JPH05196150A - Gate valve - Google Patents

Gate valve

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JPH05196150A
JPH05196150A JP12508492A JP12508492A JPH05196150A JP H05196150 A JPH05196150 A JP H05196150A JP 12508492 A JP12508492 A JP 12508492A JP 12508492 A JP12508492 A JP 12508492A JP H05196150 A JPH05196150 A JP H05196150A
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JP
Japan
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gate
chamber
base
gate valve
opening
Prior art date
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Pending
Application number
JP12508492A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuaki Shimojo
泰明 下条
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Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Publication of JPH05196150A publication Critical patent/JPH05196150A/en
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To provide a gate valve capable of smoothly carrying out opening and closing actions of a disposal room and preventing generation of dust in a valve at the time of opening and closing. CONSTITUTION:A gate base 26 connected to a hydraulic cylinder 27 and a gate flange 31 pressurized on an opening part of a processing room are stored in a gate chamber 23. A guide rail 40 to guide the gate base 26 in the driving direction and a bearing system 41 are provided on this gate chamber 23 and the gate base 26. When the gate base 26 and the gate flange 31 are driven by the hydraulic cylinder 27, it is possible to smoothly move the gate base 26 along the guide rail 40.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はゲートバルブに関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a gate valve.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、半導体ウェハ製造工程やLC
D基板製造工程において真空内で半導体ウェハやLCD
基板の処理を行うものが種々ある。例えば、真空チャン
バ内に供給された反応ガスをプラズマによりラジカルに
して、半導体ウェハ上に薄膜を形成するCVD装置、ラ
ジカルにより半導体ウェハの薄膜上に所望のパターンに
形成されたレジスト膜により薄膜を所望のパターンに形
成するエッチング装置、またはエッチング後のレジスト
膜を除去するアッシング装置等がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor wafer manufacturing processes and LC
Semiconductor wafers and LCDs in vacuum in the D substrate manufacturing process
There are various types of processing substrates. For example, a CVD apparatus for forming a thin film on a semiconductor wafer by using a reaction gas supplied in a vacuum chamber as a radical by plasma, a thin film is desired by a resist film formed in a desired pattern on the thin film of a semiconductor wafer by the radical. There is an etching apparatus for forming the pattern of No. 2 or an ashing apparatus for removing the resist film after etching.

【0003】これらの装置では、図5に示すように、半
導体ウェハが収納されたカセットから半導体ウェハを搬
出するセンダ1により開かれたゲートバルブV1から、
半導体ウェハを一旦ロードロック室2に搬送し、ゲート
バルブV1を閉じて、ロードロック室2を真空にする。
その後、真空処理の行われるチャンバ(処理室)3との
間のゲートバルブV2を開いて、半導体ウェハをチャン
バ3内に搬送し、ゲートバルブV2を閉じて真空処理を
行う。処理後、チャンバ3に隣接されるロードロック室
4を真空にして、チャンバ3との間に設けられるゲート
バルブV3を開きロードロック室4に処理済の半導体ウ
ェハを搬送する。ゲートバルブV3を閉じ、半導体ウェ
ハを収納するカセットを備えたレシーバ5にゲートバル
ブV4を通って搬出するようになっている。このよう
に、チャンバ3は、2つのロードロック室2、4を真空
状態にしてゲートバルブV2、V3を開閉するため、常時
真空を維持でき、効率的な処理が行えるようになってい
る。このような装置には、複数のチャンバを備えて、ロ
ードロック室を共有したいわゆるマルチチャンバがあ
る。
In these devices, as shown in FIG. 5, from a gate valve V 1 opened by a sender 1 for carrying out a semiconductor wafer from a cassette containing the semiconductor wafer,
The semiconductor wafer is once transferred to the load lock chamber 2, the gate valve V 1 is closed, and the load lock chamber 2 is evacuated.
After that, the gate valve V 2 with the chamber (processing chamber) 3 in which the vacuum processing is performed is opened to transfer the semiconductor wafer into the chamber 3, and the gate valve V 2 is closed to perform the vacuum processing. After the processing, the load lock chamber 4 adjacent to the chamber 3 is evacuated and the gate valve V 3 provided between the chamber 3 and the chamber 3 is opened to transfer the processed semiconductor wafer to the load lock chamber 4. The gate valve V 3 is closed, and the semiconductor wafer is carried out through the gate valve V 4 to the receiver 5 equipped with a cassette. In this way, the chamber 3 opens the two load lock chambers 2 and 4 in a vacuum state and opens and closes the gate valves V 2 and V 3 , so that a vacuum can always be maintained and efficient processing can be performed. .. Such an apparatus includes a so-called multi-chamber having a plurality of chambers and sharing a load lock chamber.

