜１７のヨーク部１７ｂ後端部
と下部磁性膜１３のヨーク部１３ｂ後端部とは接合され
ており、これによって下部磁性膜１３及び上部磁性膜１
７は一体化されている。またさらに上部磁性膜１７上に
は、上部磁性膜１７の先端部１３ａに対応する箇所に、
上記と同様に構成された短冊形状を有する非磁性膜１２
が形成されており、この非磁性膜１２を含む上部磁性膜
１７上には保護膜１８が形成されている。
を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係る薄膜磁
気ヘッドの一実施例を示した模式的断面図であり、図４
に示した如く下部磁性膜１３と上部磁性膜１７との先端
部１３ａ、１７ａを完全に覆うように非磁性膜１２が形
成された場合を示している。すなわち基板１１上には、
後に形成される下部磁性膜１３の先端部１３ａに対応す
る箇所に厚さ３μｍの非磁性膜１２が形成されており、
非磁性膜１２は長軸方向が励磁方向と同じである短冊形
状を有している。この非磁性膜１２は９×１０-6／℃の
熱膨張係数を有するガラスで構成されており、さらに非
磁性膜１２上には、図４に示した如く先端部１３ａ部と
ヨーク部１３ｂとを備えた厚さ３μｍの下部磁性膜１３
が形成されている。下部磁性膜１３はＣｏ−Ｚｒ−Ｎ
ｂ、Ｃｏ−Ｚｒ−ＴａあるいはＣｏ−Ｚｒ−Ｒｅからな
り、かつ約１×１０-6の磁歪を持つ組成のアモルファス
膜で構成されており、下部磁性膜１３上にはギャップ１
４が形成されている。ギャップ１４上の所定箇所には、
コイル１６を被覆するコイル絶縁膜１５が形成されてお
り、コイル絶縁膜１５を含むギャップ１４上には、下部
磁性膜１３と同様に構成された上部磁性膜１７が形成さ
れている。この上部磁性膜１７のヨーク部１７ｂ後端部
と下部磁性膜１３のヨーク部１３ｂ後端部とは接合され
ており、これによって下部磁性膜１３及び上部磁性膜１
７は一体化されている。またさらに上部磁性膜１７上に
は、上部磁性膜１７の先端部１３ａに対応する箇所に、
上記と同様に構成された短冊形状を有する非磁性膜１２
が形成されており、この非磁性膜１２を含む上部磁性膜
１７上には保護膜１８が形成されている。
【００１３】なお、上部磁性膜１７、下部磁性膜１３及
び非磁性膜１２は例えばＲＦスパッタリング装置を用い
て積層形成され、さらにイオンミリング装置等によって
図２〜図４に示した各形状に加工される。
び非磁性膜１２は例えばＲＦスパッタリング装置を用い
て積層形成され、さらにイオンミリング装置等によって
図２〜図４に示した各形状に加工される。
【００１４】このように形成された薄膜磁気ヘッドにお
いて、飽和磁束密度は約１４ｋＧであり、非磁性膜１２
の形成による応力の大きさは測定できていないが、応力
誘起磁気異方性磁場の大きさは、非磁性膜１２が形成さ
れている場合と形成されていない場合との差から求めて
約０．５Ｏｅであった。また上部磁性膜１７、下部磁性
膜１３に固有の磁気異方性磁場の大きさは約２．０Ｏｅ
なので、上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の磁気異方
性磁場は、全体で２．５Ｏｅの大きさとなった。この結
果、上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の磁区構造が安
定化し、従来のものより安定した書き込み特性が得られ
た。またこれと同時に飽和磁束密度も高くなったので、
特に優れた書き込み特性が得られた。
いて、飽和磁束密度は約１４ｋＧであり、非磁性膜１２
の形成による応力の大きさは測定できていないが、応力
誘起磁気異方性磁場の大きさは、非磁性膜１２が形成さ
れている場合と形成されていない場合との差から求めて
約０．５Ｏｅであった。また上部磁性膜１７、下部磁性
膜１３に固有の磁気異方性磁場の大きさは約２．０Ｏｅ
なので、上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の磁気異方
性磁場は、全体で２．５Ｏｅの大きさとなった。この結
果、上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の磁区構造が安
定化し、従来のものより安定した書き込み特性が得られ
た。またこれと同時に飽和磁束密度も高くなったので、
特に優れた書き込み特性が得られた。
【００１５】図５は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の
実施例を模式的に示した平面図であり、上部磁性膜１７
及び下部磁性膜１３の先端部１７ａ、１３ａからヨーク
部１７ｂ、１３ｂの端まで非磁性膜１２を形成した場合
を示している。このように非磁性膜１２を形成すると、
先端部１７ａ、１３ａのみならずヨーク部１７ｂ、１３
ｂの磁区構造の安定化を図ることができ、上記実施例よ
り書き込み特性が安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。
実施例を模式的に示した平面図であり、上部磁性膜１７
及び下部磁性膜１３の先端部１７ａ、１３ａからヨーク
部１７ｂ、１３ｂの端まで非磁性膜１２を形成した場合
を示している。このように非磁性膜１２を形成すると、
先端部１７ａ、１３ａのみならずヨーク部１７ｂ、１３
ｂの磁区構造の安定化を図ることができ、上記実施例よ
り書き込み特性が安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。
【００１６】また図６は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
さらに別の実施例を模式的に示した平面図であり、ヨー
ク部１７ｂ、１３ｂ全体に短冊形状を有する非磁性膜１
２を複数本形成した場合を示している。この場合におい
