JPH051990B2 - - Google Patents
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- JPH051990B2 JPH051990B2 JP14551987A JP14551987A JPH051990B2 JP H051990 B2 JPH051990 B2 JP H051990B2 JP 14551987 A JP14551987 A JP 14551987A JP 14551987 A JP14551987 A JP 14551987A JP H051990 B2 JPH051990 B2 JP H051990B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
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Description
【発明の詳細な説明】
《産業上の利用分野》
本発明は、半導体レーザの波長を原子や分子の
吸収線に制御して安定化し、２つの波長のレーザ
光を出力することができる半導体レーザ波長安定
化装置に関する。
吸収線に制御して安定化し、２つの波長のレーザ
光を出力することができる半導体レーザ波長安定
化装置に関する。
《従来の技術》
第１０図は従来の半導体レーザ波長安定化装置
を示す構成ブロツク図である。半導体レーザLD
の電流に周波数mの変調信号を重畳して半導体
レーザの発振波長を変調し、ビームスプリツタ
BSで分離した光の一方を特定の波長で吸収を起
こす標準物質を封入した吸収セルCLに入射する。
ビームスプリツタBSで分離した他方の光はミラ
ーＭで反射されて出力光となる。吸収セルCLか
らの出射光は光検出器PDで電気信号に変換され、
ロツクインアンプLAで同期整流される。電流制
御回路CTでロツクインアンプLAの出力が一定値
となるように半導体レーザLDの電流を制御する
ことにより、半導体レーザLDの波長を吸収セル
CL内の原子の吸収線にロツクさせることができ
る。
を示す構成ブロツク図である。半導体レーザLD
の電流に周波数mの変調信号を重畳して半導体
レーザの発振波長を変調し、ビームスプリツタ
BSで分離した光の一方を特定の波長で吸収を起
こす標準物質を封入した吸収セルCLに入射する。
ビームスプリツタBSで分離した他方の光はミラ
ーＭで反射されて出力光となる。吸収セルCLか
らの出射光は光検出器PDで電気信号に変換され、
ロツクインアンプLAで同期整流される。電流制
御回路CTでロツクインアンプLAの出力が一定値
となるように半導体レーザLDの電流を制御する
ことにより、半導体レーザLDの波長を吸収セル
CL内の原子の吸収線にロツクさせることができ
る。
《発明が解決しようとする問題点》
しかしながら、上記のような構成の半導体レー
ザ波長安定化装置では、半導体レーザの出力光の
平均周波数は標準物質の吸収線にロツクされて安
定となるが、変調周波数mで常に周波数が変動
しているので、発振周波数の瞬時値は安定ではな
い。また単一の波長出力しか得られないので、２
つの波長のレーザ光が必要な場合は、ビームスプ
リツタ等を用いて、安定化出力光を合波しなけれ
ばならないが、この手段は、光軸を調整する必要
がある等、実用に適さない。また、それぞれの波
長に対して異なる吸収セルを必要とするので高価
である。
ザ波長安定化装置では、半導体レーザの出力光の
平均周波数は標準物質の吸収線にロツクされて安
定となるが、変調周波数mで常に周波数が変動
しているので、発振周波数の瞬時値は安定ではな
い。また単一の波長出力しか得られないので、２
つの波長のレーザ光が必要な場合は、ビームスプ
リツタ等を用いて、安定化出力光を合波しなけれ
ばならないが、この手段は、光軸を調整する必要
がある等、実用に適さない。また、それぞれの波
長に対して異なる吸収セルを必要とするので高価
である。
本発明はこのような問題点を解決するためにな
されたもので、発振周波数が瞬時的にも高安定
で、かつ１個の吸収セルで複数の波長の出力が得
られる半導体レーザ波長安定化装置を実現するこ
とを目的とする。
されたもので、発振周波数が瞬時的にも高安定
で、かつ１個の吸収セルで複数の波長の出力が得
られる半導体レーザ波長安定化装置を実現するこ
とを目的とする。
《問題点を解決するための手段》
本発明は標準物質の吸収スペクトル線に半導体
レーザの波長を制御して波長を安定化する半導体
レーザ波長安定化装置に係るもので、その特徴と
するところは２つの半導体レーザのそれぞれの出
