JPH05202216A - 防曇性プラスチックの製造方法 - Google Patents
防曇性プラスチックの製造方法Info
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- JPH05202216A JPH05202216A JP4281610A JP28161092A JPH05202216A JP H05202216 A JPH05202216 A JP H05202216A JP 4281610 A JP4281610 A JP 4281610A JP 28161092 A JP28161092 A JP 28161092A JP H05202216 A JPH05202216 A JP H05202216A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 防曇性能を保持したまま、耐久性、特に耐擦
傷性と耐水性を共に改善した防曇性プラスチックを製造
する方法を提供する。 【構成】 表面にＳｉＯx （x は１〜２）を有する金属
酸化物層を被覆したプラスチック基板表面に、 一般式 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一または異なり、
ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基またはフェニル基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン原子、アミノ
基または低級アルコキシ基である。Ｘは末端に１級アミ
ノ基を有する低級アルキル基である。）で表されるシラ
ン化合物を含む液を塗布してシランカップリング層を形
成し、その表面を、カルボキシル基を有する直鎖状サッ
カライド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップ
リング層のアミノ基とサッカライド誘導体のカルボキシ
ル基とのアミド化反応により表面に親水性有機物層を形
成する工程とからなる、防曇性プラスチックの製造方法
である。
傷性と耐水性を共に改善した防曇性プラスチックを製造
する方法を提供する。 【構成】 表面にＳｉＯx （x は１〜２）を有する金属
酸化物層を被覆したプラスチック基板表面に、 一般式 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一または異なり、
ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基またはフェニル基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン原子、アミノ
基または低級アルコキシ基である。Ｘは末端に１級アミ
ノ基を有する低級アルキル基である。）で表されるシラ
ン化合物を含む液を塗布してシランカップリング層を形
成し、その表面を、カルボキシル基を有する直鎖状サッ
カライド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップ
リング層のアミノ基とサッカライド誘導体のカルボキシ
ル基とのアミド化反応により表面に親水性有機物層を形
成する工程とからなる、防曇性プラスチックの製造方法
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、防曇性を有するプラ
スチックの製造方法に関する。
スチックの製造方法に関する。
【０００２】防曇性プラスチックは、家屋や車両の窓用
透明プラスチックシートを始め、ゴーグル、眼鏡レン
ズ、水中眼鏡、光学レンズ、浴室や洗面所に用いられる
防曇性軽量ミラー、グリーンハウス用の外装シートなど
の広い分野で使用される。
透明プラスチックシートを始め、ゴーグル、眼鏡レン
ズ、水中眼鏡、光学レンズ、浴室や洗面所に用いられる
防曇性軽量ミラー、グリーンハウス用の外装シートなど
の広い分野で使用される。
【０００３】
【従来の技術】従来、上記の如き透明プラスチック品の
表面における水蒸気結露による曇りの発生を防止するた
めに、つぎのような種々の防曇化技術が提案されてい
る。
表面における水蒸気結露による曇りの発生を防止するた
めに、つぎのような種々の防曇化技術が提案されてい
る。
【０００４】ａ）親水性のモノマーとして、アルコール
性水酸基を有する（メタ）アクリレートを、特定の多官
能性モノマーと共重合せしめて合成樹脂を形成する（例
えば特公昭５７−３１７３５号公報参照）。
性水酸基を有する（メタ）アクリレートを、特定の多官
能性モノマーと共重合せしめて合成樹脂を形成する（例
えば特公昭５７−３１７３５号公報参照）。
【０００５】ｂ）ポリオレフィンフィルム表面に親水性
物質をグラフト重合して、フィルム表面に直接に親水性
有機物皮膜を形成する（例えば特開昭６０−１４７４４
７号公報参照）。
物質をグラフト重合して、フィルム表面に直接に親水性
有機物皮膜を形成する（例えば特開昭６０−１４７４４
７号公報参照）。
【０００６】ｃ）ジエチレングリコールビスアリルカー
ボネートからなる透明プラスチックの表面にケン化処理
を施した後、界面活性剤を塗布する（例えば特開昭６０
−２５００４４号公報参照）。
ボネートからなる透明プラスチックの表面にケン化処理
を施した後、界面活性剤を塗布する（例えば特開昭６０
−２５００４４号公報参照）。
【０００７】ｄ）４級アンモニウム陽イオンとＳＯ3 陰
イオンとを有する特定のスルホン酸型両性界面活性剤
と、特定の無機塩または酢酸塩とを含有する防曇剤組成
物で、透明プラスチック品の表面を処理する（特開昭５
３−５８４９２号公報参照）。
イオンとを有する特定のスルホン酸型両性界面活性剤
と、特定の無機塩または酢酸塩とを含有する防曇剤組成
物で、透明プラスチック品の表面を処理する（特開昭５
３−５８４９２号公報参照）。
【０００８】ｅ）プラスチック品の表面に金属酸化物皮
膜を形成し、その表面を、水酸基１個とそれ以外の官能
基とを有する芳香族炭化水素、または２個以上の水酸基
を有する芳香族炭化水素を含む親水性処理液で処理する
（特開平２−２２３４４号公報参照）。
膜を形成し、その表面を、水酸基１個とそれ以外の官能
基とを有する芳香族炭化水素、または２個以上の水酸基
を有する芳香族炭化水素を含む親水性処理液で処理する
（特開平２−２２３４４号公報参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記諸技術のうち、
ａ）、ｂ）およびｃ）に共通する欠点は、水に対する耐
久性がなく、表面が傷つきやすい、すなわち耐擦傷性に
劣るという点である。
ａ）、ｂ）およびｃ）に共通する欠点は、水に対する耐
久性がなく、表面が傷つきやすい、すなわち耐擦傷性に
劣るという点である。
【００１０】そのため、これらの技術は、多量の水によ
って表面が濡れる可能性のある部材や、表面を頻繁に払
拭する可能性のある製品の用途には適用することができ
ない。
って表面が濡れる可能性のある部材や、表面を頻繁に払
拭する可能性のある製品の用途には適用することができ
ない。
【００１１】ｄ）およびｅ）の技術は、上記欠点を解消
するものとして提案されたものであるが、これらの技術
では、防曇処理後しばらくは防曇性能が発現されている
が、耐水性および耐擦傷性がないため、防曇効果の長期
持続性が悪いという問題がある。
するものとして提案されたものであるが、これらの技術
では、防曇処理後しばらくは防曇性能が発現されている
が、耐水性および耐擦傷性がないため、防曇効果の長期
持続性が悪いという問題がある。
【００１２】この発明の目的は、上記の点に鑑み、防曇
性能を保持したまま、耐久性、特に耐擦傷性と耐水性を
共に改善した防曇性プラスチックを製造する方法を提供
するにある。
性能を保持したまま、耐久性、特に耐擦傷性と耐水性を
共に改善した防曇性プラスチックを製造する方法を提供
するにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明による防曇性プ
ラスチックの製造方法は、上記目的を達成すべく工夫さ
れたものであり、添付図面に示す層構成を有する防曇性
プラスチックが得られる。図中、(1) はプラスチック基
板、(2) は金属酸化物層、(3) はシランカップリング
層、(4) は親水性有機物層である。
ラスチックの製造方法は、上記目的を達成すべく工夫さ
れたものであり、添付図面に示す層構成を有する防曇性
プラスチックが得られる。図中、(1) はプラスチック基
板、(2) は金属酸化物層、(3) はシランカップリング
層、(4) は親水性有機物層である。
【００１４】この発明による第１の方法はつぎの構成を
特徴とする： ｉ） プラスチック基板の表面に、ＳｉＯx （x は１〜
２）の単層、または最外層が該ＳｉＯx 層である多層か
らなる金属酸化物層を被覆する工程と、 ii） 形成した金属酸化物層の表面に、 一般式
特徴とする： ｉ） プラスチック基板の表面に、ＳｉＯx （x は１〜
２）の単層、または最外層が該ＳｉＯx 層である多層か
らなる金属酸化物層を被覆する工程と、 ii） 形成した金属酸化物層の表面に、 一般式
【００１５】
【化７】
【００１６】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一ま
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｘは末
端に１級アミノ基を有する低級アルキル基である。）で
表されるシラン化合物を含むシランカップリング剤液を
塗布して、シラン化合物をＳｉＯx に結合させる工程
と、 iii) 形成したシランカップリング層の表面を、カルボ
キシル基を有する直鎖状サッカライド誘導体を含む修飾
液で処理して該サッカライド誘導体をシランカップリン
グ層に結合させる工程。
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｘは末
端に１級アミノ基を有する低級アルキル基である。）で
表されるシラン化合物を含むシランカップリング剤液を
塗布して、シラン化合物をＳｉＯx に結合させる工程
と、 iii) 形成したシランカップリング層の表面を、カルボ
キシル基を有する直鎖状サッカライド誘導体を含む修飾
液で処理して該サッカライド誘導体をシランカップリン
グ層に結合させる工程。
【００１７】以下、第１方法を上記工程ごとに説明す
る。
る。
【００１８】ｉ）金属酸化物層の形成 この発明の製造方法において、まず、プラスチック基板
の表面に金属酸化物層を形成する。金属酸化物層を形成
する手段は特に限定されるものではない。例えば、真空
蒸着法、スパッタリング法などの物理的蒸着法や、ＣＶ
Ｄ法、メッキ、ゾルゲル法などを用いることができる。
の表面に金属酸化物層を形成する。金属酸化物層を形成
する手段は特に限定されるものではない。例えば、真空
蒸着法、スパッタリング法などの物理的蒸着法や、ＣＶ
Ｄ法、メッキ、ゾルゲル法などを用いることができる。
【００１９】プラスチック基板の材質としては、ポリカ
ーボネート、アリルジグリコールカーボネート樹脂、ポ
リメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
ト、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、ポリイミド、ポリ
エーテルイミド、ポリプロピレン、高密度ポリエチレ
ン、ＡＢＳ樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリエーテル
エーテルケトンなどが使用される。
ーボネート、アリルジグリコールカーボネート樹脂、ポ
リメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
ト、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、ポリイミド、ポリ
エーテルイミド、ポリプロピレン、高密度ポリエチレ
ン、ＡＢＳ樹脂、ポリエーテルスルホン、ポリエーテル
エーテルケトンなどが使用される。
【００２０】プラスチック基板の形状は、例えば平板
状、レンズ状曲面、エンボス様ランダムテクスチャーな
どであってよい。
状、レンズ状曲面、エンボス様ランダムテクスチャーな
どであってよい。
【００２１】プラスチック基板の表面は、好ましくは、
金属酸化物層の被覆の前に洗浄される。この洗浄は、基
板表面の油脂成分などの汚れを除去するために、洗剤お
よび蒸留水、プラスチックを冒さない有機溶剤などを用
いて行われる。プラズマ処理を行うことも有効である。
金属酸化物層の被覆の前に洗浄される。この洗浄は、基
板表面の油脂成分などの汚れを除去するために、洗剤お
よび蒸留水、プラスチックを冒さない有機溶剤などを用
いて行われる。プラズマ処理を行うことも有効である。
【００２２】金属酸化物を構成する材料は、例えば、Ｓ
ｉＯ2 、ＳｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、ＭｏＯ
3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 、ＢａＯ、ＡｎＯ、ＮｉＯな
どを１種または２種以上の組み合わせで用いることがで
きる。金属酸化物層は、これら材料にて形成される単層
や、これらの材料の２種以上を成分とする単層、あるい
はこれらの単層を複数層重ねて形成される多層構造であ
ってもよい。特に、ＳｉＯx （x は１〜２）からなる金
属酸化物層、または該ＳｉＯx （x は１〜２）を含む組
成物を用いて形成した金属酸化物層が好ましい。
ｉＯ2 、ＳｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、ＭｏＯ
3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＨｆＯ2 、ＢａＯ、ＡｎＯ、ＮｉＯな
どを１種または２種以上の組み合わせで用いることがで
きる。金属酸化物層は、これら材料にて形成される単層
や、これらの材料の２種以上を成分とする単層、あるい
はこれらの単層を複数層重ねて形成される多層構造であ
ってもよい。特に、ＳｉＯx （x は１〜２）からなる金
属酸化物層、または該ＳｉＯx （x は１〜２）を含む組
成物を用いて形成した金属酸化物層が好ましい。
【００２３】金属酸化物層が上記単層を複数層重ねて形
成される多層構造である場合、最外層は該ＳｉＯx （x
は１〜２）層であることが必要である。
成される多層構造である場合、最外層は該ＳｉＯx （x
は１〜２）層であることが必要である。
【００２４】上記ＳｉＯx 層のx の値としては、１〜２
の範囲の任意の値のものが本発明において使用可能であ
る。ＳｉＯx 層を形成するには、前述のように物理的蒸
着法、ＣＶＤ法、その他の方法が使用されるが、例え
ば、市販のＳｉＯ2 またはＳｉＯを原料とする物理的蒸
着法では、成膜条件を厳密に制御しなければ、形成され
るＳｉＯx 層のx の値は、それぞれ平均的に２または１
に近い値となる。また、x の値を１〜２の間の一定の値
に厳密に制御する必要がある場合には、成膜条件を精密
に制御すれば、このような制御も可能である。
の範囲の任意の値のものが本発明において使用可能であ
る。ＳｉＯx 層を形成するには、前述のように物理的蒸
着法、ＣＶＤ法、その他の方法が使用されるが、例え
ば、市販のＳｉＯ2 またはＳｉＯを原料とする物理的蒸
着法では、成膜条件を厳密に制御しなければ、形成され
るＳｉＯx 層のx の値は、それぞれ平均的に２または１
に近い値となる。また、x の値を１〜２の間の一定の値
に厳密に制御する必要がある場合には、成膜条件を精密
に制御すれば、このような制御も可能である。
【００２５】金属酸化物層の層厚は耐擦傷性を上げるた
めには、厚いほど好ましいが、用途によって適宜設定す
ることができる。例えば、真空蒸着法によってポリカー
ボネート製のプラスチック基板上にＳｉＯx （x は１〜
２）層を被覆する場合には、層厚が薄すぎるとプラスチ
ック基板表面を完全にかつ均一に覆い尽くすことができ
ず、また逆に層厚が厚すぎるとＳｉＯx 層の割れや、プ
ラスチック基板とＳｉＯx 層の間の剥離が生じる。層厚
は、ＳｉＯx （x は１〜２）単層の場合０．０５〜５０
μｍ、多層構造の場合は０．０５〜１００μｍであるこ
とが好ましい。より好ましくは、単層の場合も、多層構
造の場合も、０．５〜２０μｍである。
めには、厚いほど好ましいが、用途によって適宜設定す
ることができる。例えば、真空蒸着法によってポリカー
ボネート製のプラスチック基板上にＳｉＯx （x は１〜
２）層を被覆する場合には、層厚が薄すぎるとプラスチ
ック基板表面を完全にかつ均一に覆い尽くすことができ
ず、また逆に層厚が厚すぎるとＳｉＯx 層の割れや、プ
ラスチック基板とＳｉＯx 層の間の剥離が生じる。層厚
は、ＳｉＯx （x は１〜２）単層の場合０．０５〜５０
μｍ、多層構造の場合は０．０５〜１００μｍであるこ
とが好ましい。より好ましくは、単層の場合も、多層構
造の場合も、０．５〜２０μｍである。
【００２６】ii) シランカップリング層の形成 工程ｉ）で形成した金属酸化物層の表面に、ついで、上
記シラン化合物を含むシランカップリング剤液を塗布す
る。
記シラン化合物を含むシランカップリング剤液を塗布す
る。
【００２７】上記シラン化合物の置換基Ｒ1 、Ｒ2 およ
びＲ3 は、同一または異なり、ハロゲン原子、アミノ
基、低級アルコキシ基、低級アルキル基またはフェニル
基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なく
とも１つはハロゲン原子、アミノ基または低級アルコキ
シ基である。Ｘは末端に１級アミノ基を有する低級アル
キル基である。
びＲ3 は、同一または異なり、ハロゲン原子、アミノ
基、低級アルコキシ基、低級アルキル基またはフェニル
基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なく
とも１つはハロゲン原子、アミノ基または低級アルコキ
シ基である。Ｘは末端に１級アミノ基を有する低級アル
キル基である。
【００２８】シラン化合物は、上記のごとくハロゲン原
子、アミノ基または低級アルコキシ基を少なくとも１つ
有する。シラン化合物のハロゲン原子、アミノ基または
低級アルコキシ基は、保存中の自己重合を防ぎ、かつ加
水分解基として作用する。加水分解によって生じたシラ
ノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）は、上記金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分と結合する。
子、アミノ基または低級アルコキシ基を少なくとも１つ
有する。シラン化合物のハロゲン原子、アミノ基または
低級アルコキシ基は、保存中の自己重合を防ぎ、かつ加
水分解基として作用する。加水分解によって生じたシラ
ノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）は、上記金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分と結合する。
【００２９】低級アルコキシ基としては、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシなどの炭素数５以下のアルコキシ基
が例示される。
トキシ、プロポキシなどの炭素数５以下のアルコキシ基
が例示される。
【００３０】Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＸとしての低級ア
ルキル基は、好ましくは、メチル、エチル、プロピルな
どの炭素数６以下のアルキル基である。
ルキル基は、好ましくは、メチル、エチル、プロピルな
どの炭素数６以下のアルキル基である。
【００３１】Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 として低級アルキル
基またはフェニル基を導入することにより、末端に１級
アミノ基を有する低級アルキル基Ｘの、金属酸化物層に
対する配向を調整することができる。Ｒ1 、Ｒ2 および
Ｒ3 としての低級アルキル基の炭素数が６を越えると、
加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 と金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分との結合反応が抑制されるので、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 は炭素数６以下の低級アルキル基もしくはフェ
ニル基であることが好ましい。
基またはフェニル基を導入することにより、末端に１級
アミノ基を有する低級アルキル基Ｘの、金属酸化物層に
対する配向を調整することができる。Ｒ1 、Ｒ2 および
Ｒ3 としての低級アルキル基の炭素数が６を越えると、
加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 と金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分との結合反応が抑制されるので、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 は炭素数６以下の低級アルキル基もしくはフェ
ニル基であることが好ましい。
【００３２】シラン化合物の例としては、γ−アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルエチルジエトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルジフェニルメトキシシラン、
Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシランなどが挙げられる。
ロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエ
トキシシラン、γ−アミノプロピルエチルジエトキシシ
ラン、γ−アミノプロピルジフェニルメトキシシラン、
Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピル
メチルジメトキシシランなどが挙げられる。
【００３３】シラン化合物を塗布する方法としては、単
純な刷毛塗りはもとより、ディッピング法、スピンコー
ティング法、スプレー法なども有効である。
純な刷毛塗りはもとより、ディッピング法、スピンコー
ティング法、スプレー法なども有効である。
【００３４】シランカップリング剤液の塗布に当たり、
シラン化合物は希釈しないで原液のままで使用してもよ
いが、層厚を薄くかつ均一に塗布するには、これを適当
な溶媒（例えば、水、エタノール、メタノール、ベンゼ
ン、ヘキサン、トルエンなど）で任意の濃度に希釈して
使用するのがよい。希釈溶媒としては、シラン化合物の
加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 の加水分解のしやす
さ、およびシラン化合物の自己重合遅延の観点から、シ
ラン化合物の性質に応じて最適のものを選択する。
シラン化合物は希釈しないで原液のままで使用してもよ
いが、層厚を薄くかつ均一に塗布するには、これを適当
な溶媒（例えば、水、エタノール、メタノール、ベンゼ
ン、ヘキサン、トルエンなど）で任意の濃度に希釈して
使用するのがよい。希釈溶媒としては、シラン化合物の
加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 の加水分解のしやす
さ、およびシラン化合物の自己重合遅延の観点から、シ
ラン化合物の性質に応じて最適のものを選択する。
【００３５】シランカップリング剤液の塗布後、シラン
カップリング層を固化し、かつシラン化合物をＳｉＯx
に強固に結合させるために、シランカップリング層の乾
燥を行う。
カップリング層を固化し、かつシラン化合物をＳｉＯx
に強固に結合させるために、シランカップリング層の乾
燥を行う。
【００３６】乾燥は、加熱乾燥や若干加熱しながらの減
圧乾燥によって行う。シラン化合物塗布直後は多量の溶
剤成分が残存しているため、乾燥工程に先立って風乾を
行うのがよい。例えば希釈溶媒としてエタノールを用い
た場合、室温であれば約１時間風乾を行う。乾燥温度
は、基板となるプラスチックの耐熱性も考慮して、下限
は室温から上限はプラスチック基板の耐熱温度までの範
囲で適宜設定される。乾燥時間は乾燥温度によるが、例
えばポリカーボネートからなる基板の場合、乾燥温度１
１０℃で１０分程度の処理で充分である。あまり高い温
度での乾燥ができない場合は処理時間を長くする。例え
ばポリエチレンからなる基板の場合、乾燥温度４０℃で
少なくとも１昼夜程度その温度を保つ。熱処理を減圧雰
囲気中で行うと、乾燥工程にかける時間を短縮すること
が可能である。
圧乾燥によって行う。シラン化合物塗布直後は多量の溶
剤成分が残存しているため、乾燥工程に先立って風乾を
行うのがよい。例えば希釈溶媒としてエタノールを用い
た場合、室温であれば約１時間風乾を行う。乾燥温度
は、基板となるプラスチックの耐熱性も考慮して、下限
は室温から上限はプラスチック基板の耐熱温度までの範
囲で適宜設定される。乾燥時間は乾燥温度によるが、例
えばポリカーボネートからなる基板の場合、乾燥温度１
１０℃で１０分程度の処理で充分である。あまり高い温
度での乾燥ができない場合は処理時間を長くする。例え
ばポリエチレンからなる基板の場合、乾燥温度４０℃で
少なくとも１昼夜程度その温度を保つ。熱処理を減圧雰
囲気中で行うと、乾燥工程にかける時間を短縮すること
が可能である。
【００３７】iii)親水性有機物層の形成 シランカップリング層の形成工程後、シランカップリン
グ層の表面を、カルボキシル基を有する直鎖状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理する。この処理によって
サッカライド誘導体がシランカップリング層に結合さ
れ、プラスチック製品の表面に親水性である直鎖状サッ
カライドが現れる。
グ層の表面を、カルボキシル基を有する直鎖状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理する。この処理によって