てはヨーク部１７ｂ、１３ｂ全体に応力を作用させるこ
とができるので、図４あるいは図５に示した場合のもの
よりもより一層磁区構造を安定化させることができ、さ
らに書き込み特性が安定した薄膜磁気ヘッドが得られ
た。
さらに別の実施例を模式的に示した平面図であり、ヨー
ク部１７ｂ、１３ｂ全体に短冊形状を有する非磁性膜１
２を複数本形成した場合を示している。この場合におい
てはヨーク部１７ｂ、１３ｂ全体に応力を作用させるこ
とができるので、図４あるいは図５に示した場合のもの
よりもより一層磁区構造を安定化させることができ、さ
らに書き込み特性が安定した薄膜磁気ヘッドが得られ
た。
【００１７】さらに図７は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
のさらに別の実施例を模式的に示した平面図であり、図
８は図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
短冊形状を有する非磁性膜１２を複数本形成する場合、
図７及び図８に示したように上部磁性膜１７及び下部磁
性膜１３の左右で非磁性膜１２の長さと幅との比が揃う
ように非磁性膜１２を形成すると、図６の場合よりも磁
区構造の安定化を図ることができ、書き込み特性が一層
安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。
のさらに別の実施例を模式的に示した平面図であり、図
８は図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
短冊形状を有する非磁性膜１２を複数本形成する場合、
図７及び図８に示したように上部磁性膜１７及び下部磁
性膜１３の左右で非磁性膜１２の長さと幅との比が揃う
ように非磁性膜１２を形成すると、図６の場合よりも磁
区構造の安定化を図ることができ、書き込み特性が一層
安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。
【００１８】以上説明したように、下部磁性膜１３及び
上部磁性膜１７の材料として、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮ
ｂ、ＴａあるいはＲｅを表わす）のアモルファス膜を用
い、下部磁性膜１３の下面と上部磁性膜１７の上面との
両方の位置に熱膨張係数が上部磁性膜１７及び下部磁性
膜１３の材料よりも大きく、かつその長軸方向が励磁方
向と同じ方向である短冊形状の非磁性膜１２を形成すれ
ば、上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の磁区構造の安
定化を図ることができると共に、安定な磁区構造を維持
しつつ飽和磁束密度を高めることができる。従って高保
持力媒体への書き込み特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製
造することができることとなる。
上部磁性膜１７の材料として、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮ
ｂ、ＴａあるいはＲｅを表わす）のアモルファス膜を用
い、下部磁性膜１３の下面と上部磁性膜１７の上面との
両方の位置に熱膨張係数が上部磁性膜１７及び下部磁性
膜１３の材料よりも大きく、かつその長軸方向が励磁方
向と同じ方向である短冊形状の非磁性膜１２を形成すれ
ば、上部磁性膜１７及び下部磁性膜１３の磁区構造の安
定化を図ることができると共に、安定な磁区構造を維持
しつつ飽和磁束密度を高めることができる。従って高保
持力媒体への書き込み特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製
造することができることとなる。
【００１９】なお、上記実施例においては非磁性膜１２
の形状を短冊状としたが、図３に示したように短冊に近
い細長い形状とすることもでき、短冊形状の場合と同様
の効果を得ることができる。
の形状を短冊状としたが、図３に示したように短冊に近
い細長い形状とすることもでき、短冊形状の場合と同様
の効果を得ることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明に係る薄膜磁気ヘッドにあっては、上部磁性膜及び下
部磁性膜にＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、ＴａあるいはＲ
ｅを表わす）のアモルファス膜を用いた薄膜磁気ヘッド
において、前記下部磁性膜の下面と前記上部磁性膜の上
面との両方の位置に熱膨張係数が前記上部磁性膜及び前
記下部磁性膜の材料よりも大きく、かつその長軸方向が
励磁方向と同じ方向である短冊形状の非磁性膜が形成さ
れているので、前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜の磁
区構造の安定化を図ることができると共に、安定な磁区
構造を維持しつつ飽和磁束密度を高めることができる。
従って高保持力媒体への書き込み特性に優れた薄膜磁気
ヘッドを製造することができる。
明に係る薄膜磁気ヘッドにあっては、上部磁性膜及び下
部磁性膜にＣｏ−Ｚｒ−Ｍ（ＭはＮｂ、ＴａあるいはＲ
ｅを表わす）のアモルファス膜を用いた薄膜磁気ヘッド
において、前記下部磁性膜の下面と前記上部磁性膜の上
面との両方の位置に熱膨張係数が前記上部磁性膜及び前
記下部磁性膜の材料よりも大きく、かつその長軸方向が
励磁方向と同じ方向である短冊形状の非磁性膜が形成さ
れているので、前記上部磁性膜及び前記下部磁性膜の磁
区構造の安定化を図ることができると共に、安定な磁区
構造を維持しつつ飽和磁束密度を高めることができる。
従って高保持力媒体への書き込み特性に優れた薄膜磁気