【0004】[0004]

【発明が解決すべき課題】このような装置のゲートバル
ブは、図6に示すように接続部材6で接続される処理室
3A及び3Bの側壁のそれぞれの開口部7Aと7B間に
設けられ、上下動機構例えば油圧シリンダ8に接続され
て上下動するゲートベース9と、ゲートベース9にリン
ク10で接続されるゲートフランジ11を備える。この
ような構成において油圧シリンダ8によりゲートベース
9が上方に上昇し、ゲートフランジ11の先端12がゲ
ートベース9より先に接続部材6に到達すると、上昇を
続けるゲートベース9によりリンク10が回転してゲー
トフランジ11が処理室3Bの方向に押され、開口部7
Bに誘導する。開口部7Bの周囲に設けられたOリング
14にゲートフランジ11が密着し、処理室3A及び3
Bのゲートが閉じられるようになっている。
The gate valve of such an apparatus is provided between the openings 7A and 7B of the side walls of the processing chambers 3A and 3B connected by the connecting member 6 as shown in FIG. A vertical movement mechanism, for example, a gate base 9 that is connected to a hydraulic cylinder 8 and moves up and down, and a gate flange 11 that is connected to the gate base 9 by a link 10. In such a configuration, when the gate base 9 is lifted upward by the hydraulic cylinder 8 and the tip 12 of the gate flange 11 reaches the connecting member 6 before the gate base 9, the link 10 is rotated by the gate base 9 which continues to lift. The gate flange 11 is pushed toward the processing chamber 3B, and the opening 7
Induce to B. The gate flange 11 is brought into close contact with the O-ring 14 provided around the opening 7B, and the processing chambers 3A and 3
The gate of B is closed.

【0005】処理室3A及び3Bを連結する場合は、油
圧シリンダ8が下降すると、まずゲートベース9が下降
し、リンク10により引戻されたゲートフランジ11が
ともに下降してゲートが開かれる。このようなゲートバ
ルブは大口径化したLCDの処理装置では、当然開口部
も大きくなりゲートベース9及びゲートフランジ11も
大型化している。そのため、1本のリンク10で開口部
7Bの開閉をするゲートフランジ11の動きがスムーズ
に行われず、ゲートベース9とゲートフランジ11が平
行状態で上下動しないことがあった。即ち、ゲートバル
ブによる処理室の開口部7Bの閉成の際には、ゲートフ
ランジ11の先端12がゲートバルブの内壁にあたり、
摩擦によりこすれてゴミが発生するという問題があっ
た。また、ゲートバルブによる処理室の開口部7Bの開
口に際しては、ゲートバルブ9が油圧シリンダ8により
下方に加工するのに伴って、ゲートフランジ11はリン
ク10により引張られることにより開口部7Bを開口す
るが、その後必ずしもゲートフランジ11はゲートバル
ブ9と平行な状態でゲートバルブ9に引寄せられるとは
限らず、ゲートバルブ9とゲートフランジ11を収容す
るゲートバルブの内壁にこすれてゴミを発生するという
問題があった。
In the case of connecting the processing chambers 3A and 3B, when the hydraulic cylinder 8 descends, the gate base 9 descends first, and the gate flange 11 pulled back by the link 10 descends together to open the gate. Such a gate valve naturally has a large opening in a large-diameter LCD processing apparatus, and the gate base 9 and the gate flange 11 are also large. Therefore, the movement of the gate flange 11 that opens and closes the opening 7B by one link 10 may not be performed smoothly, and the gate base 9 and the gate flange 11 may not move up and down in a parallel state. That is, when the opening 7B of the processing chamber is closed by the gate valve, the tip 12 of the gate flange 11 contacts the inner wall of the gate valve,
There was a problem that rubbing caused rubbing to generate dust. Further, when the opening 7B of the processing chamber is opened by the gate valve, as the gate valve 9 is processed downward by the hydraulic cylinder 8, the gate flange 11 is pulled by the link 10 to open the opening 7B. However, after that, the gate flange 11 is not always attracted to the gate valve 9 in a state parallel to the gate valve 9, and rubbing against the inner wall of the gate valve housing the gate valve 9 and the gate flange 11 generates dust. There was a problem.

【0006】また、マルチチャンバの場合はゲートバル
ブはロードロック室より常に負圧になっているチャンバ
に吸着されるため、チャンバ方向に押圧される力に対し
て耐久性を有するが、ロードロック室方向に押圧される
力に対しては耐久性がなく、一方のみの処理室のメンテ
ナンス時であっても、処理室は双方とも使用できなかっ
た。
Further, in the case of a multi-chamber, since the gate valve is adsorbed by the chamber that is always at a negative pressure than the load lock chamber, it has durability against the force pressed in the chamber direction. There was no durability against the force pressed in the direction, and both processing chambers could not be used even during maintenance of only one processing chamber.