サッカライド誘導体がシランカップリング層に結合さ
れ、プラスチック製品の表面に親水性である直鎖状サッ
カライドが現れる。
【００３８】ここで、カルボキシル基を有する直鎖状サ
ッカライド誘導体とは、直鎖状のサッカライドの末端に
カルボキシル基が置換基として存在する構造のものを総
称する。カルボキシル基を有する直鎖状サッカライド誘
導体の例としては、酒石酸、β−Ｄ−グルクロン酸、Ｄ
−ガラクツロン酸、Ｄ−グルコン酸、Ｄ−砂糖酸、粘液
酸、Ｌ−イズロン酸、Ｎ−アセチルノイラミン酸、側鎖
に環状サッカライドを有するラクトビオン酸などが挙げ
られる。
ッカライド誘導体とは、直鎖状のサッカライドの末端に
カルボキシル基が置換基として存在する構造のものを総
称する。カルボキシル基を有する直鎖状サッカライド誘
導体の例としては、酒石酸、β−Ｄ−グルクロン酸、Ｄ
−ガラクツロン酸、Ｄ−グルコン酸、Ｄ−砂糖酸、粘液
酸、Ｌ−イズロン酸、Ｎ−アセチルノイラミン酸、側鎖
に環状サッカライドを有するラクトビオン酸などが挙げ
られる。
【００３９】本工程は、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 および反応終了後の洗浄・乾燥、 の３段階からなる。
【００４０】カルボキシル基の活性化 一般に、アミド（ペプチド）結合を形成するには、カル
ボキシル基活性化縮合剤として、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキサイ
ド）やＴＨＦ（テトラヒドロフラン）などの非水性溶媒
が用いられる。本工程で活性化させるサッカライドはほ
とんどのものが水溶性である。そのため、水溶性のＷＳ
ＣＩ（１−エチル−３−（３' −ジメチルアミノプロピ
ル）カルボジイミド）を用いて水溶液系でカルボキシル
基の活性化を行う。
ボキシル基活性化縮合剤として、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキサイ
ド）やＴＨＦ（テトラヒドロフラン）などの非水性溶媒
が用いられる。本工程で活性化させるサッカライドはほ
とんどのものが水溶性である。そのため、水溶性のＷＳ
ＣＩ（１−エチル−３−（３' −ジメチルアミノプロピ
ル）カルボジイミド）を用いて水溶液系でカルボキシル
基の活性化を行う。
【００４１】すなわち、まず、緩衝液として０．１Ｎ−
ＭＥＳ（２−（Ｎ−モルフォリノ）エタンスルホン酸）
水溶液を調製し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液で
ｐＨを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維
持する。この緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮合剤
としてＷＳＣＩと、カルボキシル基を有する直鎖状サッ
カライド誘導体とを添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣ
ｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃に
それぞれ維持しながら、活性中間体が生成するまで、混
合液を２〜４時間激しく攪拌する。
ＭＥＳ（２−（Ｎ−モルフォリノ）エタンスルホン酸）
水溶液を調製し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液で
ｐＨを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維
持する。この緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮合剤
としてＷＳＣＩと、カルボキシル基を有する直鎖状サッ
カライド誘導体とを添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣ
ｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃に
それぞれ維持しながら、活性中間体が生成するまで、混
合液を２〜４時間激しく攪拌する。
【００４２】本工程で使用するサッカライドのうち非水
性溶媒（例えば、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＴＨＦ、酢酸エチ
ルなど）に可溶なものについては、これら非水性溶媒の
使用も可能であり、その場合ＭＥＳは不要となる。カル
ボキシル基活性化縮合剤としては上記のほかＤＣＣＤ
（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）も使用可
能である。
性溶媒（例えば、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＴＨＦ、酢酸エチ
ルなど）に可溶なものについては、これら非水性溶媒の
使用も可能であり、その場合ＭＥＳは不要となる。カル
ボキシル基活性化縮合剤としては上記のほかＤＣＣＤ
（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）も使用可
能である。
【００４３】いずれの溶液系の場合も、反応促進剤とし
て、ＨＯＢｔ（Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾール）や
ＨＯＯＢｔ（３，４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−４−
オキソ−１，２，３−ベンゾトリアジン）やＨＯＳｕ
（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド）を用いると、副生成
物の生成が抑えられ、反応収率が向上するので、反応促
進剤の使用が好ましい。
て、ＨＯＢｔ（Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾール）や
ＨＯＯＢｔ（３，４−ジヒドロ−３−ヒドロキシ−４−
オキソ−１，２，３−ベンゾトリアジン）やＨＯＳｕ
（Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド）を用いると、副生成
物の生成が抑えられ、反応収率が向上するので、反応促
進剤の使用が好ましい。
【００４４】アミド結合の形成 前段階で活性化されたカルボキシル基を有する直鎖状サ
ッカライド誘導体の溶液中に、シランカップリング層を
有するプラスチック基板を浸漬し、液温を低温例えば０
〜４℃に維持したまま反応終了まで同液を攪拌する。
ッカライド誘導体の溶液中に、シランカップリング層を
有するプラスチック基板を浸漬し、液温を低温例えば０
〜４℃に維持したまま反応終了まで同液を攪拌する。
【００４５】こうして、シラン化合物の１級アミノ基
に、直鎖状サッカライド誘導体のカルボキシル基がアミ
ド結合を生じ、シランカップリング層が親水性の直鎖状
サッカライドによって修飾される。
に、直鎖状サッカライド誘導体のカルボキシル基がアミ
ド結合を生じ、シランカップリング層が親水性の直鎖状
サッカライドによって修飾される。
【００４６】反応終了後の洗浄・乾燥： 反応が終了したら上記プラスチック基板を液から取り出
し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で
乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有機物層を備え
た防曇性プラスチックが得られる。
し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で
乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有機物層を備え
た防曇性プラスチックが得られる。
【００４７】つぎに、この発明による第２の方法につい
て説明する。
て説明する。
【００４８】この発明による第２の方法は、第１の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、１級アミノ
基を有する環状サッカライド誘導体に 一般式
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、１級アミノ
基を有する環状サッカライド誘導体に 一般式
【００４９】
【化８】
【００５０】（式中、Ｒ´は二価の有機基または単結
合、ｎは０または整数１〜６である。）で表されるα−
ケト脂肪族ジカルボン酸を脱水縮合させてなる化合物を
含む修飾液で処理して、該シッフ塩基をシランカップリ
ング層に結合させる、防曇性プラスチックの製造方法で
ある。
合、ｎは０または整数１〜６である。）で表されるα−
ケト脂肪族ジカルボン酸を脱水縮合させてなる化合物を
含む修飾液で処理して、該シッフ塩基をシランカップリ
ング層に結合させる、防曇性プラスチックの製造方法で
ある。
【００５１】第２の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第１方法のものと同じである。
上述した第１方法のものと同じである。
【００５２】第２の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【００５３】上記シッフ塩基は、環状サッカライド誘導
体の１級アミノ基と、α−ケト脂肪族ジカルボン酸のα
−カルボニルとの間でシッフ塩基を形成する脱水縮合反
応を起こすことによって形成されたものであり、官能基
としてカルボキシル基を有する。
体の１級アミノ基と、α−ケト脂肪族ジカルボン酸のα
−カルボニルとの間でシッフ塩基を形成する脱水縮合反
応を起こすことによって形成されたものであり、官能基
としてカルボキシル基を有する。
【００５４】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体とは、環状のサッカライドの構成炭素に１級のアミ
ノ基が置換基として存在する構造のものを総称するもの
で、 例えば Ｄ−グルコサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−ガラクトサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−マンノサミンおよびその一塩酸塩 または、ジサッカライドのコンドロイシン などが例示される。
導体とは、環状のサッカライドの構成炭素に１級のアミ
ノ基が置換基として存在する構造のものを総称するもの
で、 例えば Ｄ−グルコサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−ガラクトサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−マンノサミンおよびその一塩酸塩 または、ジサッカライドのコンドロイシン などが例示される。
【００５５】また、α−ケト脂肪族ジカルボン酸とは、 一般式
【００５６】
【化９】
【００５７】（式中、Ｒ´は二価の有機基または単結
合、ｎは０または整数１〜６である。）で表される化合
物である。
合、ｎは０または整数１〜６である。）で表される化合
物である。
【００５８】上記式中、ｎが大きすぎると、該シッフ塩
基分子が嵩高くかつ分子の配向の調節が難しくなるた
め、ｎとしては０〜６が好ましい。
基分子が嵩高くかつ分子の配向の調節が難しくなるた
め、ｎとしては０〜６が好ましい。
【００５９】また、二価の有機基Ｒ´がα−カルボニル
基を形成する置換基（例えば、−Ｃ（ＣＯ）−、−ＨＣ
＝ＣＨ−ＣＨ2 （ＣＯ）−など）である化合物も、反応
効率が向上するので好ましい。
基を形成する置換基（例えば、−Ｃ（ＣＯ）−、−ＨＣ
＝ＣＨ−ＣＨ2 （ＣＯ）−など）である化合物も、反応
効率が向上するので好ましい。
【００６０】α−ケト脂肪族ジカルボン酸として特に好
ましい化合物は、安定性および反応性の点からα−ケト
グルタル酸（ｎ＝２、Ｒ´＝単結合）である。
ましい化合物は、安定性および反応性の点からα−ケト
グルタル酸（ｎ＝２、Ｒ´＝単結合）である。
【００６１】上記環状サッカライド誘導体の１級アミノ
基に上記α−ケト脂肪族ジカルボン酸のケトン基を脱水
縮合させてシッフ塩基を形成する反応は、下記式で示さ
れる。
基に上記α−ケト脂肪族ジカルボン酸のケトン基を脱水
縮合させてシッフ塩基を形成する反応は、下記式で示さ
れる。
【００６２】
【化１０】
【００６３】第２の方法の工程iii)は、第１の方法の工
程iii)と同じく、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 および反応終了後の洗浄・乾燥、 の３段階からなる。
程iii)と同じく、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 および反応終了後の洗浄・乾燥、 の３段階からなる。
【００６４】カルボキシル基の活性化 第１の方法と同様の操作で調製された緩衝液に、カルボ
キシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩと、該シッフ塩
基とを添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐ
Ｈを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維持
しながら、活性中間体が生成するまで、混合液を２〜４
時間激しく攪拌する。
キシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩと、該シッフ塩
基とを添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐ
Ｈを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維持
しながら、活性中間体が生成するまで、混合液を２〜４
時間激しく攪拌する。
【００６５】シッフ塩基のうち非水性溶媒に可溶なもの
については、これら非水性溶媒の使用も可能であり、そ
の場合ＭＥＳは不要となる。カルボキシル基活性化縮合
剤としては上記のほかＤＣＣＤも使用可能である。
については、これら非水性溶媒の使用も可能であり、そ
の場合ＭＥＳは不要となる。カルボキシル基活性化縮合
剤としては上記のほかＤＣＣＤも使用可能である。
【００６６】いずれの溶液系の場合も、反応促進剤とし
て、ＨＯＢｔやＨＯＯＢｔやＨＯＳｕを用いると、副生
成物の生成が抑えられ、反応収率が向上するので、反応
促進剤の使用が好ましい。
て、ＨＯＢｔやＨＯＯＢｔやＨＯＳｕを用いると、副生
成物の生成が抑えられ、反応収率が向上するので、反応
促進剤の使用が好ましい。
【００６７】アミド結合の形成 前段階で活性化されたカルボキシル基を有するシッフ塩
基の溶液中に、１級アミノ基を有するプラスチック基板
を浸漬し、液温を低温例えば０〜４℃に維持したまま反
応終了まで同液を攪拌する。
基の溶液中に、１級アミノ基を有するプラスチック基板
を浸漬し、液温を低温例えば０〜４℃に維持したまま反
応終了まで同液を攪拌する。
【００６８】こうして、シラン化合物の１級アミノ基
に、シッフ塩基のカルボキシル基がアミド結合を生じ、
シランカップリング層が親水性の環状サッカライドによ
って修飾される。
に、シッフ塩基のカルボキシル基がアミド結合を生じ、
シランカップリング層が親水性の環状サッカライドによ
って修飾される。
【００６９】反応終了後の洗浄・乾燥：反応が終了し
たら上記プラスチック基板を液から取り出し、未反応物
を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で乾燥を行う。
こうして、外表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラ
スチックが得られる。
たら上記プラスチック基板を液から取り出し、未反応物
を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で乾燥を行う。
こうして、外表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラ
スチックが得られる。
【００７０】つぎに、この発明による第３の方法につい
て説明する。
て説明する。
【００７１】この発明による第３の方法は、第１の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式
【００７２】
【化１１】
【００７３】（式中、ｎは０または整数１〜４であ
る。）で表される酸無水物を含む処理液で処理して、シ
ランカップリング層のアミノ基と酸無水物とのアミド化
反応によりシランカップリング層の表面にカルボキシル
基を導入し、さらに１級アミノ基を有する環状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリン
グ層のカルボキシル基と環状サッカライド誘導体のアミ
ノ基とのアミド化反応により表面に親水性有機物層を形
成する、防曇性プラスチックの製造方法である。
る。）で表される酸無水物を含む処理液で処理して、シ
ランカップリング層のアミノ基と酸無水物とのアミド化
反応によりシランカップリング層の表面にカルボキシル
基を導入し、さらに１級アミノ基を有する環状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリン
グ層のカルボキシル基と環状サッカライド誘導体のアミ
ノ基とのアミド化反応により表面に親水性有機物層を形
成する、防曇性プラスチックの製造方法である。
【００７４】第３の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第１方法のものと同じである。
上述した第１方法のものと同じである。
【００７５】第３の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【００７６】まず、シランカップリング層の表面を、上
記酸無水物を含む処理液で処理して、シランカップリン
グ層のアミノ基と酸無水物とのアミド化反応により酸無
水物をシランカップリング層に結合させる。
記酸無水物を含む処理液で処理して、シランカップリン
グ層のアミノ基と酸無水物とのアミド化反応により酸無
水物をシランカップリング層に結合させる。
【００７７】一般式
【００７８】
【化１２】
【００７９】（式中、ｎは０または整数１〜４であ
る。）で表される酸無水物としては、 ｎ＝０の場合の無水シュウ酸 １の場合の無水マロン酸 ２の場合の無水コハク酸 ３の場合の無水グルタル酸 ４の場合の無水アジピン酸 が用いられる。特に反応性に優れた酸無水物は、分子が
構造上５員環を形成する無水コハク酸（ｎ＝２）であ
る。
る。）で表される酸無水物としては、 ｎ＝０の場合の無水シュウ酸 １の場合の無水マロン酸 ２の場合の無水コハク酸 ３の場合の無水グルタル酸 ４の場合の無水アジピン酸 が用いられる。特に反応性に優れた酸無水物は、分子が
構造上５員環を形成する無水コハク酸（ｎ＝２）であ
る。
【００８０】上記酸無水物を含む処理液による具体的処
理手段としては、表面にシランカップリング層を有する
プラスチック基板を酸無水物の水溶液中に浸漬する方法
が一般的である。これにより、シランカップリング層の
アミノ基と酸無水物とのアミド化反応が生じ、シランカ
ップリング層の表面にカルボキシル基が導入される。
理手段としては、表面にシランカップリング層を有する
プラスチック基板を酸無水物の水溶液中に浸漬する方法
が一般的である。これにより、シランカップリング層の
アミノ基と酸無水物とのアミド化反応が生じ、シランカ
ップリング層の表面にカルボキシル基が導入される。
【００８１】処理液中の酸無水物濃度としては、濃厚な
ものの方が反応効率が良いが、溶解性を考慮して１〜２
０重量％が好ましい。
ものの方が反応効率が良いが、溶解性を考慮して１〜２
０重量％が好ましい。
【００８２】処理液のｐＨとしては中性付近が好まし
く、ｐＨをＮａＯＨ水溶液の添加で調整して６．８〜
７．０に維持することが望ましい。
く、ｐＨをＮａＯＨ水溶液の添加で調整して６．８〜
７．０に維持することが望ましい。
【００８３】アミド化反応は室温下で進行するが、反応
促進のため若干の加温は差し支えない。
促進のため若干の加温は差し支えない。
【００８４】こうして、シランカップリング層の表面に
カルボキシル基を導入した後、このカルボキシル基を有
するプラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サ
ッカライド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカッ
プリング層のカルボキシル基と環状サッカライド誘導体
のアミノ基とのアミド化反応によりシランカップリング
層の表面に親水性有機物層を形成する。
カルボキシル基を導入した後、このカルボキシル基を有
するプラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サ
ッカライド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカッ
プリング層のカルボキシル基と環状サッカライド誘導体
のアミノ基とのアミド化反応によりシランカップリング
層の表面に親水性有機物層を形成する。
【００８５】この表面修飾工程は、第１の方法の工程ii
i)と同じく、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 および反応終了後の洗浄・乾燥、 の３段階からなる。
i)と同じく、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 および反応終了後の洗浄・乾燥、 の３段階からなる。
【００８６】カルボキシル基の活性化 第１の方法と同様の操作で調製された緩衝液に、カルボ
キシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩを添加し、ここ
に、表面にカルボキシル基を有するプラスチック基板を
浸漬し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを
４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維持しな
がら、活性中間体が生成するまで、混合液を２〜４時間
激しく攪拌する。
キシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩを添加し、ここ
に、表面にカルボキシル基を有するプラスチック基板を
浸漬し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを
４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維持しな
がら、活性中間体が生成するまで、混合液を２〜４時間
激しく攪拌する。
【００８７】環状サッカライド誘導体のうち非水性溶媒
に可溶なものについては、非水性溶媒の使用も可能であ
り、その場合ＭＥＳは不要となる。カルボキシル基活性
化縮合剤としては上記のほかＤＣＣＤ（１，３−ジシク
ロヘキシルカルボジイミド）も使用可能である。
に可溶なものについては、非水性溶媒の使用も可能であ
り、その場合ＭＥＳは不要となる。カルボキシル基活性
化縮合剤としては上記のほかＤＣＣＤ（１，３−ジシク
ロヘキシルカルボジイミド）も使用可能である。
【００８８】いずれの溶液系の場合も、反応促進剤とし
て、ＨＯＢｔやＨＯＯＢｔやＨＯＳｕを用いると、副生
成物の生成が抑えられ、反応収率が向上するので、反応
促進剤の使用が好ましい。
て、ＨＯＢｔやＨＯＯＢｔやＨＯＳｕを用いると、副生
成物の生成が抑えられ、反応収率が向上するので、反応
促進剤の使用が好ましい。
【００８９】アミド結合の形成 前段階で活性化されたカルボキシル基を表面に有するプ
ラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリン
グ層のカルボキシル基と環状サッカライド誘導体のアミ
ノ基とのアミド化反応によりシランカップリング層の表
面に親水性有機物層を形成する。
ラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリン
グ層のカルボキシル基と環状サッカライド誘導体のアミ
ノ基とのアミド化反応によりシランカップリング層の表
面に親水性有機物層を形成する。
【００９０】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体とは、環状のサッカライドの構成炭素に１級のアミ
ノ基が置換基として存在する構造のものを総称するもの
で、 例えば Ｄ−グルコサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−ガラクトサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−マンノサミンおよびその一塩酸塩 または、ジサッカライドのコンドロイシン などが例示される。
導体とは、環状のサッカライドの構成炭素に１級のアミ
ノ基が置換基として存在する構造のものを総称するもの
で、 例えば Ｄ−グルコサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−ガラクトサミンおよびその一塩酸塩 Ｄ−マンノサミンおよびその一塩酸塩 または、ジサッカライドのコンドロイシン などが例示される。
【００９１】上記修飾液による具体的処理手段として
は、活性化されたカルボキシル基を表面に有するプラス
チック基板を該修飾液中に浸漬し、液温を低温例えば０
〜４℃に維持したまま反応終了まで同液を攪拌する方法
が一般的である。これにより、シランカップリング層の
アミノ基と酸無水物とのアミド化反応が生じ、シランカ
ップリング層が親水性の環状サッカライドによって修飾
される。
は、活性化されたカルボキシル基を表面に有するプラス
チック基板を該修飾液中に浸漬し、液温を低温例えば０
〜４℃に維持したまま反応終了まで同液を攪拌する方法
が一般的である。これにより、シランカップリング層の
アミノ基と酸無水物とのアミド化反応が生じ、シランカ