力光を入射して偏光面が直交するように合波する
偏光ビームスプリツタとこの合波した光を周波数
変調する変調手段と、この変調手段の出力光を入
射して特定の複数の波長で吸収を起こす標準物質
を封入した吸収セルと、この吸収セルの透過光の
直交する偏光成分を分離する第２の偏光ビームス
プリツタと、分離された２つの出力光を電気信号
に変換する２つの光検出器と、この光検出器の出
力電気信号に基づく信号をそれぞれ入力して前記
半導体レーザのそれぞれの発振波長を制御する制
御手段とを備えた点にある。
レーザの波長を制御して波長を安定化する半導体
レーザ波長安定化装置に係るもので、その特徴と
するところは２つの半導体レーザのそれぞれの出
力光を入射して偏光面が直交するように合波する
偏光ビームスプリツタとこの合波した光を周波数
変調する変調手段と、この変調手段の出力光を入
射して特定の複数の波長で吸収を起こす標準物質
を封入した吸収セルと、この吸収セルの透過光の
直交する偏光成分を分離する第２の偏光ビームス
プリツタと、分離された２つの出力光を電気信号
に変換する２つの光検出器と、この光検出器の出
力電気信号に基づく信号をそれぞれ入力して前記
半導体レーザのそれぞれの発振波長を制御する制
御手段とを備えた点にある。
《作用》
２つのレーザ光出力を偏光ビームスプリツタで
偏光方向が互いに直角となるように合波し、同一
の変調手段および吸収セルを通過した後偏光ビー
ムスプリツタで分離することにより、２周波数に
ついてそれぞれ独立に波長安定化することができ
る。
偏光方向が互いに直角となるように合波し、同一
の変調手段および吸収セルを通過した後偏光ビー
ムスプリツタで分離することにより、２周波数に
ついてそれぞれ独立に波長安定化することができ
る。
《実施例》
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示した図であ
る。その構成は、まず、半導体レーザLD１とLD
２の出力光をそれぞれ偏光ビームスプリツタ
PBS１で互いに直交する偏光に分波し、異なる
光源からの互いに直交する偏光を合波した一方の
出力を光出力とする。そして、合波した他方の出
力を音響光学変調器UM１に導入する。この音響
光学変調器UM１の出力を吸収セルCL１に導入
する。吸収セルCL１の内部には、複数種の波長
のレーザ光を吸収する物質、例えばセシウムCs、
ルビジウムRb、アンモニアNH3、水H2Ｏ等が封
入されている。即ち、吸収セルCL１を透過した
光には、複数の吸収スペクトルが生じている。吸
収セルCL１を透過した偏光面の異なる２つのレ
ーザ光は第２の偏光ビームスプリツタPBS２で
互いに直角方向に分離されそれぞれ受光素子PD
１，PD２に照射されて、受光光パワーに応じた
電気信号となる。この信号をロツクインアンプ
LA１，LA２に入力した後、更に電流制御回路
CT１，CT２に加える。そして、電流制御回路
CT１，CT２の出力は半導体レーザLD１，LD２
に加えられる。従つて、半導体レーザLD１，LD
２は、各電流制御回路CT１，CT２から加えられ
る信号により、印加電流が定まるので、この電流
値により発振周波数が決定される。また前記音響
光学変調器UM１にはスイツチSW１を介して発
振器SG１（周波数Dは例えば80MHz）が接続さ
れ、スイツチSW１には発振器SG２（例えばm
＝25kHz）が駆動用に接続されている。したがつ
て、音響光学変調器UM１を透過した光は周波数
mで発振波長が変調される。また、発振器SG２
の出力は、それぞれロツクインアンプLA１，LA
２にも加えられ、mで同期整流が行なわれる。
電流制御回路CT１，CT２およびロツクインアン
プLA１，LA２は制御手段を構成する。
る。その構成は、まず、半導体レーザLD１とLD
２の出力光をそれぞれ偏光ビームスプリツタ
PBS１で互いに直交する偏光に分波し、異なる
光源からの互いに直交する偏光を合波した一方の
出力を光出力とする。そして、合波した他方の出
力を音響光学変調器UM１に導入する。この音響
光学変調器UM１の出力を吸収セルCL１に導入
する。吸収セルCL１の内部には、複数種の波長
のレーザ光を吸収する物質、例えばセシウムCs、
ルビジウムRb、アンモニアNH3、水H2Ｏ等が封
入されている。即ち、吸収セルCL１を透過した
光には、複数の吸収スペクトルが生じている。吸
収セルCL１を透過した偏光面の異なる２つのレ
ーザ光は第２の偏光ビームスプリツタPBS２で
互いに直角方向に分離されそれぞれ受光素子PD
１，PD２に照射されて、受光光パワーに応じた
