JPH05196150A - Gate valve - Google Patents
Gate valveInfo
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- JPH05196150A JPH05196150A JP12508492A JP12508492A JPH05196150A JP H05196150 A JPH05196150 A JP H05196150A JP 12508492 A JP12508492 A JP 12508492A JP 12508492 A JP12508492 A JP 12508492A JP H05196150 A JPH05196150 A JP H05196150A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はゲートバルブに関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a gate valve.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体ウェハ製造工程やＬＣ
Ｄ基板製造工程において真空内で半導体ウェハやＬＣＤ
基板の処理を行うものが種々ある。例えば、真空チャン
バ内に供給された反応ガスをプラズマによりラジカルに
して、半導体ウェハ上に薄膜を形成するＣＶＤ装置、ラ
ジカルにより半導体ウェハの薄膜上に所望のパターンに
形成されたレジスト膜により薄膜を所望のパターンに形
成するエッチング装置、またはエッチング後のレジスト
膜を除去するアッシング装置等がある。2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor wafer manufacturing processes and LC
Semiconductor wafers and LCDs in vacuum in the D substrate manufacturing process
There are various types of processing substrates. For example, a CVD apparatus for forming a thin film on a semiconductor wafer by using a reaction gas supplied in a vacuum chamber as a radical by plasma, a thin film is desired by a resist film formed in a desired pattern on the thin film of a semiconductor wafer by the radical. There is an etching apparatus for forming the pattern of No. 2 or an ashing apparatus for removing the resist film after etching.
【０００３】これらの装置では、図５に示すように、半
導体ウェハが収納されたカセットから半導体ウェハを搬
出するセンダ１により開かれたゲートバルブＶ1から、
半導体ウェハを一旦ロードロック室２に搬送し、ゲート
バルブＶ1を閉じて、ロードロック室２を真空にする。
その後、真空処理の行われるチャンバ（処理室）３との
間のゲートバルブＶ2を開いて、半導体ウェハをチャン
バ３内に搬送し、ゲートバルブＶ2を閉じて真空処理を
行う。処理後、チャンバ３に隣接されるロードロック室
４を真空にして、チャンバ３との間に設けられるゲート
バルブＶ3を開きロードロック室４に処理済の半導体ウ
ェハを搬送する。ゲートバルブＶ3を閉じ、半導体ウェ
ハを収納するカセットを備えたレシーバ５にゲートバル
ブＶ4を通って搬出するようになっている。このよう
に、チャンバ３は、２つのロードロック室２、４を真空
状態にしてゲートバルブＶ2、Ｖ3を開閉するため、常時
真空を維持でき、効率的な処理が行えるようになってい
る。このような装置には、複数のチャンバを備えて、ロ
ードロック室を共有したいわゆるマルチチャンバがあ
る。In these devices, as shown in FIG. 5, from a gate valve V 1 opened by a sender 1 for carrying out a semiconductor wafer from a cassette containing the semiconductor wafer,
The semiconductor wafer is once transferred to the load lock chamber 2, the gate valve V 1 is closed, and the load lock chamber 2 is evacuated.
After that, the gate valve V 2 with the chamber (processing chamber) 3 in which the vacuum processing is performed is opened to transfer the semiconductor wafer into the chamber 3, and the gate valve V 2 is closed to perform the vacuum processing. After the processing, the load lock chamber 4 adjacent to the chamber 3 is evacuated and the gate valve V 3 provided between the chamber 3 and the chamber 3 is opened to transfer the processed semiconductor wafer to the load lock chamber 4. The gate valve V 3 is closed, and the semiconductor wafer is carried out through the gate valve V 4 to the receiver 5 equipped with a cassette. In this way, the chamber 3 opens the two load lock chambers 2 and 4 in a vacuum state and opens and closes the gate valves V 2 and V 3 , so that a vacuum can always be maintained and efficient processing can be performed. .. Such an apparatus includes a so-called multi-chamber having a plurality of chambers and sharing a load lock chamber.
【０００４】[0004]
【発明が解決すべき課題】このような装置のゲートバル
ブは、図６に示すように接続部材６で接続される処理室
３Ａ及び３Ｂの側壁のそれぞれの開口部７Ａと７Ｂ間に
設けられ、上下動機構例えば油圧シリンダ８に接続され
て上下動するゲートベース９と、ゲートベース９にリン
ク１０で接続されるゲートフランジ１１を備える。この
ような構成において油圧シリンダ８によりゲートベース
９が上方に上昇し、ゲートフランジ１１の先端１２がゲ
ートベース９より先に接続部材６に到達すると、上昇を
続けるゲートベース９によりリンク１０が回転してゲー
トフランジ１１が処理室３Ｂの方向に押され、開口部７
Ｂに誘導する。開口部７Ｂの周囲に設けられたＯリング
１４にゲートフランジ１１が密着し、処理室３Ａ及び３
Ｂのゲートが閉じられるようになっている。The gate valve of such an apparatus is provided between the openings 7A and 7B of the side walls of the processing chambers 3A and 3B connected by the connecting member 6 as shown in FIG. A vertical movement mechanism, for example, a gate base 9 that is connected to a hydraulic cylinder 8 and moves up and down, and a gate flange 11 that is connected to the gate base 9 by a link 10. In such a configuration, when the gate base 9 is lifted upward by the hydraulic cylinder 8 and the tip 12 of the gate flange 11 reaches the connecting member 6 before the gate base 9, the link 10 is rotated by the gate base 9 which continues to lift. The gate flange 11 is pushed toward the processing chamber 3B, and the opening 7
Induce to B. The gate flange 11 is brought into close contact with the O-ring 14 provided around the opening 7B, and the processing chambers 3A and 3
The gate of B is closed.
