JPH0519891A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0519891A JPH0519891A JP3170917A JP17091791A JPH0519891A JP H0519891 A JPH0519891 A JP H0519891A JP 3170917 A JP3170917 A JP 3170917A JP 17091791 A JP17091791 A JP 17091791A JP H0519891 A JPH0519891 A JP H0519891A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- power supply
- supply potential
- potential
- semiconductor device
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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- Power Sources (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高速動作且つ消費電流低減ができる半導体装
置を提供する。 【構成】 外部からの供給電源電位とこの電位より低い
電位を選択発生できる電源電位変更回路１２と動作クロ
ック切り換え回路１７により、ランダム・ロジック回路
１４は低速用クロックと外部からの供給電源電位より低
い電源電位が選択供給されて低速動作となり、消費電流
低減が容易になり、高速用クロックと外部からの供給電
位が選択供給されると高速動作が容易になる。
置を提供する。 【構成】 外部からの供給電源電位とこの電位より低い
電位を選択発生できる電源電位変更回路１２と動作クロ
ック切り換え回路１７により、ランダム・ロジック回路
１４は低速用クロックと外部からの供給電源電位より低
い電源電位が選択供給されて低速動作となり、消費電流
低減が容易になり、高速用クロックと外部からの供給電
位が選択供給されると高速動作が容易になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速動作且つ消費電流
低減に有効な動作モードを備えた半導体装置に関するも
のである。
低減に有効な動作モードを備えた半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、バッテリー駆動の電子機器に使用
する半導体装置は、外部より供給される電源電位を変更
する回路を備え、半導体装置内の電源電位を外部より供
給される電源電位より低くし、消費電流を低減する製品
が主流になっている。
する半導体装置は、外部より供給される電源電位を変更
する回路を備え、半導体装置内の電源電位を外部より供
給される電源電位より低くし、消費電流を低減する製品
が主流になっている。
【０００３】従来のこの種の一実施例の半導体装置につ
いて図３を参照しながら説明する。図３に示すように、
外部からの電源供給端子１と外部から供給された電源電
位を変更する電源電位変更回路２と、前記電源電位変更
回路２で変更された電源電位の電源ライン８を電源とす
るランダム・ロジック回路３と前記ランダム・ロジック
回路３のクロック信号９を発生する発振回路４と、前記
外部からの電源供給端子１から供給される電源の電源ラ
イン７を電源とする入出力回路５と、入出力信号１０の
電位を変更するレベルシフター６から構成される。
いて図３を参照しながら説明する。図３に示すように、
外部からの電源供給端子１と外部から供給された電源電
位を変更する電源電位変更回路２と、前記電源電位変更
回路２で変更された電源電位の電源ライン８を電源とす
るランダム・ロジック回路３と前記ランダム・ロジック
回路３のクロック信号９を発生する発振回路４と、前記
外部からの電源供給端子１から供給される電源の電源ラ
イン７を電源とする入出力回路５と、入出力信号１０の
電位を変更するレベルシフター６から構成される。
【０００４】上記構成において、パワーオン後外部から
の電源供給端子１から供給された外部電源電位を電源電
位変更回路２によって電位を下げて一定電位に保ち、半
導体装置内の消費電流の大部分を占めるランダム・ロジ
ック回路２と発振回路４に電源ライン８を介して電源を
供給し消費電流を低減する。半導体装置外の装置とのイ
ンターフェースのため、ランダム・ロジック回路２と入
出力回路５との入出力信号１０の電位をレベルシフター
６で変更する。
の電源供給端子１から供給された外部電源電位を電源電
位変更回路２によって電位を下げて一定電位に保ち、半
導体装置内の消費電流の大部分を占めるランダム・ロジ
ック回路２と発振回路４に電源ライン８を介して電源を
供給し消費電流を低減する。半導体装置外の装置とのイ
ンターフェースのため、ランダム・ロジック回路２と入
出力回路５との入出力信号１０の電位をレベルシフター
６で変更する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の電源
電位変更回路では、パワーオン後電源電位を常時一定に
降下させたままなので、消費電流は低減できるが、低速
での動作しかできないという課題を有していた。
電位変更回路では、パワーオン後電源電位を常時一定に
降下させたままなので、消費電流は低減できるが、低速
での動作しかできないという課題を有していた。
【０００６】本発明は上記課題を解決するもので、高速
動作且つ低消費電流の半導体装置を提供することを目的
としている。
動作且つ低消費電流の半導体装置を提供することを目的
としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、高速用発振回路と、低速用発振回路と、動
作クロック変更回路と、外部から供給される電源電位と
この外部電源電位より低い一定の電源電位を任意に出力
できる電源電位変更回路を備えた半導体装置である。
するために、高速用発振回路と、低速用発振回路と、動
作クロック変更回路と、外部から供給される電源電位と
この外部電源電位より低い一定の電源電位を任意に出力
できる電源電位変更回路を備えた半導体装置である。
【０００８】
【作用】本発明によると上記した構成により、半導体装
置内の電源電位を任意に設定でき、動作クロックを変更
できるので、動作クロックに合わせ電源電位を変更し、
高速動作と消費電力低減を可能にできるものである。
置内の電源電位を任意に設定でき、動作クロックを変更
できるので、動作クロックに合わせ電源電位を変更し、
高速動作と消費電力低減を可能にできるものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】図１に示すように、外部からの電源供給端
子１１と、外部から供給された電源電位を外部供給電源
電位と外部供給電源電位より低い電源電位に任意変更す
る電源電位変更回路１２と、前記電源電位変更回路１２
のコントロール回路１３と、前記電源電位変更回路１２
で変更された電源電位の電源ライン２１を電源とするラ
ンダム・ロジック回路１４と前記ランダム・ロジック回
路１４のクロック信号２２、２３を発生する高速用発振
回路１５と低速用発振回路１６と、前記ランダム・ロジ
ック回路１４のソースクロック２４を発生するクロック
切り換え回路１７と、前記外部からの電源供給端子１１