ップリング層が親水性の環状サッカライドによって修飾
される。
【００９２】反応終了後の洗浄・乾燥は、第１の方法
と同様の操作によって行うことができる。こうして、外
表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得
られる。
と同様の操作によって行うことができる。こうして、外
表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得
られる。
【００９３】つぎに、この発明による第４の方法につい
て説明する。
て説明する。
【００９４】この発明による第４の方法は、第１の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物を含む処理液で処理して、シランカ
ップリング層のアミノ基とジアルデヒド化合物の一方の
アルデヒド基とのシッフ塩基形成によりシランカップリ
ング層の表面に他方のアルデヒド基を導入し、さらに１
級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾
液で処理して、シランカップリング層の他方のアルデヒ
ド基と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのシッフ塩
基形成により表面に親水性有機物層を形成する、防曇性
プラスチックの製造方法である。
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物を含む処理液で処理して、シランカ
ップリング層のアミノ基とジアルデヒド化合物の一方の
アルデヒド基とのシッフ塩基形成によりシランカップリ
ング層の表面に他方のアルデヒド基を導入し、さらに１
級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾
液で処理して、シランカップリング層の他方のアルデヒ
ド基と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのシッフ塩
基形成により表面に親水性有機物層を形成する、防曇性
プラスチックの製造方法である。
【００９５】第４の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第１方法のものと同じである。
上述した第１方法のものと同じである。
【００９６】第４の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【００９７】まず、プラスチック基板を上記ジアルデヒ
ド化合物を含む処理液で処理して、シランカップリング
層のアミノ基とジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド
基とのシッフ塩基形成によりシランカップリング層の表
面に他方のアルデヒド基を導入する。
ド化合物を含む処理液で処理して、シランカップリング
層のアミノ基とジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド
基とのシッフ塩基形成によりシランカップリング層の表
面に他方のアルデヒド基を導入する。
【００９８】一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物としては、 ｎ＝０の場合のオキザルアルデヒド １の場合のマロンアルデヒド ２の場合のスクシンアルデヒド ３の場合のグルタルアルデヒド ４の場合のアジピンアルデヒド が用いられる。特に安定性および反応性に優れたジアル
デヒド化合物は、グルタルアルデヒド（ｎ＝３）であ
る。
ジアルデヒド化合物としては、 ｎ＝０の場合のオキザルアルデヒド １の場合のマロンアルデヒド ２の場合のスクシンアルデヒド ３の場合のグルタルアルデヒド ４の場合のアジピンアルデヒド が用いられる。特に安定性および反応性に優れたジアル
デヒド化合物は、グルタルアルデヒド（ｎ＝３）であ
る。
【００９９】上記ジアルデヒド化合物を含む処理液によ
る具体的処理手段としては、表面にシランカップリング
層を有するプラスチック基板をジアルデヒド化合物の水
溶液中に浸漬する方法が一般的である。これにより、シ
ランカップリング層のアミノ基とジアルデヒド化合物の
一方のアルデヒド基とのシッフ塩基形成によりシランカ
ップリング層の表面に他方のアルデヒド基が導入され
る。
る具体的処理手段としては、表面にシランカップリング
層を有するプラスチック基板をジアルデヒド化合物の水
溶液中に浸漬する方法が一般的である。これにより、シ
ランカップリング層のアミノ基とジアルデヒド化合物の
一方のアルデヒド基とのシッフ塩基形成によりシランカ
ップリング層の表面に他方のアルデヒド基が導入され
る。
【０１００】処理液中のジアルデヒド化合物濃度として
は、濃厚なものの方が反応効率が良いが、溶解性を考慮
して１〜２０重量％が好ましい。
は、濃厚なものの方が反応効率が良いが、溶解性を考慮
して１〜２０重量％が好ましい。
【０１０１】処理液のｐＨとしては中性付近が好まし
く、ｐＨをリン酸緩衝液などの緩衝液を用いて６．８〜
７．０に維持することが望ましい。
く、ｐＨをリン酸緩衝液などの緩衝液を用いて６．８〜
７．０に維持することが望ましい。
【０１０２】シッフ塩基の形成反応は室温下で進行する
が、反応促進のため若干の加温は差し支えない。
が、反応促進のため若干の加温は差し支えない。
【０１０３】こうして、シランカップリング層の表面に
アルデヒド基を導入した後、このアルデヒド基を有する
プラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サッカ
ライド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリ
ング層のアルデヒド基と環状サッカライド誘導体のアミ
ノ基とのシッフ塩基の形成反応によりシランカップリン
グ層の表面に親水性有機物層を形成する。
アルデヒド基を導入した後、このアルデヒド基を有する
プラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サッカ
ライド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリ
ング層のアルデヒド基と環状サッカライド誘導体のアミ
ノ基とのシッフ塩基の形成反応によりシランカップリン
グ層の表面に親水性有機物層を形成する。
【０１０４】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０１０５】上記修飾液による具体的処理手段として
は、表面にアルデヒド基を有するプラスチック基板を該
修飾液中に浸漬し、液温を低温例えば０〜４℃に維持し
たまま反応終了まで同液を攪拌する方法が一般的であ
る。これにより、シランカップリング層のアルデヒド基
と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのシッフ塩基の
形成反応が生じ、シランカップリング層が親水性の環状
サッカライドによって修飾される。
は、表面にアルデヒド基を有するプラスチック基板を該
修飾液中に浸漬し、液温を低温例えば０〜４℃に維持し
たまま反応終了まで同液を攪拌する方法が一般的であ
る。これにより、シランカップリング層のアルデヒド基
と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのシッフ塩基の
形成反応が生じ、シランカップリング層が親水性の環状
サッカライドによって修飾される。
【０１０６】修飾液中の上記環状サッカライド誘導体の
濃度としては、濃厚なものの方が反応効率が良いが、溶
解性を考慮して１〜２０重量％が好ましい。
濃度としては、濃厚なものの方が反応効率が良いが、溶
解性を考慮して１〜２０重量％が好ましい。
【０１０７】処理液のｐＨとしては中性付近が好まし
く、ｐＨをリン酸緩衝液などの緩衝液を用いて６．０〜
７．０に維持することが望ましい。
く、ｐＨをリン酸緩衝液などの緩衝液を用いて６．０〜
７．０に維持することが望ましい。
【０１０８】シッフ塩基の形成反応は室温下で進行する
が、反応促進のため若干の加温は差し支えない。
が、反応促進のため若干の加温は差し支えない。
【０１０９】反応が終了したら、上記プラスチック基板
を液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧
定温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性
有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
を液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧
定温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性
有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
【０１１０】この時、さらにＮａＢＨ4 などの還元剤で
シッフ塩基の還元を行い、下記反応式に示すように、シ
ッフ塩基を安定な２級アミンに導くことも好ましい。
シッフ塩基の還元を行い、下記反応式に示すように、シ
ッフ塩基を安定な２級アミンに導くことも好ましい。
【０１１１】
【化１３】
【０１１２】つぎに、この発明による第５の方法につい
て説明する。
て説明する。
【０１１３】この発明による第５の方法は、第１の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、１級アミノ
基を有する環状サッカライド誘導体に 一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基を脱水縮合さ
せてなるシッフ塩基を含む修飾液で処理して、シランカ
ップリング層のアミノ基とシッフ塩基の他方のアルデヒ
ド誘導体のアミノ基とのシッフ塩基形成により表面に親
水性有機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方
法である。
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、１級アミノ
基を有する環状サッカライド誘導体に 一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基を脱水縮合さ
せてなるシッフ塩基を含む修飾液で処理して、シランカ
ップリング層のアミノ基とシッフ塩基の他方のアルデヒ
ド誘導体のアミノ基とのシッフ塩基形成により表面に親
水性有機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方
法である。
【０１１４】第５の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第１方法のものと同じである。
上述した第１方法のものと同じである。
【０１１５】第５の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【０１１６】シランカップリング層の表面を、１級アミ
ノ基を有する環状サッカライド誘導体に上記一般式で表
されるジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基とを脱
水縮合させてなるシッフ塩基を含む修飾液で処理する。
ノ基を有する環状サッカライド誘導体に上記一般式で表
されるジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基とを脱
水縮合させてなるシッフ塩基を含む修飾液で処理する。
【０１１７】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０１１８】また、ジアルデヒド化合物は、第４の方法
で例示したものを利用することができる。
で例示したものを利用することができる。
【０１１９】上記環状サッカライド誘導体の１級アミノ
基に上記ジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基を脱
水縮合させてシッフ塩基を形成する反応は、下記式で表
される。
基に上記ジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基を脱
水縮合させてシッフ塩基を形成する反応は、下記式で表
される。
【０１２０】
【化１４】
【０１２１】上記反応式によるシッフ塩基形成反応にお
いて、環状サッカライド誘導体およびジアルデヒド化合
物の濃度としては、濃厚なものの方が反応効率が良い
が、溶解性を考慮して１〜２０重量％が好ましい。
いて、環状サッカライド誘導体およびジアルデヒド化合
物の濃度としては、濃厚なものの方が反応効率が良い
が、溶解性を考慮して１〜２０重量％が好ましい。
【０１２２】処理液のｐＨとしては中性付近が好まし
く、ｐＨをリン酸緩衝液などの緩衝液を用いて６．０〜
７．０に維持することが望ましい。
く、ｐＨをリン酸緩衝液などの緩衝液を用いて６．０〜
７．０に維持することが望ましい。
【０１２３】シッフ塩基の形成反応は室温下で進行する
が、反応促進のため若干の加温は差し支えない。
が、反応促進のため若干の加温は差し支えない。
【０１２４】こうして得られた上記シッフ塩基を含む修
飾液で、表面にアミノ基を有するプラスチック基板を処
理して、シランカップリング層のアミノ基とシッフ塩基
の他方のアルデヒド基とのシッフ塩基形成により表面に
親水性有機物層を形成する。上記修飾液による具体的処
理手段としては、表面にアミノ基を有するプラスチック
基板を該修飾液中に浸漬する方法が一般的である。
飾液で、表面にアミノ基を有するプラスチック基板を処
理して、シランカップリング層のアミノ基とシッフ塩基
の他方のアルデヒド基とのシッフ塩基形成により表面に
親水性有機物層を形成する。上記修飾液による具体的処
理手段としては、表面にアミノ基を有するプラスチック
基板を該修飾液中に浸漬する方法が一般的である。
【０１２５】反応が終了したら、上記プラスチック基板
を液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧
定温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性
有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
を液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧
定温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性
有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
【０１２６】つぎに、この発明による第６の方法につい
て説明する。
て説明する。
【０１２７】この発明による第６の方法は、第１の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される不飽和カルボン酸を含む処理液で
処理して、シランカップリング層のアミノ基と脂肪族不
飽和カルボン酸のカルボキシル基とのアミド化反応によ
りシランカップリング層の表面にビニル基を導入し、ビ
ニル基のエポキシ基への酸化後、さらに、１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基と環状サッカラ
イド誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機
物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方法であ
る。
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される不飽和カルボン酸を含む処理液で
処理して、シランカップリング層のアミノ基と脂肪族不
飽和カルボン酸のカルボキシル基とのアミド化反応によ
りシランカップリング層の表面にビニル基を導入し、ビ
ニル基のエポキシ基への酸化後、さらに、１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基と環状サッカラ
イド誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機
物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方法であ
る。
【０１２８】第６の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第１方法のものと同じである。
上述した第１方法のものと同じである。
【０１２９】第６の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【０１３０】まず、表面にアミノ基を有するシランカッ
プリング層の表面を、ビニル基を有する脂肪族不飽和カ
ルボン酸を含む処理液で処理して、シランカップリング
層のアミノ基と脂肪族不飽和カルボン酸のカルボキシル
基とのアミド化反応によりシランカップリング層の表面
にビニル基を導入する。
プリング層の表面を、ビニル基を有する脂肪族不飽和カ
ルボン酸を含む処理液で処理して、シランカップリング
層のアミノ基と脂肪族不飽和カルボン酸のカルボキシル
基とのアミド化反応によりシランカップリング層の表面
にビニル基を導入する。
【０１３１】一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ で表される不飽和カルボン酸において、アルキレン基Ｒ
が大きすぎると反応後の組成物分子が嵩高くかつ配向の
調節が難しくなるため、Ｒとしては単結合または炭素数
１〜６のアルキレン基が好ましい。不飽和カルボン酸と
しては反応性の点からアクリル酸（Ｒ＝単結合）が好ま
しい。
が大きすぎると反応後の組成物分子が嵩高くかつ配向の
調節が難しくなるため、Ｒとしては単結合または炭素数
１〜６のアルキレン基が好ましい。不飽和カルボン酸と
しては反応性の点からアクリル酸（Ｒ＝単結合）が好ま
しい。
【０１３２】第６の方法の工程iii)は、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 ビニル基の酸化 環状サッカライド誘導体による表面修飾 および反応終了後の洗浄・乾燥、の５段階からなる。
【０１３３】カルボキシル基の活性化 アミド（ペプチド）結合を形成するために、カルボキシ
ル基活性化縮合剤として、ＤＭＦ、ＤＭＳＯやＴＨＦな
どの非水性溶媒が用いられるが、これらの無水溶液中に
カルボキシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩまたはＤ
ＣＣＤを投入し、ここに上記不飽和カルボン酸を添加
し、液温０〜４℃を維持しながら活性中間体が生成され
るまで反応液を２〜４時間激しく攪拌する。
ル基活性化縮合剤として、ＤＭＦ、ＤＭＳＯやＴＨＦな
どの非水性溶媒が用いられるが、これらの無水溶液中に
カルボキシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩまたはＤ
ＣＣＤを投入し、ここに上記不飽和カルボン酸を添加
し、液温０〜４℃を維持しながら活性中間体が生成され
るまで反応液を２〜４時間激しく攪拌する。
【０１３４】この場合、反応促進剤として、ＨＯＢｔや
ＨＯＯＢｔやＨＯＳｕを用いると、副生成物の生成が抑
えられ、反応収率が向上するので、反応促進剤の使用が
好ましい。
ＨＯＯＢｔやＨＯＳｕを用いると、副生成物の生成が抑
えられ、反応収率が向上するので、反応促進剤の使用が
好ましい。
【０１３５】アミド結合の形成 前段階で活性化された不飽和カルボン酸の溶液中に、シ
ランカップリング層を有するプラスチック基板を浸漬
し、液温を低温例えば０〜４℃に維持したまま反応終了
まで同液を攪拌する。
ランカップリング層を有するプラスチック基板を浸漬
し、液温を低温例えば０〜４℃に維持したまま反応終了
まで同液を攪拌する。
【０１３６】こうして、シランカップリング層の１級ア
ミノ基に、不飽和カルボン酸のカルボキシル基をアミド
結合させ、表面にビニル基を有するプラスチック基板を
得る。
ミノ基に、不飽和カルボン酸のカルボキシル基をアミド
結合させ、表面にビニル基を有するプラスチック基板を
得る。
【０１３７】ビニル基の酸化（エポキシ基の導入） 表面にビニル基を有するプラスチック基板のビニル基を
エポキシ基に酸化する。
エポキシ基に酸化する。
【０１３８】本段階での酸化剤としては、アルケンのエ
ポキシ化剤として一般に用いられる過酸を使用する。特
に比較的安定で常温で結晶のため取扱いが簡単な、ｍ−
クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を使用する。
ポキシ化剤として一般に用いられる過酸を使用する。特
に比較的安定で常温で結晶のため取扱いが簡単な、ｍ−
クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を使用する。
【０１３９】このとき、過酸のラジカル的分解を防ぐた
めに、例えば４，４' −チオビス−６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノールなどのラジカル阻止剤を共存させる
ことにより、ジクロロメタンなどの溶媒中で比較的高温
で反応を行うことが可能である。 具体的には、表面に
ビニル基を有するプラスチック基板を乾燥した後、無水
ジクロロメタン中でｍＣＰＢＡと氷冷下に反応終了まで
混合攪拌して、表面にエポキシ基を有するプラスチック
基板を得る。
めに、例えば４，４' −チオビス−６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノールなどのラジカル阻止剤を共存させる
ことにより、ジクロロメタンなどの溶媒中で比較的高温
で反応を行うことが可能である。 具体的には、表面に
ビニル基を有するプラスチック基板を乾燥した後、無水
ジクロロメタン中でｍＣＰＢＡと氷冷下に反応終了まで
混合攪拌して、表面にエポキシ基を有するプラスチック
基板を得る。
【０１４０】環状サッカライド誘導体による表面修飾 表面にエポキシ基を有するプラスチック基板を、つい
で、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含
む修飾液で処理して、シランカップリング層のエポキシ
基と環状サッカライド誘導体のアミノ基との反応により
表面に親水性有機物層を形成する。
で、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含
む修飾液で処理して、シランカップリング層のエポキシ
基と環状サッカライド誘導体のアミノ基との反応により
表面に親水性有機物層を形成する。
【０１４１】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０１４２】具体的には、表面にエポキシ基を有するプ
ラスチック基板を、５０℃程度に加温した１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
ラスチック基板を、５０℃程度に加温した１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
【０１４３】このとき、反応触媒として３級アミン（例
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
【０１４４】反応終了後の洗浄・乾燥は、第１の方法
と同様の操作によって行うことができる。こうして、外
表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得
られる。
と同様の操作によって行うことができる。こうして、外
表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得
られる。
【０１４５】つぎに、この発明による第７の方法につい
て説明する。
て説明する。
【０１４６】この発明による第７の方法は、第１の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される不飽和カルボン酸に１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体をアミド化反応させさ
らにそのビニル基をエポキシ基へ酸化してなるエポキシ
基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理
して、環状サッカライド誘導体のエポキシ基とシランカ
ップリング層のアミノ基との反応により表面に親水性有
機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方法であ
る。
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される不飽和カルボン酸に１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体をアミド化反応させさ
らにそのビニル基をエポキシ基へ酸化してなるエポキシ
基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理
して、環状サッカライド誘導体のエポキシ基とシランカ
ップリング層のアミノ基との反応により表面に親水性有
機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方法であ
る。
【０１４７】第７の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第１方法のものと同じである。
上述した第１方法のものと同じである。
【０１４８】第７の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【０１４９】シランカップリング層の表面を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される不飽和カルボン酸に１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体をアミド化反応させさ