【０００５】処理室３Ａ及び３Ｂを連結する場合は、油
圧シリンダ８が下降すると、まずゲートベース９が下降
し、リンク１０により引戻されたゲートフランジ１１が
ともに下降してゲートが開かれる。このようなゲートバ
ルブは大口径化したＬＣＤの処理装置では、当然開口部
も大きくなりゲートベース９及びゲートフランジ１１も
大型化している。そのため、１本のリンク１０で開口部
７Ｂの開閉をするゲートフランジ１１の動きがスムーズ
に行われず、ゲートベース９とゲートフランジ１１が平
行状態で上下動しないことがあった。即ち、ゲートバル
ブによる処理室の開口部７Ｂの閉成の際には、ゲートフ
ランジ１１の先端１２がゲートバルブの内壁にあたり、
摩擦によりこすれてゴミが発生するという問題があっ
た。また、ゲートバルブによる処理室の開口部７Ｂの開
口に際しては、ゲートバルブ９が油圧シリンダ８により
下方に加工するのに伴って、ゲートフランジ１１はリン
ク１０により引張られることにより開口部７Ｂを開口す
るが、その後必ずしもゲートフランジ１１はゲートバル
ブ９と平行な状態でゲートバルブ９に引寄せられるとは
限らず、ゲートバルブ９とゲートフランジ１１を収容す
るゲートバルブの内壁にこすれてゴミを発生するという
問題があった。In the case of connecting the processing chambers 3A and 3B, when the hydraulic cylinder 8 descends, the gate base 9 descends first, and the gate flange 11 pulled back by the link 10 descends together to open the gate. Such a gate valve naturally has a large opening in a large-diameter LCD processing apparatus, and the gate base 9 and the gate flange 11 are also large. Therefore, the movement of the gate flange 11 that opens and closes the opening 7B by one link 10 may not be performed smoothly, and the gate base 9 and the gate flange 11 may not move up and down in a parallel state. That is, when the opening 7B of the processing chamber is closed by the gate valve, the tip 12 of the gate flange 11 contacts the inner wall of the gate valve,
There was a problem that rubbing caused rubbing to generate dust. Further, when the opening 7B of the processing chamber is opened by the gate valve, as the gate valve 9 is processed downward by the hydraulic cylinder 8, the gate flange 11 is pulled by the link 10 to open the opening 7B. However, after that, the gate flange 11 is not always attracted to the gate valve 9 in a state parallel to the gate valve 9, and rubbing against the inner wall of the gate valve housing the gate valve 9 and the gate flange 11 generates dust. There was a problem.
【０００６】また、マルチチャンバの場合はゲートバル
ブはロードロック室より常に負圧になっているチャンバ
に吸着されるため、チャンバ方向に押圧される力に対し
て耐久性を有するが、ロードロック室方向に押圧される
力に対しては耐久性がなく、一方のみの処理室のメンテ
ナンス時であっても、処理室は双方とも使用できなかっ
た。Further, in the case of a multi-chamber, since the gate valve is adsorbed by the chamber that is always at a negative pressure than the load lock chamber, it has durability against the force pressed in the chamber direction. There was no durability against the force pressed in the direction, and both processing chambers could not be used even during maintenance of only one processing chamber.
【０００７】本発明は、上記の欠点を解消するためにな
されたものであって、ゲートフランジが処理室の開口部
の開閉時にスムーズに移動してゲートバルブの内壁や開
口部とこすれてゴミを発生することなく、処理室内を高
精度に真空を維持できるゲートバルブを提供することを
目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned drawbacks, and the gate flange moves smoothly when opening and closing the opening of the processing chamber and rubs against the inner wall and opening of the gate valve to remove dust. An object of the present invention is to provide a gate valve that can maintain a vacuum in a processing chamber with high accuracy without generating the vacuum.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のゲートバルブは、駆動機構に接続される基
台と、この基台に連結され処理室の開口部に押圧されて
処理室を閉成する蓋体と、基台と蓋体とを収容する容器
と、容器の内壁に沿って設けられ、基台を駆動機構の駆
動方向に進退自由に案内するガイド機構と、蓋体を基台
に引寄せる引寄せ手段とを備えたものであり、好適に
は、蓋体はその一端に回転手段が設けられたものであ
る。In order to achieve the above object, a gate valve of the present invention comprises a base connected to a drive mechanism and a processing chamber connected to the base and pressed against an opening of the processing chamber. A lid that closes the container, a container that houses the base and the lid, a guide mechanism that is provided along the inner wall of the container, and that guides the base freely in the drive direction of the drive mechanism, and the lid. It is provided with a pulling means for pulling to the base, and preferably, the lid body is provided with a rotating means at one end thereof.