ヘッドを製造することができる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を模
式的に示した平面図であり、短冊形状の非磁性膜を形成
した場合を示したものである。
式的に示した平面図であり、短冊形状の非磁性膜を形成
した場合を示したものである。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのさらに別の実施
例を模式的に示した平面図であり、短冊に近い細長い形
状の非磁性膜を形成した場合を示したものである。
例を模式的に示した平面図であり、短冊に近い細長い形
状の非磁性膜を形成した場合を示したものである。
【図４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのさらに別の実施
例を模式的に示した平面図であり、上部磁性膜及び下部
磁性膜の先端部を被覆するように非磁性膜を形成した場
合を示したものである。
例を模式的に示した平面図であり、上部磁性膜及び下部
磁性膜の先端部を被覆するように非磁性膜を形成した場
合を示したものである。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのさらに別の実施
例を模式的に示した平面図であり、上部磁性膜及び下部
磁性膜の先端部からヨーク部の端まで非磁性膜を形成し
た場合を示したものである。
例を模式的に示した平面図であり、上部磁性膜及び下部
磁性膜の先端部からヨーク部の端まで非磁性膜を形成し
た場合を示したものである。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのさらに別の実施
例を模式的に示した平面図であり、ヨーク部全体に短冊
形状を有する非磁性膜を複数本形成した場合を示したも
のである。
例を模式的に示した平面図であり、ヨーク部全体に短冊
形状を有する非磁性膜を複数本形成した場合を示したも
のである。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドのさらに別の実施
例を模式的に示した平面図であり、図６において上部磁
性膜及び下部磁性膜の左右で長さと幅との比が揃うよう
に非磁性膜を形成した場合を示したものである。
例を模式的に示した平面図であり、図６において上部磁
性膜及び下部磁性膜の左右で長さと幅との比が揃うよう
に非磁性膜を形成した場合を示したものである。
【図８】図７におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図であ
る。
る。
１２ 非磁性膜 １３ 下部磁性膜 １７ 上部磁性膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 上部磁性膜及び下部磁性膜にＣｏ−Ｚｒ
−Ｍ（ＭはＮｂ、ＴａあるいはＲｅを表わす）のアモル
ファス膜を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部磁
性膜の下面と前記上部磁性膜の上面との両方の位置に、
熱膨張係数が前記上部磁性膜及び下部磁性膜材料よりも
大きく、かつその長軸方向が励磁方向と同じ方向である
短冊形状の非磁性膜が形成されていることを特徴とする
薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7770891A JPH0520638A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7770891A JPH0520638A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0520638A true JPH0520638A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=13641400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7770891A Pending JPH0520638A (ja) | 1991-04-10 | 1991-04-10 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0520638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150325258A1 (en) * | 2013-08-28 | 2015-11-12 | HGST Netherlands B.V. | Stiff discrete insert array for thermal ptr management with desired induced stress state that reduces tendency for write pole erasure |
-
1991
- 1991-04-10 JP JP7770891A patent/JPH0520638A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150325258A1 (en) * | 2013-08-28 | 2015-11-12 | HGST Netherlands B.V. | Stiff discrete insert array for thermal ptr management with desired induced stress state that reduces tendency for write pole erasure |
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