電気信号となる。この信号をロツクインアンプ
LA１，LA２に入力した後、更に電流制御回路
CT１，CT２に加える。そして、電流制御回路
CT１，CT２の出力は半導体レーザLD１，LD２
に加えられる。従つて、半導体レーザLD１，LD
２は、各電流制御回路CT１，CT２から加えられ
る信号により、印加電流が定まるので、この電流
値により発振周波数が決定される。また前記音響
光学変調器UM１にはスイツチSW１を介して発
振器SG１（周波数Dは例えば80MHz）が接続さ
れ、スイツチSW１には発振器SG２（例えばm
＝25kHz）が駆動用に接続されている。したがつ
て、音響光学変調器UM１を透過した光は周波数
mで発振波長が変調される。また、発振器SG２
の出力は、それぞれロツクインアンプLA１，LA
２にも加えられ、mで同期整流が行なわれる。
電流制御回路CT１，CT２およびロツクインアン
プLA１，LA２は制御手段を構成する。
上記のような構成の半導体レーザ波長安定化装
置の動作を以下に詳しく説明する。
置の動作を以下に詳しく説明する。
ここでは、吸収セルCL１を構成する吸収物質
としてセシウムCsを用いた例で説明する。
としてセシウムCsを用いた例で説明する。
半導体レーザLD１の出力光は偏光ビームスプ
リツタPBS１で２方向に分離され、反射光は外
部への出力光となり透過光は音響光学変調器UM
１に入射する。同様に半導体レーザLD２の出力
光は、透過光が外部への出力光となり反射光は音
響光学変調器UM１に入射する。スイツチSW１
がオンの時音響光学変調器UM１は信号発生器
SG１の周波数Dの出力で駆動されるので、周波
数1，2の入射光の大部分は回折して周波数（ド
ツプラ）シフトを受け、１次回折光として周波数
1＋D，2＋Dの光が吸収セルCL１に入射する。
スイツチSW１がオフのときは入射光は全て０次
回折光として周波数1，2で吸収セルCL１に入
射する。スイツチSW１は信号発生器SG２の周波
数mのクロツクで駆動されるので、吸収セルCL
１に入射する光は変調周波数m変調深さDの周
波数変調を受けることになる。
リツタPBS１で２方向に分離され、反射光は外
部への出力光となり透過光は音響光学変調器UM
１に入射する。同様に半導体レーザLD２の出力
光は、透過光が外部への出力光となり反射光は音
響光学変調器UM１に入射する。スイツチSW１
がオンの時音響光学変調器UM１は信号発生器
SG１の周波数Dの出力で駆動されるので、周波
数1，2の入射光の大部分は回折して周波数（ド
ツプラ）シフトを受け、１次回折光として周波数
1＋D，2＋Dの光が吸収セルCL１に入射する。
スイツチSW１がオフのときは入射光は全て０次
回折光として周波数1，2で吸収セルCL１に入
射する。スイツチSW１は信号発生器SG２の周波
数mのクロツクで駆動されるので、吸収セルCL
１に入射する光は変調周波数m変調深さDの周
波数変調を受けることになる。
第２図は、Cs原子のエネルギー準位を示す図
である。同図において、波長が852.112nmの光を
Cs原子に当てると、6S1/2から6P3/2へ電子が励起
されるため、光はエネルギーを失い吸収が起き
る。ここで6S1/2，6P3/2の準位はそれぞれ２本、
４本の超微細構造を持つ。従つて、厳密に言え
ば、この準位間で６通りの波長（または周波数）
の光で吸収が起きる。しかし、実際は、原子の運
動によるドツプラー広がりのため、吸収スペクト
ル幅は、数百ＭHzになるので、通常6P3/2レベル
の微細構造は観測されない。従つて、吸収スペク
トル線は第３図に示すように、ａ，ｂの２つの吸
収として観測される。第３図に示す吸収信号のう
ちａは、第２図に示すａ即ちＦ４からのものであ
り、第３図に示すｂは、第２図のｂ即ちＦ３から
のものである。吸収セルCL１に音響光学変調器
UM１で変調された光が入射すると、第４図の動
作説明図に示すように吸収信号の箇所でのみ透過
光量が変調を受けて出力に信号が現れる。この信
号を光検出器PD１，PD２で電気信号に変換しロ
ツクインアンプLA１，LA２において周波数m
で同期整流すれば、第５図の周波数特性曲線図に
示すような１次微分波形が得られる。このときロ
ツクインアンプLA１の出力は＝s−D／２で
０となる。
である。同図において、波長が852.112nmの光を
Cs原子に当てると、6S1/2から6P3/2へ電子が励起
されるため、光はエネルギーを失い吸収が起き
る。ここで6S1/2，6P3/2の準位はそれぞれ２本、
４本の超微細構造を持つ。従つて、厳密に言え
ば、この準位間で６通りの波長（または周波数）