【0007】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたものであって、ゲートフランジが処理室の開口部
の開閉時にスムーズに移動してゲートバルブの内壁や開
口部とこすれてゴミを発生することなく、処理室内を高
精度に真空を維持できるゲートバルブを提供することを
目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks, and the gate flange moves smoothly when opening and closing the opening of the processing chamber and rubs against the inner wall and opening of the gate valve to remove dust. An object of the present invention is to provide a gate valve that can maintain a vacuum in a processing chamber with high accuracy without generating the vacuum.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のゲートバルブは、駆動機構に接続される基
台と、この基台に連結され処理室の開口部に押圧されて
処理室を閉成する蓋体と、基台と蓋体とを収容する容器
と、容器の内壁に沿って設けられ、基台を駆動機構の駆
動方向に進退自由に案内するガイド機構と、蓋体を基台
に引寄せる引寄せ手段とを備えたものであり、好適に
は、蓋体はその一端に回転手段が設けられたものであ
る。
In order to achieve the above object, a gate valve of the present invention comprises a base connected to a drive mechanism and a processing chamber connected to the base and pressed against an opening of the processing chamber. A lid that closes the container, a container that houses the base and the lid, a guide mechanism that is provided along the inner wall of the container, and that guides the base freely in the drive direction of the drive mechanism, and the lid. It is provided with a pulling means for pulling to the base, and preferably, the lid body is provided with a rotating means at one end thereof.

【0009】[0009]

【作用】処理室の開口部間に設けられるゲートバルブ
は、駆動機構に接続された基台を駆動することにより、
この基台に連結された蓋体がともに駆動されて処理室の
開口部に押圧され、処理室の開口部を閉成する。この
際、基台はゲートバルブの内壁に設けられたガイド機構
にガイドされて駆動されるとともに、蓋体は基台に対し
て常に平行を保ちながら基台に引寄せられた状態でスム
ーズに開口動作を行なうことができる。これにより、蓋
体がゲートバルブの内壁とこすれてゴミを発生すること
もない。また蓋体が処理室の開口部に正確に押圧される
ので処理室内の真空は高精度に維持できる。
The gate valve provided between the openings of the processing chamber is driven by driving the base connected to the drive mechanism.
The lids connected to this base are driven together and pressed against the opening of the processing chamber to close the opening of the processing chamber. At this time, the base is driven by being guided by a guide mechanism provided on the inner wall of the gate valve, and the lid body is smoothly kept open while being kept parallel to the base. You can take action. This prevents the lid from rubbing against the inner wall of the gate valve to generate dust. Further, since the lid is accurately pressed against the opening of the processing chamber, the vacuum in the processing chamber can be maintained with high accuracy.

【0010】一方、駆動機構を逆に駆動することにより
基台はガイド機構にガイドされるとともに蓋体が処理室
の開口部から基台の方向に引戻される方向に駆動され
る。この際、閉成時と同様に蓋体は基台に対して常に平
行を保ちながら開口動作を行なうことができるとともに
開口に際して蓋体が引寄せ手段により基台に引寄せられ
るので、蓋体がゲートバルブの内壁とこすれてゴミを発
生することもない。
On the other hand, by driving the drive mechanism in the opposite direction, the base is guided by the guide mechanism and the lid is driven in the direction of being pulled back from the opening of the processing chamber toward the base. At this time, as in the case of closing the lid, the lid can always perform an opening operation while being parallel to the base, and at the time of opening, the lid is pulled to the base by the pulling means. No dust is generated by rubbing against the inner wall of the gate valve.

【0011】さらに、蓋体の先端に回転手段が設けられ
ていることにより、蓋体の開口部への押圧、引離れがス
ムーズに行なわれる。
Further, since the rotating means is provided at the tip of the lid, the opening and closing of the lid can be smoothly performed.

【0012】[0012]

【実施例】本発明のゲートバルブをLCD用ガラス基板
の製造装置のマルチチャンバに適用した一実施例を図面
を参照して説明する。図1に示すマルチチャンバは、主
として中央に設けられるロードロック室17と、ロード
ロック室17を包囲するように隣接してそれぞれ設けら
れるセンダ18と、チャンバ(処理室)19及び20
と、レシーバ21とから成る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the gate valve of the present invention is applied to a multi-chamber of an LCD glass substrate manufacturing apparatus will be described with reference to the drawings. The multi-chamber shown in FIG. 1 mainly includes a load lock chamber 17 provided at the center, a sender 18 provided adjacently so as to surround the load lock chamber 17, and chambers (processing chambers) 19 and 20.
And a receiver 21.