【０００９】[0009]
【作用】処理室の開口部間に設けられるゲートバルブ
は、駆動機構に接続された基台を駆動することにより、
この基台に連結された蓋体がともに駆動されて処理室の
開口部に押圧され、処理室の開口部を閉成する。この
際、基台はゲートバルブの内壁に設けられたガイド機構
にガイドされて駆動されるとともに、蓋体は基台に対し
て常に平行を保ちながら基台に引寄せられた状態でスム
ーズに開口動作を行なうことができる。これにより、蓋
体がゲートバルブの内壁とこすれてゴミを発生すること
もない。また蓋体が処理室の開口部に正確に押圧される
ので処理室内の真空は高精度に維持できる。The gate valve provided between the openings of the processing chamber is driven by driving the base connected to the drive mechanism.
The lids connected to this base are driven together and pressed against the opening of the processing chamber to close the opening of the processing chamber. At this time, the base is driven by being guided by a guide mechanism provided on the inner wall of the gate valve, and the lid body is smoothly kept open while being kept parallel to the base. You can take action. This prevents the lid from rubbing against the inner wall of the gate valve to generate dust. Further, since the lid is accurately pressed against the opening of the processing chamber, the vacuum in the processing chamber can be maintained with high accuracy.
【００１０】一方、駆動機構を逆に駆動することにより
基台はガイド機構にガイドされるとともに蓋体が処理室
の開口部から基台の方向に引戻される方向に駆動され
る。この際、閉成時と同様に蓋体は基台に対して常に平
行を保ちながら開口動作を行なうことができるとともに
開口に際して蓋体が引寄せ手段により基台に引寄せられ
るので、蓋体がゲートバルブの内壁とこすれてゴミを発
生することもない。On the other hand, by driving the drive mechanism in the opposite direction, the base is guided by the guide mechanism and the lid is driven in the direction of being pulled back from the opening of the processing chamber toward the base. At this time, as in the case of closing the lid, the lid can always perform an opening operation while being parallel to the base, and at the time of opening, the lid is pulled to the base by the pulling means. No dust is generated by rubbing against the inner wall of the gate valve.
【００１１】さらに、蓋体の先端に回転手段が設けられ
ていることにより、蓋体の開口部への押圧、引離れがス
ムーズに行なわれる。Further, since the rotating means is provided at the tip of the lid, the opening and closing of the lid can be smoothly performed.
【００１２】[0012]
【実施例】本発明のゲートバルブをＬＣＤ用ガラス基板
の製造装置のマルチチャンバに適用した一実施例を図面
を参照して説明する。図１に示すマルチチャンバは、主
として中央に設けられるロードロック室１７と、ロード
ロック室１７を包囲するように隣接してそれぞれ設けら
れるセンダ１８と、チャンバ（処理室）１９及び２０
と、レシーバ２１とから成る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the gate valve of the present invention is applied to a multi-chamber of an LCD glass substrate manufacturing apparatus will be described with reference to the drawings. The multi-chamber shown in FIG. 1 mainly includes a load lock chamber 17 provided at the center, a sender 18 provided adjacently so as to surround the load lock chamber 17, and chambers (processing chambers) 19 and 20.
And a receiver 21.
【００１３】センダ１８は未処理のＬＣＤ用ガラス基板
が収納されるカセットの載置台を備え、一段毎に上昇あ
るいは下降してＬＣＤ用ガラス基板が搬出できるように
なっている。ロードロック室１７は３６０゜回転可能
で、水平方向に伸長する搬送アームを備え、図示しない
真空排気装置に接続されている。チャンバ１９及び２０
はＬＣＤ用ガラス基板を一枚ずつ処理する枚葉処理装置
であり、図示はしないが平行して設けられる平行平板電
極を備え、この電極間にＬＣＤ用ガラス基板が搬入され
ると高周波を印加する高周波電源装置や、高周波により
プラズマ化されるガスの供給装置や、プラズマ化される
ガスを検出するエンドポイント検出器、あるいはチャン
バ内の温度をコントロールする温度制御装置等が接続さ
れ、ロードロック室１７と同様に真空排気装置に接続さ
れる。これらのチャンバにおいては、プラズマ化された
ガスによりＬＣＤ用ガラス基板上の薄膜を所望のパター
ンに形成するエッチング、またはエッチング後のレジス
ト膜を除去するアッシング、あるいは薄膜の積層等がな
される。The sender 18 is provided with a mounting table for a cassette in which an unprocessed glass substrate for LCD is stored, and the LCD glass substrate can be carried out by going up or down step by step. The load lock chamber 17 is rotatable by 360 °, has a transfer arm extending in the horizontal direction, and is connected to a vacuum exhaust device (not shown). Chambers 19 and 20
Is a single-wafer processing device that processes LCD glass substrates one by one, and includes parallel plate electrodes (not shown) arranged in parallel, and applies a high frequency when the LCD glass substrates are carried in between the electrodes. The load lock chamber 17 is connected to a high frequency power supply device, a supply device of gas that is turned into plasma by high frequency, an endpoint detector that detects the gas to be turned into plasma, a temperature control device that controls the temperature in the chamber, and the like. Is connected to the vacuum exhaust device in the same manner as in. In these chambers, etching for forming a thin film on a glass substrate for LCD in a desired pattern by gas turned into plasma, ashing for removing a resist film after etching, or lamination of thin films is performed.