の光で吸収が起きる。しかし、実際は、原子の運
動によるドツプラー広がりのため、吸収スペクト
ル幅は、数百ＭHzになるので、通常6P3/2レベル
の微細構造は観測されない。従つて、吸収スペク
トル線は第３図に示すように、ａ，ｂの２つの吸
収として観測される。第３図に示す吸収信号のう
ちａは、第２図に示すａ即ちＦ４からのものであ
り、第３図に示すｂは、第２図のｂ即ちＦ３から
のものである。吸収セルCL１に音響光学変調器
UM１で変調された光が入射すると、第４図の動
作説明図に示すように吸収信号の箇所でのみ透過
光量が変調を受けて出力に信号が現れる。この信
号を光検出器PD１，PD２で電気信号に変換しロ
ツクインアンプLA１，LA２において周波数m
で同期整流すれば、第５図の周波数特性曲線図に
示すような１次微分波形が得られる。このときロ
ツクインアンプLA１の出力は＝s−D／２で
０となる。
このCs原子に周波数1，2の光を透過させると
透過光量は、それぞれ1，2の変化に応じた第３
図の吸収信号が得られる。従つて、ロツクインア
ンプLA１，LA２の出力波形は、この受光素子
PD１，PD２からの信号（第３図）を微分した第
６図、第７図に示すような波形となる。
透過光量は、それぞれ1，2の変化に応じた第３
図の吸収信号が得られる。従つて、ロツクインア
ンプLA１，LA２の出力波形は、この受光素子
PD１，PD２からの信号（第３図）を微分した第
６図、第７図に示すような波形となる。
偏光ビームスプリツタPBS２における分離に
より、ロツクインアンプLA１の出力には、周波
数2の光の影響は現れないし、ロツクインアンプ
LA２の出力には、周波数1の光の影響は現れな
い。従つて、ロツクインアンプLA１，LA２の出
力は、それぞれ独立に第６図（ロツクインアンプ
LA１の出力）、第７図（ロツクインアンプLA２
の出力）のような波形となる。そして、ロツクイ
ンアンプLA１の出力が第６図のＡ点、ロツクイ
ンアンプLA２の出力が第７図のＢ点となるよう
に電流制御回路CT１，CT２で、半導体レーザ
LD１，LD２の発振周波数を制御すれば、出力か
ら取出されるレーザ光は、波長＝852.112nm付近
であつて、互いに9.2GHz異なる安定な２つの波
長の光となる。
より、ロツクインアンプLA１の出力には、周波
数2の光の影響は現れないし、ロツクインアンプ
LA２の出力には、周波数1の光の影響は現れな
い。従つて、ロツクインアンプLA１，LA２の出
力は、それぞれ独立に第６図（ロツクインアンプ
LA１の出力）、第７図（ロツクインアンプLA２
の出力）のような波形となる。そして、ロツクイ
ンアンプLA１の出力が第６図のＡ点、ロツクイ
ンアンプLA２の出力が第７図のＢ点となるよう
に電流制御回路CT１，CT２で、半導体レーザ
LD１，LD２の発振周波数を制御すれば、出力か
ら取出されるレーザ光は、波長＝852.112nm付近
であつて、互いに9.2GHz異なる安定な２つの波
長の光となる。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置
によれば、レーザの発振周波数が変調されていな
いので、瞬時的にも非常に安定な光源となる。
によれば、レーザの発振周波数が変調されていな
いので、瞬時的にも非常に安定な光源となる。
また１個の吸収セルで複数の波長のレーザ光を
出力できるので構成が簡単である。
出力できるので構成が簡単である。
また複数のレーザ出力光は原子の吸収線にロツ
クされるので、高精度・高スペクトル純度であ
る。
クされるので、高精度・高スペクトル純度であ
る。
さらに高価な音響光学変調器やその駆動回路が
１組で済むので調整および構成が簡単かつ安価と
なる。一般に音響光学変調器の調整は偏光ビーム
スプリツタに比べてはるかに困難である。
１組で済むので調整および構成が簡単かつ安価と
なる。一般に音響光学変調器の調整は偏光ビーム
スプリツタに比べてはるかに困難である。
次に、Dsの代りにRbを用いた場合を説明す
る。この場合、Csと同様に基底準位がＦ＝１，
Ｆ＝２の超微細構造を持つ。Ｆ＝１からの吸収を
起こす周波数を1，Ｆ＝２からの吸収を起こす周
波数を2とすると、これらの差であるΔ＝1−2
は、Rb87の時は、Δ＝6.8GHz，Rb85の時は、Δ
3GHzとなる。また、RbのD1線（5S1/2準位から
5P3/2への励起794.7nm）とD2線（5S1/2から5P1/2
への励起780.0nm）を使用すれば、Δλ＝14.7nm
となる。また、CsとRbを通すことにより、 Δλ＝852.1−780（または794.7）＝72.1（または57.4