【0013】センダ18は未処理のLCD用ガラス基板
が収納されるカセットの載置台を備え、一段毎に上昇あ
るいは下降してLCD用ガラス基板が搬出できるように
なっている。ロードロック室17は360゜回転可能
で、水平方向に伸長する搬送アームを備え、図示しない
真空排気装置に接続されている。チャンバ19及び20
はLCD用ガラス基板を一枚ずつ処理する枚葉処理装置
であり、図示はしないが平行して設けられる平行平板電
極を備え、この電極間にLCD用ガラス基板が搬入され
ると高周波を印加する高周波電源装置や、高周波により
プラズマ化されるガスの供給装置や、プラズマ化される
ガスを検出するエンドポイント検出器、あるいはチャン
バ内の温度をコントロールする温度制御装置等が接続さ
れ、ロードロック室17と同様に真空排気装置に接続さ
れる。これらのチャンバにおいては、プラズマ化された
ガスによりLCD用ガラス基板上の薄膜を所望のパター
ンに形成するエッチング、またはエッチング後のレジス
ト膜を除去するアッシング、あるいは薄膜の積層等がな
される。
The sender 18 is provided with a mounting table for a cassette in which an unprocessed glass substrate for LCD is stored, and the LCD glass substrate can be carried out by going up or down step by step. The load lock chamber 17 is rotatable by 360 °, has a transfer arm extending in the horizontal direction, and is connected to a vacuum exhaust device (not shown). Chambers 19 and 20
Is a single-wafer processing device that processes LCD glass substrates one by one, and includes parallel plate electrodes (not shown) arranged in parallel, and applies a high frequency when the LCD glass substrates are carried in between the electrodes. The load lock chamber 17 is connected to a high frequency power supply device, a supply device of gas that is turned into plasma by high frequency, an endpoint detector that detects the gas to be turned into plasma, a temperature control device that controls the temperature in the chamber, and the like. Is connected to the vacuum exhaust device in the same manner as in. In these chambers, etching for forming a thin film on a glass substrate for LCD in a desired pattern by gas turned into plasma, ashing for removing a resist film after etching, or lamination of thin films is performed.

【0014】レシーバ21は、処理済のLCD用ガラス
基板を収納する(図示しない)カセットの載置台を備
え、センダ18と同様の機能を有し、ロードロック室1
7から搬送される処理済のLCD用ガラス基板を搬入す
るようになっている。このような構成のマルチチャンバ
16のロードロック室17と、センダ18間、チャンバ
19及び20間、レシーバ21間には、ゲートバルブ2
2が設けられる。ゲートバルブ22は、それぞれセンダ
18とロードロック室17間に設けられるものは2
1、ロードロック室17とチャンバ19間に設けられ
るものは222、ロードロック室17とチャンバ20間
に設けられるものは223、ロードロック室17とレシ
ーバ21間に設けられるものは224と称し、全て同様
の機構を有するものである。更に同様の機構を備えたゲ
ートバルブ991及び992がそれぞれセンダ18及びレ
シーバ21に設けられる。
The receiver 21 includes a cassette mounting table (not shown) for storing the processed LCD glass substrate, has the same function as the sender 18, and has the load lock chamber 1
The processed glass substrate for LCD carried from 7 is carried in. The gate valve 2 is provided between the load lock chamber 17 and the sender 18, between the chambers 19 and 20, and between the receiver 21 of the multi-chamber 16 having such a configuration.
Two are provided. The gate valve 22 is provided between the sender 18 and the load lock chamber 17 respectively.
2 1 , 22 2 provided between the load lock chamber 17 and the chamber 19, 22 3 provided between the load lock chamber 17 and the chamber 20, and 22 4 provided between the load lock chamber 17 and the receiver 21. And all have the same mechanism. Further, gate valves 99 1 and 99 2 having a similar mechanism are provided in the sender 18 and the receiver 21, respectively.

【0015】図2〜図4に示すように、例えばロードロ
ック室17とチャンバ19間に設けられるゲートバルブ
22は、駆動機構として例えばエアシリンダあるいは油
圧シリンダ27等によって駆動例えば上下動される基台
であるゲートベース26と、このゲートベース26に連
結された蓋体であるゲートフランジ31とを備え、これ
らゲートベース26及びゲートフランジ31は、ロード
ロック室17の開口部17aと、チャンバ19の開口部
19aとを包囲してなる容器であるゲートチャンバ23
内を収容されている。
As shown in FIGS. 2 to 4, for example, a gate valve 22 provided between the load lock chamber 17 and the chamber 19 is driven by, for example, an air cylinder or a hydraulic cylinder 27 as a driving mechanism, and is moved up and down, for example. And a gate flange 31 that is a lid connected to the gate base 26. The gate base 26 and the gate flange 31 are provided with an opening 17a of the load lock chamber 17 and an opening of the chamber 19. Gate chamber 23 which is a container surrounding the portion 19a
It is housed inside.