【００１４】レシーバ２１は、処理済のＬＣＤ用ガラス
基板を収納する（図示しない）カセットの載置台を備
え、センダ１８と同様の機能を有し、ロードロック室１
７から搬送される処理済のＬＣＤ用ガラス基板を搬入す
るようになっている。このような構成のマルチチャンバ
１６のロードロック室１７と、センダ１８間、チャンバ
１９及び２０間、レシーバ２１間には、ゲートバルブ２
２が設けられる。ゲートバルブ２２は、それぞれセンダ
１８とロードロック室１７間に設けられるものは２
２1、ロードロック室１７とチャンバ１９間に設けられ
るものは２２2、ロードロック室１７とチャンバ２０間
に設けられるものは２２3、ロードロック室１７とレシ
ーバ２１間に設けられるものは２２4と称し、全て同様
の機構を有するものである。更に同様の機構を備えたゲ
ートバルブ９９1及び９９2がそれぞれセンダ１８及びレ
シーバ２１に設けられる。The receiver 21 includes a cassette mounting table (not shown) for storing the processed LCD glass substrate, has the same function as the sender 18, and has the load lock chamber 1
The processed glass substrate for LCD carried from 7 is carried in. The gate valve 2 is provided between the load lock chamber 17 and the sender 18, between the chambers 19 and 20, and between the receiver 21 of the multi-chamber 16 having such a configuration.
Two are provided. The gate valve 22 is provided between the sender 18 and the load lock chamber 17 respectively.
2 1 , 22 2 provided between the load lock chamber 17 and the chamber 19, 22 3 provided between the load lock chamber 17 and the chamber 20, and 22 4 provided between the load lock chamber 17 and the receiver 21. And all have the same mechanism. Further, gate valves 99 1 and 99 2 having a similar mechanism are provided in the sender 18 and the receiver 21, respectively.
【００１５】図２〜図４に示すように、例えばロードロ
ック室１７とチャンバ１９間に設けられるゲートバルブ
２２は、駆動機構として例えばエアシリンダあるいは油
圧シリンダ２７等によって駆動例えば上下動される基台
であるゲートベース２６と、このゲートベース２６に連
結された蓋体であるゲートフランジ３１とを備え、これ
らゲートベース２６及びゲートフランジ３１は、ロード
ロック室１７の開口部１７ａと、チャンバ１９の開口部
１９ａとを包囲してなる容器であるゲートチャンバ２３
内を収容されている。As shown in FIGS. 2 to 4, for example, a gate valve 22 provided between the load lock chamber 17 and the chamber 19 is driven by, for example, an air cylinder or a hydraulic cylinder 27 as a driving mechanism, and is moved up and down, for example. And a gate flange 31 that is a lid connected to the gate base 26. The gate base 26 and the gate flange 31 are provided with an opening 17a of the load lock chamber 17 and an opening of the chamber 19. Gate chamber 23 which is a container surrounding the portion 19a
It is housed inside.
【００１６】ゲートベース２６とゲートフランジ３１
は、その側壁をリンク３０により相互に連結されてい
る。リンクはゲートベース２６とゲートフランジ３１と
の平行を確保するために好適には２つ設けられる。なお
図では、手前の側壁のみ示されるが、反対側の側壁も同
様になっている。更に、ゲートフランジ３１とゲートベ
ース２６間には引寄せ手段、例えばスプリング３２が掛
止され、ゲートフランジ３１の上面がゲートベース２６
の上面より上方に位置し、ゲートフランジ３１がゲート
ベース２６に引き付けられるように支持される。これに
より、ゲートフランジ３１が開口するように駆動される
とき、ゲートベース２６に引寄せられ、内壁とぶつかる
ことがない。また、ゲートフランジ３１の上面には回転
手段としてローラ３３が備えられ、ゲートフランジ３１
がチャンバ１９の開口部１９ａに押圧、引離れる際の動
作がスムーズに行くようになっている。Gate base 26 and gate flange 31
Have their sidewalls interconnected by links 30. Two links are preferably provided to ensure the parallelism between the gate base 26 and the gate flange 31. Although only the front side wall is shown in the drawing, the side wall on the opposite side is also the same. Further, a pulling means, for example, a spring 32 is hooked between the gate flange 31 and the gate base 26, and the upper surface of the gate flange 31 is attached to the gate base 26.