らにそのビニル基をエポキシ基へ酸化してなるエポキシ
基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理
する。
である。）で表される不飽和カルボン酸に１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体をアミド化反応させさ
らにそのビニル基をエポキシ基へ酸化してなるエポキシ
基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理
する。
【０１５０】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０１５１】一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ で表される不飽和カルボン酸において、アルキレン基Ｒ
が大きすぎると反応後の組成物分子が嵩高くかつ配向の
調節が難しくなるため、Ｒとしては単結合または炭素数
１〜６のアルキレン基が好ましい。不飽和カルボン酸と
しては反応性の点からアクリル酸（Ｒ＝単結合）が好ま
しい。
が大きすぎると反応後の組成物分子が嵩高くかつ配向の
調節が難しくなるため、Ｒとしては単結合または炭素数
１〜６のアルキレン基が好ましい。不飽和カルボン酸と
しては反応性の点からアクリル酸（Ｒ＝単結合）が好ま
しい。
【０１５２】第７の方法の工程iii)は、 カルボキシル基の活性化、 アミド結合の形成、 ビニル基の酸化 環状サッカライド誘導体による表面修飾 および反応終了後の洗浄・乾燥、の５段階からなる。
【０１５３】カルボキシル基の活性化 アミド化反応を効率よく行うために、上記不飽和カルボ
ン酸のカルボキシル基を活性化する。
ン酸のカルボキシル基を活性化する。
【０１５４】まず、緩衝液として０．１Ｎ−ＭＥＳ（２
−（Ｎ−モルフォリノ）エタンスルホン酸）水溶液を調
製し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．
２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維持する。こ
の緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮合剤としてＷＳ
ＣＩと、上記不飽和カルボン酸とを添加し、ＮａＯＨ水
溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に、液
温を０〜４℃にそれぞれ維持しながら、活性中間体が生
成するまで、混合液を２〜４時間激しく攪拌する。
−（Ｎ−モルフォリノ）エタンスルホン酸）水溶液を調
製し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．
２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞれ維持する。こ
の緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮合剤としてＷＳ
ＣＩと、上記不飽和カルボン酸とを添加し、ＮａＯＨ水
溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に、液
温を０〜４℃にそれぞれ維持しながら、活性中間体が生
成するまで、混合液を２〜４時間激しく攪拌する。
【０１５５】反応促進剤として、ＨＯＢｔやＨＯＯＢｔ
やＨＯＳｕを用いると、副生成物の生成が抑えられ、反
応収率が向上するので、反応促進剤の使用が好ましい。
やＨＯＳｕを用いると、副生成物の生成が抑えられ、反
応収率が向上するので、反応促進剤の使用が好ましい。
【０１５６】アミド結合の形成 前段階で活性化された不飽和カルボン酸に、１級アミノ
基を有する環状サッカライド誘導体を反応させて、ビニ
ル基を有する環状サッカロイド誘導体を得る。アミド化
反応は、具体的には、活性化された不飽和カルボン酸
に、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を、
前者：後者＝２：３のモル比で混合し、ＮａＯＨ水溶液
およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に、液温を
０〜４℃にそれぞれ維持しながら、反応完了まで混合物
を撹拌する。
基を有する環状サッカライド誘導体を反応させて、ビニ
ル基を有する環状サッカロイド誘導体を得る。アミド化
反応は、具体的には、活性化された不飽和カルボン酸
に、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を、
前者：後者＝２：３のモル比で混合し、ＮａＯＨ水溶液
およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に、液温を
０〜４℃にそれぞれ維持しながら、反応完了まで混合物
を撹拌する。
【０１５７】ビニル基の酸化（エポキシ基の導入） 前段階で得られたビニル基を有する環状サッカロイド誘
導体のビニル基をエポキシ基に酸化する。
導体のビニル基をエポキシ基に酸化する。
【０１５８】本段階での酸化剤としては、アルケンのエ
ポキシ化剤として一般に用いられる過酸を使用する。特
に比較的安定で常温で結晶のため取扱いが簡単な、ｍ−
クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を使用する。
ポキシ化剤として一般に用いられる過酸を使用する。特
に比較的安定で常温で結晶のため取扱いが簡単な、ｍ−
クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を使用する。
【０１５９】このとき、過酸のラジカル的分解を防ぐた
めに、例えば４，４' −チオビス−６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノールなどのラジカル阻止剤を共存させる
ことにより、ジクロロメタンなどの溶媒中で比較的高温
で反応を行うことが可能である。 具体的には、ビニル
基を有する環状サッカロイド誘導体を乾燥した後、無水
ジクロロメタン中でｍＣＰＢＡと氷冷下に反応終了まで
混合攪拌して、エポキシ基を有する環状サッカライド誘
導体を得る。
めに、例えば４，４' −チオビス−６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノールなどのラジカル阻止剤を共存させる
ことにより、ジクロロメタンなどの溶媒中で比較的高温
で反応を行うことが可能である。 具体的には、ビニル
基を有する環状サッカロイド誘導体を乾燥した後、無水
ジクロロメタン中でｍＣＰＢＡと氷冷下に反応終了まで
混合攪拌して、エポキシ基を有する環状サッカライド誘
導体を得る。
【０１６０】環状サッカライド誘導体による表面修飾 ついで、表面に１級アミノ基を有するプラスチック基板
を、エポキシ基を有する環状サッカライド誘導体を含む
修飾液で処理して、シランカップリング層のアミノ基と
環状サッカライド誘導体のエポキシ基との反応により表
面に親水性有機物層を形成する。
を、エポキシ基を有する環状サッカライド誘導体を含む
修飾液で処理して、シランカップリング層のアミノ基と
環状サッカライド誘導体のエポキシ基との反応により表
面に親水性有機物層を形成する。
【０１６１】具体的には、表面に１級アミノ基を有する
プラスチック基板を、５０℃程度に加温したエポキシ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
プラスチック基板を、５０℃程度に加温したエポキシ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
【０１６２】このとき、反応触媒として３級アミン（例
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
【０１６３】反応終了後の洗浄・乾燥は、第１の方法
と同様の操作によって行うことができる。こうして、外
表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得
られる。
と同様の操作によって行うことができる。こうして、外
表面に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得
られる。
【０１６４】つぎに、この発明による第８の方法につい
て説明する。
て説明する。
【０１６５】この発明による第８の方法は、第１の方法
における工程ｉ) の操作の後、工程ii）において、金属
酸化物層の表面に、 一般式
における工程ｉ) の操作の後、工程ii）において、金属
酸化物層の表面に、 一般式
【０１６６】
【化１５】
【０１６７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一ま
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｙは末
端にエポキシ基を有する低級アルキル基である。）で表
されるシラン化合物を含む液を塗布してシランカップリ
ング層を形成し、工程iii)において、シランカップリン
グ層の表面を、１級アミノ基を有する環状サッカライド
誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリング層
のエポキシ基と１級アミノ基を有する環状サッカライド
誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機物層
を形成する、防曇性プラスチックの製造方法である。
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｙは末
端にエポキシ基を有する低級アルキル基である。）で表
されるシラン化合物を含む液を塗布してシランカップリ
ング層を形成し、工程iii)において、シランカップリン
グ層の表面を、１級アミノ基を有する環状サッカライド
誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリング層
のエポキシ基と１級アミノ基を有する環状サッカライド
誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機物層
を形成する、防曇性プラスチックの製造方法である。
【０１６８】第８の方法の工程ｉ) は、上述した第１の
方法のものと同じである。
方法のものと同じである。
【０１６９】第８の方法の工程ii) は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【０１７０】工程ｉ）で形成した金属酸化物層の表面
に、ついで、上記シラン化合物を含むシランカップリン
グ剤液を塗布する。
に、ついで、上記シラン化合物を含むシランカップリン
グ剤液を塗布する。
【０１７１】上記シラン化合物の置換基Ｒ1 、Ｒ2 およ
びＲ3 は、同一または異なり、ハロゲン原子、アミノ
基、低級アルコキシ基、低級アルキル基またはフェニル
基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なく
とも１つはハロゲン原子、アミノ基または低級アルコキ
シ基である。Ｙは末端にエポキシ基を有する低級アルキ
ル基である。
びＲ3 は、同一または異なり、ハロゲン原子、アミノ
基、低級アルコキシ基、低級アルキル基またはフェニル
基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なく
とも１つはハロゲン原子、アミノ基または低級アルコキ
シ基である。Ｙは末端にエポキシ基を有する低級アルキ
ル基である。
【０１７２】シラン化合物は、上記のごとくハロゲン原
子、アミノ基または低級アルコキシ基を少なくとも１つ
有する。シラン化合物のハロゲン原子、アミノ基または
低級アルコキシ基は、保存中の自己重合を防ぎ、かつ加
水分解基として作用する。加水分解によって生じたシラ
ノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）は、上記金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分と結合する。
子、アミノ基または低級アルコキシ基を少なくとも１つ
有する。シラン化合物のハロゲン原子、アミノ基または
低級アルコキシ基は、保存中の自己重合を防ぎ、かつ加
水分解基として作用する。加水分解によって生じたシラ
ノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）は、上記金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分と結合する。
【０１７３】低級アルコキシ基としては、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシなどの炭素数５以下のアルコキシ基
が例示される。
トキシ、プロポキシなどの炭素数５以下のアルコキシ基
が例示される。
【０１７４】Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＹとしての低級ア
ルキル基は、好ましくは、メチル、エチル、プロピルな
どの炭素数６以下のアルキル基である。
ルキル基は、好ましくは、メチル、エチル、プロピルな
どの炭素数６以下のアルキル基である。
【０１７５】Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 として低級アルキル
基またはフェニル基を導入することにより、末端にエポ
キシ基を有する低級アルキル基Ｙの、金属酸化物層に対
する配向を調整することができる。Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ
3 としての低級アルキル基の炭素数が６を越えると、加
水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 と金属酸化物層のＳｉ−
Ｏ部分との結合反応が抑制されるので、Ｒ1 、Ｒ2 およ
びＲ3 は炭素数６以下の低級アルキル基もしくはフェニ
ル基であることが好ましい。
基またはフェニル基を導入することにより、末端にエポ
キシ基を有する低級アルキル基Ｙの、金属酸化物層に対
する配向を調整することができる。Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ
3 としての低級アルキル基の炭素数が６を越えると、加
水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 と金属酸化物層のＳｉ−
Ｏ部分との結合反応が抑制されるので、Ｒ1 、Ｒ2 およ
びＲ3 は炭素数６以下の低級アルキル基もしくはフェニ
ル基であることが好ましい。
【０１７６】シラン化合物の例としては、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
エチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジ
フェニルクロロシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
クロロシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
エチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルジ
フェニルクロロシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
クロロシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【０１７７】シラン化合物を塗布する方法としては、第
１の方法と同様に行うことができる。
１の方法と同様に行うことができる。
【０１７８】第８の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【０１７９】この工程では、シランカップリング層の表
面を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を
含む修飾液で処理して、シランカップリング層のエポキ
シ基と１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体の
アミノ基との反応により表面に親水性有機物層を形成す
る。
面を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を
含む修飾液で処理して、シランカップリング層のエポキ
シ基と１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体の
アミノ基との反応により表面に親水性有機物層を形成す
る。
【０１８０】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０１８１】具体的には、表面にエポキシ基を有するプ
ラスチック基板を、５０℃程度に加温した１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
ラスチック基板を、５０℃程度に加温した１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
【０１８２】このとき、反応触媒として３級アミン（例
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
【０１８３】反応が終了したら上記プラスチック基板を
液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定
温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有
機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定
温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有
機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
【０１８４】つぎに、この発明による第９の方法につい
て説明する。
て説明する。
【０１８５】この発明による第９の方法は、第８の方法
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物を含む修飾液で処理して、シ
ランカップリング層のエポキシ基と１級アミン化合物の
アミノ基との反応により表面に親水性有機物層を形成す
る、防曇性プラスチックの製造方法である。
における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程iii)
において、シランカップリング層の表面を、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物を含む修飾液で処理して、シ
ランカップリング層のエポキシ基と１級アミン化合物の
アミノ基との反応により表面に親水性有機物層を形成す
る、防曇性プラスチックの製造方法である。
【０１８６】第９の方法の工程ｉ) および工程ii) は、
上述した第８の方法のものと同じである。
上述した第８の方法のものと同じである。
【０１８７】第９の方法の工程iii)は、つぎのとおりで
ある。
ある。
【０１８８】この工程では、シランカップリング層の表
面を、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物を含む修飾液で処理する。
面を、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物を含む修飾液で処理する。
【０１８９】一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物は、グルコサミンおよびその
塩類、ガラクトサミンおよびその塩類、マンノサミンお
よびその塩類、コンドロイシン、２−アミノ−２−ヒド
ロキシメチル−１，３−プロピレンジオール、アミノグ
アニジンおよびその塩類、アミノエタンスルホン酸（タ
ウリン）、グリシン、グルタミン酸、アルギニン、セリ
ン、スレオニンなどのように、一分子中に１級アミノ基
と親水性官能基部分を有する低分子化合物の総称であ
る。
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物は、グルコサミンおよびその
塩類、ガラクトサミンおよびその塩類、マンノサミンお
よびその塩類、コンドロイシン、２−アミノ−２−ヒド
ロキシメチル−１，３−プロピレンジオール、アミノグ
アニジンおよびその塩類、アミノエタンスルホン酸（タ
ウリン）、グリシン、グルタミン酸、アルギニン、セリ
ン、スレオニンなどのように、一分子中に１級アミノ基
と親水性官能基部分を有する低分子化合物の総称であ
る。
【０１９０】具体的には、表面にエポキシ基を有するプ
ラスチック基板を、５０〜７０℃程度に加温した１級ア
ミノ基を有する上記アミン誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
ラスチック基板を、５０〜７０℃程度に加温した１級ア
ミノ基を有する上記アミン誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
【０１９１】修飾液のｐＨは、１級アミン化合物の反応
性が最も向上するｐＨ９程度のアルカリ性に水酸化ナト
リウムなどを用いてあらかじめ調整し、１級アミンを塩
酸塩などから遊離した状態にしておくのが好ましい。
性が最も向上するｐＨ９程度のアルカリ性に水酸化ナト
リウムなどを用いてあらかじめ調整し、１級アミンを塩
酸塩などから遊離した状態にしておくのが好ましい。
【０１９２】このとき、反応触媒として３級アミン（例
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
【０１９３】反応が終了したら上記プラスチック基板を
液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定
温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有
機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定
温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有
機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
【０１９４】つぎに、この発明による第１０の方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【０１９５】この発明による第１０の方法は、第１の方
法の工程i)の後、工程ii) において金属酸化物層の表面
を、 一般式
法の工程i)の後、工程ii) において金属酸化物層の表面
を、 一般式
【０１９６】
【化１６】
【０１９７】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一ま
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｙは末
端にエポキシ基を有する低級アルキル基である。）で表
されるシラン化合物と、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物との反応物を含む修飾液で処
理して、表面に親水性有機物層を形成する工程からな
る、防曇性プラスチックの製造方法である。
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｙは末
端にエポキシ基を有する低級アルキル基である。）で表
されるシラン化合物と、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物との反応物を含む修飾液で処
理して、表面に親水性有機物層を形成する工程からな
る、防曇性プラスチックの製造方法である。
【０１９８】第１０の方法の工程ｉ) は、上述した第１
の方法のものと同じである。
の方法のものと同じである。
【０１９９】第１０の方法の工程ii) は、つぎのとおり
である。
である。
【０２００】上記シラン化合物は、第８の方法で例示し
たものを利用することができる。
たものを利用することができる。
【０２０１】一方、一般式 Ａ−ＮＨ2 で表される１級アミン化合物は、第９の方法で例示した
ものを利用することができる。
ものを利用することができる。
【０２０２】シラン化合物と１級アミン化合物との反応
物を含む修飾液を調製するには、つぎのようにする。
物を含む修飾液を調製するには、つぎのようにする。
【０２０３】適当な濃度のシラン化合物と１級アミン誘
導体とを含む溶液を５０〜７０℃程度に加温しながら攪
拌して、シラン化合物と１級アミン誘導体を結合させ
る。上記溶液の溶媒としては、例えば、水、エタノー
ル、メタノール、キシレンなど、ケト基を持たない各種
溶媒が使用できる。ただし、ケト基を有するアセトンや
メチルエチルケトンはアミンと反応してケチミンを生成
するため使用できない。そして、溶媒は、使用するプラ
スチック基板の耐溶剤性、シラン化合物の加水分解基Ｒ
1 、Ｒ2 およびＲ3 の加水分解のしやすさ、およびシラ
ン化合物の自己重合遅延の観点から、シラン化合物の性
質に応じて最適のものを選択する。
導体とを含む溶液を５０〜７０℃程度に加温しながら攪
拌して、シラン化合物と１級アミン誘導体を結合させ
る。上記溶液の溶媒としては、例えば、水、エタノー
ル、メタノール、キシレンなど、ケト基を持たない各種
溶媒が使用できる。ただし、ケト基を有するアセトンや
メチルエチルケトンはアミンと反応してケチミンを生成
するため使用できない。そして、溶媒は、使用するプラ
スチック基板の耐溶剤性、シラン化合物の加水分解基Ｒ
1 、Ｒ2 およびＲ3 の加水分解のしやすさ、およびシラ
ン化合物の自己重合遅延の観点から、シラン化合物の性