【0016】ゲートベース26とゲートフランジ31
は、その側壁をリンク30により相互に連結されてい
る。リンクはゲートベース26とゲートフランジ31と
の平行を確保するために好適には2つ設けられる。なお
図では、手前の側壁のみ示されるが、反対側の側壁も同
様になっている。更に、ゲートフランジ31とゲートベ
ース26間には引寄せ手段、例えばスプリング32が掛
止され、ゲートフランジ31の上面がゲートベース26
の上面より上方に位置し、ゲートフランジ31がゲート
ベース26に引き付けられるように支持される。これに
より、ゲートフランジ31が開口するように駆動される
とき、ゲートベース26に引寄せられ、内壁とぶつかる
ことがない。また、ゲートフランジ31の上面には回転
手段としてローラ33が備えられ、ゲートフランジ31
がチャンバ19の開口部19aに押圧、引離れる際の動
作がスムーズに行くようになっている。
Gate base 26 and gate flange 31
Have their sidewalls interconnected by links 30. Two links are preferably provided to ensure the parallelism between the gate base 26 and the gate flange 31. Although only the front side wall is shown in the drawing, the side wall on the opposite side is also the same. Further, a pulling means, for example, a spring 32 is hooked between the gate flange 31 and the gate base 26, and the upper surface of the gate flange 31 is attached to the gate base 26.
The gate flange 31 is located above the upper surface of and is supported so as to be attracted to the gate base 26. As a result, when the gate flange 31 is driven to open, it is attracted to the gate base 26 and does not collide with the inner wall. Further, a roller 33 is provided on the upper surface of the gate flange 31 as a rotating means,
Is smoothly pressed against the opening 19a of the chamber 19 and pulled away.

【0017】一方、ゲートチャンバ23は、ロードロッ
ク室17の開口部17a及びチャンバ19の開口部19
a部分にそれぞれ開口部23a及び23bを有し、ロー
ドロック室17及びチャンバ19の側壁にそれぞれOリ
ング24を介してねじ25で固定される。また、このゲ
ートチャンバ23の内壁に沿ってゲートベース26の駆
動方向にゲートベース26をガイドするガイド機構とし
て、例えばガイドレール100とこのガイドレールに取
り付けられてスライドするベアリング機構101との組
みがロードロック室の開口部の両側と相対するゲートベ
ース26との間に取り付けられている。このガイド機構
はゲートベース26の駆動を円滑ならしめるとともに、
ゲートバルブの内壁とゲートベース26がこすれてゴミ
を発生するのを防止する。さらにガイド機構は、チャン
バ19とロードロック室17との真空到達度の違いによ
り生じる力に対抗してゲートフランジ31をチャンバの
開口部19aに押圧する力を生じ支える基台の役割をは
たすように構成されている。即ち、例えばプラズマ処理
をするためにチャンバ19内が10-4Torr程度の真空度
になっているのに対し、ロードロック室17が大気圧か
ら10-3Torr程度の真空度に変化していく場合に、ゲー
トフランジ31がチャンバ19の開口部から押戻される
力を受けるが、この力をガイド機構が支承する。
On the other hand, the gate chamber 23 has an opening 17a in the load lock chamber 17 and an opening 19 in the chamber 19.
The portions a have openings 23a and 23b, respectively, and are fixed to the side walls of the load lock chamber 17 and the chamber 19 with screws 25 via O-rings 24, respectively. Further, as a guide mechanism for guiding the gate base 26 in the driving direction of the gate base 26 along the inner wall of the gate chamber 23, for example, a set of a guide rail 100 and a bearing mechanism 101 attached to and sliding on the guide rail is loaded. It is attached between both sides of the opening of the lock chamber and the opposing gate base 26. This guide mechanism smoothes the drive of the gate base 26, and
The inner wall of the gate valve and the gate base 26 are prevented from rubbing to generate dust. Further, the guide mechanism serves as a base for supporting and generating a force for pressing the gate flange 31 against the opening 19a of the chamber against the force generated by the difference in the degree of vacuum reach between the chamber 19 and the load lock chamber 17. It is configured. That is, for example, in order to perform plasma processing, the inside of the chamber 19 has a vacuum degree of about 10 -4 Torr, whereas the load lock chamber 17 changes from atmospheric pressure to a vacuum degree of about 10 -3 Torr. In this case, the gate flange 31 receives a force to be pushed back from the opening of the chamber 19, and this force is supported by the guide mechanism.

【0018】駆動機構であるエアシリンダあるいは油圧
シリンダ27等はゲートチャンバ23の下方に、Oリン
グ28を介してねじ29で気密に接続される。また、油
圧シリンダ27はガイド機構に導かれたゲートベース2
6をロードロック室17の方向に押しつけ密着させてい
るので、前述したようなチャンバ19とロードロック室
17との差圧に耐えることができ、特にロードロック室
17が大気開放されチャンバ19が図示されない真空排
気装置で負圧にされた時、圧力差によりチャンバ19方
向へ押返されるときも、差圧に耐えることができる。ま
た、逆にチャンバ19がメンテナンスで大気開放中の場
合にも負圧のロードロック室17の気密を保持できる。
An air cylinder or a hydraulic cylinder 27, which is a drive mechanism, is hermetically connected below the gate chamber 23 with a screw 29 via an O-ring 28. Further, the hydraulic cylinder 27 is connected to the gate base 2 guided by the guide mechanism.
Since 6 is pressed against the load lock chamber 17 and brought into close contact therewith, it is possible to withstand the differential pressure between the chamber 19 and the load lock chamber 17 as described above. When a negative pressure is applied by a vacuum exhaust device which is not operated, the pressure difference can be withstood even when the pressure is pushed back toward the chamber 19 due to the pressure difference. On the contrary, even when the chamber 19 is open to the atmosphere for maintenance, the airtightness of the load lock chamber 17 having a negative pressure can be maintained.