The gate flange 31 is located above the upper surface of and is supported so as to be attracted to the gate base 26. As a result, when the gate flange 31 is driven to open, it is attracted to the gate base 26 and does not collide with the inner wall. Further, a roller 33 is provided on the upper surface of the gate flange 31 as a rotating means,
Is smoothly pressed against the opening 19a of the chamber 19 and pulled away.
【００１７】一方、ゲートチャンバ２３は、ロードロッ
ク室１７の開口部１７ａ及びチャンバ１９の開口部１９
ａ部分にそれぞれ開口部２３ａ及び２３ｂを有し、ロー
ドロック室１７及びチャンバ１９の側壁にそれぞれＯリ
ング２４を介してねじ２５で固定される。また、このゲ
ートチャンバ２３の内壁に沿ってゲートベース２６の駆
動方向にゲートベース２６をガイドするガイド機構とし
て、例えばガイドレール１００とこのガイドレールに取
り付けられてスライドするベアリング機構１０１との組
みがロードロック室の開口部の両側と相対するゲートベ
ース２６との間に取り付けられている。このガイド機構
はゲートベース２６の駆動を円滑ならしめるとともに、
ゲートバルブの内壁とゲートベース２６がこすれてゴミ
を発生するのを防止する。さらにガイド機構は、チャン
バ１９とロードロック室１７との真空到達度の違いによ
り生じる力に対抗してゲートフランジ３１をチャンバの
開口部１９ａに押圧する力を生じ支える基台の役割をは
たすように構成されている。即ち、例えばプラズマ処理
をするためにチャンバ１９内が１０-4Torr程度の真空度
になっているのに対し、ロードロック室１７が大気圧か
ら１０-3Torr程度の真空度に変化していく場合に、ゲー
トフランジ３１がチャンバ１９の開口部から押戻される
力を受けるが、この力をガイド機構が支承する。On the other hand, the gate chamber 23 has an opening 17a in the load lock chamber 17 and an opening 19 in the chamber 19.
The portions a have openings 23a and 23b, respectively, and are fixed to the side walls of the load lock chamber 17 and the chamber 19 with screws 25 via O-rings 24, respectively. Further, as a guide mechanism for guiding the gate base 26 in the driving direction of the gate base 26 along the inner wall of the gate chamber 23, for example, a set of a guide rail 100 and a bearing mechanism 101 attached to and sliding on the guide rail is loaded. It is attached between both sides of the opening of the lock chamber and the opposing gate base 26. This guide mechanism smoothes the drive of the gate base 26, and
The inner wall of the gate valve and the gate base 26 are prevented from rubbing to generate dust. Further, the guide mechanism serves as a base for supporting and generating a force for pressing the gate flange 31 against the opening 19a of the chamber against the force generated by the difference in the degree of vacuum reach between the chamber 19 and the load lock chamber 17. It is configured. That is, for example, in order to perform plasma processing, the inside of the chamber 19 has a vacuum degree of about 10 -4 Torr, whereas the load lock chamber 17 changes from atmospheric pressure to a vacuum degree of about 10 -3 Torr. In this case, the gate flange 31 receives a force to be pushed back from the opening of the chamber 19, and this force is supported by the guide mechanism.
【００１８】駆動機構であるエアシリンダあるいは油圧
シリンダ２７等はゲートチャンバ２３の下方に、Ｏリン
グ２８を介してねじ２９で気密に接続される。また、油
圧シリンダ２７はガイド機構に導かれたゲートベース２
６をロードロック室１７の方向に押しつけ密着させてい
るので、前述したようなチャンバ１９とロードロック室
１７との差圧に耐えることができ、特にロードロック室
１７が大気開放されチャンバ１９が図示されない真空排
気装置で負圧にされた時、圧力差によりチャンバ１９方
向へ押返されるときも、差圧に耐えることができる。ま
た、逆にチャンバ１９がメンテナンスで大気開放中の場
合にも負圧のロードロック室１７の気密を保持できる。An air cylinder or a hydraulic cylinder 27, which is a drive mechanism, is hermetically connected below the gate chamber 23 with a screw 29 via an O-ring 28. Further, the hydraulic cylinder 27 is connected to the gate base 2 guided by the guide mechanism.
Since 6 is pressed against the load lock chamber 17 and brought into close contact therewith, it is possible to withstand the differential pressure between the chamber 19 and the load lock chamber 17 as described above. When a negative pressure is applied by a vacuum exhaust device which is not operated, the pressure difference can be withstood even when the pressure is pushed back toward the chamber 19 due to the pressure difference. On the contrary, even when the chamber 19 is open to the atmosphere for maintenance, the airtightness of the load lock chamber 17 having a negative pressure can be maintained.