質に応じて最適のものを選択する。
【０２０４】上記反応物を含む溶液、すなわち修飾液の
ｐＨは、１級アミン化合物の反応性が最も向上するｐＨ
９程度のアルカリ性に水酸化ナトリウムなどを用いてあ
らかじめ調整し、１級アミンを塩酸塩などから遊離した
状態にしておくのが好ましい。
ｐＨは、１級アミン化合物の反応性が最も向上するｐＨ
９程度のアルカリ性に水酸化ナトリウムなどを用いてあ
らかじめ調整し、１級アミンを塩酸塩などから遊離した
状態にしておくのが好ましい。
【０２０５】このとき、反応触媒として３級アミン（例
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
【０２０６】シラン化合物と１級アミン化合物との反応
物を含む修飾液の塗布は、つぎのように行う。
物を含む修飾液の塗布は、つぎのように行う。
【０２０７】プラスチック基板に修飾液を塗布する方法
としては、単純な刷毛塗りのほか、ディッピング法、ス
ピンコーティング、スプレー法なども有効である。
としては、単純な刷毛塗りのほか、ディッピング法、ス
ピンコーティング、スプレー法なども有効である。
【０２０８】修飾液は希釈しないで使用してもよいが、
膜厚を薄くかつ均一に塗布するために、これを適当な溶
媒（例えば、水、エタノール、メタノール、ベンゼン、
ヘキサン、トルエンなど）で任意の濃度に希釈して使用
しても構わない。
膜厚を薄くかつ均一に塗布するために、これを適当な溶
媒（例えば、水、エタノール、メタノール、ベンゼン、
ヘキサン、トルエンなど）で任意の濃度に希釈して使用
しても構わない。
【０２０９】希釈溶媒は、使用するプラスチック基板の
耐溶剤性、シラン化合物の加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3
の加水分解のしやすさ、およびシラン化合物の自己重合
遅延の観点から、シラン化合物の性質に応じて最適のも
のを選択する。
耐溶剤性、シラン化合物の加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3
の加水分解のしやすさ、およびシラン化合物の自己重合
遅延の観点から、シラン化合物の性質に応じて最適のも
のを選択する。
【０２１０】修飾液塗布後の膜の硬化および基板と膜と
の結合をより一層強化にするため乾燥を行う。
の結合をより一層強化にするため乾燥を行う。
【０２１１】乾燥は、加熱乾燥や若干加熱しながらの減
圧乾燥によって行う。修飾液塗布直後は多量の溶剤成分
が残存しているため、乾燥工程に先立って風乾（例えば
エタノールを用いた場合、室温であれば１時間程度）を
行う。
圧乾燥によって行う。修飾液塗布直後は多量の溶剤成分
が残存しているため、乾燥工程に先立って風乾（例えば
エタノールを用いた場合、室温であれば１時間程度）を
行う。
【０２１２】乾燥は、基板となるプラスチックの耐熱性
も考慮し室温から上限はプラスチック基材の耐熱温度ま
での温度範囲で行うのがよい。
も考慮し室温から上限はプラスチック基材の耐熱温度ま
での温度範囲で行うのがよい。
【０２１３】必要乾燥処理時間は乾燥温度によるが、例
えばポリカーボネートを基板に用いた場合、１１０℃で
１０分程度で十分である。
えばポリカーボネートを基板に用いた場合、１１０℃で
１０分程度で十分である。
【０２１４】あまり高い温度で加熱できないときは処理
時間を長くする。例えばポリエチレンを基板に用いた場
合４０℃で少なくとも１昼夜程度この温度を保つ。
時間を長くする。例えばポリエチレンを基板に用いた場
合４０℃で少なくとも１昼夜程度この温度を保つ。
【０２１５】熱処理を減圧雰囲気中で行う方法を併用す
れば、乾燥処理にかける時間を短縮することが可能であ
る。
れば、乾燥処理にかける時間を短縮することが可能であ
る。
【０２１６】反応が終了したら上記プラスチック基板を
液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定
温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有
機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
液から取り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定
温乾燥器中で乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有
機物層を備えた防曇性プラスチックが得られる。
【０２１７】つぎに、この発明による第１１の方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【０２１８】この発明による第１１の方法は、第１の方
法における工程ｉ) の操作の後、工程ii）において、金
属酸化物層の表面に、 一般式
法における工程ｉ) の操作の後、工程ii）において、金
属酸化物層の表面に、 一般式
【０２１９】
【化１７】
【０２２０】（式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一ま
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｚは末
端にビニル基を有する低級アルキル基である。）で表さ
れるシラン化合物を含む液を塗布してシランカップリン
グ層を形成する工程と、 iii) シランカップリング層のビニル基をエポキシ基へ
酸化する工程と、 iv) シランカップリング層の表面を、１級アミノ基を
有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基とサッカライド
誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機物層
を形成する工程とからなる、防曇性プラスチックの製造
方法である。
たは異なり、ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ
基、低級アルキル基またはフェニル基である。ただし、
Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン
原子、アミノ基または低級アルコキシ基である。Ｚは末
端にビニル基を有する低級アルキル基である。）で表さ
れるシラン化合物を含む液を塗布してシランカップリン
グ層を形成する工程と、 iii) シランカップリング層のビニル基をエポキシ基へ
酸化する工程と、 iv) シランカップリング層の表面を、１級アミノ基を
有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基とサッカライド
誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機物層
を形成する工程とからなる、防曇性プラスチックの製造
方法である。
【０２２１】第１１の方法の工程ｉ) は、上述した第１
方法のものと同じである。
方法のものと同じである。
【０２２２】第１１の方法の工程ii) は、つぎのとおり
である。
である。
【０２２３】シランカップリング剤液の塗布 工程ｉ）で形成した金属酸化物層の表面に、上記シラン
化合物を含むシランカップリング剤液を塗布する。
化合物を含むシランカップリング剤液を塗布する。
【０２２４】上記シラン化合物の置換基Ｒ1 、Ｒ2 およ
びＲ3 は、同一または異なり、ハロゲン原子、アミノ
基、低級アルコキシ基、低級アルキル基またはフェニル
基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なく
とも１つはハロゲン原子、アミノ基または低級アルコキ
シ基である。Ｚは末端にビニル基を有する低級アルキル
基である。
びＲ3 は、同一または異なり、ハロゲン原子、アミノ
基、低級アルコキシ基、低級アルキル基またはフェニル
基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 のうち少なく
とも１つはハロゲン原子、アミノ基または低級アルコキ
シ基である。Ｚは末端にビニル基を有する低級アルキル
基である。
【０２２５】シラン化合物は、上記のごとくハロゲン原
子、アミノ基または低級アルコキシ基を少なくとも１つ
有する。シラン化合物のハロゲン原子、アミノ基または
低級アルコキシ基は、保存中の自己重合を防ぎ、かつ加
水分解基として作用する。加水分解によって生じたシラ
ノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）は、上記金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分と結合する。
子、アミノ基または低級アルコキシ基を少なくとも１つ
有する。シラン化合物のハロゲン原子、アミノ基または
低級アルコキシ基は、保存中の自己重合を防ぎ、かつ加
水分解基として作用する。加水分解によって生じたシラ
ノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）は、上記金属酸化物層のＳｉ
−Ｏ部分と結合する。
【０２２６】低級アルコキシ基としては、メトキシ、エ
トキシ、プロポキシなどの炭素数５以下のアルコキシ基
が例示される。
トキシ、プロポキシなどの炭素数５以下のアルコキシ基
が例示される。
【０２２７】Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 およびＺとしての低級ア
ルキル基は、好ましくは、メチル、エチル、プロピルな
どの炭素数６以下のアルキル基である。
ルキル基は、好ましくは、メチル、エチル、プロピルな
どの炭素数６以下のアルキル基である。
【０２２８】Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 として低級アルキル
基またはフェニル基を導入することにより、末端にビニ
ル基を有する低級アルキル基Ｚの、金属酸化物層に対す
る配向を調整することができる。Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3
としての低級アルキル基の炭素数が６を越えると、加水
分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 と金属酸化物層のＳｉ−Ｏ
部分との結合反応が抑制されるので、Ｒ1 、Ｒ2 および
Ｒ3 は炭素数６以下の低級アルキル基もしくはフェニル
基であることが好ましい。
基またはフェニル基を導入することにより、末端にビニ
ル基を有する低級アルキル基Ｚの、金属酸化物層に対す
る配向を調整することができる。Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3
としての低級アルキル基の炭素数が６を越えると、加水
分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 と金属酸化物層のＳｉ−Ｏ
部分との結合反応が抑制されるので、Ｒ1 、Ｒ2 および
Ｒ3 は炭素数６以下の低級アルキル基もしくはフェニル
基であることが好ましい。
【０２２９】シラン化合物の例としては、ビニルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ
クロロシラン、ビニルトリ（β−メトキシエトキシ）シ
ランなどが挙げられる。
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ
クロロシラン、ビニルトリ（β−メトキシエトキシ）シ
ランなどが挙げられる。
【０２３０】シラン化合物を塗布する方法としては、単
純な刷毛塗りはもとより、ディッピング法、スピンコー
ティング法、スプレー法なども有効である。
純な刷毛塗りはもとより、ディッピング法、スピンコー
ティング法、スプレー法なども有効である。
【０２３１】シランカップリング剤液の塗布に当たり、
シラン化合物は希釈しないで原液のままで使用してもよ
いが、層厚を薄くかつ均一に塗布するには、これを適当
な溶媒（例えば、水、エタノール、メタノール、ベンゼ
ン、ヘキサン、トルエンなど）で任意の濃度に希釈して
使用するのがよい。希釈溶媒としては、シラン化合物の
加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 の加水分解のしやす
さ、およびシラン化合物の自己重合遅延の観点から、シ
ラン化合物の性質に応じて最適のものを選択する。
シラン化合物は希釈しないで原液のままで使用してもよ
いが、層厚を薄くかつ均一に塗布するには、これを適当
な溶媒（例えば、水、エタノール、メタノール、ベンゼ
ン、ヘキサン、トルエンなど）で任意の濃度に希釈して
使用するのがよい。希釈溶媒としては、シラン化合物の
加水分解基Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 の加水分解のしやす
さ、およびシラン化合物の自己重合遅延の観点から、シ
ラン化合物の性質に応じて最適のものを選択する。
【０２３２】塗布後の乾燥 シランカップリング剤液の塗布後、シランカップリング
層を固化し、かつシラン化合物をＳｉＯx に強固に結合
させるために、シランカップリング層の乾燥を行う。
層を固化し、かつシラン化合物をＳｉＯx に強固に結合
させるために、シランカップリング層の乾燥を行う。
【０２３３】乾燥は、加熱乾燥や若干加熱しながらの減
圧乾燥によって行う。シラン化合物塗布直後は多量の溶
剤成分が残存しているため、乾燥工程に先立って風乾を
行うのがよい。例えば希釈溶媒としてエタノールを用い
た場合、室温であれば約１時間風乾を行う。乾燥温度
は、基板となるプラスチックの耐熱性も考慮して、下限
は室温から上限はプラスチック基板の耐熱温度までの範
囲で適宜設定される。乾燥時間は乾燥温度によるが、例
えばポリカーボネートからなる基板の場合、乾燥温度１
１０℃で１０分程度の処理で充分である。あまり高い温
度での乾燥ができない場合は処理時間を長くする。例え
ばポリエチレンからなる基板の場合、乾燥温度４０℃で
少なくとも１昼夜程度その温度を保つ。熱処理を減圧雰
囲気中で行うと、乾燥工程にかける時間を短縮すること
が可能である。
圧乾燥によって行う。シラン化合物塗布直後は多量の溶
剤成分が残存しているため、乾燥工程に先立って風乾を
行うのがよい。例えば希釈溶媒としてエタノールを用い
た場合、室温であれば約１時間風乾を行う。乾燥温度
は、基板となるプラスチックの耐熱性も考慮して、下限
は室温から上限はプラスチック基板の耐熱温度までの範
囲で適宜設定される。乾燥時間は乾燥温度によるが、例
えばポリカーボネートからなる基板の場合、乾燥温度１
１０℃で１０分程度の処理で充分である。あまり高い温
度での乾燥ができない場合は処理時間を長くする。例え
ばポリエチレンからなる基板の場合、乾燥温度４０℃で
少なくとも１昼夜程度その温度を保つ。熱処理を減圧雰
囲気中で行うと、乾燥工程にかける時間を短縮すること
が可能である。
【０２３４】ビニル基の酸化（エポキシ基の導入）
は、第６の方法と同様の操作で行うことができる。
は、第６の方法と同様の操作で行うことができる。
【０２３５】具体的には、ビニル基を有するプラスチッ
ク基板を乾燥した後、無水ジクロロメタン中でｍＣＰＢ
Ａと氷冷下に反応終了まで混合攪拌して、表面にエポキ
シ基を有するプラスチック基板を得る。
ク基板を乾燥した後、無水ジクロロメタン中でｍＣＰＢ
Ａと氷冷下に反応終了まで混合攪拌して、表面にエポキ
シ基を有するプラスチック基板を得る。
【０２３６】環状サッカライド誘導体による表面修飾 ついで、表面にエポキシ基を有するプラスチック基板
を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含
む修飾液で処理して、シランカップリング層のエポキシ
基と環状サッカライド誘導体のアミノ基との反応により
表面に親水性有機物層を形成する。
を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含
む修飾液で処理して、シランカップリング層のエポキシ
基と環状サッカライド誘導体のアミノ基との反応により
表面に親水性有機物層を形成する。
【０２３７】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０２３８】具体的には、表面にエポキシ基を有するプ
ラスチック基板を、５０℃程度に加温した１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
ラスチック基板を、５０℃程度に加温した１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液に浸漬
し、加温しながら攪拌する。修飾液の溶媒としては、例
えば、水、エタノール、メタノール、キシレンなど、ケ
ト基を持たない各種溶媒が使用できる。ただし、ケト基
を有するアセトンやメチルエチルケトンはアミンと反応
してケチミンを生成するため使用できない。
【０２３９】このとき、反応触媒として３級アミン（例
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
えば、トリ−（ジメチルアミノメチル）フェノールな
ど）を若干量添加することも、反応性向上のために好ま
しい。
【０２４０】反応終了後の洗浄・乾燥 反応が終了したら上記プラスチック基板を液から取り出
し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で
乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有機物層を備え
た防曇性プラスチックが得られる。
し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で
乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有機物層を備え
た防曇性プラスチックが得られる。
【０２４１】つぎに、この発明による第１２の方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【０２４２】この発明による第１２の方法は、第１１の
方法における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程
iii)において、シランカップリング層のビニル基をカル
ボキシル基へ酸化し、工程iv) において、シランカップ
リング層の表面を、１級アミノ基を有する環状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリン
グ層のカルボキシル基とサッカライド誘導体のアミノ基
とのアミド化反応により表面に親水性有機物層を形成す
る、防曇性プラスチックの製造方法である。
方法における工程ｉ) および工程ii) の操作の後、工程
iii)において、シランカップリング層のビニル基をカル
ボキシル基へ酸化し、工程iv) において、シランカップ
リング層の表面を、１級アミノ基を有する環状サッカラ
イド誘導体を含む修飾液で処理して、シランカップリン
グ層のカルボキシル基とサッカライド誘導体のアミノ基
とのアミド化反応により表面に親水性有機物層を形成す
る、防曇性プラスチックの製造方法である。
【０２４３】第１２の方法の工程i)およびii) は第１１
の方法のものと同じである。
の方法のものと同じである。
【０２４４】第１２の方法の工程iii)のビニル基の酸化
（カルボキシル基の導入）はつぎのように行う。
（カルボキシル基の導入）はつぎのように行う。
【０２４５】前段階で得られたビニル基を有するシラン
カップリング層のビニル基をカルボキシル基に酸化す
る。
カップリング層のビニル基をカルボキシル基に酸化す
る。
【０２４６】本段階での酸化は、アルカリ性過マンガン
酸酸化もしくは四酸化オスミウム酸化、および水酸基に
酸化されてからの硫酸−ピリジン酸化処理など各種一般
的な酸化処理法により行われる。
酸酸化もしくは四酸化オスミウム酸化、および水酸基に
酸化されてからの硫酸−ピリジン酸化処理など各種一般
的な酸化処理法により行われる。
【０２４７】第１２の方法の工程iv) はつぎのように行
う。
う。
【０２４８】カルボキシル基の活性化 アミド化反応を効率よく行うために、シランカップリン
グ層のカルボキシル基を活性化する。
グ層のカルボキシル基を活性化する。
【０２４９】第１の方法と同様の操作で調製された緩衝
液に、カルボキシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩを
添加し、ここに、表面にカルボキシル基を有するプラス
チック基板を浸漬し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶
液でｐＨを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞ
れ維持しながら、活性中間体が生成するまで、混合液を
２〜４時間激しく攪拌する。
液に、カルボキシル基の活性化縮合剤としてＷＳＣＩを
添加し、ここに、表面にカルボキシル基を有するプラス
チック基板を浸漬し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶
液でｐＨを４．２〜５．０に、液温を０〜４℃にそれぞ
れ維持しながら、活性中間体が生成するまで、混合液を
２〜４時間激しく攪拌する。
【０２５０】反応促進剤として、ＨＯＢｔやＨＯＯＢｔ
やＨＯＳｕを用いると、副生成物の生成が抑えられ、反
応収率が向上するので、反応促進剤の使用が好ましい。
やＨＯＳｕを用いると、副生成物の生成が抑えられ、反
応収率が向上するので、反応促進剤の使用が好ましい。
【０２５１】環状サッカライド誘導体による表面修飾 ついで、表面にカルボキシル基を有するプラスチック基
板を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を
含む修飾液で処理して、シランカップリング層のカルボ
キシル基と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのアミ
ド化反応により表面に水溶性有機物層を形成する。
板を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を
含む修飾液で処理して、シランカップリング層のカルボ
キシル基と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのアミ
ド化反応により表面に水溶性有機物層を形成する。
【０２５２】１級アミノ基を有する環状サッカライド誘
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
導体は、第２の方法で例示したものを利用することがで
きる。
【０２５３】具体的には、表面にカルボキシル基を有す
るプラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サッ
カライド誘導体を含む修飾液に浸漬し、温度を０〜４℃
に維持したまま反応終了まで攪拌する。
るプラスチック基板を、１級アミノ基を有する環状サッ
カライド誘導体を含む修飾液に浸漬し、温度を０〜４℃
に維持したまま反応終了まで攪拌する。
【０２５４】反応終了後の洗浄・乾燥 反応が終了したら上記プラスチック基板を液から取り出
し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で
乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有機物層を備え
た防曇性プラスチックが得られる。
し、未反応物を蒸留水で洗い流し、減圧定温乾燥器中で
乾燥を行う。こうして、外表面に親水性有機物層を備え
た防曇性プラスチックが得られる。
【０２５５】
【実施例】つぎに、この発明を具体的に説明するため
に、この発明の一例を示す実施例およびこれとの比較を
示す比較例をいくつか挙げ、さらに得られた防曇性プラ
スチックの性能試験結果を示す。
に、この発明の一例を示す実施例およびこれとの比較を
示す比較例をいくつか挙げ、さらに得られた防曇性プラ
スチックの性能試験結果を示す。
【０２５６】なお、この発明の第１の方法に対応する実
施例は実施例１〜６、第２の方法に対応する実施例は実
施例７〜１２、第３の方法に対応する実施例は実施例１
３〜１８、第４の方法に対応する実施例は実施例１９〜
２４、第５の方法に対応する実施例は実施例２５〜３
０、第６の方法に対応する実施例は実施例３１〜３６、
第７の方法に対応する実施例は実施例３７〜４２、第８
の方法に対応する実施例は実施例４３〜４８、第９の方
法に対応する実施例は実施例４９〜５４、第１０の方法
に対応する実施例は実施例５５〜６０、第１１の方法に
対応する実施例は実施例６１〜６６、第１２の方法に対
応する実施例は実施例６７〜７２である。
施例は実施例１〜６、第２の方法に対応する実施例は実
施例７〜１２、第３の方法に対応する実施例は実施例１
３〜１８、第４の方法に対応する実施例は実施例１９〜
２４、第５の方法に対応する実施例は実施例２５〜３
０、第６の方法に対応する実施例は実施例３１〜３６、
第７の方法に対応する実施例は実施例３７〜４２、第８
の方法に対応する実施例は実施例４３〜４８、第９の方
法に対応する実施例は実施例４９〜５４、第１０の方法
に対応する実施例は実施例５５〜６０、第１１の方法に
対応する実施例は実施例６１〜６６、第１２の方法に対
応する実施例は実施例６７〜７２である。
【０２５７】各反応段階は、フーリエ変換赤外分光光度
計の赤外全反射吸収（ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ）型により追
跡し、各反応の終点を確認した。実施例１ ｉ）金属酸化物層の形成 まず、プラスチック基板としてポリカーボネート製の平
板状シート（厚み２ｍｍ）をエタノールついで蒸留水で
洗浄した。この基板を真空蒸着装置（大阪光音電気社
製）に取り付け、ベルジャー内圧が１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下になるまでベルジャーを排気した。
計の赤外全反射吸収（ＦＴ−ＩＲのＡＴＲ）型により追