【0019】このような機構のゲートバルブ22による
チャンバ19とロードロック室17の開閉動作を説明す
る。まず、開口部を閉成するには、油圧シリンダ27の
上昇によりゲートベース26が上昇される。ゲートベー
ス26に連結されたゲートフランジ31も同様に上昇さ
れ、ゲートベース26より先に上面がゲートチャンバ2
3の上面に到達する。ゲートフランジ31がゲートチャ
ンバ23の上面に達してもゲートベース26は尚も上昇
を続けることにより、ゲートフランジ31は上昇せずに
留るため、リンク30が回転され、ゲートフランジ31
をチャンバ19側に押し出す。ゲートフランジ31は上
面に設けられる回転手段であるローラ33に導かれ、図
3に示すようにチャンバ19の開口部19aの周囲に設
けられるOリング34に押圧される。そしてチャンバ1
9内は密封される。
The opening / closing operation of the chamber 19 and the load lock chamber 17 by the gate valve 22 having such a mechanism will be described. First, in order to close the opening, the gate base 26 is raised by raising the hydraulic cylinder 27. The gate flange 31 connected to the gate base 26 is also lifted in the same manner, and the upper surface of the gate flange 26 is located before the gate base 26.
Reach the top of 3. Even when the gate flange 31 reaches the upper surface of the gate chamber 23, the gate base 26 continues to move up, and the gate flange 31 stays without moving up. Therefore, the link 30 is rotated and the gate flange 31 is rotated.
Is pushed out toward the chamber 19 side. The gate flange 31 is guided to a roller 33, which is a rotating means provided on the upper surface, and is pressed by an O-ring 34 provided around the opening 19a of the chamber 19, as shown in FIG. And chamber 1
The inside of 9 is sealed.

【0020】次に、この状態からゲートバルブ22を開
成してチャンバ19とロードロック室17を連結するに
は、まず油圧シリンダ27が下降を始めるとゲートベー
ス26が下降する。リンク30が回転し、引寄せ手段で
あるスプリング32がゲートフランジ31を牽引する。
ゲートフランジ31は2つのリンク30とスプリング3
2の3点で牽引されローラ33の回転により、ゲートベ
ース26と平行に引寄せられながらスムーズに下降す
る。そしてロードロック室17とチャンバ19が連結さ
れる。
Next, in order to open the gate valve 22 to connect the chamber 19 and the load lock chamber 17 from this state, first the hydraulic cylinder 27 starts to descend, and the gate base 26 descends. The link 30 rotates, and the spring 32 as a pulling means pulls the gate flange 31.
The gate flange 31 has two links 30 and a spring 3.
The roller 33 is pulled at three points 2 and is rotated in parallel with the gate base 26 so that the roller 33 smoothly descends. Then, the load lock chamber 17 and the chamber 19 are connected.