【００１９】このような機構のゲートバルブ２２による
チャンバ１９とロードロック室１７の開閉動作を説明す
る。まず、開口部を閉成するには、油圧シリンダ２７の
上昇によりゲートベース２６が上昇される。ゲートベー
ス２６に連結されたゲートフランジ３１も同様に上昇さ
れ、ゲートベース２６より先に上面がゲートチャンバ２
３の上面に到達する。ゲートフランジ３１がゲートチャ
ンバ２３の上面に達してもゲートベース２６は尚も上昇
を続けることにより、ゲートフランジ３１は上昇せずに
留るため、リンク３０が回転され、ゲートフランジ３１
をチャンバ１９側に押し出す。ゲートフランジ３１は上
面に設けられる回転手段であるローラ３３に導かれ、図
３に示すようにチャンバ１９の開口部１９ａの周囲に設
けられるＯリング３４に押圧される。そしてチャンバ１
９内は密封される。The opening / closing operation of the chamber 19 and the load lock chamber 17 by the gate valve 22 having such a mechanism will be described. First, in order to close the opening, the gate base 26 is raised by raising the hydraulic cylinder 27. The gate flange 31 connected to the gate base 26 is also lifted in the same manner, and the upper surface of the gate flange 26 is located before the gate base 26.
Reach the top of 3. Even when the gate flange 31 reaches the upper surface of the gate chamber 23, the gate base 26 continues to move up, and the gate flange 31 stays without moving up. Therefore, the link 30 is rotated and the gate flange 31 is rotated.
Is pushed out toward the chamber 19 side. The gate flange 31 is guided to a roller 33, which is a rotating means provided on the upper surface, and is pressed by an O-ring 34 provided around the opening 19a of the chamber 19, as shown in FIG. And chamber 1
The inside of 9 is sealed.
【００２０】次に、この状態からゲートバルブ２２を開
成してチャンバ１９とロードロック室１７を連結するに
は、まず油圧シリンダ２７が下降を始めるとゲートベー
ス２６が下降する。リンク３０が回転し、引寄せ手段で
あるスプリング３２がゲートフランジ３１を牽引する。
ゲートフランジ３１は２つのリンク３０とスプリング３
２の３点で牽引されローラ３３の回転により、ゲートベ
ース２６と平行に引寄せられながらスムーズに下降す
る。そしてロードロック室１７とチャンバ１９が連結さ
れる。Next, in order to open the gate valve 22 to connect the chamber 19 and the load lock chamber 17 from this state, first the hydraulic cylinder 27 starts to descend, and the gate base 26 descends. The link 30 rotates, and the spring 32 as a pulling means pulls the gate flange 31.
The gate flange 31 has two links 30 and a spring 3.
The roller 33 is pulled at three points 2 and is rotated in parallel with the gate base 26 so that the roller 33 smoothly descends. Then, the load lock chamber 17 and the chamber 19 are connected.
【００２１】このようなゲートチャンバ２２を備えるマ
ルチチャンバにより処理を行なうには、予めゲートバル
ブ２２1、２２2、２２3、２２4、９９1、９９2を閉じて
真空排気装置によりロードロック室１７、センダ１８、
チャンバ１９、２０、レシーバ２１を真空にする。セン
ダ１８の半導体ウェハが収納されたカセットから半導体
ウェハを搬出する。ゲートバルブ２２1を開き、半導体
ウェハをロードロック室１７に搬送する。ゲートバルブ
２２1を閉じる。その後、真空処理の行われるチャンバ
１９との間のゲートバルブ２２2を開いて、半導体ウェ
ハをチャンバ１９内に搬送し、ゲートバルブ２２2を閉
じて真空処理、例えばプラズマ化されたガスにより半導
体ウェハ上の薄膜を所望のパターンに形成するエッチン
グ、またはエッチング後のレジスト膜を除去するアッシ
ング、あるいは薄膜の積層等がなされる。チャンバ１９
で処理が行なわれている間に、再び同様な方法でセンダ
１８から半導体ウェハを搬出し、ゲートバルブ２２3を
開いて、半導体ウェハをチャンバ２０内に搬送し、真空
処理する。チャンバ１９の処理後、真空に保持されてい
るロードロック室１７との間のゲートバルブ２２2を開
きロードロック室１７に処理済の半導体ウェハを搬送す
る。ゲートバルブ２２2を閉じ、ゲートバルブ２２4を開
いてレシーバ２１に半導体ウェハを搬出し、カセットに
収納する。さらに、チャンバ２０で処理が終了すると、
ゲートバルブ２２3を開いてロードロック室１７に搬送
し、ゲートバルブ２２3を閉じた後、ゲートバルブ２２4
を開けてレシーバ２１に搬送して処理を終了する。この
ようにそれぞれのチャンバ内を常時真空を維持して順次
処理を反復して行なうため、効率的な処理が行えるよう
になっている。In order to perform the processing in the multi-chamber including the gate chamber 22, the gate valves 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 , 99 1 , 99 2 are closed in advance and the load lock chamber is evacuated by the vacuum exhaust device. 17, sender 18,
A vacuum is applied to the chambers 19, 20 and the receiver 21. The semiconductor wafer is unloaded from the cassette in which the semiconductor wafer of the sender 18 is stored. The gate valve 22 1 is opened, and the semiconductor wafer is transferred to the load lock chamber 17. The gate valve 22 1 is closed. After that, the gate valve 22 2 between the chamber 19 in which the vacuum processing is performed is opened to transfer the semiconductor wafer into the chamber 19, and the gate valve 22 2 is closed to perform the vacuum processing, for example, the semiconductor wafer by the plasmatized gas. Etching for forming the above thin film in a desired pattern, ashing for removing the resist film after etching, lamination of thin films, and the like are performed. Chamber 19