跡し、各反応の終点を確認した。実施例１ ｉ）金属酸化物層の形成 まず、プラスチック基板としてポリカーボネート製の平
板状シート（厚み２ｍｍ）をエタノールついで蒸留水で
洗浄した。この基板を真空蒸着装置（大阪光音電気社
製）に取り付け、ベルジャー内圧が１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下になるまでベルジャーを排気した。
【０２５８】その後、電子ビームでＳｉＯ2 （山中セミ
コンダクター社製）を加熱、溶融して、プラスチック基
板上にＳｉＯ2 層を形成した。層形成中は、基板の強制
加熱および酸素ガスの導入は行わなかった。層形成中の
圧力は、２〜３×１０-5Ｔｏｒｒであった。端部に設け
た段差より触針法（スローン社製、型式；Ｄｅｋｔａｋ
３０３０）でＳｉＯ2 層の厚みを測定したところ、３μ
ｍであった。金属酸化物層はＳｉＯ 2 層からなる単層で
あるのでＳｉＯ2 は金属酸化物層の外面に露出してい
る。
コンダクター社製）を加熱、溶融して、プラスチック基
板上にＳｉＯ2 層を形成した。層形成中は、基板の強制
加熱および酸素ガスの導入は行わなかった。層形成中の
圧力は、２〜３×１０-5Ｔｏｒｒであった。端部に設け
た段差より触針法（スローン社製、型式；Ｄｅｋｔａｋ
３０３０）でＳｉＯ2 層の厚みを測定したところ、３μ
ｍであった。金属酸化物層はＳｉＯ 2 層からなる単層で
あるのでＳｉＯ2 は金属酸化物層の外面に露出してい
る。
【０２５９】ii) シランカップリング層の形成 次に、水９５重量部にシラン化合物としてγ−アミノプ
ロピルトリエトキシシラン５重量部を混合してなるカッ
プリング剤液を、５０℃に加温しながら３０分間攪拌し
た。
ロピルトリエトキシシラン５重量部を混合してなるカッ
プリング剤液を、５０℃に加温しながら３０分間攪拌し
た。
【０２６０】このシランカップリング剤液中に上記金属
酸化物被覆プラスチック基板を浸漬した。浸漬時間は約
２０秒、引き上げ速度は０．５ｃｍ／秒とした。こうし
て、ディッピング法によりプラスチック基板の金属酸化
物層の上にシランカップリング剤液を塗布した。塗布
後、処理済みプラスチック基板を減圧下に６０℃で２時
間乾燥させた。この乾燥により、カップリング層を固化
し、かつシラン化合物をＳｉＯ2 に強固に結合させた。
酸化物被覆プラスチック基板を浸漬した。浸漬時間は約
２０秒、引き上げ速度は０．５ｃｍ／秒とした。こうし
て、ディッピング法によりプラスチック基板の金属酸化
物層の上にシランカップリング剤液を塗布した。塗布
後、処理済みプラスチック基板を減圧下に６０℃で２時
間乾燥させた。この乾燥により、カップリング層を固化
し、かつシラン化合物をＳｉＯ2 に強固に結合させた。
【０２６１】iii)親水性有機物層の形成 ついで、緩衝液として０．１ＮのＭＥＳ水溶液を調製
し、これを冷却槽に入れて液温を０〜４℃に維持すると
共に、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．
２〜５．０に調整した。
し、これを冷却槽に入れて液温を０〜４℃に維持すると
共に、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．
２〜５．０に調整した。
【０２６２】この緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮
合剤としてＷＳＣＩ、反応促進剤としてＨＯＢｔ、およ
びカルボキシル基を有する直鎖状サッカライド誘導体と
して酒石酸をそれぞれ添加し、各々の濃度が０．５Ｎー
ＷＳＣＩ、０．５ＮーＨＯＢｔ、および０．１Ｎー酒石
酸となるように、混合水溶液を調製した。
合剤としてＷＳＣＩ、反応促進剤としてＨＯＢｔ、およ
びカルボキシル基を有する直鎖状サッカライド誘導体と
して酒石酸をそれぞれ添加し、各々の濃度が０．５Ｎー
ＷＳＣＩ、０．５ＮーＨＯＢｔ、および０．１Ｎー酒石
酸となるように、混合水溶液を調製した。
【０２６３】この混合水溶液のｐＨをＮａＯＨ水溶液お
よびＨＣｌ水溶液で４．２〜５．０に調整し、液温を０
〜４℃に維持しながら、水溶液を２時間激しく攪拌し
た。
よびＨＣｌ水溶液で４．２〜５．０に調整し、液温を０
〜４℃に維持しながら、水溶液を２時間激しく攪拌し
た。
【０２６４】前段階で活性化されたカルボキシル基を有
する直鎖状サッカライド誘導体の溶液中に、前工程で得
られたカップリング層を有するプラスチック基板を浸漬
し、液温を維持したまま反応終了まで同液を攪拌した。
する直鎖状サッカライド誘導体の溶液中に、前工程で得
られたカップリング層を有するプラスチック基板を浸漬
し、液温を維持したまま反応終了まで同液を攪拌した。
【０２６５】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０２６６】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０２６７】実施例２ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０２６８】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてγ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン６重量部を混合してなるカップリング剤液を用
いた以外、実施例１と同様に操作を行った。
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてγ−アミノプロピルトリエトキ
シシラン６重量部を混合してなるカップリング剤液を用
いた以外、実施例１と同様に操作を行った。
【０２６９】工程iii)では実施例１と同様に操作を行っ
た。
た。
【０２７０】実施例３ 工程ｉ）では実施例１と同様に操作を行った。
【０２７１】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、トルエン９５重量部にγ−アミノプロピルト
リメトキシシラン５重量部を混合してなるカップリング
剤液を用いた。このカップリング剤液を５０℃に加温し
ながら３０分間攪拌した後、スピンコーティング法を用
いて上記金属酸化物被覆プラスチック基板の表面に塗布
した。このスピンコーティング法における回転数は毎分
２０００回、回転時間は５秒とした。塗布後、処理済み
プラスチック基板を定温乾燥器内に入れ、１１０℃で２
時間乾燥させた。
液として、トルエン９５重量部にγ−アミノプロピルト
リメトキシシラン５重量部を混合してなるカップリング
剤液を用いた。このカップリング剤液を５０℃に加温し
ながら３０分間攪拌した後、スピンコーティング法を用
いて上記金属酸化物被覆プラスチック基板の表面に塗布
した。このスピンコーティング法における回転数は毎分
２０００回、回転時間は５秒とした。塗布後、処理済み
プラスチック基板を定温乾燥器内に入れ、１１０℃で２
時間乾燥させた。
【０２７２】工程iii)では、カルボキシル基を有する直
鎖状サッカライドの溶液としてＤ−グルコン酸を０．５
mol ／l 含む水溶液を用いた以外、実施例１と同様に操
作を行った。
鎖状サッカライドの溶液としてＤ−グルコン酸を０．５
mol ／l 含む水溶液を用いた以外、実施例１と同様に操
作を行った。
【０２７３】実施例４ 工程ｉ）では実施例１と同様に操作を行った。
【０２７４】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてＮ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン６重量部を混合してな
るカップリング剤液を用いた以外、実施例３と同様に操
作を行った。
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてＮ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン６重量部を混合してな
るカップリング剤液を用いた以外、実施例３と同様に操
作を行った。
【０２７５】工程iii)では実施例３と同様に操作を行っ
た。
た。
【０２７６】実施例５ 工程ｉ）では、プラスチック基板としてポリエチレンテ
レフタレート製の平板状シート（厚み１５０μｍ）を用
い、この基板をエタノールついで蒸留水で洗浄した。次
に、この基板をスパッタリング装置（日本真空技術社
製、型式；ＳＨー１００）に取り付けた。ターゲットと
しては特級ＳｉＯ2 ターゲットを用いた。真空槽を内圧
５×１０-6Ｔｏｒｒに減圧した後、同槽に高純度のアル
ゴンガスを導入し、内圧を５×１０-3Ｔｏｒｒとし、高
周波投入電力１００Ｗで１００分間スパッタリングを行
った。端部に設けた段差より触針法（スローン社製、型
式；Ｄｅｋｔａｋ３０３０）でＳｉＯ2 層の厚みを測定
したところ、２μｍであった。金属酸化物層はＳｉＯ2
層からなる単層であるのでＳｉＯ2 は金属酸化物層の外
面に露出している。
レフタレート製の平板状シート（厚み１５０μｍ）を用
い、この基板をエタノールついで蒸留水で洗浄した。次
に、この基板をスパッタリング装置（日本真空技術社
製、型式；ＳＨー１００）に取り付けた。ターゲットと
しては特級ＳｉＯ2 ターゲットを用いた。真空槽を内圧
５×１０-6Ｔｏｒｒに減圧した後、同槽に高純度のアル
ゴンガスを導入し、内圧を５×１０-3Ｔｏｒｒとし、高
周波投入電力１００Ｗで１００分間スパッタリングを行
った。端部に設けた段差より触針法（スローン社製、型
式；Ｄｅｋｔａｋ３０３０）でＳｉＯ2 層の厚みを測定
したところ、２μｍであった。金属酸化物層はＳｉＯ2
層からなる単層であるのでＳｉＯ2 は金属酸化物層の外
面に露出している。
【０２７７】工程ii) では、実施例１と同様に操作を行
った。
った。
【０２７８】工程iii)では、カルボキシル基を有する直
鎖状サッカライドとして、側鎖に環状サッカライドを有
するラクトピオン酸を用いた以外、実施例１と同様に操
作を行った。
鎖状サッカライドとして、側鎖に環状サッカライドを有
するラクトピオン酸を用いた以外、実施例１と同様に操
作を行った。
【０２７９】実施例６ 工程ｉ）では実施例５と同様に操作を行った。
【０２８０】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてＮ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン６重量部を混合してな
るカップリング剤液を用いた以外、実施例５と同様に操
作を行った。
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてＮ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン６重量部を混合してな
るカップリング剤液を用いた以外、実施例５と同様に操
作を行った。
【０２８１】工程iii)では実施例５と同様に操作を行っ
た。
た。
【０２８２】実施例７ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。
【０２８３】iii)親水性有機物層の形成 ついで、０．１ＮのＭＥＳ緩衝溶液でｐＨ６．８〜７．
０に調整したα−ケトグルタル酸とグルコサミンの混合
液（モル比＝３：２）を調製し、室温で反応終了まで攪
拌した。
０に調整したα−ケトグルタル酸とグルコサミンの混合
液（モル比＝３：２）を調製し、室温で反応終了まで攪
拌した。
【０２８４】この混合液を冷却槽に入れて温度を０〜４
℃に維持し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨ
を４．２〜５．０に調整維持した。
℃に維持し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨ
を４．２〜５．０に調整維持した。
【０２８５】これにＷＳＣＩ：ＨＯＢｔ（反応生成物１
モルに対しモル比＝２：２）を投入し、液温を０〜４
℃、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２
〜５．０に維持し、活性中間体が生成するまで２〜４時
間攪拌した。この溶液中に先のシラン処理反応後乾燥さ
せたアミノ基を有するプラスチックを浸漬し、液温０〜
４℃を維持しながら反応終了まで攪拌した。
モルに対しモル比＝２：２）を投入し、液温を０〜４
℃、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２
〜５．０に維持し、活性中間体が生成するまで２〜４時
間攪拌した。この溶液中に先のシラン処理反応後乾燥さ
せたアミノ基を有するプラスチックを浸漬し、液温０〜
４℃を維持しながら反応終了まで攪拌した。
【０２８６】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０２８７】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０２８８】実施例８ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例２と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例７と同様に操作を行った。
【０２８９】実施例９ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例３と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例７と
同様に操作を行った。
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例７と
同様に操作を行った。
【０２９０】実施例１０ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例９と同様に操作を行った。
【０２９１】実施例１１ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
て、Ｄ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例７と
同様に操作を行った。
て、Ｄ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例７と
同様に操作を行った。
【０２９２】実施例１２ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例１１と同様に操作を行った。
【０２９３】実施例１３ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。
【０２９４】iii)親水性有機物層の形成 ついで、ＮａＯＨ水溶液でｐＨ６．８〜７．０に調整し
た無水コハク酸１０重量％溶液を調製した。
た無水コハク酸１０重量％溶液を調製した。
【０２９５】この溶液に上記処理済みプラスチック基板
を浸漬し、室温で１時間攪拌した後、蒸留水で水洗し、
減圧下６０℃で２時間乾燥させた。
を浸漬し、室温で１時間攪拌した後、蒸留水で水洗し、
減圧下６０℃で２時間乾燥させた。
【０２９６】ついで、緩衝液として０．１ＮのＭＥＳ水
溶液を調製し、これを冷却槽に入れて液温を０〜４℃に
維持すると共に、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液で
ｐＨを４．２〜５．０に調整した。
溶液を調製し、これを冷却槽に入れて液温を０〜４℃に
維持すると共に、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液で
ｐＨを４．２〜５．０に調整した。
【０２９７】この緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮
合剤としてＷＳＣＩ、および反応促進剤としてＨＯＢｔ
を、それぞれ０．５Ｎ−ＷＳＣＩ、０．５Ｎ−ＨＯＢｔ
の濃度となるように添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣ
ｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に調整し、これに上記
プラスチック基板を浸漬し、液温を０〜４℃に維持しな
がら混合液を３時間攪拌した。
合剤としてＷＳＣＩ、および反応促進剤としてＨＯＢｔ
を、それぞれ０．５Ｎ−ＷＳＣＩ、０．５Ｎ−ＨＯＢｔ
の濃度となるように添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣ
ｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に調整し、これに上記
プラスチック基板を浸漬し、液温を０〜４℃に維持しな
がら混合液を３時間攪拌した。
【０２９８】ついで、グルコサミン塩酸塩を１Ｎとなる
ように添加し、液温を０〜４℃に維持したまま反応終了
まで攪拌を続けた。
ように添加し、液温を０〜４℃に維持したまま反応終了
まで攪拌を続けた。
【０２９９】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３００】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３０１】実施例１４ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例２と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例１３と同様に操作を行った。
【０３０２】実施例１５ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例３と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例１３
と同様に操作を行った。
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例１３
と同様に操作を行った。
【０３０３】実施例１６ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例１５と同様に操作を行った。
【０３０４】実施例１７ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例１３と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例１３と
同様に操作を行った。
【０３０５】実施例１８ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例１７と同様に操作を行った。
【０３０６】実施例１９ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３０７】iii)親水性有機物層の形成 ついで、０．１Ｎのリン酸緩衝溶液でｐＨ６．８〜７．
０に調整したグルタルアルデヒド１０％溶液を調製し
た。
０に調整したグルタルアルデヒド１０％溶液を調製し
た。
【０３０８】この溶液に上記処理済みプラスチックを浸
漬し、室温で反応終了まで攪拌した後、ｐＨ７．０のリ
ン酸緩衝溶液で洗浄し、減圧下６０℃で２時間乾燥させ
た。
漬し、室温で反応終了まで攪拌した後、ｐＨ７．０のリ
ン酸緩衝溶液で洗浄し、減圧下６０℃で２時間乾燥させ
た。
【０３０９】その後、ｐＨ６．３のリン酸緩衝溶液とグ
ルコサミン塩酸塩を、前者が０．１Ｎに、後者が１Ｎに
なるように混合し、この液に前工程で得られたカップリ
ング層を有するプラスチック基板を浸漬し、液温を維持
したまま反応終了まで同液を攪拌した。
ルコサミン塩酸塩を、前者が０．１Ｎに、後者が１Ｎに
なるように混合し、この液に前工程で得られたカップリ
ング層を有するプラスチック基板を浸漬し、液温を維持
したまま反応終了まで同液を攪拌した。
【０３１０】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３１１】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３１２】実施例２０ 実施例１９の工程ｉ）、工程ii) および工程iii)を経て
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
【０３１３】実施例２１ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例３と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドの溶
液としてＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施
例１９と同様に操作を行った。
液としてＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施
例１９と同様に操作を行った。
【０３１４】実施例２２ 実施例２１の工程ｉ）、工程ii) および工程iii)を経て
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
【０３１５】実施例２３ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例１９と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例１９と
同様に操作を行った。
【０３１６】実施例２４ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例２３と同様に操作を行い、その後、
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
【０３１７】実施例２５ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３１８】iii)親水性有機物層の形成 ついで、０．１Ｎのリン酸緩衝溶液でｐＨ６．８〜７．
０に調整したグルコースアミン塩酸塩とグルタルアルデ
ヒドとの等モル混合溶液を調製し、室温で反応終了まで
攪拌した。
０に調整したグルコースアミン塩酸塩とグルタルアルデ
ヒドとの等モル混合溶液を調製し、室温で反応終了まで
攪拌した。
【０３１９】この溶液に上記処理済みプラスチックを浸
漬し、室温で反応終了まで攪拌した。
漬し、室温で反応終了まで攪拌した。
【０３２０】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物をｐＨ７．０のリン酸緩衝溶液で洗い
流し、同基板を乾燥器中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物をｐＨ７．０のリン酸緩衝溶液で洗い
流し、同基板を乾燥器中で６０℃で乾燥した。
【０３２１】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３２２】実施例２６ 実施例２５の工程ｉ）、工程ii) および工程iii)を経て
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
【０３２３】実施例２７ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例３と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドの溶
液としてＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施
例２５と同様に操作を行った。
液としてＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施
例２５と同様に操作を行った。
【０３２４】実施例２８ 実施例２７の工程ｉ）、工程ii) および工程iii)を経て
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
【０３２５】実施例２９ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例２５と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例２５と
同様に操作を行った。
【０３２６】実施例３０ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例２９と同様に操作を行い、その後、
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
得られた処理品を５重量％ＮａＢＨ4 −ＤＭＦ溶液中で
還元処理し、シッフ塩基を安定な２級アミンに導いた。
【０３２７】実施例３１ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３２８】iii)親水性有機物層の形成 ついで、アクリル酸とＷＳＣＩとＨＯＢｔ（モル比＝
１：５：５）の無水ＤＭＦ溶液を調製し、これを冷却槽
に入れて液温０〜４℃を維持したまま活性中間体が生成
されるまで２〜４時間攪拌した。この溶液中に先にシラ
ン処理後乾燥させたプラスチック基板を浸漬し、反応終
了まで攪拌した。
１：５：５）の無水ＤＭＦ溶液を調製し、これを冷却槽
に入れて液温０〜４℃を維持したまま活性中間体が生成
されるまで２〜４時間攪拌した。この溶液中に先にシラ
ン処理後乾燥させたプラスチック基板を浸漬し、反応終
了まで攪拌した。
【０３２９】反応終了後、乾燥させたプラスチック基板
を０．１ＮのｍＣＰＢＡの無水ジクロロメタン溶液中に
浸漬し、氷冷下反応終了まで攪拌した。
を０．１ＮのｍＣＰＢＡの無水ジクロロメタン溶液中に
浸漬し、氷冷下反応終了まで攪拌した。
【０３３０】次に、５０℃に加温した１Ｎのグルコサミ
ン塩酸塩の水溶液に触媒量のトリ−（ジメチルアミノメ
チル）フェノールを加え、これに上記プラスチックを浸
漬し、５０℃を維持しながら反応終了まで攪拌した。
ン塩酸塩の水溶液に触媒量のトリ−（ジメチルアミノメ
チル）フェノールを加え、これに上記プラスチックを浸
漬し、５０℃を維持しながら反応終了まで攪拌した。