【0021】このようなゲートチャンバ22を備えるマ
ルチチャンバにより処理を行なうには、予めゲートバル
ブ221、222、223、224、991、992を閉じて
真空排気装置によりロードロック室17、センダ18、
チャンバ19、20、レシーバ21を真空にする。セン
ダ18の半導体ウェハが収納されたカセットから半導体
ウェハを搬出する。ゲートバルブ221を開き、半導体
ウェハをロードロック室17に搬送する。ゲートバルブ
221を閉じる。その後、真空処理の行われるチャンバ
19との間のゲートバルブ222を開いて、半導体ウェ
ハをチャンバ19内に搬送し、ゲートバルブ222を閉
じて真空処理、例えばプラズマ化されたガスにより半導
体ウェハ上の薄膜を所望のパターンに形成するエッチン
グ、またはエッチング後のレジスト膜を除去するアッシ
ング、あるいは薄膜の積層等がなされる。チャンバ19
で処理が行なわれている間に、再び同様な方法でセンダ
18から半導体ウェハを搬出し、ゲートバルブ223
開いて、半導体ウェハをチャンバ20内に搬送し、真空
処理する。チャンバ19の処理後、真空に保持されてい
るロードロック室17との間のゲートバルブ222を開
きロードロック室17に処理済の半導体ウェハを搬送す
る。ゲートバルブ222を閉じ、ゲートバルブ224を開
いてレシーバ21に半導体ウェハを搬出し、カセットに
収納する。さらに、チャンバ20で処理が終了すると、
ゲートバルブ223を開いてロードロック室17に搬送
し、ゲートバルブ223を閉じた後、ゲートバルブ224
を開けてレシーバ21に搬送して処理を終了する。この
ようにそれぞれのチャンバ内を常時真空を維持して順次
処理を反復して行なうため、効率的な処理が行えるよう
になっている。
In order to perform the processing in the multi-chamber including the gate chamber 22, the gate valves 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 , 99 1 , 99 2 are closed in advance and the load lock chamber is evacuated by the vacuum exhaust device. 17, sender 18,
A vacuum is applied to the chambers 19, 20 and the receiver 21. The semiconductor wafer is unloaded from the cassette in which the semiconductor wafer of the sender 18 is stored. The gate valve 22 1 is opened, and the semiconductor wafer is transferred to the load lock chamber 17. The gate valve 22 1 is closed. After that, the gate valve 22 2 between the chamber 19 in which the vacuum processing is performed is opened to transfer the semiconductor wafer into the chamber 19, and the gate valve 22 2 is closed to perform the vacuum processing, for example, the semiconductor wafer by the plasmatized gas. Etching for forming the above thin film in a desired pattern, ashing for removing the resist film after etching, lamination of thin films, and the like are performed. Chamber 19
While the process is being carried out in step 1, the semiconductor wafer is unloaded from the sender 18 by the same method again, the gate valve 22 3 is opened, the semiconductor wafer is transferred into the chamber 20, and vacuum processing is performed. After the processing of the chamber 19, the gate valve 22 2 between the chamber 19 and the load lock chamber 17 held in vacuum is opened, and the processed semiconductor wafer is transferred to the load lock chamber 17. The gate valve 22 2 is closed and the gate valve 22 4 is opened to carry out the semiconductor wafer to the receiver 21 and store it in the cassette. Further, when the processing is completed in the chamber 20,
The gate valve 22 3 is opened and conveyed to the load lock chamber 17, the gate valve 22 3 is closed, and then the gate valve 22 4
Open and convey to the receiver 21 to end the process. In this way, since the vacuum is constantly maintained in each chamber and the processing is repeated in sequence, efficient processing can be performed.

【0022】このようなゲートチャンバ23のメンテナ
ンスを行なう場合、ゲートチャンバ23の下方のねじ2
9を外し油圧シリンダ27、ゲートベース26及びゲー
トフランジ31をゲートチャンバ23から抜脱する。こ
のようにすることでロードロック室17またはチャンバ
19を移動させずに、簡単にゲートベース26及びゲー
トフランジ31の付着物のクリーニングや、機構のメン
テナンスを行なうことができる。また、摩耗しやすいチ
ャンバ19の開口部19a周囲のOリング34も交換で
き、従来のようにチャンバ19やロードロック室17の
移動することなく行なうことができる。チャンバ19や
ロードロック室17を移動せずに行なえることは、メン
テナンスの終了後に大変な作業である装置の位置合わせ
を行なわずに済むため、非常に効率的である。
When such maintenance of the gate chamber 23 is performed, the screw 2 below the gate chamber 23 is used.
9 is removed, and the hydraulic cylinder 27, the gate base 26, and the gate flange 31 are pulled out from the gate chamber 23. By doing so, it is possible to easily clean the deposits on the gate base 26 and the gate flange 31 and maintain the mechanism without moving the load lock chamber 17 or the chamber 19. Further, the O-ring 34 around the opening 19a of the chamber 19 which is easily worn can be replaced, and the operation can be performed without moving the chamber 19 or the load lock chamber 17 as in the conventional case. Performing without moving the chamber 19 and the load lock chamber 17 is very efficient because it is not necessary to align the device, which is a difficult work after the maintenance is completed.

【0023】また、本発明のゲートバルブはロードロッ
ク室を共有するマルチチャンバに適用した場合、一方の
チャンバのメンテナンスのため、チャンバの一方が大気
圧になっている場合においても、負圧になっているロー
ドロック室17方向に吸着されても、ロードロック室1
7内を気密に保持し、ロードロック室17方向に押圧さ
れる力に対して耐久性を有する。そのため一方のみのチ
ャンバのメンテナンス時には、他方のチャンバを稼働さ
せることができる。
In addition, when the gate valve of the present invention is applied to a multi-chamber that shares a load lock chamber, even if one of the chambers is at atmospheric pressure, a negative pressure is produced due to maintenance of one chamber. Load lock chamber 1 even if it is adsorbed in the direction of the load lock chamber 1
The inside of 7 is kept airtight and has durability against the force pressed in the direction of the load lock chamber 17. Therefore, during maintenance of only one chamber, the other chamber can be operated.