While the process is being carried out in step 1, the semiconductor wafer is unloaded from the sender 18 by the same method again, the gate valve 22 3 is opened, the semiconductor wafer is transferred into the chamber 20, and vacuum processing is performed. After the processing of the chamber 19, the gate valve 22 2 between the chamber 19 and the load lock chamber 17 held in vacuum is opened, and the processed semiconductor wafer is transferred to the load lock chamber 17. The gate valve 22 2 is closed and the gate valve 22 4 is opened to carry out the semiconductor wafer to the receiver 21 and store it in the cassette. Further, when the processing is completed in the chamber 20,
The gate valve 22 3 is opened and conveyed to the load lock chamber 17, the gate valve 22 3 is closed, and then the gate valve 22 4
Open and convey to the receiver 21 to end the process. In this way, since the vacuum is constantly maintained in each chamber and the processing is repeated in sequence, efficient processing can be performed.
【００２２】このようなゲートチャンバ２３のメンテナ
ンスを行なう場合、ゲートチャンバ２３の下方のねじ２
９を外し油圧シリンダ２７、ゲートベース２６及びゲー
トフランジ３１をゲートチャンバ２３から抜脱する。こ
のようにすることでロードロック室１７またはチャンバ
１９を移動させずに、簡単にゲートベース２６及びゲー
トフランジ３１の付着物のクリーニングや、機構のメン
テナンスを行なうことができる。また、摩耗しやすいチ
ャンバ１９の開口部１９ａ周囲のＯリング３４も交換で
き、従来のようにチャンバ１９やロードロック室１７の
移動することなく行なうことができる。チャンバ１９や
ロードロック室１７を移動せずに行なえることは、メン
テナンスの終了後に大変な作業である装置の位置合わせ
を行なわずに済むため、非常に効率的である。When such maintenance of the gate chamber 23 is performed, the screw 2 below the gate chamber 23 is used.
9 is removed, and the hydraulic cylinder 27, the gate base 26, and the gate flange 31 are pulled out from the gate chamber 23. By doing so, it is possible to easily clean the deposits on the gate base 26 and the gate flange 31 and maintain the mechanism without moving the load lock chamber 17 or the chamber 19. Further, the O-ring 34 around the opening 19a of the chamber 19 which is easily worn can be replaced, and the operation can be performed without moving the chamber 19 or the load lock chamber 17 as in the conventional case. Performing without moving the chamber 19 and the load lock chamber 17 is very efficient because it is not necessary to align the device, which is a difficult work after the maintenance is completed.
【００２３】また、本発明のゲートバルブはロードロッ
ク室を共有するマルチチャンバに適用した場合、一方の
チャンバのメンテナンスのため、チャンバの一方が大気
圧になっている場合においても、負圧になっているロー
ドロック室１７方向に吸着されても、ロードロック室１
７内を気密に保持し、ロードロック室１７方向に押圧さ
れる力に対して耐久性を有する。そのため一方のみのチ
ャンバのメンテナンス時には、他方のチャンバを稼働さ
せることができる。In addition, when the gate valve of the present invention is applied to a multi-chamber that shares a load lock chamber, even if one of the chambers is at atmospheric pressure, a negative pressure is produced due to maintenance of one chamber. Load lock chamber 1 even if it is adsorbed in the direction of the load lock chamber 1
The inside of 7 is kept airtight and has durability against the force pressed in the direction of the load lock chamber 17. Therefore, during maintenance of only one chamber, the other chamber can be operated.
【００２４】上記説明は本発明の一実施例であって、本
発明はこれに限定されない。即ち、マルチチャンバのみ
でなくチャンバの１のものであってもよく、また半導体
製造に限らず、液晶基板製造等、真空処理を行なうもの
であれば何れのものにも適用することができる。また、
ゲートの開閉も垂直方向のみに限定されず例えば水平方
向の移動により行なうようにしてもよい。The above description is one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this. That is, not only the multi-chamber but also one of the chambers may be used, and the present invention is not limited to the semiconductor manufacturing, but can be applied to any one that performs vacuum processing such as liquid crystal substrate manufacturing. Also,
The opening and closing of the gate is not limited to the vertical direction, but may be performed by moving in the horizontal direction, for example.