【０３３１】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３３２】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３３３】実施例３２ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例２と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例３１と同様に操作を行った。
【０３３４】実施例３３ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例３と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３１
と同様に操作を行った。
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３１
と同様に操作を行った。
【０３３５】実施例３４ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例３３と同様に操作を行った。
【０３３６】実施例３５ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３１と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３１と
同様に操作を行った。
【０３３７】実施例３６ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例３５と同様に操作を行った。
【０３３８】実施例３７ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３３９】iii)親水性有機物層の形成 ついで、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨ４．
２〜５．０に調整した０．１ＮのＭＥＳ緩衝溶液を冷却
槽に入れてその温度を０〜４℃に維持し、これにアクリ
ル酸とＷＳＣＩとＨＯＢｔ（モル比＝１：５：５）の混
合物を投入し、液温を０〜４℃に、ＮａＯＨ水溶液およ
びＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に維持し、活性
中間体が生成されるまで２〜４時間攪拌した。
２〜５．０に調整した０．１ＮのＭＥＳ緩衝溶液を冷却
槽に入れてその温度を０〜４℃に維持し、これにアクリ
ル酸とＷＳＣＩとＨＯＢｔ（モル比＝１：５：５）の混
合物を投入し、液温を０〜４℃に、ＮａＯＨ水溶液およ
びＨＣｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に維持し、活性
中間体が生成されるまで２〜４時間攪拌した。
【０３４０】この液にグルコサミン塩酸塩を、アミン：
アクリル酸モル比＝３：２で投入し、反応終了後、アミ
ド生成物を分離精製し乾燥させた。
アクリル酸モル比＝３：２で投入し、反応終了後、アミ
ド生成物を分離精製し乾燥させた。
【０３４１】このアミド生成物を含む無水ジクロロメタ
ン中に、アミド生成物：過酸ｍＣＰＢＡモル比＝２：５
でｍＣＰＢＡを添加し、混合液を氷冷下に撹拌した。
ン中に、アミド生成物：過酸ｍＣＰＢＡモル比＝２：５
でｍＣＰＢＡを添加し、混合液を氷冷下に撹拌した。
【０３４２】反応終了後、酸化生成物を分離精製し、こ
の生成物の約０．１Ｎ濃度の水溶液を準備した。
の生成物の約０．１Ｎ濃度の水溶液を準備した。
【０３４３】この水溶液に触媒量のトリ−（ジメチルア
ミノメチル）フェノールを加え、ついで上記プラスチッ
ク基板を浸漬し、温度を５０℃に維持しながら反応終了
まで攪拌した。
ミノメチル）フェノールを加え、ついで上記プラスチッ
ク基板を浸漬し、温度を５０℃に維持しながら反応終了
まで攪拌した。
【０３４４】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３４５】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３４６】実施例３８ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例２と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例３７と同様に操作を行った。
【０３４７】実施例３９ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例３と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３７
と同様に操作を行った。
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３７
と同様に操作を行った。
【０３４８】実施例４０ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例３９と同様に操作を行った。
【０３４９】実施例４１ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例１と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３７と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例３７と
同様に操作を行った。
【０３５０】実施例４２ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例４１と同様に操作を行った。
【０３５１】実施例４３ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３５２】ii) シランカップリング層の形成 次に、水９８重量部にシラン化合物としてγ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシラン２重量部を混合してな
るカップリング剤液を、５０℃に加温しながら３０分間
攪拌した。
キシプロピルトリメトキシシラン２重量部を混合してな
るカップリング剤液を、５０℃に加温しながら３０分間
攪拌した。
【０３５３】このシランカップリング剤液中に上記金属
酸化物被覆プラスチック基板を浸漬した。浸漬時間は約
２０秒、引き上げ速度は０．５ｃｍ／秒とした。こうし
て、ディッピング法によりプラスチック基板の金属酸化
物層の上にシランカップリング剤液を塗布した。塗布
後、処理済みプラスチック基板を１１０℃の定温乾燥器
中に入れ１時間乾燥させた。この乾燥により、カップリ
ング層を固化し、かつシラン化合物をＳｉＯ2 に強固に
結合させた。
酸化物被覆プラスチック基板を浸漬した。浸漬時間は約
２０秒、引き上げ速度は０．５ｃｍ／秒とした。こうし
て、ディッピング法によりプラスチック基板の金属酸化
物層の上にシランカップリング剤液を塗布した。塗布
後、処理済みプラスチック基板を１１０℃の定温乾燥器
中に入れ１時間乾燥させた。この乾燥により、カップリ
ング層を固化し、かつシラン化合物をＳｉＯ2 に強固に
結合させた。
【０３５４】iii)親水性有機物層の形成 次に、グルコサミン塩酸塩１重量部に５Ｎの水酸化ナト
リウム水溶液を滴下して塩酸塩を溶解させ、この液を塩
酸水溶液でｐＨ９に調整した後、トリ（ジメチルアミノ
メチル）フェノールを触媒量添加し、温度を５０℃に加
温した。
リウム水溶液を滴下して塩酸塩を溶解させ、この液を塩
酸水溶液でｐＨ９に調整した後、トリ（ジメチルアミノ
メチル）フェノールを触媒量添加し、温度を５０℃に加
温した。
【０３５５】このグルコサミン溶液中に、前工程で得ら
れたカップリング層を有するプラスチック基板を浸漬
し、液温を維持したまま反応終了まで同液を攪拌した。
れたカップリング層を有するプラスチック基板を浸漬
し、液温を維持したまま反応終了まで同液を攪拌した。
【０３５６】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３５７】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３５８】実施例４４ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) において、シランカップリング剤液として、水
４９重量部とエタノール４９重量部の混合液にシラン化
合物としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン２重量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以
外、実施例４３と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例４３と同様に操作を行った。
４９重量部とエタノール４９重量部の混合液にシラン化
合物としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン２重量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以
外、実施例４３と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例４３と同様に操作を行った。
【０３５９】実施例４５ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３６０】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、トルエン９５重量部にγ−グリシドキシプロ
ピルトリクロロシラン５重量部を混合してなるカップリ
ング剤液を用いた。このカップリング剤液を５０℃に加
温しながら６０分間攪拌した後、スピンコーティング法
を用いて上記金属酸化物被覆プラスチック基板の表面に
塗布した。このスピンコーティング法における回転数は
毎分２０００回、回転時間は５秒とした。塗布後、処理
済みプラスチック基板を定温乾燥器内に入れ、１１０℃
で１時間乾燥させた。
液として、トルエン９５重量部にγ−グリシドキシプロ
ピルトリクロロシラン５重量部を混合してなるカップリ
ング剤液を用いた。このカップリング剤液を５０℃に加
温しながら６０分間攪拌した後、スピンコーティング法
を用いて上記金属酸化物被覆プラスチック基板の表面に
塗布した。このスピンコーティング法における回転数は
毎分２０００回、回転時間は５秒とした。塗布後、処理
済みプラスチック基板を定温乾燥器内に入れ、１１０℃
で１時間乾燥させた。
【０３６１】工程iii)では、アミン誘導体としてガラク
トサミン塩酸塩を用いた以外、実施例４３と同様に操作
を行った。
トサミン塩酸塩を用いた以外、実施例４３と同様に操作
を行った。
【０３６２】実施例４６ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) において、シランカップリング剤液として、水
４８重量部とエタノール４８重量部の混合液にシラン化
合物としてγ−グリシドキシプロピルトリクロロシラン
４重量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以
外、実施例４５と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例４５と同様に操作を行った。
４８重量部とエタノール４８重量部の混合液にシラン化
合物としてγ−グリシドキシプロピルトリクロロシラン
４重量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以
外、実施例４５と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例４５と同様に操作を行った。
【０３６３】実施例４７ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４３と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例４３と同様に操作を行った。
【０３６４】実施例４８ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) において、シランカップリング剤液として、水
４９重量部とエタノール４９重量部の混合液にシラン化
合物としてγ−グリシドキシプロピルトリクロロシラン
２重量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以
外、実施例４７と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例４７と同様に操作を行った。
４９重量部とエタノール４９重量部の混合液にシラン化
合物としてγ−グリシドキシプロピルトリクロロシラン
２重量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以
外、実施例４７と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例４７と同様に操作を行った。
【０３６５】実施例４９ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４３と同様に操作を行った。 iii)親水性有機物層の形成 次に、ｐＨ９に調整した１Ｎのアミノエタンスルホン酸
（タウリン）のエタノール含有水溶液にトリ（ジメチル
アミノメチル）フェノールを触媒量添加し、温度を５０
〜７０℃に加温した。
（タウリン）のエタノール含有水溶液にトリ（ジメチル
アミノメチル）フェノールを触媒量添加し、温度を５０
〜７０℃に加温した。
【０３６６】この溶液中に、前工程で得られたカップリ
ング層を有するプラスチック基板を浸漬し、液温を維持
したまま反応終了まで同液を攪拌した。
ング層を有するプラスチック基板を浸漬し、液温を維持
したまま反応終了まで同液を攪拌した。
【０３６７】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３６８】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３６９】実施例５０ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４４と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例４９と同様に操作を行った。
【０３７０】実施例５１ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４５と同様に操作を行った。 工程iii)では、アミン誘導体としてグルタミン酸を用い
た以外、実施例４９と同様に操作を行った。
た以外、実施例４９と同様に操作を行った。
【０３７１】実施例５２ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４６と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例５１と同様に操作を行った。
【０３７２】実施例５３ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４３と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例４９と同様に操作を行った。
【０３７３】実施例５４ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例４８と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例４９と同様に操作を行った。
【０３７４】実施例５５ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３７５】ii) 親水性有機物層の形成 次に、ｐＨ９に調整した１Ｎのアミノエタンスルホン酸
（タウリン）のエタノール含有水溶液にトリ−（ジメチ
ルアミノメチル）フェノールを触媒量添加した。この溶
液に２重量％のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランを添加して６０〜７０℃に加温し、シラン化合物
と１級アミン誘導体が結合を形成するまで攪拌を続け
た。こうして、修飾液を調製した。
（タウリン）のエタノール含有水溶液にトリ−（ジメチ
ルアミノメチル）フェノールを触媒量添加した。この溶
液に２重量％のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シランを添加して６０〜７０℃に加温し、シラン化合物
と１級アミン誘導体が結合を形成するまで攪拌を続け
た。こうして、修飾液を調製した。
【０３７６】この修飾液中に上記金属酸化物被覆プラス
チック基板を浸漬した。浸漬時間は約２０秒、引き上げ
速度は０．５ｃｍ／秒とした。
チック基板を浸漬した。浸漬時間は約２０秒、引き上げ
速度は０．５ｃｍ／秒とした。
【０３７７】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３７８】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３７９】実施例５６ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) において、１級アミン誘導体としてＤ−グルコ
サミンを用いた以外、実施例５５と同様に操作を行っ
た。
サミンを用いた以外、実施例５５と同様に操作を行っ
た。
【０３８０】実施例５７ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) において、修飾液による金属酸化物被覆プラス
チック基板の処理方法としてスピンコーティング法を用
いた。このスピンコーティング法における回転数を毎分
２０００回、回転時間を５秒とした以外、実施例５５と
同様に操作を行った。
チック基板の処理方法としてスピンコーティング法を用
いた。このスピンコーティング法における回転数を毎分
２０００回、回転時間を５秒とした以外、実施例５５と
同様に操作を行った。
【０３８１】実施例５８ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) において、１級アミン誘導体としてグルタミン
酸を用いた以外、実施例５７と同様に操作を行った。
酸を用いた以外、実施例５７と同様に操作を行った。
【０３８２】実施例５９ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例５８と同様に操作を行った。
【０３８３】実施例６０ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) において、シラン化合物としてγ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシランを用いた以外、実施例５
９と同様に操作を行った。
シプロピルトリエトキシシランを用いた以外、実施例５
９と同様に操作を行った。
【０３８４】実施例６１ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３８５】ii) シランカップリング層の形成 次に、水９５重量部にシラン化合物としてビニルトリメ
トキシシラン５重量部を混合してなるカップリング剤液
を、５０℃に加温しながら３０分間攪拌した。
トキシシラン５重量部を混合してなるカップリング剤液
を、５０℃に加温しながら３０分間攪拌した。
【０３８６】このシランカップリング剤液中に上記金属
酸化物被覆プラスチック基板を浸漬した。浸漬時間は約
２０秒、引き上げ速度は０．５ｃｍ／秒とした。こうし
て、ディッピング法によりプラスチック基板の金属酸化
物層の上にシランカップリング剤液を塗布した。塗布
後、処理済みプラスチック基板を減圧下に６０℃で２時
間乾燥させた。この乾燥により、カップリング層を固化
し、かつシラン化合物をＳｉＯ2 に強固に結合させた。
酸化物被覆プラスチック基板を浸漬した。浸漬時間は約
２０秒、引き上げ速度は０．５ｃｍ／秒とした。こうし
て、ディッピング法によりプラスチック基板の金属酸化
物層の上にシランカップリング剤液を塗布した。塗布
後、処理済みプラスチック基板を減圧下に６０℃で２時
間乾燥させた。この乾燥により、カップリング層を固化
し、かつシラン化合物をＳｉＯ2 に強固に結合させた。
【０３８７】iii)ビニル基の酸化 ついで、乾燥させたプラスチック基板を、０．１Ｎのｍ
ＣＰＢＡ無水ジクロロメタン溶液中に浸漬し、氷冷下反
応終了まで攪拌する。
ＣＰＢＡ無水ジクロロメタン溶液中に浸漬し、氷冷下反
応終了まで攪拌する。
【０３８８】iv) 親水性有機物層の形成 次に、５０℃に加温した１Ｎのグルコサミン塩酸塩水溶
液に触媒量のトリ−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ルを加えた。こうして調製した修飾液に上記プラスチッ
ク基板を浸漬し、液温を５０℃に維持しながら反応終了
まで同液を攪拌した。
液に触媒量のトリ−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ルを加えた。こうして調製した修飾液に上記プラスチッ
ク基板を浸漬し、液温を５０℃に維持しながら反応終了
まで同液を攪拌した。
【０３８９】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０３９０】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０３９１】実施例６２ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３９２】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてビニルトリエトキシシラン６重
量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以外、実
施例６１と同様に操作を行った。
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてビニルトリエトキシシラン６重
量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以外、実
施例６１と同様に操作を行った。
【０３９３】工程iii)では、実施例６１と同様に操作を
行った。
行った。
【０３９４】工程iv) では、実施例６１と同様に操作を
行った。
行った。
【０３９５】実施例６３ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０３９６】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、トルエン９５重量部にビニルトリメトキシシ
ラン５重量部を混合してなるカップリング剤液を用い
た。このカップリング剤液を５０℃に加温しながら３０
分間攪拌した後、スピンコーティング法を用いて上記金
属酸化物被覆プラスチック基板の表面に塗布した。この
スピンコーティング法における回転数は毎分２０００
回、回転時間は５秒とした。塗布後、処理済みプラスチ
ック基板を定温乾燥器内に入れ、１１０℃で２時間乾燥
させた。
液として、トルエン９５重量部にビニルトリメトキシシ
ラン５重量部を混合してなるカップリング剤液を用い
た。このカップリング剤液を５０℃に加温しながら３０
分間攪拌した後、スピンコーティング法を用いて上記金
属酸化物被覆プラスチック基板の表面に塗布した。この
スピンコーティング法における回転数は毎分２０００
回、回転時間は５秒とした。塗布後、処理済みプラスチ
ック基板を定温乾燥器内に入れ、１１０℃で２時間乾燥
させた。
【０３９７】工程iii)では、実施例６１と同様に操作を
行った。
行った。
【０３９８】工程iv) では、アミノ基を有する環状サッ
カライドとしてＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以
外、実施例６１と同様に操作を行った。
カライドとしてＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以
外、実施例６１と同様に操作を行った。
【０３９９】実施例６４ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。
【０４００】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてビニルトリエトキシシラン６重
量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以外、実
施例６３と同様に操作を行った。
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてビニルトリエトキシシラン６重
量部を混合してなるカップリング剤液を用いた以外、実
施例６３と同様に操作を行った。
【０４０１】工程iii)では、実施例６１と同様に操作を
行った。
行った。
【０４０２】工程iv) では、実施例６３と同様に操作を
行った。
行った。
【０４０３】実施例６５ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６１と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例６１と同様に操作を行った。 工程iv) では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例６１と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例６１と
同様に操作を行った。
【０４０４】実施例６６ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。
【０４０５】工程ii) において、シランカップリング剤
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてビニルトリ（β−メトキシエト