【0024】上記説明は本発明の一実施例であって、本
発明はこれに限定されない。即ち、マルチチャンバのみ
でなくチャンバの1のものであってもよく、また半導体
製造に限らず、液晶基板製造等、真空処理を行なうもの
であれば何れのものにも適用することができる。また、
ゲートの開閉も垂直方向のみに限定されず例えば水平方
向の移動により行なうようにしてもよい。
The above description is one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this. That is, not only the multi-chamber but also one of the chambers may be used, and the present invention is not limited to the semiconductor manufacturing, but can be applied to any one that performs vacuum processing such as liquid crystal substrate manufacturing. Also,
The opening and closing of the gate is not limited to the vertical direction, but may be performed by moving in the horizontal direction, for example.

【0025】本実施例ではLCD用ガラス基板の製造装
置について説明したが、半導体ウェハの製造を行なうマ
ルチチャンバに本発明のゲートバルブを適用できること
は言うまでもない。
Although the glass substrate manufacturing apparatus for LCD has been described in this embodiment, it goes without saying that the gate valve of the present invention can be applied to a multi-chamber for manufacturing a semiconductor wafer.

【0026】[0026]

【発明の効果】上記説明からも明らかなように、本発明
のゲートバルブによれば、基台を駆動方向にガイドする
ガイド機構を設けると共に蓋体を基台に引寄せる手段を
設けたので、これら基台や蓋体が容器の内壁や処理室の
開口部にこすれてゴミの発生を引き起こすことなく、ス
ムーズな開閉動作を行なうことができる。また、本発明
のゲートバルブによれば、蓋体の一端に回転手段を設け
たので、蓋体の開口部への押圧、引離れ動作が円滑に行
なわれ、蓋体が処理室の開口部にこすれてゴミの発生を
引き起こすことを防止できる。
As is apparent from the above description, according to the gate valve of the present invention, the guide mechanism for guiding the base in the driving direction is provided and the means for pulling the lid body to the base is provided. A smooth opening / closing operation can be performed without rubbing the base or lid with the inner wall of the container or the opening of the processing chamber to generate dust. Further, according to the gate valve of the present invention, since the rotating means is provided at one end of the lid, the opening and closing operations of the lid are smoothly performed, and the lid is opened in the processing chamber. It is possible to prevent rubbing and generating dust.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のゲートバルブを適用した一実施例の構
成図。
FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment to which a gate valve of the present invention is applied.

【図2】図1に示すゲートバルブの要部を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the main parts of the gate valve shown in FIG.

【図3】図1に示すゲートバルブの要部を示す断面図。3 is a cross-sectional view showing a main part of the gate valve shown in FIG.

【図4】図1に示すゲートバルブの断面斜視図。4 is a cross-sectional perspective view of the gate valve shown in FIG.

【図5】従来例を示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional example.

【図6】従来例を示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

17・・・・・・ロードロック室(処理室) 17a・・・・・・ロードロック室の開口部 19、20・・・・・・チャンバ(処理室) 19a・・・・・・チャンバの開口部 22、221、222、223、224・・・・・・ゲートバルブ 26・・・・・・ゲートベース(基台) 27・・・・・・油圧シリンダ(駆動機構) 30・・・・・・リンク 31・・・・・・ゲートフランジ(蓋体) 32・・・・・・スプリング(引寄せ手段) 33・・・・・・ローラ(回転手段) 100・・・・・・ガイドレール(ガイド機構) 101・・・・・・ベヤリング機構(ガイド機構)17 --- Load lock chamber (processing chamber) 17a --- Opening part of load-lock chamber 19, 20 ...- Chamber (processing chamber) 19a --- Opening 22, 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 ··· Gate valve 26 ··· Gate base (base) 27 ··· Hydraulic cylinder (drive mechanism) 30・ ・ ・ ・ Link 31 ・ ・ Gate flange (lid) 32 ・ ・ Spring (pulling means) 33 ・ ・ Roller (rotating means) 100 ・ ・ ・ ・..Guide rails (guide mechanism) 101 ... Bearing mechanism (guide mechanism)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】駆動機構に接続される基台と、この基台に
連結され処理室の開口部に押圧されて前記処理室を閉成
する蓋体と、前記基台と前記蓋体とを収容する容器と、
前記容器の内壁に沿って設けられ、前記基台を前記駆動
機構の駆動方向に進退自由に案内するガイド機構と、前
記蓋体を前記基台に引寄せる引寄せ手段とを備えたこと
を特徴とするゲートバルブ。
1. A base which is connected to a drive mechanism, a lid which is connected to the base and is pressed by an opening of a processing chamber to close the processing chamber, and the base and the lid. A container to house
A guide mechanism that is provided along the inner wall of the container and that guides the base in a drive direction of the drive mechanism so as to freely move back and forth; and a pulling unit that pulls the lid body toward the base. And a gate valve.
【請求項2】前記蓋体はその一端に回転手段が設けられ
ていることを特徴とする請求項1記載のゲートバルブ。
2. The gate valve according to claim 1, wherein the lid is provided with a rotating means at one end thereof.
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