から供給される電源の電源ライン２０を電源とする入出
力回路１８と、入出力信号２５の電位を変更するレベル
シフター１９から構成される。
子１１と、外部から供給された電源電位を外部供給電源
電位と外部供給電源電位より低い電源電位に任意変更す
る電源電位変更回路１２と、前記電源電位変更回路１２
のコントロール回路１３と、前記電源電位変更回路１２
で変更された電源電位の電源ライン２１を電源とするラ
ンダム・ロジック回路１４と前記ランダム・ロジック回
路１４のクロック信号２２、２３を発生する高速用発振
回路１５と低速用発振回路１６と、前記ランダム・ロジ
ック回路１４のソースクロック２４を発生するクロック
切り換え回路１７と、前記外部からの電源供給端子１１
から供給される電源の電源ライン２０を電源とする入出
力回路１８と、入出力信号２５の電位を変更するレベル
シフター１９から構成される。
【００１１】上記構成において、パワーオン後ランダム
・ロジック回路１４の高速動作、低速動作の選択はクロ
ック切り換え回路１７で高速用クロック信号２２と低速
用クロック信号２３の選択により実施し、低速動作時は
電源電位変更回路コントロール回路１３により外部から
の電源供給端子１１から供給された外部電源電位を電源
電位変更回路１２により電位を下げて一定電位に保ち、
半導体装置内の消費電流の大部分を占めるランダム・ロ
ジック回路１２と高速用発振回路１５、低速用発振回路
１６に電源ライン２１を介して電源を供給し消費電流を
低減する。低速動作時は、半導体装置外の装置とのイン
ターフェースのため、ランダム・ロジック回路１４と入
出力回路１８との入出力信号２５の電位をレベルシフタ
ー１９で変更する。高速動作時は電源電位変更回路コン
トロール回路１３と電源電位変更回路１２により電源ラ
イン２１の電位を外部供給電源電位とし、半導体装置全
体の電源電位を外部供給電位に上げて高速動作を可能と
する。
・ロジック回路１４の高速動作、低速動作の選択はクロ
ック切り換え回路１７で高速用クロック信号２２と低速
用クロック信号２３の選択により実施し、低速動作時は
電源電位変更回路コントロール回路１３により外部から
の電源供給端子１１から供給された外部電源電位を電源
電位変更回路１２により電位を下げて一定電位に保ち、
半導体装置内の消費電流の大部分を占めるランダム・ロ
ジック回路１２と高速用発振回路１５、低速用発振回路
１６に電源ライン２１を介して電源を供給し消費電流を
低減する。低速動作時は、半導体装置外の装置とのイン
ターフェースのため、ランダム・ロジック回路１４と入
出力回路１８との入出力信号２５の電位をレベルシフタ
ー１９で変更する。高速動作時は電源電位変更回路コン
トロール回路１３と電源電位変更回路１２により電源ラ
イン２１の電位を外部供給電源電位とし、半導体装置全
体の電源電位を外部供給電位に上げて高速動作を可能と
する。
【００１２】このように本発明の実施例の半導体装置に
よれば、半導体装置内の電源電位を任意に設定でき、動
作クロックを変更できるので、動作クロックに合わせ電
源電位を変更し、高速動作と消費電力低減を可能にでき
るものである。
よれば、半導体装置内の電源電位を任意に設定でき、動
作クロックを変更できるので、動作クロックに合わせ電
源電位を変更し、高速動作と消費電力低減を可能にでき
るものである。
【００１３】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、本発
明によれば半導体装置内の電源電位を任意に設定でき、
動作クロックを変更できるので、動作クロックに合わせ
電源電位を変更し、高速動作且つ消費電流低減が可能な
半導体装置を提供できる。
明によれば半導体装置内の電源電位を任意に設定でき、
動作クロックを変更できるので、動作クロックに合わせ
電源電位を変更し、高速動作且つ消費電流低減が可能な
半導体装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例の低消費電流半導体装置の構
成を示すブロック図
成を示すブロック図
【図２】従来の低消費電流半導体装置の構成の一例を示
すブロック図
すブロック図
１１ 外部からの電源供給端子 １２ 電源電位変更回路 １３ 電源電位変更回路コントロール回路 １４ ランダム・ロジック回路 １５ 高速用発振回路 １６ 低速用発振回路 １７ クロック切り換え回路 １８ 入出力回路 １９ レベルシフター ２０ 外部からの電源供給ライン ２１ 内部電源供給ライン ２２ 高速用クロック信号 ２３ 低速用クロック信号 ２４ ソースクロック信号 ２５ 入出力信号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】ランダム・ロジック回路と、入出力回路
と、前記ランダム・ロジック回路と入出力回路の高速動
作、低速動作、停止動作をコントロールする回路と、高
速動作用発振回路と、低速動作用発振回路と、前記ラン
ダム・ロジック回路とクロック切り換え回路回路と２つ
の発振回路の電源電位を変更する電源電位変更回路と、
前記電源電位変更回路のコントロール回路と、前記入出
力回路への信号の電源電位を変更するレベルシフター回
路とを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170917A JPH0519891A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170917A JPH0519891A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519891A true JPH0519891A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15913747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3170917A Pending JPH0519891A (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0519891A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091351A (en) * | 1998-01-07 | 2000-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A/D converter and level shifter |
| JP2015119311A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP3170917A patent/JPH0519891A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091351A (en) * | 1998-01-07 | 2000-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | A/D converter and level shifter |
| JP2015119311A (ja) * | 2013-12-18 | 2015-06-25 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
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