キシ）シラン６重量部を混合してなるカップリング剤液
を用いた以外、実施例６５と同様に操作を行った。
液として、水４７重量部とエタノール４７重量部の混合
液にシラン化合物としてビニルトリ（β−メトキシエト
キシ）シラン６重量部を混合してなるカップリング剤液
を用いた以外、実施例６５と同様に操作を行った。
【０４０６】工程iii)では実施例６１と同様に操作を行
った。
った。
【０４０７】工程iv) では実施例６５と同様に操作を行
った。
った。
【０４０８】実施例６７ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６１と同様に操作を行った。
【０４０９】iii)ビニル基の酸化 ついで、０〜５℃に冷却したＮａＯＨアルカリ性過マン
ガン酸カリ水溶液中に上記プラスチックを浸漬し、反応
終了まで攪拌した後、希ＨＣｌ水溶液と蒸留水で水洗し
た後、減圧下６０℃で２時間乾燥させた。
ガン酸カリ水溶液中に上記プラスチックを浸漬し、反応
終了まで攪拌した後、希ＨＣｌ水溶液と蒸留水で水洗し
た後、減圧下６０℃で２時間乾燥させた。
【０４１０】iv) 親水性有機物層の形成 ついで、緩衝液として０．１ＮのＭＥＳ水溶液を調製
し、これを冷却槽に入れて液温を０〜４℃に維持すると
共に、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．
２〜５．０に調整した。
し、これを冷却槽に入れて液温を０〜４℃に維持すると
共に、ＮａＯＨ水溶液およびＨＣｌ水溶液でｐＨを４．
２〜５．０に調整した。
【０４１１】この緩衝液に、カルボキシル基の活性化縮
合剤としてＷＳＣＩ、および反応促進剤としてＨＯＢｔ
の混合水溶液を、ＷＳＣＩおよびＨＯＢｔの濃度が共に
０．５Ｎになるように添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨ
Ｃｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に調整した。この溶
液に上記プラスチック基板を浸漬し、液温を０〜４℃に
維持しながら３時間攪拌した。
合剤としてＷＳＣＩ、および反応促進剤としてＨＯＢｔ
の混合水溶液を、ＷＳＣＩおよびＨＯＢｔの濃度が共に
０．５Ｎになるように添加し、ＮａＯＨ水溶液およびＨ
Ｃｌ水溶液でｐＨを４．２〜５．０に調整した。この溶
液に上記プラスチック基板を浸漬し、液温を０〜４℃に
維持しながら３時間攪拌した。
【０４１２】次に、この溶液にグルコサミン塩酸塩を濃
度が１Ｎになるように添加し、液温を０〜４℃に維持し
ながら反応終了まで同液を攪拌した。
度が１Ｎになるように添加し、液温を０〜４℃に維持し
ながら反応終了まで同液を攪拌した。
【０４１３】反応終了後、プラスチック基板を液から取
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
り出し、未反応物を蒸留水で洗い流し、同基板を乾燥器
中で６０℃で乾燥した。
【０４１４】こうして、添付図面に示すように、外表面
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
に親水性有機物層を備えた防曇性プラスチックが得られ
る。
【０４１５】実施例６８ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６２と同様に操作を行った。 工程iii)において、ビニル基の酸化方法として、四酸化
オスミウム酸化処理を行った以外、実施例６７と同様に
操作を行った。工程iv) では、実施例６７と同様に操作
を行った。
オスミウム酸化処理を行った以外、実施例６７と同様に
操作を行った。工程iv) では、実施例６７と同様に操作
を行った。
【０４１６】実施例６９ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６３と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例６７と同様に操作を行った。 工程iv) では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例６７
と同様に操作を行った。
てＤ−ガラクトサミン塩酸塩を用いた以外、実施例６７
と同様に操作を行った。
【０４１７】実施例７０ 工程ｉ）では、実施例１と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６４と同様に操作を行った。 工程iii)では実施例６７と同様に操作を行った。 工程iv) では実施例６９と同様に操作を行った。
【０４１８】実施例７１ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６１と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例６７と同様に操作を行った。 工程iv) では、アミノ基を有する環状サッカライドとし
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例６７と
同様に操作を行った。
てＤ−マンノサミン塩酸塩を用いた以外、実施例６７と
同様に操作を行った。
【０４１９】実施例７２ 工程ｉ）では、実施例５と同様に操作を行った。 工程ii) では、実施例６６と同様に操作を行った。 工程iii)では、実施例６７と同様に操作を行った。 工程iv) では、実施例７１と同様に操作を行った。
【０４２０】比較例１ 特開昭５３−５８４９２号公報記載の実施例に基づき、
以下の組成の防曇剤を調製した： Ｃ18Ｈ37（ＣＨ3 ）2 Ｎ+ （ＣＨ2 ）3 ＳＯ3 - １．０重量部 ＮａＳＣＮ １．０重量部 Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）9.3 Ｈ ０．５重量部 エタノール １０．０重量部 イオン交換水 バランス この防曇剤を柔らかな布に含浸し、乾燥後、清浄なスラ
イドガラスに十分に擦り付けた。このスライドガラスを
試験片とした。
以下の組成の防曇剤を調製した： Ｃ18Ｈ37（ＣＨ3 ）2 Ｎ+ （ＣＨ2 ）3 ＳＯ3 - １．０重量部 ＮａＳＣＮ １．０重量部 Ｃ12Ｈ25Ｏ（ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ）9.3 Ｈ ０．５重量部 エタノール １０．０重量部 イオン交換水 バランス この防曇剤を柔らかな布に含浸し、乾燥後、清浄なスラ
イドガラスに十分に擦り付けた。このスライドガラスを
試験片とした。
【０４２１】比較例２ 特開平２−２２３４４号公報記載の実施例に基づき、操
作を行った。
作を行った。
【０４２２】すなわち、ハイドロキノン８０重量部とエ
タノール１５重量部と少量の水とを混合した後、この混
合液に１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を添加して溶液の
ｐＨを１０とし、ついでこの溶液に水を加えて１００重
量部の処理液を調製した。
タノール１５重量部と少量の水とを混合した後、この混
合液に１Ｎの水酸化ナトリウム水溶液を添加して溶液の
ｐＨを１０とし、ついでこの溶液に水を加えて１００重
量部の処理液を調製した。
【０４２３】まず、プラスチック基板としてポリカーボ
ネート製の平板状シートをエタノールついで蒸留水で洗
浄し、この基板上に実施例１と同じ手法で真空蒸着法に
よって厚み３μｍのＳｉＯ2 層を形成した。
ネート製の平板状シートをエタノールついで蒸留水で洗
浄し、この基板上に実施例１と同じ手法で真空蒸着法に
よって厚み３μｍのＳｉＯ2 層を形成した。
【０４２４】次に、このようにしてＳｉＯ2 で被覆され
たプラスチック基板を、上記処理液中に浸漬し、液温６
０℃で３０分間処理した後、処理液から取り出して、温
度６０℃のオーブンで１５分間乾燥させた。
たプラスチック基板を、上記処理液中に浸漬し、液温６
０℃で３０分間処理した後、処理液から取り出して、温
度６０℃のオーブンで１５分間乾燥させた。
【０４２５】性能試験 実施例および比較例で得られた防曇性プラスチック品に
ついて、下記の手法で性能評価を行った。
ついて、下記の手法で性能評価を行った。
【０４２６】防曇性１：等級試験 ＪＩＳ Ｓ−４０３０による評価法を用いた。
【０４２７】評価はＩ〜IVの４等級で行い、Ｉ級が最も
よく、IV級が最も悪い。ここでは、II級以上に◎を付
し、III 級以下に×を付した。
よく、IV級が最も悪い。ここでは、II級以上に◎を付
し、III 級以下に×を付した。
【０４２８】防曇性２：接触角試験 試験片に蒸留水を滴下した時の接触角を測定した。
【０４２９】非透水性材料の場合、接触角が１０°以下
であれば防曇性を示すので、ここでは接触角１０°未満
を◎、１０°以上を×とした。
であれば防曇性を示すので、ここでは接触角１０°未満
を◎、１０°以上を×とした。
【０４３０】防曇性３：呼気試験 試験片を３℃の冷蔵室中に１時間以上放置して恒温とし
たものを、３０℃、湿度９０％以上の恒温恒湿室中に入
れ替え、曇らないものを◎、曇りが生じるものを×とし
た。
たものを、３０℃、湿度９０％以上の恒温恒湿室中に入
れ替え、曇らないものを◎、曇りが生じるものを×とし
た。
【０４３１】耐擦傷性１：スチールウール試験 ＃００００のスチールウールを試験片の表面に押し当
て、負荷をかけて往復２０回摺動させた。
て、負荷をかけて往復２０回摺動させた。
【０４３２】摺動により、試験片表面に傷を生じさせる
最小負荷重量（ｇ／cm2 ）を測定した。
最小負荷重量（ｇ／cm2 ）を測定した。
【０４３３】耐負荷重量５００ｇ／ｃｍ2 以上を◎、５
００〜２００ｇ／ｃｍ2 を○、２００ｇ／ｃｍ2 未満を
×とした。
００〜２００ｇ／ｃｍ2 を○、２００ｇ／ｃｍ2 未満を
×とした。
【０４３４】耐擦傷性２：乾式布試験 乾燥したサラシを試験片の表面に当てがい、５００ｇ／
ｃｍ2 の負荷をかけて往復３，０００回摺動させた。試
験後に防曇性評価３を行い、防曇耐久性を評価した。
ｃｍ2 の負荷をかけて往復３，０００回摺動させた。試
験後に防曇性評価３を行い、防曇耐久性を評価した。
【０４３５】耐水性：洗浄試験 防曇プラスチックの試験片を３０分間流水で洗浄した。
【０４３６】洗浄後、試験片が乾燥しないうちに耐擦傷
性試験１（スチールウール試験）を行った。さらに、続
いて防曇性評価３を行った。
性試験１（スチールウール試験）を行った。さらに、続
いて防曇性評価３を行った。
【０４３７】評価結果は表１にまとめて示す。
【０４３８】
【表１】
【０４３９】表１から明らかなように、この発明の方法
で製造された防曇性プラスチックは、上記の各項目にお
いていずれも良好な結果を示すことが認められる。
で製造された防曇性プラスチックは、上記の各項目にお
いていずれも良好な結果を示すことが認められる。
【０４４０】
【発明の効果】この発明の防曇性プラスチックの製造方
法によれば、プラスチック基板の外表面は親水性有機基
を有する化合物によって修飾されているので、外表面に
付着した水滴を完全に濡らすことができる。
法によれば、プラスチック基板の外表面は親水性有機基
を有する化合物によって修飾されているので、外表面に
付着した水滴を完全に濡らすことができる。
【０４４１】また、この発明の方法によれば、プラスチ
ック基板表面に、ＳｉＯx （x は１〜２）の単層、また
は最外層が該ＳｉＯx 層である多層からなる金属酸化物
層を被覆するので、該金属酸化物層によって良好な耐擦
傷性が発揮され、プラスチック基板自体は傷つくことが
ない。
ック基板表面に、ＳｉＯx （x は１〜２）の単層、また
は最外層が該ＳｉＯx 層である多層からなる金属酸化物
層を被覆するので、該金属酸化物層によって良好な耐擦
傷性が発揮され、プラスチック基板自体は傷つくことが
ない。
【０４４２】また、上記親水性有機物層は極めて薄いの
で、下地の金属酸化物層の硬度が反映され、この点でも
プラスチック基板に傷が付きにくい。
で、下地の金属酸化物層の硬度が反映され、この点でも
プラスチック基板に傷が付きにくい。
【０４４３】さらに、金属酸化物層と上記親水性有機物
層との間には、特定のシラン化合物からなるカップリン
グ層が介在されているので、これらの層は相互に共有結
合で強固に結ばれ、従来の単純な親水性有機物皮膜と比
べて、水に対する耐久性を大幅に向上することができ
る。
層との間には、特定のシラン化合物からなるカップリン
グ層が介在されているので、これらの層は相互に共有結
合で強固に結ばれ、従来の単純な親水性有機物皮膜と比
べて、水に対する耐久性を大幅に向上することができ
る。
【０４４４】かくして、この発明によれば、良好な防曇
性能を保持したまま、耐久性、特に耐擦傷性と耐水性を
共に改善した防曇性プラスチックを製造することができ
る。
性能を保持したまま、耐久性、特に耐擦傷性と耐水性を
共に改善した防曇性プラスチックを製造することができ
る。
【図１】サンプルの断面概略図を以下に示す。 (1) …プラスチック基板 (2) …金属酸化物層 (3) …シランカップリング層 (4) …親水性有機物層
Claims (12)
- 【請求項１】 ｉ） プラスチック基板の表面に、Ｓｉ
Ｏx （x は１〜２）の単層、または最外層が該ＳｉＯx
層である多層からなる金属酸化物層を被覆する工程と、 ii） 金属酸化物層の表面に、 一般式 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一または異なり、
ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基またはフェニル基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン原子、アミノ
基または低級アルコキシ基である。Ｘは末端に１級アミ
ノ基を有する低級アルキル基である。）で表されるシラ
ン化合物を含む液を塗布してシランカップリング層を形
成する工程と、 iii) シランカップリング層の表面を、カルボキシル基
を有する直鎖状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理
して、シランカップリング層のアミノ基とサッカライド
誘導体のカルボキシル基とのアミド化反応により表面に
親水性有機物層を形成する工程とからなる、防曇性プラ
スチックの製造方法。 - 【請求項２】請求項１の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体に一
般式 【化２】 （式中、Ｒ´は二価の有機基または単結合、ｎは０また
は整数１〜６である。）で表されるα−ケト脂肪族ジカ
ルボン酸を脱水縮合させてなるシッフ塩基を含む修飾液
で処理して、シランカップリング層のアミノ基とシッフ
塩基のカルボキシル基とのアミド化反応により表面に親
水性有機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方
法。 - 【請求項３】請求項１の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、 一般式 【化３】 （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
酸無水物を含む処理液で処理して、シランカップリング
層のアミノ基と酸無水物とのアミド化反応によりシラン
カップリング層の表面にカルボキシル基を導入し、さら
に１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含む
修飾液で処理して、シランカップリング層のカルボキシ
ル基と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのアミド化
反応により表面に親水性有機物層を形成する、防曇性プ
ラスチックの製造方法。 - 【請求項４】請求項１の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、 一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物を含む処理液で処理して、シランカ
ップリング層のアミノ基とジアルデヒド化合物の一方の
アルデヒド基とのシッフ塩基形成によりシランカップリ
ング層の表面に他方のアルデヒド基を導入し、さらに１
級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾
液で処理して、シランカップリング層の他方のアルデヒ
ド基と環状サッカライド誘導体のアミノ基とのシッフ塩
基形成により表面に親水性有機物層を形成する、防曇性
プラスチックの製造方法。 - 【請求項５】請求項１の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、１級アミノ基を有する環状サッカライド誘導体に 一般式 ＯＨＣ（ＣＨ2 ）n ＣＨＯ （式中、ｎは０または整数１〜４である。）で表される
ジアルデヒド化合物の一方のアルデヒド基を脱水縮合さ
せてなるシッフ塩基を含む修飾液で処理して、シランカ
ップリング層のアミノ基とシッフ塩基の他方のアルデヒ
ド誘導体のアミノ基とのシッフ塩基形成により表面に親
水性有機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方
法。 - 【請求項６】請求項１の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される不飽和カルボン酸を含む処理液で
処理して、シランカップリング層のアミノ基と脂肪族不
飽和カルボン酸のカルボキシル基とのアミド化反応によ
りシランカップリング層の表面にビニル基を導入し、ビ
ニル基のエポキシ基への酸化後、さらに、１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基と環状サッカラ
イド誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機
物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方法。 - 【請求項７】請求項１の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、 一般式 ＣＨ2 ＝ＣＨＲ−ＣＯＯＨ （式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキレン基または単結合
である。）で表される脂肪族不飽和カルボン酸に１級ア
ミノ基を有する環状サッカライド誘導体をアミド化反応
させさらにそのビニル基をエポキシ基へ酸化してなるエ
ポキシ基を有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液
で処理して、環状サッカライド誘導体のエポキシ基とシ
ランカップリング層のアミノ基との反応により表面に親
水性有機物層を形成する、防曇性プラスチックの製造方
法。 - 【請求項８】請求項１の工程ｉ) の操作の後、 ii） 金属酸化物層の表面に、 一般式 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一または異なり、
ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基またはフェニル基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン原子、アミノ
基または低級アルコキシ基である。Ｙは末端にエポキシ
基を有する低級アルキル基である。）で表されるシラン
化合物を含む液を塗布してシランカップリング層を形成
する工程と、 iii) シランカップリング層の表面を、１級アミノ基を
有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基と１級アミノ基
を有する環状サッカライド誘導体のアミノ基との反応に
より表面に親水性有機物層を形成する工程とからなる、
防曇性プラスチックの製造方法。 - 【請求項９】請求項８の工程ｉ) および工程ii) の操作
の後、工程iii)において、シランカップリング層の表面
を、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物を含む修飾液で処理して、シ
ランカップリング層のエポキシ基と１級アミン化合物の
アミノ基との反応により表面に親水性有機物層を形成す
る、防曇性プラスチックの製造方法。 - 【請求項１０】請求項１の工程ｉ) の操作の後、 ii） 金属酸化物層の表面を、 一般式 【化５】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一または異なり、
ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基またはフェニル基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン原子、アミノ
基または低級アルコキシ基である。Ｙは末端にエポキシ
基を有する低級アルキル基である。）で表されるシラン
化合物と、 一般式 Ａ−ＮＨ2 （式中、Ａは水酸基、アミノ基、カルボキシル基、スル
ホン基よりなる群から選ばれる少なくとも１つの親水性
官能基を有する炭素数１〜６のアルキル基である。）で
表される１級アミン化合物との反応物を含む修飾液で処
理して、表面に親水性有機物層を形成する工程からな
る、防曇性プラスチックの製造方法。 - 【請求項１１】請求項１の工程ｉ) の操作の後、 ii） 金属酸化物層の表面に、 一般式 【化６】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、同一または異なり、
ハロゲン原子、アミノ基、低級アルコキシ基、低級アル
キル基またはフェニル基である。ただし、Ｒ1 、Ｒ2 お
よびＲ3 のうち少なくとも１つはハロゲン原子、アミノ
基または低級アルコキシ基である。Ｚは末端にビニル基
を有する低級アルキル基である。）で表されるシラン化
合物を含む液を塗布してシランカップリング層を形成す
る工程と、 iii) シランカップリング層のビニル基をエポキシ基へ
酸化する工程と、 iv) シランカップリング層の表面を、１級アミノ基を
有する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理し
て、シランカップリング層のエポキシ基とサッカライド
誘導体のアミノ基との反応により表面に親水性有機物層
を形成する工程とからなる、防曇性プラスチックの製造
方法。 - 【請求項１２】請求項１１の工程ｉ) および工程ii) の
操作の後、工程iii)において、シランカップリング層の
ビニル基をカルボキシル基へ酸化し、工程iv) におい
て、シランカップリング層の表面を、１級アミノ基を有
する環状サッカライド誘導体を含む修飾液で処理して、
シランカップリング層のカルボキシル基とサッカライド
誘導体のアミノ基とのアミド化反応により表面に親水性
有機物層を形成する工程とからなる、防曇性プラスチッ
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4281610A JPH05202216A (ja) | 1991-10-21 | 1992-10-20 | 防曇性プラスチックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-272462 | 1991-10-21 | ||
| JP27246291 | 1991-10-21 | ||
| JP4281610A JPH05202216A (ja) | 1991-10-21 | 1992-10-20 | 防曇性プラスチックの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05202216A true JPH05202216A (ja) | 1993-08-10 |
Family
ID=26550220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4281610A Pending JPH05202216A (ja) | 1991-10-21 | 1992-10-20 | 防曇性プラスチックの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05202216A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002240186A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-28 | Seiko Epson Corp | 防曇性能の付与方法および光学物品 |
| WO2016010100A1 (ja) * | 2014-07-16 | 2016-01-21 | 株式会社Ｌｉｘｉｌ | 親水処理塗料組成物及び親水化処理方法 |
| JP2016020462A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-04 | 株式会社Ｌｉｘｉｌ | 親水処理塗料組成物及び親水化処理方法 |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP4281610A patent/JPH05202216A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10774221B2 (en) | 2014-07-16 | 2020-09-15 | Lixil Corporation | Hydrophilic treatment coating composition and hydrophilizing treatment method |
| US10793721B2 (en) | 2014-07-16 | 2020-10-06 | Lixil Corporation | Hydrophilic treatment coating composition and hydrophilizing treatment method |
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