）
nmにもなる。更に、H2ＯやNH3等の分子吸収線
を使用しても良い。
る。この場合、Csと同様に基底準位がＦ＝１，
Ｆ＝２の超微細構造を持つ。Ｆ＝１からの吸収を
起こす周波数を1，Ｆ＝２からの吸収を起こす周
波数を2とすると、これらの差であるΔ＝1−2
は、Rb87の時は、Δ＝6.8GHz，Rb85の時は、Δ
3GHzとなる。また、RbのD1線（5S1/2準位から
5P3/2への励起794.7nm）とD2線（5S1/2から5P1/2
への励起780.0nm）を使用すれば、Δλ＝14.7nm
となる。また、CsとRbを通すことにより、 Δλ＝852.1−780（または794.7）＝72.1（または57.4
）
nmにもなる。更に、H2ＯやNH3等の分子吸収線
を使用しても良い。
第８図のような構成を用いると、飽和吸収分光
（参考；堀、角田、北野、藪崎、小川：飽和吸収
分光を用いた半導体レーザの周波数安定化、信学
技報OQE82−116）によりドツプラ広がりが無く
なるので、第２図で説明した超微細構造を識別す
ることができるようになる。従つて、第９図に示
すように超微細構造に基づいたロツクインアンプ
の出力信号が得られるので、そのうち、どこにロ
ツクするかで、Δは、更に小さくすることがで
きる。なお、第８図が第１図と異なる所は、第８
図に示すように、ミラーＭ１，Ｍ２を使用した点
で、吸収セルCL１を出射した光をミラーＭ１で
反射して再び吸収セルCL１にプローブ光として
入射し、飽和吸収分光した光をミラーＭ２で反射
して偏光ビームスプリツタPBS２に導いている。
（参考；堀、角田、北野、藪崎、小川：飽和吸収
分光を用いた半導体レーザの周波数安定化、信学
技報OQE82−116）によりドツプラ広がりが無く
なるので、第２図で説明した超微細構造を識別す
ることができるようになる。従つて、第９図に示
すように超微細構造に基づいたロツクインアンプ
の出力信号が得られるので、そのうち、どこにロ
ツクするかで、Δは、更に小さくすることがで
きる。なお、第８図が第１図と異なる所は、第８
図に示すように、ミラーＭ１，Ｍ２を使用した点
で、吸収セルCL１を出射した光をミラーＭ１で
反射して再び吸収セルCL１にプローブ光として
入射し、飽和吸収分光した光をミラーＭ２で反射
して偏光ビームスプリツタPBS２に導いている。
また、第１図で示したロツクインアンプに入力
される周波数は、mの高調波を使用しても良い。
この場合、３倍調波を用いると、第６図、第７図
のロツクインアンプのバイアス成分を無くせる効
果がある。
される周波数は、mの高調波を使用しても良い。
この場合、３倍調波を用いると、第６図、第７図
のロツクインアンプのバイアス成分を無くせる効
果がある。
また上記の実施例では変調手段として音響光学
変調器を用いているが、これに限らず、例えば電
気光学素子を用いた位相変調器を用いてもよい。
これには例えば縦型変調器、横型変調器、進行波
形変調器などがある（Amnon Yarif：光エレク
トロニクスの基礎（丸善）、p24CL１〜p253）。
変調器を用いているが、これに限らず、例えば電
気光学素子を用いた位相変調器を用いてもよい。
これには例えば縦型変調器、横型変調器、進行波
形変調器などがある（Amnon Yarif：光エレク
トロニクスの基礎（丸善）、p24CL１〜p253）。
また上記の実施例では制御手段の出力で半導体
レーザの電流を制御しているが、これに限らず半
導体レーザの温度を制御してもよい。
レーザの電流を制御しているが、これに限らず半
導体レーザの温度を制御してもよい。
《発明の効果》
以上述べたように本発明によれば、発振周波数
が瞬時的にも高安定で、かつ１個の吸収セルおよ
び１個の変調器で複数の波長の出力が得られる半
導体レーザ波長安定化装置を簡単な構成で実現す
ることができる。
が瞬時的にも高安定で、かつ１個の吸収セルおよ
び１個の変調器で複数の波長の出力が得られる半
導体レーザ波長安定化装置を簡単な構成で実現す
ることができる。
第１図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化
装置の一実施例を示す構成ブロツク図、第２図は
Cs原子のエネルギー準位の微細構造を示す図、
第３図はCs原子による吸収を示す図、第４図は
第１図装置の動作を説明するための動作説明図、
第５図は第１図装置の動作を説明するための第２
の特性曲線図、第６図および第７図は第１図装置
におけるロツクインアンプの出力を示す図、第８
図は第１図装置の変形例を示す構成ブロツク図、