【００２５】本実施例ではＬＣＤ用ガラス基板の製造装
置について説明したが、半導体ウェハの製造を行なうマ
ルチチャンバに本発明のゲートバルブを適用できること
は言うまでもない。Although the glass substrate manufacturing apparatus for LCD has been described in this embodiment, it goes without saying that the gate valve of the present invention can be applied to a multi-chamber for manufacturing a semiconductor wafer.
【００２６】[0026]
【発明の効果】上記説明からも明らかなように、本発明
のゲートバルブによれば、基台を駆動方向にガイドする
ガイド機構を設けると共に蓋体を基台に引寄せる手段を
設けたので、これら基台や蓋体が容器の内壁や処理室の
開口部にこすれてゴミの発生を引き起こすことなく、ス
ムーズな開閉動作を行なうことができる。また、本発明
のゲートバルブによれば、蓋体の一端に回転手段を設け
たので、蓋体の開口部への押圧、引離れ動作が円滑に行
なわれ、蓋体が処理室の開口部にこすれてゴミの発生を
引き起こすことを防止できる。As is apparent from the above description, according to the gate valve of the present invention, the guide mechanism for guiding the base in the driving direction is provided and the means for pulling the lid body to the base is provided. A smooth opening / closing operation can be performed without rubbing the base or lid with the inner wall of the container or the opening of the processing chamber to generate dust. Further, according to the gate valve of the present invention, since the rotating means is provided at one end of the lid, the opening and closing operations of the lid are smoothly performed, and the lid is opened in the processing chamber. It is possible to prevent rubbing and generating dust.
【図１】本発明のゲートバルブを適用した一実施例の構
成図。FIG. 1 is a configuration diagram of an embodiment to which a gate valve of the present invention is applied.
【図２】図１に示すゲートバルブの要部を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing the main parts of the gate valve shown in FIG.
【図３】図１に示すゲートバルブの要部を示す断面図。3 is a cross-sectional view showing a main part of the gate valve shown in FIG.
【図４】図１に示すゲートバルブの断面斜視図。4 is a cross-sectional perspective view of the gate valve shown in FIG.
【図５】従来例を示す構成図。FIG. 5 is a configuration diagram showing a conventional example.
【図６】従来例を示す断面図。FIG. 6 is a sectional view showing a conventional example.
１７・・・・・・ロードロック室（処理室） １７ａ・・・・・・ロードロック室の開口部 １９、２０・・・・・・チャンバ（処理室） １９ａ・・・・・・チャンバの開口部 ２２、２２1、２２2、２２3、２２4・・・・・・ゲートバルブ ２６・・・・・・ゲートベース（基台） ２７・・・・・・油圧シリンダ（駆動機構） ３０・・・・・・リンク ３１・・・・・・ゲートフランジ（蓋体） ３２・・・・・・スプリング（引寄せ手段） ３３・・・・・・ローラ（回転手段） １００・・・・・・ガイドレール（ガイド機構） １０１・・・・・・ベヤリング機構（ガイド機構）17 --- Load lock chamber (processing chamber) 17a --- Opening part of load-lock chamber 19, 20 ...- Chamber (processing chamber) 19a --- Opening 22, 22 1 , 22 2 , 22 3 , 22 4 ··· Gate valve 26 ··· Gate base (base) 27 ··· Hydraulic cylinder (drive mechanism) 30・ ・ ・ ・ Link 31 ・ ・ Gate flange (lid) 32 ・ ・ Spring (pulling means) 33 ・ ・ Roller (rotating means) 100 ・ ・ ・ ・..Guide rails (guide mechanism) 101 ... Bearing mechanism (guide mechanism)
Claims (2)
連結され処理室の開口部に押圧されて前記処理室を閉成
する蓋体と、前記基台と前記蓋体とを収容する容器と、
前記容器の内壁に沿って設けられ、前記基台を前記駆動
機構の駆動方向に進退自由に案内するガイド機構と、前
記蓋体を前記基台に引寄せる引寄せ手段とを備えたこと
を特徴とするゲートバルブ。1. A base which is connected to a drive mechanism, a lid which is connected to the base and is pressed by an opening of a processing chamber to close the processing chamber, and the base and the lid. A container to house
A guide mechanism that is provided along the inner wall of the container and that guides the base in a drive direction of the drive mechanism so as to freely move back and forth; and a pulling unit that pulls the lid body toward the base. And a gate valve.
ていることを特徴とする請求項１記載のゲートバルブ。2. The gate valve according to claim 1, wherein the lid is provided with a rotating means at one end thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12508492A JPH05196150A (en) | 1991-09-30 | 1992-05-18 | Gate valve |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25202191 | 1991-09-30 | ||
| JP3-252021 | 1991-09-30 | ||
| JP12508492A JPH05196150A (en) | 1991-09-30 | 1992-05-18 | Gate valve |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05196150A true JPH05196150A (en) | 1993-08-06 |
Family
ID=26461611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12508492A Pending JPH05196150A (en) | 1991-09-30 | 1992-05-18 | Gate valve |
Country Status (1)
| Country | Link |
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