第９図は第８図装置におけるロツクインアンプの
出力を示す図、第１０図は従来の半導体レーザ波
長安定化装置を示す構成ブロツク図である。 LD１，LD２……半導体レーザ、UM１……変
調手段、CL１……吸収セル、PD１，PD２……
光検出器、m……変調周波数、LA１，LA２…
…ロツクインアンプ、CT１，CT２……電流制御
回路、SG２……発振器。
装置の一実施例を示す構成ブロツク図、第２図は
Cs原子のエネルギー準位の微細構造を示す図、
第３図はCs原子による吸収を示す図、第４図は
第１図装置の動作を説明するための動作説明図、
第５図は第１図装置の動作を説明するための第２
の特性曲線図、第６図および第７図は第１図装置
におけるロツクインアンプの出力を示す図、第８
図は第１図装置の変形例を示す構成ブロツク図、
第９図は第８図装置におけるロツクインアンプの
出力を示す図、第１０図は従来の半導体レーザ波
長安定化装置を示す構成ブロツク図である。 LD１，LD２……半導体レーザ、UM１……変
調手段、CL１……吸収セル、PD１，PD２……
光検出器、m……変調周波数、LA１，LA２…
…ロツクインアンプ、CT１，CT２……電流制御
回路、SG２……発振器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザ
の波長を制御して波長を安定化する半導体レーザ
波長安定化装置において、２つの半導体レーザの
それぞれの出力光を入射して偏光面が直交するよ
うに合波する偏光ビームスプリツタとこの合波し
た光を周波数変調する変調手段と、この変調手段
の出力光を入射して特定の複数の波長で吸収を起
こす標準物質を封入した吸収セルと、この吸収セ
ルの透過光の直交する偏光成分を分離する第２の
偏光ビームスプリツタと、分離された２つの出力
光を電気信号に変換する２つの光検出器と、この
光検出器の出力電気信号に基づく信号をそれぞれ
入力して前記半導体レーザのそれぞれの発振波長
を制御する制御手段とを備えたことを特長とする
半導体レーザ波長安定化装置。 ２ 変調手段として音響光学変調器を用いた特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ波長安定化
装置。 ３ 変調手段として電気光学素子からなる位相変
調器を用いた特許請求の範囲第１項記載の半導体
レーザ波長安定化装置。 ４ 標準物質としてRbまたはCsを用いた特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ波長安定化装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14551987A JPS63308985A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14551987A JPS63308985A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63308985A JPS63308985A (ja) | 1988-12-16 |
| JPH051990B2 true JPH051990B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=15387106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14551987A Granted JPS63308985A (ja) | 1987-06-11 | 1987-06-11 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63308985A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4547513B2 (ja) * | 2004-09-01 | 2010-09-22 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 多重飽和分光によるレーザー周波数安定化装置 |
-
1987
- 1987-06-11 JP JP14551987A patent/JPS63308985A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63308985A (ja) | 1988-12-16 |
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